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      圖案化膜層及等離子顯示器之障壁的形成方法

      文檔序號:2950409閱讀:251來源:國知局
      專利名稱:圖案化膜層及等離子顯示器之障壁的形成方法
      技術(shù)領(lǐng)域
      本發(fā)明是關(guān)于一種圖案化工藝(patterning process),且特別是關(guān)于一種可節(jié)省材料的圖案化膜層及等離子顯示器(Plasma Display Panel)之障壁(rib)的形成方法。
      背景技術(shù)
      目前較為普遍的圖案化工藝包括網(wǎng)版印刷工藝以及微影/蝕刻工藝。圖1A至圖1D為一種公知的圖案化工藝的流程剖面圖。請參照圖1A,其先在材料層100上全面性地形成一層膜層102。接著請參照圖1B,利用微影工藝在膜層102上形成圖案化光阻層104。然后,請參照圖1C,以此圖案化光阻層104為掩膜,移除圖案化光阻層104所暴露出之部分膜層102。之后請參照圖1D,從膜層102上移除圖案化光阻層104,以使材料層100上僅存有圖案化膜層108。
      由此可知,在上述之圖案化工藝中必須移除不需要的部分膜層102,以形成圖案化膜層108。因此,倘若膜層102的材質(zhì)價格較為昂貴,則以上述之圖案化工藝形成圖案化膜層108將造成工藝成本上的浪費。
      承上所述,以網(wǎng)版印刷工藝來形成圖案化膜層108即可解決上述過于浪費材料的問題。然而,由于網(wǎng)板印刷工藝無法形成較精細(xì)的圖案,因此并不符合現(xiàn)今組件微小化的潮流。

      發(fā)明內(nèi)容
      有鑒于此,本發(fā)明的目的是提供一種圖案化膜層及等離子顯示器之障壁的形成方法,以節(jié)省工藝中所耗費的材料量。
      本發(fā)明提出一種等離子顯示器之障壁的形成方法,適于基板上形成包括多個第二障壁圖案的障壁。其中此基板上已形成有多個尋址電極(address electrodes)以及覆蓋這些尋址電極的介電層。此障壁的形成方法是先進(jìn)行網(wǎng)版印刷工藝,以于介電層上形成多個第一障壁圖案,接著在這些障壁圖案上形成圖案化光阻層,而此圖案化光阻層暴露出每一第一障壁圖案的一部分。然后,以圖案化光阻層為掩膜蝕刻這些第一障壁圖案,以移除暴露出的部分第一障壁圖案,進(jìn)而在介電層上形成具有多個第二障壁圖案的障壁。其中,障壁是暴露出對應(yīng)于這些尋址電極的部分介電層。之后再移除圖案化光阻層。
      依照本發(fā)明的較佳實施例所述,上述之網(wǎng)版印刷工藝?yán)缡窍葘⒕哂卸鄠€開口的網(wǎng)版設(shè)置在介電層上,接著將障壁材料涂布在網(wǎng)版上,以使障壁材料經(jīng)由網(wǎng)版之開口流至介電層上,以形成上述之第一障壁圖案。其中,這些第一障壁圖案的線寬例如是200微米。然后,再將此網(wǎng)版由介電層上移除。在一實施例中,上述之第一障壁圖案的間距(pitch)例如是394微米。
      依照本發(fā)明的較佳實施例所述,在蝕刻這些第一障壁圖案以形成該障壁的步驟中,包括令此障壁之這些第二障壁圖案的線寬為140微米。在一實施例中,這些第二障壁圖案的間距例如是394微米。此外,此障壁的第二障壁圖案例如是長條形、格狀或是蜂窩狀的圖案。
      依照本發(fā)明的較佳實施例所述,蝕刻上述之第一障壁圖案的方法例如是噴砂(sandblasting)工藝。另外,在移除圖案化光阻層之后,還包括進(jìn)行多次印刷工藝,以使障壁達(dá)到所需之特定厚度。
      本發(fā)明提出一種圖案化膜層的形成方法,此方法是先進(jìn)行網(wǎng)版印刷工藝,以于材料層上形成多個第一圖案。接著圖案化這些第一圖案,以形成具有多個第二圖案的圖案化膜層。
      依照本發(fā)明之實施例所述,圖案化上述之第一圖案的步驟例如是先在這些第一圖案上形成圖案化光阻層,而此圖案化光阻層暴露出每一第一圖案的一部份。接著,以此圖案化光阻層為掩膜而蝕刻暴露出的部分第一圖案,以形成具有上述之第二圖案的圖案化膜層。然后再移除此圖案化光阻層。
      依照本發(fā)明之實施例所述,蝕刻暴露出之部分第一圖案的方法包括干式蝕刻或濕式蝕刻。
