專利名稱：圖像形成裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種使用電子發(fā)射設(shè)備的圖像形成裝置。
背景技術(shù)：
對于例如CTR的圖像形成裝置來說，希望獲得更大的圖像尺寸，并且這種圖像形成裝置的目標(biāo)是獲得這種大圖像尺寸的更薄更輕的結(jié)構(gòu)。作為能夠?qū)崿F(xiàn)這種更薄更輕結(jié)構(gòu)的圖像顯示裝置，本申請人建議了一種使用表面?zhèn)鲗?dǎo)電子發(fā)射設(shè)備的圖像顯示裝置。這種使用電子發(fā)射設(shè)備的圖像顯示裝置包括通過封裝背板形成的真空容器，其具有多個電子發(fā)射設(shè)備；和面板，其具有用來響應(yīng)于電子輻射和陽極在外圍部分的幀元件上發(fā)光的光發(fā)射元件。
在這種使用電子發(fā)射設(shè)備的圖像顯示裝置中，由于顯示亮度與加速電壓成比例，所以不得不使用高加速電壓來獲得高顯示亮度。而且為了實現(xiàn)更薄的裝置，在背板和面板之間的距離不得不做得更小。因此，相當(dāng)高的電場在這些板之間產(chǎn)生，并且在接收高電勢的陽極和其它元件之間會引起放電。
日本專利申請公開No.2002-237268(EP12202273A)公開了一種通過在面板的表面上的陽極外部提供保護電極并將這種保護電極設(shè)置為比陽極更低的電勢來避免在陽極和其它元件之間的潛流放電的配置。
在日本專利申請公開No.2002-237268(EP12202273A)中，在其中描述的保護電極與隔板接觸以增加擊穿電壓，但是保護電極和隔板的安全接觸是不容易實現(xiàn)的，并且在生產(chǎn)率方面也不理想。而且，在電極和隔板之間由于不充分的接觸而形成小間隙的情況下，可能導(dǎo)致在隔板和電極之間產(chǎn)生放電。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一個目的是提供一種具有不會引起與隔板的放電的保護電極的圖像形成裝置，這樣能夠滿意地防止在陽極電極和另一元件之間的潛流放電，從而克服了前面提到的缺點，并提供令人滿意的生產(chǎn)率。
本發(fā)明的圖像形成裝置包括具有多個電子發(fā)射設(shè)備和陰極電極的陰極基板；陽極基板，其設(shè)置于所述陰極基板的相對位置，并具有能夠通過從電子發(fā)射設(shè)備發(fā)射的電子來發(fā)光的發(fā)光元件、陽極電極和保護電極，板形隔板置于陰極電極和陽極電極之間以及陰極電極和保護電極之間，與陰極電極和陽極電極相接觸；和，在陰極電極和陽極電極周圍部分提供的、并適用于與陰極基板和陽極基板一起構(gòu)成真空容器的框架元件其中保護電極置于陽極電極和框架元件之間，并且陽極和保護電極之間的距離x[m]、隔板的高度hs[m]、陽極的電勢Va[v]和保護電極與隔板之間的間隙Lg[m]滿足下面的條件(在x≤0.5hs的情況下)Lg≥[-xhs+0.8]Va4×108---(1)]]>(在0.5hs＜x≤hs的情況下)Lg≥[-0.4xhs+0.5]Va4×108---(2)]]>(在hs＜x的情況下)Lg≥0.1Va4×108---(3)]]>


圖1是示意性表示構(gòu)成本發(fā)明的圖像顯示裝置的一個實施例的顯示面板的配置的透視圖；圖2是在圖1所示的顯示面板的在X方向中其末端部分附近沿著X方向的示意截面圖；圖3是圖1所示的顯示面板沿著Y方向的示意的部分截面圖；圖4A和4B是表示在本發(fā)明中使用的表面?zhèn)鲗?dǎo)電子發(fā)射設(shè)備的基本配置的示意圖；和圖5是表示本發(fā)明中的隔板的電勢在相應(yīng)于保護電極的位置的圖表。
