專利名稱：彩色陰極射線管的內(nèi)罩的制作方法
技術(shù)領域：
本發(fā)明涉及彩色陰極射線管，特別是涉及彩色陰極射線管的內(nèi)罩，通過改進內(nèi)罩的結(jié)構(gòu)，可改善屏蔽效應，而由于改善了的屏蔽效應、因而通過減小與外磁場變化相關的電子束落點的變化度，可防止再現(xiàn)圖像時因顏色混合所產(chǎn)生的彩色擴散現(xiàn)象。
背景技術(shù)：
圖1是一局部側(cè)視圖，表示陰極射線管的內(nèi)部構(gòu)造，其中有一傳統(tǒng)技術(shù)制造的內(nèi)罩。圖2A和圖2B分別是后視圖和平面圖，表示這個傳統(tǒng)技術(shù)制造的內(nèi)罩。
如圖1所示，彩色陰極射線管由一屏盤10和一錐體20構(gòu)成其外形；屏盤10在其內(nèi)表面涂以紅、綠、藍色的熒光材料11；錐體20用焊料玻璃固定在屏盤10的背面，保持一種約10-7乇的高度真空狀態(tài)的內(nèi)壓力。
蔭罩40具有供顏色選擇的狹縫，通過框架30的媒介安在屏盤10的內(nèi)側(cè)，框架30借助彈簧50被支撐在屏盤10的內(nèi)表面。
內(nèi)罩60安在框架30的后側(cè)，用于屏蔽地磁場之類磁場，以致從電子槍80射出的電子束71不受磁場的影響。
頸部70裝在錐體20后側(cè)，發(fā)射電子束71的電子槍80裝在頸部70的內(nèi)側(cè)。
偏轉(zhuǎn)線圈90裝在錐體20與頸部70之間的邊界部分，用于使電子槍射80射出的電子束71偏轉(zhuǎn)到涂有熒光材料11的整個熒光面。
參考編號25指的是一加固屏盤10和錐體20連接部的安全帶。
因此，當電子槍80發(fā)射電子束71時，電子束71通過蔭罩40上的孔41，與屏盤10內(nèi)表面上的熒光材料11相撞，使熒光材料11發(fā)光，通過屏盤10再現(xiàn)圖像。
特別是，內(nèi)罩60包括一平行陰極射線管中心軸(X)延伸的垂直部分62，和整體形成在垂直部分62后部、向陰極射線管中心軸(X)傾斜延伸的斜面部分63。
如圖1所示，垂直部分62前做一前開口(Bf)，垂直于垂直部分62做一彎曲部分，以便內(nèi)罩60可用夾子(C)固定在框架30上。
斜面部分63后側(cè)做一相對小于前開口(Bf)的后開口(Br)。
然而，傳統(tǒng)技術(shù)制造的彩色陰極射線管的內(nèi)罩60有幾個問題。
例如，對照圖2B，因為垂直部分62的高度(h1)對于垂直部分62和斜面部分63構(gòu)成的內(nèi)罩60的高度(H)來說太小，使斜面部分63離開錐體20一段大距離(d)，從而導致屏蔽地磁場的效率降低。
在把內(nèi)罩60用于彩色陰極射線管產(chǎn)品，并使用了一段時間的場合，因為屏蔽地磁場的效率降低，與外磁場變化相關的電子束的落點的變化度變大，結(jié)果產(chǎn)生了一個再現(xiàn)圖像時因顏色混合而出現(xiàn)的彩色擴散問題。
當彩色擴散因這些因素而產(chǎn)生時，追求高圖像質(zhì)量的陰極射線管產(chǎn)品的價值就降低，產(chǎn)品的可靠性也隨之降低了。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的目的是提供一種彩色陰極射線管的內(nèi)罩，這種內(nèi)罩通過改進其結(jié)構(gòu)，可改善屏蔽效應，而由于改善了的屏蔽效應、因而通過減小與外磁場變化相關的電子束落點的變化度，可防止再現(xiàn)圖像時因顏色混合所產(chǎn)生的彩色擴散現(xiàn)象。
正如這里所實施和概括描述的，為實現(xiàn)這些和其他優(yōu)點，根據(jù)本發(fā)明的目的，提供一種彩色陰極射線管的內(nèi)罩，以屏蔽地磁場。內(nèi)罩裝在位于屏盤和錐體內(nèi)的框架上。內(nèi)罩有一裝在上述框架上、平行陰極射線管中心軸的垂直部分，和一位于垂直部分后側(cè)、向陰極射線管中心軸傾斜延伸的斜面部分，其中，設由垂直部分和斜面部分構(gòu)成的內(nèi)罩的總高度是V，則垂直部分的高度V1滿足關系式0.18≤V1/V≤0.25。
