專利名稱：熱轉(zhuǎn)換等離子體調(diào)諧器的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明一般涉及等離子體腔調(diào)諧器，并且特別涉及用于將RF發(fā)生器的阻抗匹配到等離子體腔或類似的非線性負(fù)載上的固態(tài)調(diào)諧器。
背景技術(shù)：
等離子體腔是在諸如RF濺射、等離子體沉積和反應(yīng)離子腐蝕的處理操作中使用的低壓充氣腔。這些處理操作主要用于集成電路和致密光盤(compact disc)制造。對于要求射頻(RF)功率信號的那些處理操作，等離子體腔利用一般工作在13.56MHz、27.12MHz和40.68MHz的ISM頻帶中的RF發(fā)生器來激勵。等離子體腔的輸入阻抗是高度非線性的，在此等離子體腔的不同操作模式期間變化。雖然利用等離子體腔處理系統(tǒng)能采用較低與較高頻率，但13.56MHz是RF發(fā)生器市場中使用的主要頻率。
一般情況下，RF發(fā)生器以諸如13.56MHz的預(yù)定頻率產(chǎn)生RF波。此發(fā)生器通過功率導(dǎo)管耦合到此等離子體腔。RF發(fā)生器的輸出一般設(shè)計為固定的公知阻抗，諸如50Ω。因為一般在RF發(fā)生器與等離子體腔之間存在嚴(yán)重的阻抗失配，所以通常在此發(fā)生器與此腔之間耦合自動阻抗匹配調(diào)諧器。
阻抗匹配調(diào)諧器目前已從機(jī)電調(diào)諧器演變?yōu)楣虘B(tài)調(diào)諧器，機(jī)電調(diào)諧器一般是機(jī)電驅(qū)動設(shè)備，控制可變電容器以便將發(fā)生器的輸出阻抗匹配到等離子體腔上。雖然機(jī)電調(diào)諧器能將RF發(fā)生器匹配到寬范圍的等離子體腔輸入阻抗上，但機(jī)電調(diào)諧器具有許多固有的缺陷，包括慢響應(yīng)、低可靠性、高與不可預(yù)知的功率損耗和高成本。
為了解決機(jī)電調(diào)諧器的上述缺陷，近來研制全部引入在此作為參考的美國專利號5473291中所述的固態(tài)調(diào)諧器。固態(tài)調(diào)諧器的出現(xiàn)彌補(bǔ)機(jī)電調(diào)諧器的許多列出的缺陷，以低功率電平、可預(yù)測的功率損耗和較低的成本提供較快速響應(yīng)和增加的可靠性。然而，常規(guī)的固態(tài)調(diào)諧器在調(diào)整阻抗的同時在可以加上的RF功率電平中受到限制。在加上RF功率的同時調(diào)整調(diào)諧器的阻抗稱為熱轉(zhuǎn)換。常規(guī)的固態(tài)調(diào)諧器通常在以超過大約300瓦特的RF功率電平試圖進(jìn)行熱轉(zhuǎn)換時呈現(xiàn)差的可靠性。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的熱轉(zhuǎn)換方法與阻抗匹配電路將匹配電路的調(diào)諧范圍擴(kuò)展為包括增加的功率電平。此熱轉(zhuǎn)換方法與電路包括在RF發(fā)生器輸出端與等離子體腔輸入端之間耦合受控阻抗網(wǎng)絡(luò)來匹配阻抗。此受控阻抗網(wǎng)絡(luò)包括用于轉(zhuǎn)換預(yù)定阻抗的RF開關(guān)。確定此RF開關(guān)的器件性能特征。通過此受控阻抗網(wǎng)絡(luò)將RF功率從RF發(fā)生器加到此等離子體腔。測量此阻抗匹配的信號特征，根據(jù)測量的信號特正控制此RF開關(guān)，以便朝向預(yù)定的匹配范圍驅(qū)動此阻抗匹配。根據(jù)此器件性能特征以任何速度轉(zhuǎn)換此RF開關(guān)。
為了更加全面理解本發(fā)明、其目的與優(yōu)點，可以參考以下說明和附圖。


