專利名稱：電子發(fā)射裝置和采用其的電子發(fā)射顯示器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及電子發(fā)射裝置和采用電子發(fā)射裝置的電子發(fā)射顯示器，特別是，改善了電子發(fā)射區(qū)域的設(shè)置和各單元像素的柵極開口部分由此增加電子發(fā)射效率的電子發(fā)射裝置。
背景技術(shù)：
通常，根據(jù)電子源的種類，電子發(fā)射元件可以分類為熱陰極型或冷陰極型。
在冷陰極型電子發(fā)射元件中，有場發(fā)射矩陣(FEA)型、表面?zhèn)鲗?dǎo)發(fā)射(SCE)型、金屬-絕緣體-金屬(MIM)型和金屬-絕緣體-半導(dǎo)體(MIS)型。
FEA型電子發(fā)射元件包括電子發(fā)射區(qū)域以及陰極和柵極，該陰極和柵極用作驅(qū)動電極以控制來自電子發(fā)射區(qū)域的電子發(fā)射。電子發(fā)射區(qū)域由具有低功函和/或高縱橫比的材料形成。例如，電子發(fā)射區(qū)域由含碳材料形成，如碳納米管(CNT)、石墨和類鉆石碳(DLC)。使用這些用于電子發(fā)射區(qū)域材料時，當(dāng)在真空環(huán)境(或真空狀態(tài))下把電場施加于電子發(fā)射區(qū)域時，電子容易從這些電子發(fā)射區(qū)域中發(fā)出。
電子發(fā)射元件矩陣設(shè)置在第一基板上，以形成電子發(fā)射裝置。光發(fā)射單元與熒光層和陽電極一起形成在第二基板上，第二基板與第一基板組合，從而形成電子發(fā)射顯示器。
就是說，電子發(fā)射裝置包括電子發(fā)射區(qū)域和多個用作掃描功能的驅(qū)動電極和數(shù)據(jù)電極，其操作來控制各單元像素的電子發(fā)射的開/關(guān)和發(fā)射量。對于電子發(fā)射顯示器，從電子發(fā)射區(qū)域發(fā)出的電子激發(fā)熒光層，從而發(fā)光或顯示所需的圖像。
對于典型的FEA型電子發(fā)射裝置，陰極、絕緣層和柵極依次形成在基板上，而開口部分形成在柵極和絕緣層上以部分暴露陰極表面。電子發(fā)射區(qū)域形成在開口部分內(nèi)的陰極上。同樣，對于各單元像素(或像素單元)，典型地沿陰極的縱向方向連續(xù)設(shè)置電子發(fā)射區(qū)域。
就上述結(jié)構(gòu)而言，隨著各單元像素的電子發(fā)射區(qū)域數(shù)量的增加，電子發(fā)射均勻性增強，并且降低了驅(qū)動電壓。然而，通過絕緣層和柵極的開口部分圍繞各電子發(fā)射區(qū)域的結(jié)構(gòu)，因為柵極開口部分的尺寸需要減少和/或電子發(fā)射區(qū)域之間的距離需要縮短，所以在工藝(或制造工藝)中增加電子發(fā)射區(qū)域數(shù)量相當(dāng)困難。
此外，通過上述結(jié)構(gòu)的電子發(fā)射裝置，由于陰極和柵極之間的電壓差，電場形成在電子發(fā)射區(qū)域周圍，并且由于該電場而從電子發(fā)射區(qū)域中發(fā)出電子。由于電子發(fā)射區(qū)域和柵極沿第一基板的一方向(或表面方向)彼此分隔，所以一些電子傾斜地(或以傾斜的方式)從電子發(fā)射區(qū)域中發(fā)出，并且朝向相反的基板撒布(或擴散)。
從而，電子在相應(yīng)的像素上與熒光層碰撞，也在其相鄰的其它像素上與熒光層碰撞，由此引起不正確彩色光的發(fā)射并且降低了顯示質(zhì)量。因此，有必要開發(fā)減少或防止電子束撒布的結(jié)構(gòu)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一個方面是提供一種改進的電子發(fā)射裝置，其增加了電子發(fā)射的均勻性，降低了驅(qū)動電壓，并且減少或防止電子束撒布，以因此減小不正確彩色光的發(fā)射。