本發(fā)明提供另一種彩色陰極射線管的內(nèi)罩，具有裝在位于屏盤和錐體內(nèi)的框架上的內(nèi)罩，以屏蔽地磁場，其特征在于所述內(nèi)罩包括有一裝在框架上、平行陰極射線管中心軸形成的垂直部分，一位于垂直部分后側(cè)、向陰極射線管中心軸傾斜延伸的斜面部分，和一凹口，其中央部分下凹，位于框架對面、斜面部分的末端設從垂直部分開始點到凹口部分的最小高度是V2，則垂直部分的高度V1滿足關系式0.40≤V1/V2≤0.54。
設由框架一側(cè)垂直部分所成前開口的截面積是‘Af’，由框架對側(cè)斜面部分所成后開口的截面積是Ar，則內(nèi)罩被設計成滿足關系式0.56≤Ar/Af≤0.78。
當與附圖合看時，下述關于本發(fā)明的詳細描述將使本發(fā)明前述的和其他的目的、特點和優(yōu)點變得更清楚。


下面的附圖可提供對本發(fā)明的進一步理解，其體現(xiàn)本發(fā)明，并構(gòu)成本發(fā)明一部分。它們表示了本發(fā)明的實施例，并與說明書一起用于解釋本發(fā)明的原理。
在這些附圖中圖1是一局部側(cè)視圖，表示一彩色陰極射線管的內(nèi)部結(jié)構(gòu)，其中內(nèi)罩是用傳統(tǒng)技術(shù)制作的；圖2A和圖2B分別是一后視圖和一平面圖，表示傳統(tǒng)技術(shù)制造的內(nèi)罩；圖3是一局部剖側(cè)視圖，表示一彩色陰極射線管，其中內(nèi)罩是據(jù)本發(fā)明一優(yōu)選實施例制作的；圖4A和圖4B分別是一前視圖和一后視圖，表示一據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實施例制作的彩色陰極射線管的內(nèi)罩；圖5是一據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實施例沿圖4中A-A線所作截面圖。
具體實施例方式
下面將詳細介紹本發(fā)明的優(yōu)選實施例，某些實施例示于附圖中。
彩色陰極射線管可以有多個實施例，下面將描述其中最優(yōu)選的實施例。
圖3是一局部剖側(cè)視圖，表示一彩色陰極射線管，其中內(nèi)罩是據(jù)本發(fā)明一優(yōu)選實施例制作的。
圖4A和圖4B分別是一前視圖和一后視圖，表示一據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實施例制作的彩色陰極射線管的內(nèi)罩，而圖5是一據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實施例沿圖4中A-A線所作截面圖。
本發(fā)明所用參考編號與前面?zhèn)鹘y(tǒng)技術(shù)介紹中所用的一樣。
本發(fā)明內(nèi)罩60包括一平行陰極射線管中心軸(X)延伸的垂直部分62，如圖5所示，和一在在垂直部分62后部、向陰極射線管中心軸(X)傾斜延伸的斜面部分63。
特別是，內(nèi)罩60的垂直部分62和斜面部分63按下述條件設計。
設具有垂直部分62和斜面部分63的內(nèi)罩的總高度是‘V’，則垂直部分62的高度(V1)占總高度(V)的18-25％。
確定垂直部分62的高度的理由在于，如果垂直部分62的高度(V1)大于總高度(V)的25％，斜面部分63將離錐體20內(nèi)壁太近，結(jié)果蔭罩會因插入石墨隔離部件受到阻擋，而且工藝性降低。
反之，如果垂直部分62的高度(V1)小于總高度(V)的18％，則垂直部分62的高度(V1)太低，以致內(nèi)罩60的斜面部分離錐體20內(nèi)表面太遠，引起消磁效應降低。
凹口部分65做在斜面部分63的后端，其中央是凹口。參照圖5，設凹口部分從垂直部分62前部到凹口部分65的最小高度是V2，則垂直部分62的高度V1將被設計成占凹口部分最小高度V2的40-54％。
斜面部分63的凹口部分65包括一垂直方向的短側(cè)部和一水平方向的長側(cè)部。這樣的設計可根據(jù)消氣器的安裝位置選擇采用。