圖1表示根據(jù)本發(fā)明教導(dǎo)的包括受控阻抗網(wǎng)絡(luò)的RF功率系統(tǒng)；圖2是表示根據(jù)本發(fā)明教導(dǎo)的受控阻抗網(wǎng)絡(luò)的當(dāng)前優(yōu)選實施例的方框圖；圖3表示根據(jù)此當(dāng)前優(yōu)選實施例的幾個RF開關(guān)網(wǎng)絡(luò)；圖4表示根據(jù)本發(fā)明教導(dǎo)的驅(qū)動器電路；圖5A表示根據(jù)本發(fā)明教導(dǎo)的電流調(diào)節(jié)器電路；圖6A-6C表示根據(jù)本發(fā)明教導(dǎo)的驅(qū)動器電路的代替實施例；和圖7表示根據(jù)本發(fā)明教導(dǎo)的用于熱轉(zhuǎn)換處理的流程圖。
具體實施例方式
參見圖1，其中示出耦合在RF發(fā)生器輸出端12和等離子體腔輸入端14之間的受控阻抗網(wǎng)絡(luò)10。該受控阻抗網(wǎng)絡(luò)10提供可調(diào)阻抗來減少發(fā)生器輸出端12和等離子體腔輸入端14的阻抗失配。通常情況下，RF發(fā)生器的輸出阻抗大約為固定的50Ω。然而，等離子體腔的輸入阻抗是一個變化范圍較大的復(fù)阻抗，一般變化范圍在實部1-10Ω和虛部-j5--j20Ω。
參見圖2，其中示出根據(jù)本發(fā)明原理的受控阻抗網(wǎng)絡(luò)10的當(dāng)前優(yōu)選實施例。該受控阻抗網(wǎng)絡(luò)10包括通過隔直電容20與耦合變壓器22耦合到RF輸出端18的RF輸入端16。偏置檢測電路26耦合到RF線路以便監(jiān)視在等離子體腔上產(chǎn)生的DC偏壓。偏置檢測電路26的DC偏置輸出端27耦合到控制器32。主與次開關(guān)單元電路24與34耦合到RF傳輸線路來分別提供可控容性與感性阻抗。主開關(guān)單元電路24連接在隔直電容20和耦合變壓器22之間。次開關(guān)單元電路34通過耦合變壓器22的次級線圈36耦合到RF傳輸線路?？刂破?2控制主與次開關(guān)單元電路24與34的轉(zhuǎn)換。
主開關(guān)單元電路24用于解調(diào)等離子體腔負(fù)載的實部，電抗元件選擇地開關(guān)輸入與輸出此電路以提供負(fù)載調(diào)節(jié)。主開關(guān)單元電路24包括多對驅(qū)動器電路28和RF開關(guān)網(wǎng)絡(luò)30以便選擇地轉(zhuǎn)換電抗元件。在目前優(yōu)選的實施例中，電抗元件配置在二進(jìn)制加權(quán)裝置中。然而，本發(fā)明的范圍包括其他的裝置，諸如相等加權(quán)的電抗元件。
次開關(guān)單元電路34通過變壓器22耦合受控阻抗，以調(diào)諧等離子體腔負(fù)載的電抗部分。類似于主開關(guān)單元電路24，成對的驅(qū)動器電路30和RF開關(guān)網(wǎng)絡(luò)28組成次開關(guān)單元電路34。次開關(guān)單元電路34的操作先前已公開并要求保護(hù)在下面全部引入作為參考的美國專利號5473291中。
參見圖3，示出RF開關(guān)網(wǎng)絡(luò)30的幾個可選擇實施例。本發(fā)明的當(dāng)前優(yōu)選實施例包括RF開關(guān)網(wǎng)絡(luò)30a中所示的陰極接地的PIN二極管36a。連接到PIN二極管36a的陽極的是開關(guān)電容器38和RF扼流圈40。開關(guān)電容器38連接到相應(yīng)開關(guān)單元電路的其它共同連接的RF開關(guān)網(wǎng)絡(luò)30的開關(guān)電容器，以提供可轉(zhuǎn)換阻抗。RF扼流圈40隔離流過開關(guān)電容器38的RF信號與耦合到RF開關(guān)網(wǎng)絡(luò)30的相關(guān)管腳(pin)驅(qū)動器電路28。本發(fā)明的范圍包括具有陽極防護(hù)構(gòu)造的RF開關(guān)網(wǎng)絡(luò)。