具體實施例方式
本發(fā)明的圖像形成裝置是一種使用電子發(fā)射設(shè)備的顯示裝置，并且當(dāng)這種顯示裝置是使用場發(fā)射電子發(fā)射設(shè)備或表面?zhèn)鲗?dǎo)電子發(fā)射設(shè)備構(gòu)成時，由于需要對陽極電極施加高電壓，所以可以有利地應(yīng)用本發(fā)明。
圖1示意性顯示了實施本發(fā)明的圖像形成裝置的顯示面板的配置，其中顯示了電子發(fā)射設(shè)備12、行布線(陰極電極)13、列布線14、背板(陰極基板)15、框架元件16、面板(陽極基板)17、熒光膜18、金屬背(陽極電極)19、隔板20、保護電極22和隔板固定元件25。
在本發(fā)明中，構(gòu)成陰極基板的背板15和構(gòu)成陽極基板的面板17跨過框架元件16在其周圍部分被密封，從而構(gòu)成真空容器。所述真空容器由于其內(nèi)部被保持在大約10-4Pa的真空狀態(tài)，所以配備有薄矩形板形的隔板20作為大氣壓抵抗元件以避免由大氣壓或預(yù)料不到的碰撞而導(dǎo)致的破壞。所述隔板20通過固定元件25在其末端被固定。
構(gòu)成陰極基板的背板15在其上具有N×M個表面?zhèn)鲗?dǎo)型電子發(fā)射設(shè)備12，它們被安排成構(gòu)成陰極電極的M行布線13和N列布線14(M、N是正整數(shù))的簡單矩陣。行布線13和列布線14通過未示出的層間絕緣膜在其交叉點處相互絕緣。本實施例顯示了這樣一種配置，其中表面?zhèn)鲗?dǎo)電子發(fā)射設(shè)備被安排成簡單矩陣，但是本發(fā)明并不局限于這種配置，而是有利地也可以使用其它電子發(fā)射設(shè)備，例如，場致發(fā)射(FE)型或MIM型的電子發(fā)射設(shè)備，并且也不局限于簡單的矩陣配置。
圖4A和4B示意性顯示了應(yīng)用在本發(fā)明中的表面?zhèn)鲗?dǎo)電子發(fā)射設(shè)備的基本配置。在這些附圖中，顯示了相應(yīng)于圖1的背板15的絕緣基板41、設(shè)備電極42、43，導(dǎo)電膜44和通過對導(dǎo)電膜44應(yīng)用成形電壓而形成的電子發(fā)射部分45。圖4A是平面圖，圖4B是沿著圖4A的線4B-4B的截面圖。在電子發(fā)射部分45中，通常通過激活處理來沉淀碳膜。
圖2是圖1所示的圖像形成裝置在其X方向末端部分附近沿著X方向的示意截面圖，圖3是沿著Y方向的示意性部分截面圖。在這些附圖中，顯示了電阻膜23、固定元件26、絕緣基板31、高阻膜32、黑色導(dǎo)電材料34、熒光體(發(fā)光元件)35和用于在列布線14和行布線13之間的電絕緣的層間絕緣膜33。在圖2中，為了簡化的目的，省略在行布線13和背板15之間的列布線14以及用作列布線14和行布線13之間的電絕緣的層間絕緣層。行布線13和列布線14也稱作陰極電極。在圖2和3所示的配置中，連接到隔板20的陰極電極是行電極13。
在圖1所示的配置中，面板17具有熒光膜18和金屬背19，該凸面已知是在CRT場中的陽極電極。熒光膜18被分割成三原色紅、綠、藍的熒光體35，例如按圖3所示的條形進行分割，在各個顏色的熒光體35之間提供黑色導(dǎo)體34。但是，熒光體35的配置并不限制于條形，而可以是根據(jù)電子源的配置的其它配置，例如三角配置。