本發(fā)明的另一個方面是提供電子發(fā)射顯示器，其采用該改進的電子發(fā)射裝置。
根據(jù)本發(fā)明的實施例，電子發(fā)射裝置包括基板；形成在該基板上的多個第一電極；電連接到該第一電極上的多個電子發(fā)射區(qū)域；多個第二電極，隨同該第一電極設(shè)置，且在該第一電極和該第二電極之間夾置有絕緣層，該第二電極與該第一電極交叉以形成多個交叉區(qū)域。這里，至少兩行電子發(fā)射區(qū)域沿第一電極的縱向設(shè)置在各交叉區(qū)域上，并且在各行上的電子發(fā)射區(qū)域在第二電極的縱向上彼此偏離。另外，絕緣層和第二電極具有對應(yīng)于各電子發(fā)射區(qū)域的多個開口部分，以暴露電子發(fā)射區(qū)域。
在一個實施例中，電子發(fā)射區(qū)域的至少兩行之一中的電子發(fā)射區(qū)域之一設(shè)置成對應(yīng)于電子發(fā)射區(qū)域的至少兩行的另一個中的兩個電子發(fā)射區(qū)域之間的中心。
在一個實施例中，至少兩行電子發(fā)射區(qū)域?qū)τ诟鹘徊鎱^(qū)域以鋸齒形設(shè)置。
在一個實施例中，電子發(fā)射區(qū)域包括選自于由碳納米管、石墨、石墨納米纖維、鉆石、類鉆石碳、C60、硅納米絲及其組合所組成的組中的至少一種材料。
在一個實施例中，電子發(fā)射裝置還包括聚焦電極，通過在該第二電極和該聚焦電極之間插入附加絕緣層而設(shè)置在該第二電極之上，其中該附加絕緣層和該聚集電極具有形成在每個交叉區(qū)域上的開口部分，以暴露在每個交叉區(qū)域上的該第二電極的開口部分。
在一個實施例中，至少兩行電子發(fā)射區(qū)域設(shè)置在各交叉區(qū)域上，其中在垂直于至少兩行電子發(fā)射區(qū)域的位置，聚焦電極的開口部分包括短距離區(qū)域，其中該聚焦電極的開口部分的一個側(cè)端和該第二電極開口部分相應(yīng)的一個的同一側(cè)端彼此間隔開第一間距A；和長距離區(qū)域，其中該聚焦電極開口部分的相對側(cè)端和該第二電極該開口部分的相應(yīng)的一個的相對側(cè)端彼此間隔開第二間距B，其中該長距離區(qū)域的縱橫T/B為該短距離區(qū)域的縱橫比T/A的1/2以下，并且其中T表示附加絕緣層的厚度。
在一個實施例中，第一電極是陰極，而第二電極是柵極。
根據(jù)本發(fā)明的另一個實施例，電子發(fā)射顯示器包括具有第一基板的電子發(fā)射裝置，形成在第一基板上的多個第一電極，電連接到第一電極上的多個電子發(fā)射區(qū)域，以及多個第二電極，隨同該第一電極設(shè)置，且在該第一電極和該第二電極之間夾置有絕緣層，該第二電極與該第一電極交叉以形成多個交叉區(qū)域，其中，至少兩行電子發(fā)射區(qū)域沿第一電極的縱向設(shè)置在各交叉區(qū)域上，并且在各行上的電子發(fā)射區(qū)域在第二電極的縱向上彼此偏離，并且其中絕緣層和第二電極具有對應(yīng)于各電子發(fā)射區(qū)域的多個開口部分，以暴露該電子發(fā)射區(qū)域。另外，電子發(fā)射顯示器包括第二基板，面對第一基板；三色熒光層，形成在第二基板表面上；和陽極，形成在熒光層表面上，其中熒光層設(shè)置在各交叉區(qū)域上，以便熒光層中的單色熒光層對應(yīng)于每個交叉區(qū)域。