      依照本發(fā)明之實施例所述,上述之網(wǎng)版印刷工藝?yán)缡窍葘⒕哂卸鄠€開口的網(wǎng)版設(shè)置在材料層上,接著將膜層材料涂布在網(wǎng)版上,以使膜層材料經(jīng)由網(wǎng)版之開口流至介電層上,以形成上述之第一圖案。
      本發(fā)明先利用網(wǎng)板印刷工藝在材料層上形成多個尺寸較大的第一圖案,之后再圖案化這些第一圖案,以于材料層上形成具有符合需求之尺寸的第二圖案。與公知的僅以微影/蝕刻工藝進(jìn)行圖案化的工藝相比之下,本發(fā)明可減少圖案化工藝中所移除的材料量,進(jìn)而節(jié)省工藝成本。
      為讓本發(fā)明之上述和其它目的、特征和優(yōu)點能更明顯易懂,下文特舉較佳實施例,并配合附圖,作詳細(xì)說明如下。
      具體實施例方式
      本發(fā)明利用網(wǎng)板印刷的方式形成多個第一圖案后,再圖案化這些第一圖案,以獲得具有實際所需之尺寸的第二圖案。與公知的技術(shù)相比,本發(fā)明不但可節(jié)省工藝成本,也能夠形成圖案較為精細(xì)的膜層。以下將舉實施例說明本發(fā)明,但其并非用以限定本發(fā)明。發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域的普通專業(yè)人員可依照本發(fā)明之精神對下述之實施例稍做變化,惟其仍屬于本發(fā)明之范圍內(nèi)。
      圖2A至圖2D為本發(fā)明之一較佳實施例中圖案化膜層的形成流程剖面圖。請先參照圖2A,首先進(jìn)行網(wǎng)版印刷工藝,以在材料層200上形成多個第一圖案210。其中,此網(wǎng)板印刷工藝?yán)缡窍葘⒕W(wǎng)板220設(shè)置于材料層200上,接著將膜層材料202涂布于網(wǎng)板220上,以使膜層材料202可經(jīng)由網(wǎng)板220之開口222流至材料層200上,因而形成第一圖案210。其中,將膜層材料202涂布在印刷網(wǎng)板220上的步驟例如是可透過刮刀206來完成的。
      值得注意的是,本發(fā)明并未限定網(wǎng)板220之開222的形狀與排列方式,發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域的普通專業(yè)人員可依照實際工藝所欲形成之圖案來選擇網(wǎng)板220之開222的形狀與排列方式。
      請參照圖2B,在材料層200上形成第一圖案210之后,接著將網(wǎng)板220由材料層200上移除。然后,在第一圖案210上形成圖案化光阻層212。其中,形成圖案化光阻層212的方法例如是先在材料層上形成光阻層211(如圖3A所示),然后再利用光源215,并以光罩214為掩膜對光阻層211進(jìn)行曝光(如圖3B所示)。之后再進(jìn)行顯影,以移除材料層200上以及第一圖案210上的部分光阻層211,進(jìn)而在第一圖案210上形成圖2B所示之圖案化光阻層212。
      請參照圖2C,以圖案化光阻層212為掩膜,對第一圖案210進(jìn)行蝕刻,以形成具有多個第二圖案232的圖案化膜層230。其中,蝕刻第一圖案210的方法例如是干式蝕刻或是濕式蝕刻。
      之后,請參照圖2D,將圖案化光阻層212由圖案化膜層230上移除,此時即完成圖案化膜層230的工藝。
      以下將以形成等離子顯示器之障壁的方法為實例說明本發(fā)明。
      圖4A至圖4D為本發(fā)明之一較佳實施例中等離子顯示器之障壁的形成流程剖面圖。請參照圖4A,首先進(jìn)行網(wǎng)版印刷工藝,以在介電層400上形成多個第一障壁圖案410。其中,介電層400例如是設(shè)置在基板401上,并且覆蓋住基板401上的多個尋址電極403。
      承上所述,此網(wǎng)板印刷工藝先將網(wǎng)板420設(shè)置于介電層400上,接著將障壁材料402涂布于網(wǎng)板420上,以使障壁材料402可經(jīng)由網(wǎng)板420之開口422流至介電層400上,因而形成第一障壁圖案410。在視頻圖形數(shù)組(video graphics array,VGA)的等離子顯示器中,第一障壁圖案410的線寬a例如是200微米,第一障壁圖案410之間的間距b則例如是394微米。此外,上述將障壁材料402涂布在印刷網(wǎng)板420上的步驟例如是可透過刮刀406來完成的。
