專利名稱：等離子處理裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種等離子處理裝置，用于執(zhí)行諸如面板(board)的要處理的板狀對(duì) 象的等離子處理。
背景技術(shù)：
等離子處理公知為表面處理方法，用于執(zhí)行諸如面板的要處理的對(duì)象的清潔或者 蝕刻，其中，在所述諸如面板的要處理的對(duì)象上安裝了電子部件。在等離子處理中，要處理 的面板被置于形成處理室的真空室中。然后，在處理室中產(chǎn)生等離子放電。當(dāng)使得作為等離 子放電的結(jié)果而產(chǎn)生的離子和電子作用于面板的表面時(shí)，執(zhí)行預(yù)定的表面處理。在如上所 述的等離子處理時(shí)，在離子和電子與要處理的對(duì)象的表面碰撞時(shí)已經(jīng)去除的微粒散布在周 圍并且附著在電極表面和真空室的內(nèi)壁表面上，在所述電極表面上安裝了要處理的對(duì)象。 如此散布的微粒隨著時(shí)間的經(jīng)過(guò)而沉積。 附著和沉積的外物(foreign object)可以是延長(zhǎng)真空排氣時(shí)間的原因，因?yàn)樗鼈?吸收在每次打開(kāi)和閉合真空室時(shí)從外部引入的空氣中包含的水蒸汽或者其他氣體。而且， 在等離子處理中，從沉積層釋放的氣體改變等離子處理壓力。因此，附著和沉積的外物可以 是阻礙維持適當(dāng)?shù)牡入x子處理?xiàng)l件的因素。而且，當(dāng)外物附著和沉積在其上施加了高頻電 壓的電極的周?chē)鷷r(shí)，絕緣屬性被附著到用于引導(dǎo)電極和要處理的對(duì)象的引導(dǎo)構(gòu)件的外物變 差。因此，存在從電極向在周?chē)膫鲗?dǎo)部分產(chǎn)生放電并且等離子放電進(jìn)入不穩(wěn)定狀態(tài)的可 能性。如上所述，當(dāng)外物附著和沉積在真空室中時(shí)，產(chǎn)生各種問(wèn)題。因此，已知一種傳統(tǒng)的 等離子處理裝置，其具有自動(dòng)檢測(cè)已經(jīng)以外物的附著程度不超過(guò)允許的極限的方式附著了 外物的功能，并具有通知已經(jīng)達(dá)到維護(hù)時(shí)間的功能。關(guān)于這一內(nèi)容，例如，參見(jiàn)專利文件1。 在專利文件1中所示的現(xiàn)有技術(shù)中，每次在操作所述裝置時(shí)執(zhí)行真空排氣時(shí)，測(cè)量在其中 可以獲得預(yù)定的真空度的時(shí)間段，并且當(dāng)這個(gè)時(shí)間段已經(jīng)達(dá)到預(yù)定的允許時(shí)間時(shí)，確定已 經(jīng)達(dá)到維護(hù)時(shí)間。 專利文件1 :JP-A-2002-124503 但是，根據(jù)在上述的現(xiàn)有技術(shù)中所示的方法，除非附著了相當(dāng)大數(shù)量的外物，否則 在其中壓力達(dá)到預(yù)定真空度的時(shí)間不出現(xiàn)顯著的改變。因此，難于精確地判斷是否已經(jīng)達(dá) 到將所述裝置維持在最佳條件所需要的正確維護(hù)時(shí)間。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種等離子處理裝置，其能夠高度精確地判斷是否已經(jīng)達(dá)到 用于將所述裝置的操作狀態(tài)維持在最佳條件所需要的適當(dāng)?shù)木S護(hù)時(shí)間。 本發(fā)明提供了一種等離子處理裝置，用于對(duì)在處理室中容納的要處理的對(duì)象提供 等離子處理，包括真空室，其形成處理室；電極部分，其被布置在所述處理室中；真空排氣 部分，用于通過(guò)真空從所述處理室排出氣體；供氣部分，用于向所述處理室中提供用于產(chǎn)生 等離子的氣體；高頻電源部分，用于當(dāng)在所述電極部分上施加高頻電壓時(shí)在所述處理室中產(chǎn)生等離子放電；匹配裝置，用于將用于產(chǎn)生等離子放電的等離子放電電路的阻抗與所述 高頻電源部分的阻抗匹配；以及，等離子放電狀態(tài)監(jiān)控單元，用于監(jiān)控所述處理室中的等離 子放電狀態(tài)，所述等離子放電狀態(tài)監(jiān)控單元包括放電檢測(cè)傳感器，其具有板狀電介質(zhì)構(gòu) 件，該板狀電介質(zhì)構(gòu)件附著到所述真空室從而該板狀電介質(zhì)構(gòu)件的一面可以與在所述處理 室中產(chǎn)生的等離子放電相對(duì)，所述放電檢測(cè)傳感器還具有在所述板狀電介質(zhì)構(gòu)件的另一面 上布置的探針電極；第一波形檢測(cè)部分，用于接收根據(jù)等離子放電的改變?cè)谒鎏结橂姌O 中感生的電勢(shì)上的改變，并且用于檢測(cè)根據(jù)異常放電產(chǎn)生的特定圖案的電勢(shì)改變波形；以 及，第二波形檢測(cè)部分，用于接收在電勢(shì)上的改變，并且用于檢測(cè)由泄漏放電引起的特定圖 案的電勢(shì)波形，所述等離子處理裝置還包括計(jì)數(shù)部分，用于計(jì)數(shù)由所述第二波形檢測(cè)部分 進(jìn)行的檢測(cè)電勢(shì)改變波形的次數(shù)；以及，維護(hù)判斷部分，用于根據(jù)計(jì)數(shù)的值來(lái)判斷是否需要 所述真空室的維護(hù)。 根據(jù)本發(fā)明，提供了第二波形檢測(cè)部分，其接收由等離子放電上的改變而在附著 到真空室的放電檢測(cè)傳感器的探針電極中感生的電勢(shì)上的改變，并且檢測(cè)由泄漏放電引起