如圖3所示，隔板20通常通過在絕緣基體元件31的表面上提供高阻膜32來形成(所述膜主要用來防止靜電充電)，并在必需的元件中提供，其中具有作為顯示面板的大氣壓抵抗元件所需的間隔。隔板20的絕緣基體元件31例如可以通過石英玻璃、具有降低含量的雜質(zhì)例如鈉的玻璃、堿石灰玻璃、或例如氧化鋁的陶瓷來形成，并且優(yōu)選地具有接近于構(gòu)成真空容器的元件的熱膨脹系數(shù)的熱膨脹系數(shù)。而且，高阻膜32優(yōu)選地通過WGeN(鎢鍺氮化物)形成。
應(yīng)用在本發(fā)明中的隔板20具有薄矩形板形狀，其平行于行布線13放置以充當(dāng)陰極電極，并且其電連接到行布線13和充當(dāng)陽極電極的金屬背19。
現(xiàn)在參考圖2來詳細(xì)解釋在作為本發(fā)明特征的保護電極周圍的配置。
在本發(fā)明中，如圖2所示，在充當(dāng)陽極電極的金屬背19和框架元件16之間提供保護電極22，其距離金屬背19預(yù)定的距離(x)。在圖2所示的配置中，保護電極22通過電阻膜23電連接到金屬背19。保護電極22有效地防止了在陽極電勢較高的情況下或在顯示面板的外圍部分較窄的情況下外圍部分中的電勢上升。而且電阻膜23也有效地避免了潛流放電。保護電極22被賦予地(GND)電勢或足夠低于陽極電勢的電勢，并且金屬背19被賦予陽極電勢(Va)。
面板17被密封到構(gòu)成在框架元件16上的陰極基板的背板15，所述框架元件16通過固定元件26被固定到面板17和背板15中的每一個。
在本發(fā)明中，保護電極22和隔板20被以相互非接觸的方式安排成具有預(yù)定的間隙(Lg)。由于在保護電極22和隔板20不接觸的情況下，高Va可能引起放電，所以它們優(yōu)選地被安全地接觸以避免這種放電。但是，為了實現(xiàn)這種安全接觸，需要對元件的高度作精確的控制，從而降低了生產(chǎn)效率。因此，在本發(fā)明中，提供這樣一種間隙Lg，以便其中的電場不超過一特定的值，從而降低了在保護電極22和隔板20之間放電的可能性。抑制在保護電極22和隔板20之間放電可能性所需的電場強度的上限經(jīng)驗地估計為4×108V/m。
而且，如圖5所示那樣，可以通過隔板20的高度(hs[m])與在金屬背19和保護電極22之間的距離(x[m])之比(x/hs)來大致地限定在相對于保護電極22的位置上隔板20的電勢。圖5具體顯示了對于隔板20的高度(hs[m])與從隔板20與金屬背19的連接部分到隔板末端的距離(Is[m])的不同比率(Is/hs)的電勢。但是，不管Is/hs的比值如何，可以用虛線近似來表示電勢。如由虛線所表示的那樣，對于Va＝1[V]，在相對于保護電極22的位置上隔板20的電勢可以近似定義為如下所示(對于x≤0.5hs) (對于0.5hs＜x≤hs) (對于hs＜x)0.1基于前面的描述，隔板20和保護電極22優(yōu)選地具有滿足下面的等式所定義的關(guān)系的間隙(Lg[m])。如此可以防止在金屬背19和其它元件之間的潛流放電，而不會在隔板20和保護電極22之間引起放電(對于x≤0.5hs)Lg≥[-xhs+0.8]Va4×108---(1)]]>(對于0.5hs＜x≤hs)Lg≥[-0.4xhs+0.5]Va4×108---(2)]]>(對于hs＜x)Lg≥0.1Va4×108---(3)]]>而且，為了獲得前述的間隙(Lg)，可以優(yōu)選這些元件的尺寸以滿足下面的等式(4)，其中t[m]表示面板17的厚度，hs[m]表示隔板20的高度，ha[m]表示從面板17到金屬背19的表面的高度，hc[m]表示從背板15到行布線13的表面的高度，hg[m]表示從面板17到保護電極22的表面的高度，hw[m]表示在框架元件16的內(nèi)部附近面板17和背板15之間的距離(基板距離)，S[m]表示從框架元件16到金屬背19的距離，E[Pa]表示面板17的初始楊氏模量，陽極電勢由Va[V]表示Lg=(ha-hg)+xS(hw-hs-hc-ha)-105S42Et3[x2S2-2x3S3+x4S4]]]>(4)在等式(4)中，在右手側(cè)的第一項表示在金屬背19和來自面板17的保護電極22之間的高度差。