第一可選擇的RF開關(guān)網(wǎng)絡(luò)30b使用連接到開關(guān)電容器38b與RF扼流圈40b的非隔離PIN二極管36b。RF扼流圈40b又隔離RF信號與相關(guān)的管腳驅(qū)動器電路28，并且開關(guān)電容器38b提供可轉(zhuǎn)換阻抗。利用第一可選擇RF開關(guān)網(wǎng)絡(luò)30b包括的是耦合到變壓器22的初級線圈的DC電流通路。該DC電流通路包括從變壓器22的初級耦合到地的RF扼流圈。另外，隔直電容器20耦合在變壓器22和RF輸出端18之間，檢測電路26與RF輸出端18相連。第二可選擇RF開關(guān)網(wǎng)絡(luò)30c包括開關(guān)電感器42以提供可轉(zhuǎn)換阻抗。與開關(guān)電感器42串聯(lián)的PIN二極管36c控制阻抗的應(yīng)用。
參見圖4，示出驅(qū)動器電路28的當(dāng)前優(yōu)選實施例。驅(qū)動器電路28在驅(qū)動器輸出端上生成低阻抗信號來驅(qū)動相關(guān)的RF開關(guān)網(wǎng)絡(luò)30。該驅(qū)動器電路包括正向偏置開關(guān)50和反向偏置開關(guān)52，用于分別轉(zhuǎn)換+5A的正向偏壓從而提供0.5A的正向偏流，和-1000V的反向偏壓。在此優(yōu)選實施例中，MOSFET用于正向與反向偏置開關(guān)50與52，然而本發(fā)明的范圍包括使用諸如BJT與IGBT的其它開關(guān)。
電流調(diào)節(jié)器電路54與正向偏置電源55和正向偏置開關(guān)50串聯(lián)，以調(diào)節(jié)提供給RF開關(guān)的正向偏置電流。電流調(diào)節(jié)器電路54包括與R-C前導(dǎo)網(wǎng)絡(luò)并聯(lián)的電阻，用于限制提供給RF開關(guān)的正向偏置電流源的振幅。雖然在當(dāng)前優(yōu)選的實施例中采用阻容網(wǎng)絡(luò)，但本發(fā)明的原理可以容易地擴(kuò)展到其它的無源網(wǎng)絡(luò)，以及有源電流調(diào)節(jié)器電路，諸如圖5所示的調(diào)節(jié)器電路。
箝位網(wǎng)絡(luò)56耦合在正向偏置開關(guān)50和反向偏置開關(guān)52之間，用于縮短正向偏置開關(guān)50的轉(zhuǎn)換時間并限制交叉?zhèn)鲗?dǎo)電流。耦合在正向偏置開關(guān)50和反向偏置開關(guān)52之間的電流檢測裝置60觸發(fā)箝位開關(guān)62，加速正向偏置開關(guān)50的斷開。在當(dāng)前優(yōu)選實施例中，電阻用作電流檢測裝置60并且開關(guān)晶體管用于箝位開關(guān)62。
自舉電路64提供低阻抗電源來接通正向偏置開關(guān)50。該自舉電路64包括串聯(lián)的電阻和并聯(lián)的電容器66與齊納二極管。在正向偏置開關(guān)50斷開的同時存儲在電容器66中的能量提供給接通的正向偏置開關(guān)50以增加正向偏置開關(guān)50的轉(zhuǎn)換速度。
隔離的柵地-陰地放大器開關(guān)58從反向偏置開關(guān)52連接到反向偏置電源51。此柵地-陰地放大器開關(guān)58除了在驅(qū)動器輸入端與反向偏置電源之間提供電壓隔離之外還控制反向偏置開關(guān)52的操作。優(yōu)選地，光耦合器用作此隔離柵地-陰地放大器開關(guān)58。在此優(yōu)選實施例中，使用HP 4N37光耦合器。將隔離柵地-陰地放大器開關(guān)與反向偏置開關(guān)52一起使用擴(kuò)展柵地-陰地放大器開關(guān)58的耐壓能力，并且提供驅(qū)動器輸入端的電壓電平轉(zhuǎn)換，以轉(zhuǎn)換相對高的反向偏壓。
隔離電路68提供從驅(qū)動器輸入端至連接到正向偏置開關(guān)50的電路的電壓電平轉(zhuǎn)換。在此當(dāng)前優(yōu)選實施例中，一對光耦合器用作隔離電路68。