附圖與說明書一起，圖示了本發(fā)明的示范性實施例，并且與描述一起，用于解釋本發(fā)明的原理。
圖1是根據(jù)本發(fā)明實施例的電子發(fā)射顯示器的局部分解透視圖。
圖2是圖1所示電子發(fā)射顯示器的局部截面圖。
圖3是圖1所示電子發(fā)射裝置的局部平面圖。
圖4A是沿圖3中I-I線剖取的電子發(fā)射裝置的局部截面圖。
圖4B是沿圖3中II-II線剖取的電子發(fā)射裝置的局部截面圖。
具體實施例方式
在下面的詳細描述中，通過圖示方式，僅展示和描述本發(fā)明的具體的示范性實施例。本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)該認(rèn)識到，所描述的示范性實施例可以作各種修改，而都不脫離本發(fā)明的精神或范圍。因此，附圖和描述實際上視作示范性的而非限制性的。
圖1和2是根據(jù)本發(fā)明實施例的電子發(fā)射顯示器1的局部分解透視圖和局部截面圖，而圖3是如圖1所示的電子發(fā)射裝置100的局部平面圖。
如圖所示，電子發(fā)射顯示器1包括第一基板10和第二基板12，彼此以一定距離(其中它們之間的距離可以為預(yù)定值)平行面對。第一基板10和第二基板12通過密封構(gòu)件(未示出)在其周邊彼此密封以形成容器，該容器的內(nèi)部空間抽空成處于約10-6托(Torr)的真空狀態(tài)(或真空度)，因此構(gòu)成真空容器(或腔體)。
電子發(fā)射元件的陣列設(shè)置在面對第二基板12的第一基板10的表面上，以與第一基板10一起形成電子發(fā)射裝置100。電子發(fā)射裝置100與第二基板12一起形成電子發(fā)射顯示器1。這里，光發(fā)射單元110設(shè)置在第二基板12上。
稱為第一電極的陰極14，沿第一基板10的第一方向(附圖中的y-軸方向)在第一基板10上形成條紋圖案，而第一絕緣層16形成在第一基板10的整個表面區(qū)域上，以便其覆蓋陰極14。稱為第二電極的柵極18，在垂直于陰極14(附圖中的x-軸方向)在第一絕緣層16上形成條紋圖案。
單元像素分別形成在陰極14和柵極18的交叉區(qū)域上。對于各單元像素，多個電子發(fā)射區(qū)域20形成在陰極14上。開口部分161和181形成在對應(yīng)于各電子發(fā)射區(qū)域20的第一絕緣層16和柵極18上，以在第一基板10上暴露電子發(fā)射區(qū)域20。
形成電子發(fā)射區(qū)域20的材料為，在真空環(huán)境(或狀態(tài))下當(dāng)電場施與其上時發(fā)射電子的材料，例如含碳材料和/或納米(nm)尺度。電子發(fā)射區(qū)域20由CNT、石墨、石墨納米纖維、DLC、C60、硅納米絲及其組合通過絲網(wǎng)印刷術(shù)、直接生長、濺射法和/或化學(xué)汽相沉積(CVD)而形成。
在此實施例中，為(或在)各單元像素沿陰極14的縱向方向設(shè)置至少兩行電子發(fā)射區(qū)域20，在各行上的電子發(fā)射區(qū)域20在柵極18的縱向上彼此偏離(或移位)。開口部分161和181也分別形成在第一絕緣層16和柵極18上，對應(yīng)于電子發(fā)射區(qū)域20的設(shè)置。
附圖中所圖示的是，兩行電子發(fā)射區(qū)域20沿陰極14的縱向方向設(shè)置，而各行上的電子發(fā)射區(qū)域20在柵極18的縱向上彼此偏離。即，電子發(fā)射區(qū)域20以鋸齒形設(shè)置。設(shè)置在一行上的電子發(fā)射區(qū)域20之一可以對應(yīng)于縱向上設(shè)置在柵極18另一行上的兩個電子發(fā)射區(qū)域20之間的中心設(shè)置。