而且，在右手側(cè)的第二項表示通過框架元件16的高度(面板內(nèi)的厚度，其中固定元件26的厚度基本上為零)和面板內(nèi)的金屬背的厚度靜態(tài)地確定保護電極的相對位置。在右手側(cè)的第三項表示將大氣壓施加到真空容器時的彎曲量。
在面板17是通過玻璃基板形成的情況，或在金屬背19和框架元件16之間的距離小的情況，前面所提到的面板17的彎曲量不用考慮。在這種情況下，有利地，可以通過更少的組成部分將等式(4)簡化為(5)。作為一個具體的例子，例如，x＝S/2表示最大彎曲，在t＝1mm和S＝12mm的情況下，由于玻璃具有E≅7×1010Pa]]>的初始楊氏模量，所以彎曲量變?yōu)?μm或更小。而且，在t＝2mm和S＝20mm的情況下，彎曲量變?yōu)?μm或更小。還可以通過選擇較大的t或條件x＜S/2來降低彎曲量。通常在S4/t3為20(m)或更小的情況下，可以通過下面的等式(5)計算LgLg=(ha-hg)+xS(hw-hs-hc-ha)---(5)]]>進一步，考慮隔板20的高度(hs)、從面板17到金屬背19的表面的高度(ha)和從背板到行布線13的高度(hc)的高度和(hs+ha+hc)近似等于在框架元件16的附近基板距離(hw)的情形。這種情形相應(yīng)于從陽極電極的末端到框架元件的距離更小或面板更厚的情況。除了上面提到的情況以外，在S4/t3小于2(m)的情況下，可以通過下面的等式(6)來計算Lg。在這種情況下，保護電極22和隔板20的間隙(Lg)有利地可以通過從面板17到金屬背19的表面的高度(ha)和從面板17到保護電極22的表面的高度(hg)來唯一地限定Lg＝ha-hg(6)
現(xiàn)在，再次參考圖1以解釋其它元件。在圖1中，Dx1-Dxm，Dy1-Dyn和Hv指示密封結(jié)構(gòu)的電連接端子，用于將顯示面板連接到未顯示的電子電路。端子Dx1-Dxm被電連接到電子源的行布線13，Dy1-Dyn被連接到電子源的列布線14，并且Hv被連接到面板17。
在上述的顯示面板中，電子是通過在容器外部提供的端子Dx1-Dxm，Dy1-Dyn對每個電子發(fā)射設(shè)備施加電壓而從每個電子發(fā)射設(shè)備發(fā)射出來的。同時，通過在容器外部的端子Hv對金屬背19施加幾千伏的高壓，以加速所發(fā)射的電子并使得電子與面板17的內(nèi)表面碰撞，以便激發(fā)構(gòu)成熒光膜18的各種顏色的熒光體來發(fā)光，從而顯示圖像。
通常，施加到表面?zhèn)鲗?dǎo)電子發(fā)射設(shè)備的電壓Vf大約為12到18V，在金屬背19和表面?zhèn)鲗?dǎo)電子發(fā)射設(shè)備之間的距離大約為0.1到8mm，并且在金屬背19和電子發(fā)射設(shè)備12之間的電壓Va大約為1到15kV。 例1圖1到3所示圖像形成裝置的配置是以下面這種方式來構(gòu)造的。