在圖6A中示出驅(qū)動器電路28的一個可選實施例。在此實施例中，正向偏置開關(guān)50利用具有滯后輸入端的CMOS驅(qū)動器70來驅(qū)動。另外，隔離電路68由單個光耦合器組成，此光耦合器與隔離的柵地-陰地放大器開關(guān)58串聯(lián)驅(qū)動。
參見圖6B，表示出驅(qū)動器電路28的第三實施例。第三實施例和前述驅(qū)動器電路實施例的不同在于驅(qū)動器電路28用于驅(qū)動陽級接地的RF開關(guān)。因此，正向偏置開關(guān)50和反向偏置開關(guān)52的構(gòu)造是相反的。-5V的正向偏壓給利用用作電流調(diào)節(jié)器54的電阻的值限制的RF開關(guān)提供一個偏置電流。柵地-陰地放大器開關(guān)58又用于控制反向偏置開關(guān)52，轉(zhuǎn)換+500V電壓來反向偏置RF開關(guān)。驅(qū)動輸入端通過光耦合器耦合到偏置開關(guān)50與52，這些光耦合器用于柵地-陰地放大器開關(guān)58和隔離電路68。
參見圖6C，表示出驅(qū)動器電路28的第四實施例。第四實施例包括正向偏置開關(guān)50和調(diào)節(jié)器電路54，用于給隔離的RF開關(guān)提供大約-5V的正向偏置電壓。大約+500V的反向偏置電壓通過限制電阻72加到RF開關(guān)。驅(qū)動器輸入端通過用作隔離電路68的光耦合器進(jìn)行耦合。NPN晶體管緩沖隔離電路68的輸出并驅(qū)動正向偏置開關(guān)50。
本發(fā)明認(rèn)識到，通過保證加到PIN二極管上的正向偏置電壓具有少于二極管載流子壽命的過渡時間來實施受控阻抗網(wǎng)絡(luò)的熱轉(zhuǎn)換。本發(fā)明還認(rèn)識到，通過保證加到PIN二極管上的反向偏置電壓具有少于PIN二極管載流子壽命的過渡時間來改善熱轉(zhuǎn)換。
參見圖1和圖7，表示出熱轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的當(dāng)前優(yōu)選實施例的操作。在步驟80，PIN二極管的開關(guān)特征被確定。在此當(dāng)前優(yōu)選實施例中，載流子壽命代表開關(guān)特征。在步驟82，RF發(fā)生器12通過受控阻抗網(wǎng)絡(luò)10耦合到等離子體腔14。然后，在步驟84，產(chǎn)生RF功率。在步驟86，RF發(fā)生器12和等離子體腔14之間交互作用的匹配特征被測量。在此目前優(yōu)選實施例中，測量的匹配特征是電壓駐波比(VSWR)。在步驟88，控制器32根據(jù)所測的匹配特征確定PIN二極管的控制信號。在步驟90，控制器32產(chǎn)生驅(qū)動器輸入信號來控制與此PIN二極管相關(guān)的驅(qū)動器電路28。在步驟92，此驅(qū)動器輸入信號從地電平而浮置(floated)以允許驅(qū)動高位開關(guān)。在步驟94，偏置開關(guān)利用驅(qū)動器輸入信號來驅(qū)動，以使偏置開關(guān)的輸出端上的偏置電壓的過渡時間小于PIN二極管載流子壽命。在步驟96，調(diào)節(jié)流過偏置開關(guān)的偏置電流以保證PIN二極管的可預(yù)測RF操作。
本發(fā)明的熱轉(zhuǎn)換方法擴(kuò)展了受控阻抗網(wǎng)絡(luò)的操作范圍。該方法允許利用高電平的RF功率轉(zhuǎn)換受控阻抗網(wǎng)絡(luò)。
因而，從上面所述的本發(fā)明的結(jié)果中將認(rèn)識到提供用于特別而且全部滿足主要目標(biāo)的一種熱轉(zhuǎn)換方法和驅(qū)動器電路。同樣明顯和預(yù)期的是，在不脫離本發(fā)明的情況下，可以對所示出的實施例進(jìn)行任何修改和/或改變。因此，前面的描述和附圖特別僅用于說明優(yōu)選實施例而不是限制，并且本發(fā)明的真實精神與范疇利用附后的權(quán)利要求書及其法律等效物來確定。