垂直部分62的高度V1被設計成占凹口部分最小高度V2的40-54％的理由在于，如果垂直部分62的高度V1低于凹口部分最小高度V2的40％，外磁場的影響將急劇增加，產(chǎn)生落點誤差。
而如果垂直部分62的高度V1大于凹口部分最小高度V2的54％，則不能均勻消氣，以致真空度降低。
在框架30對側(cè)斜面部分63所成后開口(Br)的截面積(Ar)可與框架一側(cè)垂直部分62所成前開口(Bf)的截面積(Af)相比時，內(nèi)罩60將設計成滿足關系式0.56≤Ar/Af≤0.78。
設計前開口Bf和后開口Br的理由在于，如果Ar/Af低于0.56，不僅在電子束偏轉(zhuǎn)路線上發(fā)生干涉，而且內(nèi)罩60的斜面部分63離錐體20內(nèi)表面太遠，引起消磁效應迅速降低。
而如果Ar/Af高于0.78，則內(nèi)罩60的斜面部分63離錐體20內(nèi)表面太近，蔭罩會因插入石墨隔離部件受到阻擋，而且工藝性降低。此外，因為電子束與內(nèi)罩60之間的空間加大，外磁場的影響急劇增大，因而出現(xiàn)落點誤差。
因此，在把滿足這些條件制造的內(nèi)罩60用于彩色陰極射線管時，如圖3所示，內(nèi)罩60與錐體之間的空間d’與采用傳統(tǒng)技術(shù)制造的內(nèi)罩的情況相比減小了。減小的原因在于，錐體20變窄了，具有較陡的斜度，其特定的一部分處于對應于內(nèi)罩60的垂直部分62與斜面部分63之間結(jié)合部的部分處。
下面表1對比表示了采用本發(fā)明改進內(nèi)罩與傳統(tǒng)技術(shù)制作內(nèi)罩的電子束落點變化量和磁場冗余度表1

如表1所示，與傳統(tǒng)內(nèi)罩相比，本發(fā)明內(nèi)罩明顯顯示出優(yōu)異的效應。
正如至此所描述的，本發(fā)明彩色陰極射線管的內(nèi)罩有許多優(yōu)點。
例如，通過減小與外磁場變化相關的電子槍落點變化度，防止了再現(xiàn)圖像時因顏色混合所產(chǎn)生的彩色擴散現(xiàn)象的出現(xiàn)。
此外，因為起因于顏色混合的彩色擴散現(xiàn)象被防止，內(nèi)罩為獲得高質(zhì)量圖像作出了貢獻，因而改善了產(chǎn)品的可靠性。
由于本發(fā)明可以在不背離其精神或基本特征的情況下以幾種形式實施，所以上述實施例，除非另有說明，應理解為不受上述描述的任何細節(jié)的限制，并應在所附權(quán)利要求中規(guī)定的精神和范圍內(nèi)，給予廣泛的解釋，故所有落在權(quán)利要求范圍內(nèi)的變化和改進，或此類等價物，都為所附權(quán)利要求所覆蓋。
權(quán)利要求
1.一種彩色陰極射線管，具有裝在位于屏盤和錐體內(nèi)的框架上的內(nèi)罩，以屏蔽地磁場，其特征在于所述內(nèi)罩包括有一裝在框架上、平行陰極射線管中心軸形成的垂直部分，一位于垂直部分后側(cè)、向陰極射線管中心軸傾斜延伸的斜面部分，和一凹口，其中央部分下凹，位于框架對面、斜面部分的末端；設從垂直部分開始點到凹口部分的最小高度是V2，則垂直部分的高度V1滿足關系式0.40≤V1/V2≤0.54。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的彩色陰極射線管，其中設由框架一側(cè)垂直部分所成前開口的截面積是Af，由框架對側(cè)斜面部分所成后開口的截面積是Ar，則內(nèi)罩被設計成滿足關系式0.56≤Ar/Af≤0.78。
全文摘要
一種彩色陰極射線管，具有裝在位于屏盤和錐體內(nèi)的框架上的內(nèi)罩，以屏蔽地磁場，其特征在于所述內(nèi)罩包括有一裝在框架上、平行陰極射線管中心軸形成的垂直部分，一位于垂直部分后側(cè)、向陰極射線管中心軸傾斜延伸的斜面部分，和一凹口，其中央部分下凹，位于框架對面、斜面部分的末端；設從垂直部分開始點到凹口部分的最小高度是V
文檔編號H01J29/06GK1534712SQ20041002876
公開日2004年10月6日 申請日期2001年10月30日 優(yōu)先權(quán)日2000年12月15日
發(fā)明者李浩道 申請人:Lg電子株式會社