作為面板17的基板，使用厚度為3mm的高扭變點玻璃(PD200)。在這種玻璃基板上，通過印制銀膏形成保護電極22，然后通過印制形成黑色導(dǎo)體34。在黑色導(dǎo)體34的開孔中，通過絲網(wǎng)印刷形成熒光體35。然后，在其上真空蒸發(fā)鋁作為金屬背19。保護電極、黑色導(dǎo)體和金屬背的厚度是考慮如下的元件的尺寸來確定的。在玻璃基體元件上通過濺射形成隔板20，具有大約100nm厚度的WGeN的高阻膜32。還通過具有3.6mm高度的玻璃形成框架元件16。在框架元件16和背板15之間，提供了厚度為220μm燒結(jié)玻璃層26。在框架元件16和面板17之間也提供了厚度為210μm的燒結(jié)玻璃層26。燒結(jié)玻璃層26的厚度是通過在面板、框架元件和背板的密封操作中使用未示出的間隙調(diào)整夾具來控制的。更具體來說，燒結(jié)玻璃層的厚度是通過在面板和背板之間存在4.03mm的間隙調(diào)整夾具的情況下執(zhí)行密封操作來控制的。作為背板15的基板，使用了厚度為3mm的高扭變點玻璃(PD200)，如在面板中那樣。在這種玻璃基板上，形成了列布線14、層間絕緣膜22和行布線13。列布線14和行布線13是通過印制銀膏來形成的。這些是以從玻璃基板的表面到行布線13的表面的距離為10μm的方式來形成的。
在該例中，這些元件在尺寸上被選擇為t＝3mm、hs＝4mm、Is＝8mm、S＝30mm和x＝5mm，以防止在沿著框架元件的周圍部分中發(fā)生預(yù)料不到的放電。由于前面提到的框架元件16和燒結(jié)玻璃層26的尺寸，hw也為4.03mm。在本例中，基于等式(3)，hs＜x、條件Lg≥2.5μm是必需的，以便使用Va＝10kV。在本例中，為了獲得Lg大約為9μm的安全擊穿電壓，采用了10μm厚(hg)的保護電極22、20μm厚的黑色導(dǎo)體34和0.1μm厚的金屬背19。
在這種圖像形成裝置中，應(yīng)用Va＝10kV的電壓并不會引起在保護電極22和隔板20之間的放電。
接著，拆開面板，并且在具有與隔板20相接觸的跡線的部分，測量從面板17到金屬背19的表面的高度(ha)和從背板15到行布線13的表面的高度(hc)。結(jié)果，ha測量為20μm，并且黑色導(dǎo)體34顯示極少變形。另外，hc測量為9μm，并且確認(rèn)與隔板20相連的部分跡線相對于其它區(qū)域凹進大約1μm。保護電極22的表面不顯示連接跡線，并且從面板17到保護電極22的表面的高度(hg)為10μm。因此，根據(jù)等式(4)，Lg＝8μm，滿足Lg≥2.5μm的要求。
如此，與保護電極22相對的隔板20的部分具有大約1kV的電勢，并且在保護電極22和隔板20之間具有1.3×108V/m的電場強度，從而防止在其間的放電。
還在不同區(qū)域測量在面板17的外部表面(暴露在空氣中)和背板15之間的距離，并從所測量值中減去面板和背板的厚度以計算在面板內(nèi)表面和背板內(nèi)表面之間的距離。結(jié)果，相應(yīng)于(hs+hc+ha)的基板距離在金屬背19的附近為4.029mm，在保護電極22的附近為4.020mm?；谶@種結(jié)果和hg、ha、hs、hc等，Lg計算為9μm。該值基本上與根據(jù)等式(4)計算的Lg一致。
(例2)該例與例1的不同在于在框架元件和陽極電極之間的距離選擇為20mm，以便獲得較緊湊的圖像顯示裝置。由于這種變化，根據(jù)等式(5)，在保護電極22和隔板之間的間隙(Lg)被計算為10μm。在該例子中，與保護電極22相對的隔板20的部分具有大約1kV的電勢，并且與在例1中一樣，行布線被凹進大約1μm，從而在保護電極22和隔板20之間的電場強度被計算為1.1×108V/m。
在本例的圖像形成裝置中，在保護電極22和隔板20之間沒有觀察到放電。
(例3)該例與例1的不同在于在金屬背19和框架元件16之間的距離(S)被選擇為10mm，并且在金屬背19和保護電極22之間的距離(x)被選擇為2mm，以便獲得更緊湊的圖像顯示裝置；兩者的不同還在于黑色導(dǎo)體34被印制為兩層。這提供了x≤0.5hs，因此，根據(jù)等式(1)需要Lg≥7.5μm，以便施加Va＝10kV。