      同樣地,本發(fā)明并未限定網(wǎng)板420之開口422的形狀與排列方式,發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域的普通專業(yè)人員可依照實際工藝所欲形成之圖案來選擇網(wǎng)板420之開口422的形狀與排列方式。
      請參照圖4B,在介電層400上形成第一障壁圖案410之后,接著將網(wǎng)板420由介電層400上移除。然后,在第一障壁圖案410上形成圖案化光阻層412。其中,形成圖案化光阻層412的方法例如是與上述實施例中形成圖案化光阻層212的方法相同,此處不再贅述。
      請參照圖4C,以圖案化光阻層412為掩膜,對第一障壁圖案410進(jìn)行蝕刻,以形成具有多個第二障壁圖案432的障壁430。在等離子顯示器之障壁的工藝中,其例如是以噴砂工藝來蝕刻第一障壁圖案410,以形成障壁430。在此,構(gòu)成障壁430的第二障壁圖案432可以是長條形(stripe)(如圖5所示)、格狀(waffle)(如圖6所示)或是蜂窩狀(honey comb)(如圖7所示)的圖案,本發(fā)明并未對其加以限定。另外,以視頻圖形數(shù)組(video graphics array,VGA)的等離子顯示器為例,障壁430之第二障壁圖案432的線寬c例如是140微米,而第二障壁圖案432的間距d則例如是394微米。
      之后,請參照圖4D,將圖案化光阻層412由障壁430上移除,此時即完成在介電層400上之障壁430的工藝,如圖4D所示。
      另外,請參照圖8,在等離子顯示器之障壁的工藝中,當(dāng)完成圖4D所繪示之障壁430之后,接著還可以透過多次的印刷工藝來達(dá)成障壁430所需之特定厚度t,在一實施例中,障壁430之特定厚度t例如是介于120微米至140微米之間。
      值得注意的是,雖然上述實施例是以等離子顯示器的障壁為例說明本發(fā)明的,但其并非用以限定本發(fā)明之應(yīng)用范圍,本發(fā)明也可以應(yīng)用于其它圖案化膜層的工藝中。
      綜上所述,本發(fā)明先利用網(wǎng)板印刷工藝形成多個尺寸較大的第一圖案,之后再圖案化這些第一圖案,進(jìn)而形成多個具有所需之尺寸的第二圖案。因此本發(fā)明可具有下列優(yōu)點1.與公知的僅以微影/蝕刻工藝進(jìn)行圖案化的工藝相比,本發(fā)明可減少圖案化工藝中所移除的材料量,進(jìn)而節(jié)省工藝成本。
      2.與公知的僅以網(wǎng)板印刷工藝進(jìn)行圖案化的工藝相比,本發(fā)明可形成較為精細(xì)的圖案,因此可與現(xiàn)今組件微小化的潮流相符。
      雖然本發(fā)明已以較佳實施例公開如上,然其并非用以限定本發(fā)明,任何發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域的普通專業(yè)人員,在不脫離本發(fā)明之思想和范圍內(nèi),當(dāng)可作些許之更動與改進(jìn),因此本發(fā)明之保護(hù)范圍當(dāng)視權(quán)利要求書所界定者為準(zhǔn)。


      圖1A至圖1D為一種公知的圖案化工藝的流程剖面圖。
      圖2A至圖2D為本發(fā)明之一較佳實施例中圖案化膜層的形成流程剖面圖。
      圖3A至圖3B為圖2B之圖案化光阻層的形成流程剖面示意圖。
      圖4A至圖4D為本發(fā)明之一較佳實施例中等離子顯示器之障壁的形成流程剖面示意圖。
      圖5至圖7分別為本發(fā)明之實施例中所形成之等離子顯示器的障壁之立體示意圖。
      圖8為本發(fā)明之一實施例中的障壁之剖面示意圖。
      主要組件標(biāo)記說明100、200材料層102膜層104、212、412圖案化光阻層108圖案化膜層202膜層材料206、406刮刀210第一圖案211光阻層214光罩215光源220、420網(wǎng)版222、422網(wǎng)版之開口230圖案化膜層232第二圖案400介電層
      401基板402障壁材料403尋址電極410第一障壁圖案430障壁432第二障壁圖案t障壁之特定厚度
      權(quán)利要求