的特定圖案的電勢(shì)改變波形。根據(jù)由所述第二波形檢測(cè)部分執(zhí)行的檢測(cè)電勢(shì)改變波形的次 數(shù)的計(jì)數(shù)值，判斷是否需要維護(hù)。由于上述構(gòu)成，還可能精確地判斷是否已經(jīng)達(dá)到用于將所 述裝置的操作狀態(tài)維持在最佳條件原始需要的適當(dāng)?shù)木S護(hù)時(shí)間。


圖1是示出本發(fā)明的實(shí)施例1的等離子處理裝置的剖面圖。 圖2是用于解釋用于本發(fā)明的實(shí)施例1的等離子處理裝置的放電檢測(cè)傳感器的布 置的示意圖示。 圖3是示出本發(fā)明的實(shí)施例1的等離子處理裝置的等離子放電狀態(tài)監(jiān)控裝置的布 置的方框圖。 圖4A和4B是用于解釋在本發(fā)明的實(shí)施例1的等離子放電狀態(tài)監(jiān)控方法中的電勢(shì) 改變波形和波形監(jiān)控時(shí)區(qū)的示意圖示。 圖5是在本發(fā)明的實(shí)施例1的等離子放電狀態(tài)監(jiān)控方法中執(zhí)行的放電狀態(tài)判斷處 理的流程圖。 圖6是在本發(fā)明的實(shí)施例1的等離子放電狀態(tài)監(jiān)控方法中執(zhí)行的維護(hù)判斷處理的 流程圖。 圖7是示出在本發(fā)明的實(shí)施例2的等離子處理裝置中的等離子放電狀態(tài)監(jiān)控裝置 的構(gòu)成的方框圖。 圖8A和8B是用于解釋在本發(fā)明的實(shí)施例2的等離子放電狀態(tài)監(jiān)控方法中的電勢(shì) 改變波形和波形監(jiān)控時(shí)區(qū)的示意圖示。 圖9是示出在本發(fā)明的實(shí)施例2的等離子放電狀態(tài)監(jiān)控方法中的電子放電狀態(tài)判 斷處理的流程圖。
具體實(shí)施方式

(實(shí)施例l) 圖l是示出本發(fā)明的實(shí)施例1的等離子處理裝置的剖面圖。圖2是用于解釋用于
4本發(fā)明的實(shí)施例1的等離子處理裝置的放電檢測(cè)傳感器的布置的示意圖示。圖3是示出本 發(fā)明的實(shí)施例1的等離子處理裝置的等離子放電狀態(tài)監(jiān)控裝置的布置的方框圖。圖4A和 4B是用于解釋在本發(fā)明的實(shí)施例1的等離子放電狀態(tài)監(jiān)控方法中的電勢(shì)改變波形和波形 監(jiān)控時(shí)區(qū)的示意圖示。圖5是在本發(fā)明的實(shí)施例1的等離子放電狀態(tài)監(jiān)控方法中執(zhí)行的放 電狀態(tài)判斷處理的流程圖。圖6是在本發(fā)明的實(shí)施例1的等離子放電狀態(tài)監(jiān)控方法中執(zhí)行 的維護(hù)判斷處理的流程圖。 首先參見(jiàn)圖l，下面將說(shuō)明等離子處理裝置的結(jié)構(gòu)。在圖1中，以下述方式構(gòu)成真 空室3 :蓋子部分2布置在由提升單元(未示出)自由地提升的水平基座部分1上。在蓋 子部分2被降低并通過(guò)密封構(gòu)件4與基座部分1的上表面接觸的狀態(tài)中，真空室3進(jìn)入閉 合狀態(tài)。由基座部分1和蓋子部分2圍繞的氣密的閉合空間形成處理室3a，要處理的對(duì)象 容納在該處理室3a中并在其中經(jīng)歷等離子處理。在處理室3a中，布置了電極部分5。電極 部分5通過(guò)絕緣構(gòu)件6從下側(cè)附著到在基座部分1中提供的開(kāi)口部分la。絕緣體7附著在 電極部分5的上表面上。作為要處理的對(duì)象的面板9在面板傳送方向上(與附圖的表面垂 直的方向)傳送到絕緣體7的上表面上，同時(shí)兩側(cè)端部分由引導(dǎo)構(gòu)件8引導(dǎo)。
在基座部分1中提供的開(kāi)孔lb通過(guò)管線11連接到通氣閥12、真空計(jì)15、供氣閥 13和真空閥14。而且，供氣閥13和真空閥14分別連接到供氣部分16和真空泵17。當(dāng)在 驅(qū)動(dòng)真空泵17的同時(shí)真空閥14打開(kāi)時(shí)，處理室3a的內(nèi)部被真空排氣。此時(shí)，通過(guò)真空計(jì) 15來(lái)檢測(cè)真空度。真空閥14和真空泵17構(gòu)成真空排氣部分，通過(guò)該真空排氣部分，處理室 3a的內(nèi)部被真空排氣。當(dāng)打開(kāi)供氣閥13時(shí)，用于產(chǎn)生等離子的氣體從供氣部分16提供到 用于產(chǎn)生等離子的處理室3a。供氣部分16具有流速調(diào)節(jié)功能。因此，可能向處理室3a提 供用于產(chǎn)生等離子的任意數(shù)量的氣體。當(dāng)打開(kāi)通氣閥12時(shí)，在真空破壞時(shí)空氣被引入處理 室3a中。 電極部分5通過(guò)匹配裝置18電連接到高頻電源部分19。當(dāng)在通過(guò)真空完成排氣 后氣體被提供到處理室3a中的條件下驅(qū)動(dòng)高頻電源部分19時(shí)，在電極部分5和接地到地 部分10的蓋子部分2之間施加高頻電壓。