就電子發(fā)射區(qū)域20和柵極開口部分181的這種排列而言，對于各單元像素，可以提高電子發(fā)射區(qū)域20的集成度(以因此增加電子發(fā)射區(qū)域的數(shù)量)而不導(dǎo)致任何不希望的變形，如柵極開口部分181尺寸的減少或柵極開口部分181之間距離的縮小，因此適于有效地增加電子發(fā)射區(qū)域20的數(shù)量。
稱為第三電極的聚焦電極22形成在柵極18和第一絕緣層16上。第二絕緣層24設(shè)置在聚焦電極22的下面以使柵極18和聚焦電極22彼此絕緣。開口部分221和241形成在聚焦電極22和第二絕緣層24上以通過電子束。
在此實施例中，開口部分241和221以一一對應(yīng)關(guān)系形成在各單元像素的第二絕緣層24和聚焦電極22上，以便每個開口部分暴露各單元像素所有柵極開口部分181。這樣，聚焦電極22聚集地聚焦對應(yīng)的單元像素發(fā)射的電子。
由于電子發(fā)射區(qū)域20和柵極開口部分181的該排列結(jié)構(gòu)，沿柵極18縱向進行的聚焦電極22的開口部分221構(gòu)造成比傳統(tǒng)開口部分寬度大。通過下面更詳細解釋的優(yōu)化結(jié)構(gòu)，提高了聚焦電極22的聚集效率。
圖4A和4B是分別沿圖3中I-I和II-II線剖取的電子發(fā)射裝置的局部截面圖。
如圖4A所示，基于附圖，電子發(fā)射區(qū)域201位于左側(cè)行上，而暴露它的柵極18的開口部分182偏向聚焦電極22的開口部分221內(nèi)部的左側(cè)。就聚焦電極22的開口部分221而言，它的一個側(cè)端與柵極18的開口部分182的同一側(cè)端沿第一基板10的第二方向(或表面方向)(在附圖x-軸方向上)在電子發(fā)射區(qū)域20左側(cè)以第一間距A分隔，并且在電子發(fā)射區(qū)域20的右側(cè)，它的相對側(cè)端與柵極18的開口部分182的相對側(cè)端以大于第一間距A的第二間距B分隔。
如圖4B所示，基于附圖，電子發(fā)射區(qū)域202位于右側(cè)行上，而暴露它的柵極18的開口部分183偏向聚焦電極22的開口部分221內(nèi)部的右側(cè)。就聚焦電極22的開口部分221而言，它的一個側(cè)端與柵極18的開口部分182的同一側(cè)端沿第一基板10的第二方向(或表面方向)(在附圖x-軸方向上)在電子發(fā)射區(qū)域20右側(cè)以第一間距A分隔，并且在電子發(fā)射區(qū)域20的左側(cè)，它的相對側(cè)端與柵極18的開口部分182的相對側(cè)端以大于第一間距A的第二間距B分隔。
當(dāng)沿x-軸方向豎直觀看電子發(fā)射裝置100時，聚焦電極22的開口部分221劃分成短距離區(qū)和長距離區(qū)域，在短距離區(qū)中聚焦電極22的開口部分221的一個側(cè)端和柵極18的開口部分182和183的同一側(cè)端彼此以第一間距A分隔，而在長距離區(qū)中聚焦電極22的開口部分221的相對側(cè)端和柵極18的開口部分182和183的相對側(cè)端彼此以第二間距B分隔。長距離區(qū)域的縱橫比T/B確定為短距離區(qū)域的縱橫比T/A的1/2以下。并且T的值表示第二絕緣層24的厚度，其為沿第一基板10的第三方向(或厚度方向)(在附圖的z-軸方向上)的柵和聚焦電極18和22之間的距離。