      1.一種等離子顯示器之障壁的形成方法,適于在基板上形成障壁,該障壁包括多個第二障壁圖案,且該基板上已形成有多個尋址電極以及覆蓋上述這些尋址電極之介電層,其特征在于該等離子顯示器之障壁的形成方法包括進(jìn)行網(wǎng)板印刷工藝,以于該介電層上形成多個第一障壁圖案;于該障壁圖案上形成圖案化光阻層,其中該圖案化光阻層暴露出每一上述這些第一障壁圖案之部分;以該圖案化光阻層為掩膜而蝕刻上述這些第一障壁圖案暴露出之部分,以于該介電層上形成該障壁,其中該障壁暴露出對應(yīng)于上述這些尋址電極之部分該介電層;以及移除該圖案化光阻層。
      2.根據(jù)權(quán)利要求1所述之等離子顯示器之障壁的形成方法,其特征在于該網(wǎng)板印刷工藝包括將網(wǎng)板設(shè)置于該介電層上,該網(wǎng)板具有多個開口;將障壁材料涂布于該網(wǎng)板上,以使該障壁材料經(jīng)由上述這些開口流至該介電層上,以形成上述這些第一圖案,其中上述這些第一圖案之線寬為200微米;以及移除該網(wǎng)板。
      3.根據(jù)權(quán)利要求2所述之等離子顯示器之障壁的形成方法,其特征在于該網(wǎng)板印刷工藝包括將網(wǎng)板設(shè)置于該介電層上,該網(wǎng)板具有多個開口;將障壁材料涂布于該網(wǎng)板上,以使該障壁材料經(jīng)由上述這些開口流至該介電層上,以形成上述這些第一圖案,其中上述這些第一圖案之間距(pitch)為394微米;以及移除該網(wǎng)板。
      4.根據(jù)權(quán)利要求2所述之等離子顯示器之障壁的形成方法,其特征在于在蝕刻上述這些第一障壁圖案以形成該障壁的步驟中,包括令該障壁之上述這些第二障壁圖案的線寬為140微米。
      5.根據(jù)權(quán)利要求4所述之等離子顯示器之障壁的形成方法,其特征在于在蝕刻該障壁圖案以形成該障壁的步驟中,包括令該障壁之上述這些第二障壁圖案的間距(pitch)為394微米。
      6.根據(jù)權(quán)利要求1所述之等離子顯示器之障壁的形成方法,其特征在于在蝕刻該障壁圖案以形成該障壁的步驟中,包括令該障壁之上述這些第二障壁圖案為長條形、格狀或蜂窩狀圖案。
      7.根據(jù)權(quán)利要求1所述之等離子顯示器之障壁的形成方法,其特征在于蝕刻上述這些第一障壁圖案的方法包括噴砂工藝。
      8.如根據(jù)權(quán)利要求1所述之等離子顯示器之障壁的形成方法,其特征在于在移除該圖案化光阻層之后,還包括進(jìn)行多次印刷工藝,以使該障壁達(dá)到一特定厚度。
      9.一種圖案化膜層的形成方法,其特征在于包括進(jìn)行網(wǎng)板印刷工藝,以于材料層上形成多個第一圖案;以及圖案化上述這些第一圖案,以形成圖案化膜層,其中該圖案化膜層具有多個第二圖案。
      10.根據(jù)權(quán)利要求9所述之圖案化膜層的形成方法,其特征在于圖案化上述這些第一圖案的步驟包括于上述這些第一圖案上形成圖案化光阻層,其中該圖案化光阻層暴露出每一上述這些第一圖案之部分;以該圖案化光阻層為掩膜而蝕刻暴露出之上述這些第一圖案的部分,以形成具有上述這些第二圖案之該圖案化膜層;以及移除該圖案化光阻層。
      11.根據(jù)權(quán)利要求10所述之圖案化膜層的形成方法,其特征在于蝕刻暴露出之上述這些第一圖案的部分的方法包括干式蝕刻或濕式蝕刻。
      12.根據(jù)權(quán)利要求9所述之圖案化膜層的形成方法,其特征在于該網(wǎng)板印刷工藝包括將網(wǎng)板設(shè)置于該材料層上,該網(wǎng)板具有多個開口;將膜層材料涂布于該網(wǎng)板上,以使該膜層材料經(jīng)由上述這些開口流至該材料層上,以形成上述這些第一圖案;以及移除該網(wǎng)板。
      全文摘要
      一種圖案化膜層的形成方法,此方法先進(jìn)行網(wǎng)版印刷工藝,以于材料層上形成多個第一圖案。接著圖案化這些第一圖案,以形成具有多個第二圖案的圖案化膜層。此方法可減少圖案化工藝中所耗損的材料量,以便于節(jié)省工藝成本。
      文檔編號H01J9/24GK1797659SQ200410102429
      公開日2006年7月5日 申請日期2004年12月24日 優(yōu)先權(quán)日2004年12月24日
      發(fā)明者林俊良 申請人:中華映管股份有限公司
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