由于這一施加高頻電壓，在處理室3a中產(chǎn)生等 離子放電。匹配裝置18具有使等離子放電電路的阻抗和高頻電源部分19的阻抗彼此匹配 的功能，所述等離子放電電路在處理室3a中產(chǎn)生等離子放電。 在蓋子部分2的側(cè)面，提供了圓形開(kāi)口部分2a，其作為窺視孔，操作者可通過(guò)其從 真空室3外部觀看處理室3a的內(nèi)部。在開(kāi)口部分2a中，包括電介質(zhì)構(gòu)件21和探針電極單 元22的放電檢測(cè)傳感器23被來(lái)自蓋子部分2外部的支撐構(gòu)件24固定。參見(jiàn)圖2，下面將 說(shuō)明放電檢測(cè)傳感器23的布置。由透光玻璃構(gòu)成的電介質(zhì)構(gòu)件21被附著到在蓋子部分2 中提供的開(kāi)口部分2a。在處理室3a中，在電極部分5和蓋子部分2之間產(chǎn)生等離子放電。 電介質(zhì)構(gòu)件21以下述姿態(tài)附著到在真空室3中提供的開(kāi)口部分2a :電介質(zhì)構(gòu)件21的一個(gè) 表面面對(duì)在處理室3a中產(chǎn)生的等離子放電。 探針電極單元22附著在電介質(zhì)構(gòu)件21的另一個(gè)表面上，即在真空室3的外部的 表面上。探針電極單元22是集成部件，其中，在玻璃板22a的一個(gè)表面上形成探針電極22b， 并且在另一個(gè)表面上形成屏蔽電極22c。當(dāng)探針電極單元22附著到電介質(zhì)構(gòu)件21并且形 成放電檢測(cè)傳感器23時(shí)，在探針電極22b與電介質(zhì)構(gòu)件21的外表面(所述另一個(gè)表面) 緊密接觸的條件下，其在蓋子部分2被由傳導(dǎo)金屬構(gòu)成的支撐構(gòu)件24支撐。S卩，放電檢測(cè)傳感器23至少包括板狀電介質(zhì)構(gòu)件21，其附接到真空室3，以便一個(gè)表面可以面向在處理 室3a中產(chǎn)生的等離子放電；以及，探針電極22b，其被布置在電介質(zhì)構(gòu)件21的另一個(gè)表面 上。探針電極22b通過(guò)檢測(cè)引線22d連接到等離子監(jiān)控裝置20。 當(dāng)在處理室3a中產(chǎn)生等離子放電時(shí)，探針電極22b通過(guò)電介質(zhì)構(gòu)件21和護(hù)套S 而電連接到等離子P，所述護(hù)套S是在處理室3a中產(chǎn)生的等離子P與電介質(zhì)構(gòu)件21的界面 上形成的空間電荷層。即，如圖2中所示，形成電子電路，其中，從電介質(zhì)構(gòu)件21形成的電 容器Cl、具有對(duì)應(yīng)于護(hù)套S的容量的電容器C2和等離子P的電阻器R彼此串聯(lián)連接。在探 針電極22b中，感生對(duì)應(yīng)于等離子P的狀態(tài)的電勢(shì)。在本實(shí)施例中，通過(guò)檢測(cè)引線22d向等 離子監(jiān)控裝置20引入探針電極22b的電勢(shì)，并且通過(guò)等離子監(jiān)控裝置20監(jiān)控在對(duì)應(yīng)于等 離子P的電勢(shì)上的改變。以這種方式，監(jiān)控在處理室3a中的等離子放電狀態(tài)。
在處理室3a中，當(dāng)在電極部分5上安裝的面板9周?chē)a(chǎn)生異常放電時(shí)，在處理室 3a中產(chǎn)生的等離子P的狀態(tài)波動(dòng)。等離子P的這種波動(dòng)改變了如上所述的電子電路的阻 抗。因此，這種波動(dòng)被檢測(cè)為探針電極22b的電勢(shì)上的改變。在電勢(shì)上的這種改變被高度 敏感地檢測(cè)。因此，檢測(cè)在電勢(shì)上的改變的這種檢測(cè)的特征在于可以檢測(cè)到甚至微小的波 動(dòng)，其通過(guò)傳統(tǒng)方法很少能被檢測(cè)到。屏蔽電極22c具有電子屏蔽探針電極22b外部的功 能。因此，在屏蔽電極22c中產(chǎn)生的電荷通過(guò)傳導(dǎo)性支撐構(gòu)件24被釋放到蓋子部分2。由 于上述原因，相對(duì)于在探針電極22b中感生的電勢(shì)上的改變的噪聲可以被降低。
在本實(shí)施例中，以將諸如IT0的透明傳導(dǎo)材料涂敷在玻璃板22a的表面上形成為 類(lèi)似于膜的方式來(lái)形成探針電極22b和屏蔽電極22c。由于這種結(jié)構(gòu)，當(dāng)放電檢測(cè)傳感器 23附著到開(kāi)口部分2a時(shí)，操作者可以通過(guò)開(kāi)口部分2a從蓋子部分2的外部觀看處理室3a 的內(nèi)部。在本實(shí)施例中所示的放電檢測(cè)傳感器23中，從附著到用于從真空室3外部觀察處 理室3a內(nèi)部的開(kāi)口部分2a (窺視孔)的透光玻璃形成電介質(zhì)構(gòu)件21 ，并且探針電極22b由 透光的傳導(dǎo)材料構(gòu)成。 由于上述結(jié)構(gòu)，可以同時(shí)使用用于觀察處理室3a內(nèi)部的窺視孔和用于監(jiān)控等離 子放電狀態(tài)的探針電極22b。因?yàn)殡娊橘|(zhì)構(gòu)件21暴露到在處理室3a中產(chǎn)生的等離子P，因 此電介質(zhì)構(gòu)件21的表面被損壞。因此，必須以預(yù)定的間隔替換電介質(zhì)構(gòu)件21。