權(quán)利要求
1.一種阻抗匹配方法，用于調(diào)諧耦合在發(fā)生器輸出端與等離子體腔輸入之間的受控阻抗網(wǎng)絡(luò)，以控制阻抗匹配此受控阻抗網(wǎng)絡(luò)包括具有器件性能特征的射頻(RF)開關(guān)，包括以下步驟確定RF開關(guān)器件性能特征；給等離子體腔輸入端加上RF功率；測量阻抗匹配的信號特征；和根據(jù)測量的信號特征轉(zhuǎn)換此RF開關(guān)，以便朝向預(yù)定的匹配范圍驅(qū)動此阻抗匹配；其中此RF開關(guān)以基于此器件性能特征的速度進(jìn)行轉(zhuǎn)換。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中轉(zhuǎn)換此RF開關(guān)的步驟還包括轉(zhuǎn)換到導(dǎo)通狀態(tài)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中轉(zhuǎn)換此RF開關(guān)的步驟還包括轉(zhuǎn)換到非導(dǎo)通狀態(tài)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中從以下一組信號中選擇此阻抗匹配信號特征電壓駐波比(VSWR)；相位誤差信號；和振幅誤差信號。
5.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中此RF開關(guān)是PIN二極管。
6.根據(jù)權(quán)利要求5的方法，其中此器件性能特征是PIN二極管載流子壽命。
7.根據(jù)權(quán)利要求6的方法，其中此轉(zhuǎn)換步驟包括以大致少于PIN二極管載流子壽命的時間轉(zhuǎn)換PIN二極管。
8.根據(jù)權(quán)利要求7的方法，其中轉(zhuǎn)換PIN二極管的步驟還包括通過加上正向DC偏置轉(zhuǎn)換到導(dǎo)通狀態(tài)。
9.根據(jù)權(quán)利要求7的方法，其中轉(zhuǎn)換PIN二極管的步驟還包括通過加上反向DC偏置轉(zhuǎn)換到非導(dǎo)通狀態(tài)。
10.根據(jù)權(quán)利要求8的方法，其中加上正向DC偏置的步驟包括具有大致少于PIN二極管載流子壽命的過渡時間。
11.根據(jù)權(quán)利要求9的方法，其中加上反向DC偏置的步驟包括具有大致少于PIN二極管載流子壽命的過渡時間。
12.用于匹配發(fā)生器輸出與等離子體腔輸入的一種方法，以便控制阻抗匹配，包括以下步驟提供包括具有性能特征的RF開關(guān)的受控阻抗網(wǎng)絡(luò)；將RF功率加到等離子體腔輸入端；測量此阻抗匹配的信號特征；根據(jù)測量的信號特征轉(zhuǎn)換此RF開關(guān)，以便朝向預(yù)定的匹配范圍驅(qū)動此阻抗匹配；其中以基于此性能特征的速度轉(zhuǎn)換此RF開關(guān)。
13.根據(jù)權(quán)利要求12的方法，其中此阻抗匹配信號特征是電壓駐波比(VSWR)。
14.根據(jù)權(quán)利要求13的方法，其中此RF開關(guān)是PIN二極管。
15.根據(jù)權(quán)利要求14的方法，其中此器件性能特征是PIN二極管載流子壽命。
16.根據(jù)權(quán)利要求15的方法，其中此轉(zhuǎn)換步驟包括以大致少于PIN二極管載流子壽命的時間轉(zhuǎn)換此PIN二極管。
17.根據(jù)權(quán)利要求16的方法，其中轉(zhuǎn)換PIN二極管的步驟還包括以下步驟加上正向DC偏置以便將PIN二極管轉(zhuǎn)換到導(dǎo)通狀態(tài)；加上反向DC偏置以便將PIN二極管轉(zhuǎn)換到非導(dǎo)通狀態(tài)。
18.根據(jù)權(quán)利要求17的方法，其中加上正向DC偏置的步驟包括以大致少于PIN二極管載流子壽命的時間從反向DC偏置過渡到正向DC偏置。