相對于位于長距離區(qū)域的電子發(fā)射區(qū)域20，滿足上述條件的聚焦電極22發(fā)揮了增加電子束聚集效率的作用，并且相對于設(shè)置在短距離區(qū)域的電子發(fā)射區(qū)域20，因聚焦電極22而抑制了過聚焦(over-focusing)，由此降低或防止所發(fā)射的電子被聚焦電場截取。
回過來參照圖1和2，帶紅、綠和藍熒光層26R、26G和26B的熒光層26形成在面對第一基板10的第二基板12的表面上，以便它們彼此分隔一定距離，并且黑色層28設(shè)置在各熒光層26之間，以增強屏幕對比度。熒光層26按一一對應(yīng)關(guān)系對于在第一基板10上確定的各像素(或子-像素)而設(shè)置。
陽極30由如鋁(Al)的金屬材料形成在熒光層26和黑色層28上。陽極30接受來自外部電源的加速電子束所需的高電壓，以使熒光層26處在高電壓狀態(tài)，并反射自熒光層26發(fā)出的可見光以朝向第二基板12的第一基板10，從而增加屏幕亮度。
或者，陽極可以用透明傳導(dǎo)材料形成，如銦錫氧化物(ITO)，來代替金屬材料。在這種情況下，陽極設(shè)置在第二基板12和熒光層26及黑色層28的表面之間的熒光層26和黑色層28的表面上。此外，也可以同時使用透明導(dǎo)體層和金屬層作為陽極。
如圖2所示，多個間隔物32設(shè)置在第一基板10和第二基板20之間，以承受施與真空容器上的壓力來穩(wěn)定地保持(或維持)兩個基板10和20之間的距離。間隔物32設(shè)置在黑色層28的區(qū)域上，以便它們不侵入熒光層26的區(qū)域。
上述結(jié)構(gòu)的電子發(fā)射顯示器通過應(yīng)用來自一個或多個外電源的電壓(其可以為預(yù)定電壓)到陰極14、柵極18、聚焦電極22和陽極30來驅(qū)動。
例如，當(dāng)陰極14接收掃描驅(qū)動電壓以作為掃描電極時，柵極18接收數(shù)字驅(qū)動電壓以作為數(shù)據(jù)電極(或反之亦然)。聚焦電極22接收聚焦電子束所需的電壓，例如，0V或范圍從幾伏到幾十伏的負(fù)直流電壓。陽極30接收加速電子束所需的電壓，例如，范圍從幾百到幾千伏的正直流電壓。
然后，在像素電場形成在電子發(fā)射區(qū)域20周圍，其中陰極14和柵極18之間的電壓差超過臨界值，并且電子由于電場而從電子發(fā)射區(qū)20中發(fā)出。所發(fā)射的電子在中心聚焦成電子束捆，而通過聚焦電極22的開口部分221。聚集電子束然后由施與陽極30的高電壓吸引，并在相應(yīng)的像素上向熒光層26碰撞，從而激發(fā)它們發(fā)光。
對于根據(jù)本發(fā)明實施例的電子發(fā)射顯示器的驅(qū)動程序，電子發(fā)射區(qū)域20和柵極開口部分181以高集成度設(shè)置，以便各單元像素電子發(fā)射區(qū)20的數(shù)量增加，從而增加電子發(fā)射的均勻性并且降低驅(qū)動電壓。此外，對于根據(jù)本發(fā)明實施例的電子發(fā)射顯示器，聚焦電極22的聚集效率因其中開口部分221的形狀而提高，因此降低或防止顯示質(zhì)量因不正確的彩色光發(fā)射而變差。
如上所述，對于根據(jù)本發(fā)明實施例的電子發(fā)射顯示器，增加了各單元像素的電子發(fā)射區(qū)域的數(shù)量，以因此增加電子發(fā)射均勻性，降低驅(qū)動電壓，并且增加電子發(fā)射區(qū)域上所發(fā)射的電子數(shù)量，從而實現(xiàn)高亮度顯示屏。此外，對于根據(jù)本發(fā)明實施例的電子發(fā)射裝置，提高了電子束聚集效率，以減少或防止不正確的彩色光發(fā)射，從而實現(xiàn)高質(zhì)量顯示屏。