即使在這種 情況下，分別獨(dú)立地構(gòu)成探針電極單元22和電介質(zhì)構(gòu)件21，僅僅替換作為消耗部件之一的 電介質(zhì)構(gòu)件21是足夠的，不必替換探針電極單元22。 等離子處理裝置包括控制部分25，用于控制整個(gè)操作。當(dāng)控制部分25控制通氣閥 12、供氣閥13、真空閥14、真空計(jì)15、供氣部分16、真空泵17和高頻電源部分19時(shí)，可以執(zhí) 行等離子處理所需要的每個(gè)操作?？刂撇糠?5控制等離子監(jiān)控裝置20，并且同時(shí)，控制部 分25具有接收由等離子監(jiān)控裝置20獲得的檢測(cè)的結(jié)果和執(zhí)行必要的控制處理的功能。控 制部分25包括操作和輸入部分26以及顯示部分27。操作和輸入部分26輸入各種操作和 數(shù)據(jù)。顯示部分27在由操作和輸入部分26執(zhí)行的輸入操作時(shí)顯示操作圖像平面(plane)。 而且，顯示部分27根據(jù)等離子監(jiān)控裝置20的檢測(cè)結(jié)果來(lái)顯示由控制部分25作出的判斷的 結(jié)果。 接著，參見(jiàn)圖3，將說(shuō)明等離子監(jiān)控裝置20和控制部分5的構(gòu)成和功能。在圖3 中，等離子監(jiān)控裝置20包括AMP (放大器)31、A/D轉(zhuǎn)換器32、波形數(shù)據(jù)臨時(shí)存儲(chǔ)部分33、N 型波形檢測(cè)部分34、 V型波形檢測(cè)部分35、放電開(kāi)始(discharge ON)波形計(jì)數(shù)器36、放電結(jié)束(discharge OFF)波形計(jì)數(shù)器37、異常放電波形計(jì)數(shù)器38和泄漏放電波形計(jì)數(shù)器39。 AMP 31放大通過(guò)檢測(cè)引線22d傳送的探針電極22b的電勢(shì)上的改變。A/D轉(zhuǎn)換器32將由 AMP 31放大的電勢(shì)上的改變的信號(hào)A/D轉(zhuǎn)換為A/D信號(hào)。已經(jīng)由A/D轉(zhuǎn)換器A/D轉(zhuǎn)換的 電壓移位信號(hào)(即示出在電壓上的改變的數(shù)字信號(hào))被發(fā)送到波形數(shù)據(jù)臨時(shí)存儲(chǔ)部分33、 N型波形檢測(cè)部分34和V型波形檢測(cè)部分35。 波形數(shù)據(jù)臨時(shí)存儲(chǔ)部分33臨時(shí)存儲(chǔ)示出已經(jīng)接收的電勢(shì)的改變的數(shù)字信號(hào)作為 波形數(shù)據(jù)。N型波形檢測(cè)部分34將所接收的數(shù)字信號(hào)識(shí)別為波形，并將如此識(shí)別的波形與 預(yù)設(shè)的預(yù)定條件相比較。N型波形檢測(cè)部分34檢測(cè)具有N型波形圖案的N型波形。當(dāng)檢 測(cè)到N型波形時(shí)，每次檢測(cè)時(shí)輸出檢測(cè)信號(hào)。V型波形檢測(cè)部分35以相同的方式將所接收 的數(shù)字信號(hào)識(shí)別為波形，并且將如此識(shí)別的波形與預(yù)設(shè)的預(yù)定條件相比較，并且檢測(cè)具有V 形波形圖案的V形波形。當(dāng)檢測(cè)到V形波形時(shí)，每次檢測(cè)時(shí)輸出檢測(cè)信號(hào)。即，N型波形檢 測(cè)部分34和V型檢測(cè)部分35是多個(gè)波形檢測(cè)部分，用于接收根據(jù)等離子放電上的改變而 在探針電極22b中感生的在電勢(shì)上的改變，并且用于檢測(cè)預(yù)定波形。兩者都具有每次出現(xiàn) 符合預(yù)定條件的電勢(shì)上的改變時(shí)輸出檢測(cè)信號(hào)的功能。在N型波形檢測(cè)部分34和V型波 形檢測(cè)部分35中，被設(shè)置來(lái)用于檢測(cè)波形的預(yù)定條件根據(jù)如下所述要檢測(cè)的波形圖案而 不同。 參見(jiàn)圖4A和4B，將說(shuō)明在等離子處理裝置操作時(shí)、當(dāng)放電檢測(cè)傳感器23接收到的
在電勢(shì)上的改變時(shí)檢測(cè)的波形的波形圖案。還將說(shuō)明根據(jù)等離子處理裝置的操作在處理室
3a中產(chǎn)生的異常放電的類(lèi)型。圖4A是示出從等離子處理裝置的操作開(kāi)始到操作結(jié)束的處
理中檢測(cè)的波形圖案并且示出預(yù)先設(shè)定用于檢測(cè)所述波形圖案的預(yù)定時(shí)間的視圖。在這種
情況下，所述預(yù)定時(shí)間是第一預(yù)定時(shí)間Ta、第二預(yù)定時(shí)間Tb和第三預(yù)定時(shí)間Tc。 在圖4B中所示的時(shí)序圖示出了被分配了預(yù)定時(shí)間的多個(gè)波形監(jiān)控時(shí)區(qū)的設(shè)置定
時(shí)，其中，所述設(shè)置定時(shí)被示出為與由高頻電源部分19執(zhí)行的高頻電源施加的開(kāi)始和結(jié)束
定時(shí)相關(guān)。在這種情況下，設(shè)置波形監(jiān)控時(shí)區(qū)，以便可以對(duì)于每種波形指定用于監(jiān)控和計(jì)數(shù)