19.根據(jù)權(quán)利要求18的方法，其中加上反向DC偏置的步驟包括以大致少于PIN二極管載流子壽命的時間從正向DC偏置過渡到反向DC偏置。
20.一種阻抗匹配方法，用于調(diào)諧耦合在發(fā)生器輸出端與等離子體腔輸入端之間的受控阻抗網(wǎng)絡(luò)，以便控制阻抗匹配，包括以下步驟提供包括具有載流子壽命的RF開關(guān)的受控阻抗網(wǎng)絡(luò)；確定此RF開關(guān)的載流子壽命；將RF功率加到此等離子體腔輸入端；測量此阻抗匹配的信號特征；和根據(jù)測量的信號特征控制此RF開關(guān)，以便朝向預(yù)定的匹配范圍驅(qū)動此阻抗匹配，其中此控制步驟包括以下步驟加上正向DC偏置以便將此RF開關(guān)轉(zhuǎn)換到導(dǎo)通狀態(tài)；加上反向DC偏置以便將此RF開關(guān)轉(zhuǎn)換到非導(dǎo)通狀態(tài)；和以大致少于RF開關(guān)載流子壽命和以大致少于PIN二極管載流子壽命的時間從反向DC偏置過渡到正向DC偏置。
21.一種受控阻抗網(wǎng)絡(luò)，耦合在發(fā)生器輸出端與等離子體腔之間，用于控制阻抗匹配特征，包括耦合變壓器，具有初級線圈與次級線圈，此初級線圈具有有效電抗并耦合在此發(fā)生器輸出端與此等離子體腔之間；RF開關(guān)網(wǎng)絡(luò)，具有RF開關(guān)，用于選擇地將至少一個電抗元件耦合到此變壓器次級線圈，以改變此初級線圈的有效電抗；和耦合到此RF開關(guān)網(wǎng)絡(luò)的驅(qū)動器電路，用于給此RF開關(guān)加上正向偏壓和反向偏壓，從而在導(dǎo)通狀態(tài)與非導(dǎo)通狀態(tài)之間轉(zhuǎn)換此RF開關(guān)網(wǎng)絡(luò)，此驅(qū)動器電路包括利用串聯(lián)柵地-陰地放大器開關(guān)控制的反向偏置開關(guān)用于加上反向偏壓。
22.根據(jù)權(quán)利要求21的受控阻抗網(wǎng)絡(luò)，其中此串聯(lián)柵地-陰地放大器開關(guān)是隔離柵地-陰地放大器開關(guān)。
23.根據(jù)權(quán)利要求22的受控阻抗網(wǎng)絡(luò)，其中此驅(qū)動器電路還包括正向偏置開關(guān)用于加上正向偏壓，其中此正向偏置開關(guān)利用自舉電路來驅(qū)動。
24.根據(jù)權(quán)利要求21的受控阻抗網(wǎng)絡(luò)，其中此驅(qū)動器電路還包括反饋網(wǎng)絡(luò)用于減少正向偏置開關(guān)的斷開時間。
25.根據(jù)權(quán)利要求23的受控阻抗網(wǎng)絡(luò)，還包括耦合到此驅(qū)動器電路的控制器用于生成驅(qū)動信號來操作此驅(qū)動器電路。
全文摘要
本發(fā)明的熱轉(zhuǎn)換方法與阻抗匹配電路將匹配電路的調(diào)諧范圍擴(kuò)展為包括增加的功率電平。此熱轉(zhuǎn)換方法與電路包括將受控阻抗網(wǎng)絡(luò)耦合在射頻(RF)發(fā)生器輸出端與等離子體腔輸入端之間來匹配阻抗。此受控阻抗網(wǎng)絡(luò)包括用于轉(zhuǎn)換預(yù)定阻抗的RF開關(guān)。確定此RF開關(guān)的器件性能特征。通過受控阻抗網(wǎng)絡(luò)將RF功率從RF發(fā)生器加到此等離子體腔上。測量此阻抗匹配的信號特征。根據(jù)測量的信號特征來控制此RF開關(guān),以便朝向預(yù)定的匹配范圍驅(qū)動此阻抗匹配。根據(jù)此器件性能特征以任何速度轉(zhuǎn)換此RF開關(guān)。
文檔編號H01J37/32GK1340913SQ0113573
公開日2002年3月20日 申請日期2001年8月17日 優(yōu)先權(quán)日2000年8月17日
發(fā)明者肖恩·O·哈尼特, 理查德·W·布朗雷, 理查德·E·丘奇 申請人:Eni技術(shù)公司