在本例子中，考慮到行布線凹進大約1μm的事實，通過將間隙調(diào)整夾具減少1μm來執(zhí)行密封操作。更具體來說，間隙調(diào)整夾具具有4.029mm的高度。因此，背板和面板之間的高度在框架元件附近可以做得與在金屬背末端處相同。在本例中，黑色導(dǎo)體34被選擇為20μm，并且金屬背19被選擇為0.1μm，以便獲得Lg＝10μm。而且，通過使用上面解釋的4.029mm的間隙調(diào)整夾具控制燒結(jié)玻璃層的厚度，可以將框架元件16附近的基板距離(hw)做到4.029mm。然后，拆開面板，并且，在具有與隔板20相接觸的跡線的部分，測量金屬背距離面板17的高度(ha)，以及行布線13距離背板15的高度(hc)。結(jié)果，ha測量為20μm，并且黑色導(dǎo)體34顯示極少變形。而且，hc測量為9μm，并且確認(rèn)在行布線中，與隔板20相接觸的跡線部分相對于其它區(qū)域凹進大約1μm。保護電極22的表面沒有顯示接觸跡線，并且距離面板17的高度(hg)是10μm。因此，根據(jù)等式(6)，Lg＝10μm，滿足Lg≥7.5μm的要求。
在本例中，與保護電極22相對的隔板20的部分具有大約3kV的電勢，其中，在保護電極22和隔板20之間具有3.3×108V/m的電場強度。
另外，在本例的圖像形成裝置中，在保護電極22和隔板20之間觀察不到放電。
(例4)本例與例3的不同在于采用了厚度(t)為2mm的面板17和高度(hs)為2mm的隔板20，以降低面板厚度。
在本例中，為了獲得10μm的Lg，使用2.03mm的間隙調(diào)整夾具控制燒結(jié)玻璃層26的厚度，從而實現(xiàn)在框架元件16的附近2.03mm的基板距離(hw)。然后，拆開面板，并且在具有與隔板20相接觸的跡線的部分，測量金屬背19距離面板17的高度(ha)，以及行布線13距離背板15的高度(hc)。結(jié)果，ha測量為20μm，這與黑色導(dǎo)體34和金屬背19的厚度和相匹配。而且，hc測量為9μm，并且確認(rèn)，在行布線中，與隔板20接觸的跡線部分相對于其它區(qū)域凹進大約1μm。保護電極22的表面沒有顯示接觸跡線，并且根據(jù)等式(6)，Lg為10μm，從而滿足Lg≥2.5μm的要求。
在本例中，與保護電極22相對的隔板20的部分具有大約1kV的電勢，其中，在保護電極22和隔板20之間的電場強度為1.0×108V/m。
另外，在本例的圖像形成裝置中，在保護電極22和隔板20之間沒有觀察到放電。
(比較例子)該例與例1的不同在于，在金屬背19和保護電極22之間的距離(x)被選擇為2.5mm，不同還在于，保護電極具有15μm的高度。這提供了0.5hs＜x≤hs，從而根據(jù)等式(2)需要Lg≥6.25μm，以便應(yīng)用Va＝10kV。
但是，在本例中，根據(jù)等式(4)，在保護電極22和隔板20之間的間隙(Lg)為4μm。
在該圖像形成裝置中，隨著Va的逐漸增加，在Va＝8kV時，在保護電極22中可以觀察到由放電引起的光發(fā)射。在此狀態(tài)下，與保護電極22相對的隔板20的部分具有大約2kV的電勢，其中，在保護電極22和隔板20之間的電場強度為5.0×108V/m。因此，在本例中，在保護電極22和隔板20之間的間隙(Lg)小于在本發(fā)明中所定義的下限，從而在它們之間產(chǎn)生高電場而引起放電。