檢測(cè)的波形的時(shí)區(qū)。在本實(shí)施例中，將包括第一波形監(jiān)控時(shí)區(qū)[A]、中間波形監(jiān)控時(shí)區(qū)[B]
和最后波形監(jiān)控時(shí)區(qū)[C]的三個(gè)時(shí)區(qū)設(shè)置為與如上所述的預(yù)定時(shí)間相關(guān)，所述三個(gè)時(shí)區(qū)將
在后面說(shuō)明。 首先，在圖4A中示出的第一預(yù)定時(shí)間Ta和第三預(yù)定時(shí)間Tc是被分配給第一波 形監(jiān)控時(shí)區(qū)[A]、用于檢測(cè)在開(kāi)始施加高頻電源時(shí)出現(xiàn)的波形的預(yù)定時(shí)間，以及被分配給最 后波形監(jiān)控時(shí)區(qū)[C]、用于檢測(cè)在高頻電源施加結(jié)束時(shí)出現(xiàn)的波形的預(yù)定時(shí)間。第一波形 監(jiān)控時(shí)區(qū)[A]是下述時(shí)區(qū)，其中，在能夠確實(shí)地檢測(cè)波形的時(shí)間段設(shè)置的第一預(yù)定時(shí)間Ta 包含由高頻電源部分19執(zhí)行的高頻電壓的施加開(kāi)始定時(shí)(關(guān)于這個(gè)定時(shí)，參見(jiàn)在圖4B的 時(shí)序圖中示出RF開(kāi)始的定時(shí)tl)，即當(dāng)在開(kāi)始點(diǎn)設(shè)置從定時(shí)tl向回余量時(shí)間tAl的定時(shí) 時(shí)。最后波形監(jiān)控時(shí)區(qū)[C]是下述時(shí)區(qū)，其中，在能夠確實(shí)地檢測(cè)波形的時(shí)間段設(shè)置的第三 預(yù)定時(shí)間Tc包含由高頻電源部分19執(zhí)行的高頻電壓的施加結(jié)束定時(shí)(關(guān)于這個(gè)定時(shí)，參 見(jiàn)在圖4B的時(shí)序圖中示出RF結(jié)束的定時(shí)t2)，即當(dāng)在開(kāi)始點(diǎn)設(shè)置從定時(shí)t2向后余量時(shí)間 tA2的定時(shí)時(shí)。 在第一波形監(jiān)控時(shí)區(qū)[A]和最后波形監(jiān)控時(shí)區(qū)[C]中，檢測(cè)N型電勢(shì)改變波形圖 案(Nl型波形WN1)，其是由高頻電源的施加開(kāi)始和結(jié)束引起的等離子放電狀態(tài)上的改變特
7有的波形圖案，即其是其中如圖4A所示電勢(shì)向正和負(fù)兩側(cè)偏轉(zhuǎn)然后返回到穩(wěn)定值的N形波 形圖案。當(dāng)檢查到所述狀態(tài)符合預(yù)定條件時(shí)，即當(dāng)檢查到檢測(cè)的在電勢(shì)上的改變達(dá)到已經(jīng) 在正負(fù)兩側(cè)預(yù)先設(shè)置的門(mén)限值電平±Vth時(shí)，檢測(cè)這種波形。 插入在第一波形監(jiān)控時(shí)區(qū)[A]和最后波形監(jiān)控時(shí)區(qū)[C]之間的時(shí)區(qū)，即已經(jīng)被設(shè) 置為包括第二預(yù)定時(shí)間tb的中間波形監(jiān)控時(shí)區(qū)[B]是對(duì)應(yīng)于通常操作的持續(xù)的時(shí)區(qū)。在這 種情況下，監(jiān)控由異?，F(xiàn)象引起的電勢(shì)改變波形的出現(xiàn)，其除了由在高頻電源施加的開(kāi)始 和結(jié)束時(shí)的正常狀態(tài)改變引起的電勢(shì)改變波形。如圖4A中所示，在中間波形監(jiān)控時(shí)區(qū)[B] 中，由異常放電或者泄漏放電引起出現(xiàn)的波形是要監(jiān)控的對(duì)象。 所述異常放電是在電極部分5上放置的面板9和電極部分5之間產(chǎn)生的不正常的 放電。在變形彎曲嚴(yán)重的面板9放置在電極部分5上的條件下在面板9和絕緣體7之間形 成間隙的情況下產(chǎn)生所述異常放電。在這種情況下，如圖4A中所示，示出探針電極22b隨 著時(shí)間在電勢(shì)上的改變的電勢(shì)改變波形是N型電勢(shì)改變波形圖案(N2型波形WN2)，其中，電 勢(shì)在正負(fù)兩側(cè)大幅度偏轉(zhuǎn)，然后返回到穩(wěn)定值。以如上所述的相同方式，通過(guò)檢查狀態(tài)符合 如上所述的預(yù)定條件來(lái)進(jìn)行這種波形的檢測(cè)。 諸如Nl型波形WN1或者N2型波形WN2的N型電勢(shì)改變波形主要由N型波形檢測(cè) 部分34檢測(cè)。即，N型波形檢測(cè)部分34是第一波形檢測(cè)部分，其接收根據(jù)在等離子放電上 的改變而在探針電極22b中感生的在電勢(shì)上的改變，并且檢測(cè)根據(jù)上述異常放電產(chǎn)生的特 定圖案的在電勢(shì)上的改變。N型波形檢測(cè)部分34檢測(cè)符合如上所述的預(yù)定條件的N型電勢(shì) 改變波形，并且向放電開(kāi)始波形計(jì)數(shù)器36、放電結(jié)束波形計(jì)數(shù)器37和異常放電波形計(jì)數(shù)器 38輸出檢測(cè)信號(hào)，如下所述。 