盡管參照具體的示范性實施例描述了本發(fā)明，但是本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以理解的是，本發(fā)明不限于所揭示的實施例，而相反旨在覆蓋包括權(quán)利要求的精神和范圍內(nèi)的各種修改和它們的等同特征。
權(quán)利要求
1.一種電子發(fā)射裝置，包括基板；形成在該基板上的多個第一電極；電連接到該第一電極上的多個電子發(fā)射區(qū)域；和多個第二電極，隨同該第一電極設(shè)置，且在該第一電極和該第二電極之間夾置有絕緣層，該第二電極與該第一電極交叉以形成多個交叉區(qū)域，其中至少兩行電子發(fā)射區(qū)域沿該第一電極的縱向方向設(shè)置在各交叉區(qū)域上，并且該電子發(fā)射區(qū)域在各行上于該第二電極縱向上彼此偏離，并且其中，該絕緣層和該第二電極具有對應(yīng)于該各電子發(fā)射區(qū)域的多個開口部分，以暴露該電子發(fā)射區(qū)域。
2.如權(quán)利要求1所述的電子發(fā)射裝置，其中該電子發(fā)射區(qū)域的至少兩行之一中的電子發(fā)射區(qū)域之一設(shè)置成對應(yīng)于該電子發(fā)射區(qū)域至少兩行的另一個中的兩個電子發(fā)射區(qū)之間的中心。
3.如權(quán)利要求1所述的電子發(fā)射裝置，其中至少兩行該電子發(fā)射區(qū)域?qū)τ诟鹘徊鎱^(qū)域以鋸齒形設(shè)置。
4.如權(quán)利要求1所述的電子發(fā)射裝置，其中該電子發(fā)射區(qū)域包括選自于由碳納米管、石墨、石墨納米纖維、鉆石、類鉆石、C60、硅納米線及其組合所組成的組中的至少一種材料。
5.如權(quán)利要求1所述的電子發(fā)射裝置，還包括聚焦電極，通過在該第二電極和該聚焦電極之間插入附加絕緣層而設(shè)置在該第二電極之上，其中該附加絕緣層和該聚集電極具有形成在每個交叉區(qū)域上的開口部分，以暴露在每個交叉區(qū)域上的該第二電極的開口部分。
6.如權(quán)利要求5所述的電子發(fā)射裝置，其中至少兩行該電子發(fā)射區(qū)域設(shè)置在各交叉區(qū)域上，其中，在垂直于該至少兩行的電子發(fā)射區(qū)域位置，該聚焦電極的開口部分包括短距離區(qū)域，其中該聚焦電極的開口部分的一個側(cè)端和該第二電極開口部分相應(yīng)的一個的同一側(cè)端彼此間隔開第一間距A；和長距離區(qū)域，其中該聚焦電極開口部分的相對側(cè)端和該第二電極該開口部分的相應(yīng)的一個的相對側(cè)端彼此間隔開第二間距B，其中該長距離區(qū)域的縱橫T/B為該短距離區(qū)域的縱橫比T/A的1/2以下，并且其中T表示該附加絕緣層的厚度。
7.如權(quán)利要求6所述的電子發(fā)射裝置，其中該第一電極是陰極，而該第二電極是柵極。
8.如權(quán)利要求5所述的電子發(fā)射裝置，其中該第一電極是陰極，而該第二電極是柵極。
9.如權(quán)利要求1所述的電子發(fā)射裝置，其中該第一電極是陰極，而該第二電極是柵極。