在本發(fā)明中，以相互非接觸的狀態(tài)提供保護電極和隔板，并且對這種間隙要求一個下限。因此，在能夠滿足這種要求的范圍內(nèi)可以設(shè)計所述的裝置，并且與保護電極和隔板相接觸的配置相比，這種裝置可以更容易地生產(chǎn)，具有明顯的更高的生產(chǎn)率。從而，本發(fā)明可以提供高度耐用和高度可靠的圖像顯示裝置，其能夠令人滿意地防止在陽極電極和其它元件之間的放電。
本申請要求2004年11月18日申請的日本專利申請No.2004-334070的優(yōu)先權(quán)，其在此包含作為參考。
權(quán)利要求
1.一種圖像形成裝置，包括具有多個電子發(fā)射設(shè)備和陰極電極的陰極基板；陽極基板，其與所述陰極基板相對設(shè)置，并具有能夠通過利用從所述電子發(fā)射設(shè)備發(fā)射的電子進行輻射而發(fā)光的發(fā)光元件、陽極電極和保護電極；板形隔板，其被設(shè)置于陰極電極和陽極電極之間以及所述陰極電極和保護電極之間，并與所述陰極電極和陽極電極相接觸；和框架元件，其被設(shè)置于陰極電極的周圍部分和陽極電極之間，并適用于與陰極基板和陽極基板一起構(gòu)成真空容器其中，所述保護電極被設(shè)置于陽極電極和框架元件之間，并且在陽極電極和保護電極之間的距離x[m]、隔板的高度hs[m]、陽極的電勢Va[V]以及保護電極和隔板之間的間隙Lg[m]滿足下面的條件(對于x≤0.5hs)Lg≥[-xhs+0.8]Va4×108----(1)]]>(對于0.5hs＜x≤hs)Lg≥[-0.4xhs+0.5]Va4×108----(2)]]>(對于hs＜x)Lg≥0.1Va4×108----(3).]]>
2.根據(jù)權(quán)利要求1的圖像形成裝置，其中，Lg滿足下面的關(guān)系，其中t[m]表示陽極基板的厚度，hw[m]表示在框架元件附近陰極基板和陽極基板之間的距離，ha[m]表示從陽極基板到陽極電極表面的高度，hg[m]表示從陽極基板到保護電極表面的高度，hc[m]表示從陰極基板到陰極電極表面的高度，S[m]表示從框架元件到陽極電極的距離，和E[Pa]表示陽極基板的楊氏模量Lg=(ha-hg)+xS(hw-hs-hc-ha)-105S42Et3[x2S2-2x3S3+x4S4]----(4).]]>
3.根據(jù)權(quán)利要求1的圖像形成裝置，其中，所述陽極基板是由玻璃基板形成的；并且Lg滿足下面的關(guān)系，其中hc[m]表示從陰極基板到陰極電極表面的高度，hw[m]表示在框架元件附近陰極基板和陽極基板之間的距離，ha[m]表示從陽極基板到陽極電極表面的高度，hg[m]表示從陽極基板到保護電極表面的高度，hc[m]表示從陰極基板到陰極電極表面的高度，S[m]表示從框架元件到陽極電極的距離Lg=(ha-hg)+xS(hw-hs-hc-ha)----(5).]]>
4.根據(jù)權(quán)利要求1的圖像形成裝置，其中，所述陽極基板是由玻璃基板形成的；并且Lg滿足下面的關(guān)系，其中ha[m]表示從陽極基板到陽極電極表面的高度，和hg[m]表示從陽極基板到保護電極表面的高度Lg＝ha-hg(6)。
全文摘要
在使用電子發(fā)射設(shè)備的圖像形成裝置中，提供用來防止陽極電極潛流放電的保護電極，而不會引起與隔板的異常放電。設(shè)置于距離構(gòu)成陽極電極的金屬背預(yù)定距離(x)處的保護電極，根據(jù)距離x和隔板的高度(hs)的比(x/hs)被設(shè)置成距離隔板的距離為(Lg)以便不引起放電。
文檔編號H01J29/86GK1776880SQ20051012047
公開日2006年5月24日 申請日期2005年11月18日 優(yōu)先權(quán)日2004年11月18日
發(fā)明者山崎康二 申請人:佳能株式會社