在這一點(diǎn)上，在第一波形監(jiān)控時(shí)區(qū)[A]和最后波形監(jiān)控時(shí)區(qū)[C]中檢測(cè)的Nl型波 形WN1和由異常放電引起的N2型波形WN2同樣屬于N型電勢(shì)改變波形圖案。但是，產(chǎn)生的 原因彼此不同。因此，偏轉(zhuǎn)的寬度彼此有很大的不同。在本實(shí)施例1中，其偏轉(zhuǎn)寬度彼此不 同的N型波形由同一 N型波形檢測(cè)部分34檢測(cè)。 接著，下面將說(shuō)明泄漏放電。泄漏放電是在處理室3a中提供的諸如電極部分5或 者引導(dǎo)構(gòu)件8的部分(其上施加了高頻電壓)與在周?chē)牟糠种g產(chǎn)生的微小放電，所述 在周?chē)牟糠值碾妱?shì)等于地電勢(shì)。當(dāng)由等離子處理的執(zhí)行產(chǎn)生的外物附著和沉積在用于引 導(dǎo)面板9的傳送的引導(dǎo)構(gòu)件8和開(kāi)口部分la中時(shí)引起的絕緣屬性的變差產(chǎn)生如上所述的 泄漏放電。特別地，在很少可以通過(guò)等離子的直接注入來(lái)去除附著的外物的諸如引導(dǎo)構(gòu)件 8的一側(cè)或者開(kāi)口部分la的內(nèi)側(cè)的部分中，容易附著和沉積通過(guò)等離子處理的濺射行為從 工件去除的樹(shù)脂和金屬的細(xì)顆粒。結(jié)果，絕緣屬性在這些部分中變差，并且在這些部分和接 地的基座部分1之間產(chǎn)生泄漏放電。 在這種情況下，泄漏放電不怎么影響在處理室3a中的等離子放電狀態(tài)。因此，示 出隨著時(shí)間探針電極22b的電勢(shì)改變的電勢(shì)改變波形變?yōu)閂形電勢(shì)改變波形圖案，其中，電 勢(shì)僅僅向負(fù)側(cè)偏轉(zhuǎn)，然后返回到穩(wěn)定值，就像在圖4A中所示的V形波形WV那樣。通過(guò)僅僅 在負(fù)側(cè)檢查所檢測(cè)的電勢(shì)改變已經(jīng)達(dá)到預(yù)先在正負(fù)兩側(cè)上設(shè)置的門(mén)限值電平士Vth，檢測(cè) 這種V形波形。 這種V形電勢(shì)改變波形主要由V型波形檢測(cè)部分35檢測(cè)。即，這種V型波形檢測(cè) 部分35是第二波形檢測(cè)部分，其同樣接收根據(jù)在等離子放電上的改變而在探針電極22b中感生的電勢(shì)改變，并且檢測(cè)如上所述由泄漏放電引起的特定圖案的電勢(shì)改變波形。V型波形 檢測(cè)部分35檢測(cè)符合預(yù)定條件的上述V形電勢(shì)改變波形的改變，并且向泄漏放電波形計(jì)數(shù) 器39輸出檢測(cè)信號(hào)。 當(dāng)N型波形檢測(cè)部分34和V型波形檢測(cè)部分35分別檢測(cè)到作為要檢測(cè)的對(duì)象的 特定圖案時(shí)，N型波形檢測(cè)部分34和V型波形檢測(cè)部分35分別向放電開(kāi)始波形計(jì)數(shù)器36、 放電結(jié)束波形計(jì)數(shù)器37、異常放電波形計(jì)數(shù)器38和泄漏放電波形計(jì)數(shù)器39輸出檢測(cè)信號(hào)， 其表示已經(jīng)檢測(cè)到特定圖案的波形。放電開(kāi)始波形計(jì)數(shù)器36、放電結(jié)束波形計(jì)數(shù)器37、異 常放電波形計(jì)數(shù)器38和泄漏放電波形計(jì)數(shù)器39是多個(gè)計(jì)數(shù)器，它們處理多個(gè)波形檢測(cè)部 分(N型波形檢測(cè)部分34、 V型波形檢測(cè)部分35)，計(jì)數(shù)從對(duì)應(yīng)的波形檢測(cè)部分輸出的檢測(cè) 信號(hào)，并且保存計(jì)數(shù)值。 首先，將說(shuō)明放電開(kāi)始波形計(jì)數(shù)器36、放電結(jié)束波形計(jì)數(shù)器37和異常放電波形計(jì) 數(shù)器38，它們計(jì)數(shù)從N型波形檢測(cè)部分34輸出的檢測(cè)信號(hào)。放電開(kāi)始波形計(jì)數(shù)器36、放電 結(jié)束波形計(jì)數(shù)器37和異常放電波形計(jì)數(shù)器38是多個(gè)計(jì)數(shù)器(第一計(jì)數(shù)器)，其計(jì)數(shù)從N型 波形檢測(cè)部分34輸出的檢測(cè)信號(hào)，并且保存計(jì)數(shù)值。所述多個(gè)計(jì)數(shù)器記錄N型波形檢測(cè)部 分34檢測(cè)N型波形的次數(shù)。 對(duì)于每個(gè)計(jì)數(shù)器預(yù)先確定波形監(jiān)控時(shí)區(qū)并且配備對(duì)應(yīng)于每個(gè)波形監(jiān)控時(shí)區(qū)的三 個(gè)計(jì)數(shù)器，其中，從N型波形檢測(cè)部分34輸出的檢測(cè)信號(hào)被如上所述的多個(gè)計(jì)數(shù)器(在這 種情況下為三個(gè)計(jì)數(shù)器)計(jì)數(shù)。如圖4(b)中所示，這些波形監(jiān)控時(shí)區(qū)被預(yù)先設(shè)置為與在等 離子處理裝置中的電極部分5上的高頻電壓的施加開(kāi)始定時(shí)相關(guān)，即與高頻電源部分19的 驅(qū)動(dòng)開(kāi)始/結(jié)束定時(shí)相關(guān)。 