10.一種電子發(fā)射顯示器，包括電子發(fā)射裝置，包括第一基板；多個第一電極，形成在該第一基板上；多個電子發(fā)射區(qū)域，電連接到該第一電極和多個第二電極上；多個第二電極，隨同該第一電極設(shè)置，且在該第一電極和該第二電極之間夾置有絕緣層，該第二電極與該第一電極交叉以形成多個交叉區(qū)域，其中至少兩行電子發(fā)射區(qū)域沿該第一電極的縱向方向設(shè)置在各交叉區(qū)域上，并且該電子發(fā)射區(qū)域在自行上于該第二電極的縱向上彼此偏離，并且其中該絕緣層和該第二電極具有對應(yīng)于各電子發(fā)射區(qū)域的多個開口部分，以暴露該電子發(fā)射區(qū)域；和第二基板，面對該第一基板；三色熒光層，形成在該第二基板的表面上；和陽極，形成在該熒光層的表面上，其中該熒光層設(shè)置在該各交叉區(qū)域上，以便該熒光層的單色熒光層對應(yīng)于每個交叉區(qū)域。
11.如權(quán)利要求10所述的電子發(fā)射顯示器，其中該電子發(fā)射區(qū)域的至少兩行之一中的電子發(fā)射區(qū)域之一設(shè)置成對應(yīng)于該電子發(fā)射區(qū)域至少兩行的另一個中的兩個電子發(fā)射區(qū)之間的中心。
12.如權(quán)利要求10所述的該電子發(fā)射顯示器，其中該至少兩行電子發(fā)射區(qū)域?qū)τ诟鹘徊鎱^(qū)域以鋸齒形設(shè)置。
13.如權(quán)利要求10所述的電子發(fā)射顯示器，其中該電子發(fā)射區(qū)域包括選自于由碳納米管、石墨、石墨納米纖維、鉆石、類鉆石碳、C60、硅納米絲及其組合所組成的組中的至少一種材料。
14.如權(quán)利要求10所述的電子發(fā)射顯示器，還包括聚焦電極，通過在該第二電極和該聚焦電極之間插入附加絕緣層而設(shè)置在該第二電極之上，其中該附加絕緣層和該聚集電極具有形成在每個交叉區(qū)域上的開口部分，以暴露在每個交叉區(qū)域上的該第二電極的開口部分。
15.如權(quán)利要求14所述的電子發(fā)射顯示器，其中該至少兩行電子發(fā)射區(qū)域設(shè)置在各交叉區(qū)域上，其中，在垂直于該至少兩行的電子發(fā)射區(qū)域位置，該聚焦電極的開口部分包括短距離區(qū)域，其中該聚焦電極的開口部分的一個側(cè)端和該第二電極開口部分相應(yīng)的一個的同一側(cè)端彼此間隔開第一間距A；和長距離區(qū)域，其中該聚焦電極開口部分的相對側(cè)端和該第二電極該開口部分的相應(yīng)的一個的相對側(cè)端彼此間隔開第二間距B，其中該長距離區(qū)域的縱橫T/B為該短距離區(qū)域的縱橫比T/A的1/2以下，并且其中T表示該附加絕緣層的厚度。
16.如權(quán)利要求15所述的電子發(fā)射顯示器，其中該第一電極是陰極，而該第二電極是柵極。
17.如權(quán)利要求14所述的電子發(fā)射顯示器，其中該第一電極是陰極，而該第二電極是柵極。
18.如權(quán)利要求10所述的電子發(fā)射裝置，其中該第一電極是陰極，而該第二電極是柵極。
全文摘要
本發(fā)明揭示了一種電子發(fā)射裝置及采用其的顯示器，其中該電子發(fā)射裝置包括基板；陰極，形成在基板上；電子發(fā)射區(qū)域，電連接到陰極上；柵極，同陰極一道設(shè)置，并且在陰極和柵極之間夾置有絕緣層，柵極穿過陰極以形成多個交叉區(qū)域。這里，至少兩行該電子發(fā)射區(qū)域沿陰極的縱向設(shè)置在各交叉區(qū)域上，并且在各行上的電子發(fā)射區(qū)域在柵極縱向上彼此偏離。此外，絕緣層和柵極具有對應(yīng)于各電子發(fā)射區(qū)域的開口部分，以暴露該電子發(fā)射區(qū)域。
文檔編號H01J31/12GK1956133SQ20061013744
公開日2007年5月2日 申請日期2006年10月25日 優(yōu)先權(quán)日2005年10月25日
發(fā)明者黃成淵 申請人:三星Sdi株式會社