放電開(kāi)始波形計(jì)數(shù)器36計(jì)數(shù)在第一波形監(jiān)控時(shí)區(qū)[A]中的圖4A中所示的Nl型 波形WN1的檢測(cè)信號(hào)并保存計(jì)算值，所述第一波形監(jiān)控時(shí)區(qū)[A]已經(jīng)被設(shè)置為包括高頻電 壓的施加開(kāi)始定時(shí)。放電結(jié)束波形計(jì)數(shù)器37計(jì)數(shù)在最后波形監(jiān)控時(shí)區(qū)[C]中的圖4A中所 示的N1型波形WN1的檢測(cè)信號(hào)并保存計(jì)算值，所述最后波形監(jiān)控時(shí)區(qū)[C]已經(jīng)被設(shè)置為包 括高頻電壓的施加結(jié)束定時(shí)。異常放電波形計(jì)數(shù)器38計(jì)數(shù)在中間波形監(jiān)控時(shí)區(qū)[B]中的 圖4A中所示的N2型波形WN2的檢測(cè)信號(hào)并保存計(jì)算值，所述中間波形監(jiān)控時(shí)區(qū)[B]已經(jīng) 被設(shè)置為包括插入在第一波形監(jiān)控時(shí)區(qū)[A]和最后波形監(jiān)控時(shí)區(qū)[C]之間的時(shí)區(qū)(第二預(yù) 定時(shí)間Tb)。泄漏放電波形計(jì)數(shù)器39是計(jì)數(shù)部分，其計(jì)數(shù)由V型波形檢測(cè)部分35執(zhí)行的檢 測(cè)電勢(shì)改變波形的次數(shù)并保存計(jì)算值，所述V型波形檢測(cè)部分35是第二波形檢測(cè)部分。泄 漏放電波形計(jì)數(shù)器39是第二計(jì)數(shù)器，用于存儲(chǔ)V型波形檢測(cè)部分35檢測(cè)V型波形WV的次 數(shù)。 控制部分25包括計(jì)數(shù)器控制部分41、波形數(shù)據(jù)存儲(chǔ)部分42、放電狀態(tài)判斷部分43 和維護(hù)判斷部分44。計(jì)數(shù)器控制部分41控制多個(gè)計(jì)數(shù)器(放電開(kāi)始波形計(jì)數(shù)器36、放電 結(jié)束波形計(jì)數(shù)器37、異常放電波形計(jì)數(shù)器38)，以便僅僅在對(duì)應(yīng)于預(yù)先設(shè)置的波形監(jiān)控時(shí) 區(qū)的定時(shí)計(jì)數(shù)檢測(cè)信號(hào)。計(jì)數(shù)器控制部分41通過(guò)連接端口 40經(jīng)由三個(gè)計(jì)數(shù)器控制通道A、 B和C連接到放電開(kāi)始波形計(jì)數(shù)器36、異常放電波形計(jì)數(shù)器38和放電結(jié)束波形計(jì)數(shù)器37。
如圖4B中所示，當(dāng)計(jì)數(shù)器控制部分41控制這些計(jì)數(shù)器時(shí)，每個(gè)計(jì)數(shù)器僅僅在被分 配給所涉及的計(jì)數(shù)器的波形檢測(cè)時(shí)區(qū)的檢測(cè)定時(shí)計(jì)數(shù)從N型波形檢測(cè)部分34和V型波形 檢測(cè)部分35輸出的檢測(cè)信號(hào)。由于上述情況，在由N型波形檢測(cè)部分34和V型波形檢測(cè)部
9分35檢測(cè)的大量波形數(shù)據(jù)中，僅僅在對(duì)于判斷有效的定時(shí)出現(xiàn)的波形可以被計(jì)數(shù)。在這一 點(diǎn)上，計(jì)數(shù)器控制信道A、B和C分別對(duì)應(yīng)于第一波形監(jiān)控時(shí)區(qū)[A]、中間波形監(jiān)控時(shí)區(qū)[B] 和最后波形監(jiān)控時(shí)區(qū)[C]。 波形數(shù)據(jù)存儲(chǔ)部分42存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，其用于判斷波形數(shù)據(jù)(即示出在探針電極22b的 電勢(shì)上的改變的波形)是否符合要由N型波形檢測(cè)部分34和V型波形檢測(cè)部分35檢測(cè)的 預(yù)定條件。作為波形數(shù)據(jù)，選擇表征波形圖案并且可以被量化的項(xiàng)，諸如門(mén)限值(關(guān)于這一 點(diǎn)，參見(jiàn)在圖4A中所示的門(mén)限值A(chǔ)vth)，其被設(shè)置用于判斷示出在電勢(shì)上的改變或者要完
成一個(gè)偏轉(zhuǎn)所需要的時(shí)間段的波形中的電勢(shì)的偏轉(zhuǎn)寬度。 放電狀態(tài)判斷部分43根據(jù)由多個(gè)計(jì)數(shù)器(即放電開(kāi)始波形計(jì)數(shù)器36、放電結(jié)束波 形計(jì)數(shù)器37和異常放電波形計(jì)數(shù)器38)保存的計(jì)數(shù)值來(lái)判斷在處理室3a中的等離子放電 的狀態(tài)。當(dāng)放電狀態(tài)判斷部分43檢查計(jì)數(shù)值并且將每個(gè)計(jì)數(shù)值與預(yù)先設(shè)置的允許的值相 比較時(shí)，其判斷等離子放電的狀態(tài)。維護(hù)判斷部分44通過(guò)由泄漏放電波形計(jì)數(shù)器39保存的 計(jì)數(shù)值，即當(dāng)檢查計(jì)數(shù)器值并將其與先前設(shè)置的允許的值相比較時(shí)判斷是否需要維護(hù)。因 此，放電狀態(tài)判斷部分43和維護(hù)判斷部分44構(gòu)成判斷部分，用于判斷等離子處理裝置的操 作狀態(tài)，即用于根據(jù)由放電開(kāi)始波形計(jì)數(shù)器36、放電結(jié)束波形計(jì)數(shù)器37、異常放電波形計(jì) 數(shù)器38和泄漏放電波形計(jì)數(shù)器39保存的計(jì)數(shù)值來(lái)判斷等離子的等離子放電的狀態(tài)，并且 判斷是否在真空室3中需要維護(hù)。 在上述構(gòu)成中，放電檢測(cè)傳感器23、等離子監(jiān)控裝置20和控制部分25構(gòu)成等離 子放電狀態(tài)監(jiān)控單元(等離子放電狀態(tài)監(jiān)控裝置)，用于監(jiān)控在處理室3a中的等離子放電 狀態(tài)。等離子監(jiān)控裝置20接收根據(jù)等離子放電中的改變而在探針電極22b中感生的電勢(shì) 上的改變，并且檢測(cè)在第一波形監(jiān)控時(shí)區(qū)[A]、最后波形監(jiān)控時(shí)區(qū)[C]和中間波形監(jiān)控時(shí)區(qū) 中的特定圖案的電勢(shì)改變波形，所述第一波形監(jiān)控時(shí)區(qū)[A]被設(shè)置為包括高頻電壓的 施加開(kāi)始定時(shí)，所述最后波形監(jiān)控時(shí)區(qū)[C]被設(shè)置為包括高頻電壓的施加結(jié)束定時(shí)，所述 中間波形監(jiān)控時(shí)區(qū)[B]被設(shè)置為包括插入在第一波形監(jiān)控時(shí)區(qū)[A]和最后波形監(jiān)控時(shí)區(qū) 之間的時(shí)區(qū)。而且，等離子監(jiān)控裝置20對(duì)于每個(gè)波形監(jiān)控時(shí)區(qū)計(jì)數(shù)檢測(cè)電勢(shì)改變波形 的次數(shù)，并且保存計(jì)數(shù)值。以這種方式，等離子監(jiān)控裝置20構(gòu)成數(shù)據(jù)處理部分，用于執(zhí)行如 上所述的處理。控制部分25是判斷部分，用于判斷是否存在等離子放電以及放電狀態(tài)是正 常還是異常。 等離子處理裝置如上所述構(gòu)成。接著，參見(jiàn)在圖5中所示的流程圖，下面將說(shuō)明在 操作這個(gè)等離子處理裝置時(shí)執(zhí)行的放電狀態(tài)判斷處理。在這一點(diǎn)上，在圖5的流程圖中所 示的K1、K2和K3分別表示由放電開(kāi)始波形計(jì)數(shù)器36、異常放電波形計(jì)數(shù)器38和放電結(jié)束 波形計(jì)數(shù)器37保存的計(jì)數(shù)值。 當(dāng)開(kāi)始判斷處理時(shí)，首先，檢查放電開(kāi)始波形計(jì)數(shù)器36的計(jì)數(shù)值Kl (ST1)，并且判 斷計(jì)數(shù)值Kl是否小于預(yù)先確定的允許的值1 (ST2)。在計(jì)數(shù)值Kl大于預(yù)先確定的允許值1 的情況下，判斷產(chǎn)生了最初不要檢測(cè)的異常放電。因此，通過(guò)顯示部分27來(lái)通知異常放電 狀態(tài)，并且停止所述裝置的操作(ST14)。在(ST2)中計(jì)數(shù)值K1小于預(yù)定的允許值1的情 況下，程序進(jìn)行到下一個(gè)步驟，并且判斷第一波形監(jiān)控時(shí)區(qū)[A]的第一預(yù)定時(shí)間Ta的經(jīng)過(guò) (ST3)。當(dāng)時(shí)間還沒(méi)有過(guò)去時(shí)，程序返回到(ST1)，并且以(ST1)和(ST2)的順序來(lái)重復(fù)處 理。
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當(dāng)在(ST3)中檢查到預(yù)定時(shí)間Ta已經(jīng)過(guò)去時(shí)，判斷計(jì)數(shù)值Kl是否是O(零)(ST4)。 在計(jì)數(shù)值Kl是0 (零)的情況下，判斷未獲得在處理室3a中產(chǎn)生正常的等離子放電的肯定 證明，并且顯示部分27通知未產(chǎn)生等離子放電，并且停止所述裝置的操作(ST13)。接著，在 (ST4)中檢查到計(jì)數(shù)值K1不是0(零)的情況下，判斷在處理室3a中產(chǎn)生了等離子放電，并 且程序進(jìn)行到下一步驟。即，檢查異常放電波形計(jì)數(shù)器38的計(jì)數(shù)值K2 (ST5)，并且判斷計(jì)數(shù) 值K2是否小于預(yù)定的允許值2 (ST6)。在計(jì)數(shù)值K2大于預(yù)定允許值2的情況下，判斷已經(jīng) 在處理室3a中出現(xiàn)了超過(guò)允許的頻率的異常放電，并且顯示部分27通知異常放電狀態(tài)，并 且停止所述裝置的操作(ST14)。 在計(jì)數(shù)值K2小于預(yù)定的允許值2的情況下，程序進(jìn)行到下一個(gè)步驟，并且判斷中 間波形監(jiān)控時(shí)區(qū)[B]的第二預(yù)定時(shí)間Tb的經(jīng)過(guò)(ST7)。當(dāng)?shù)诙A(yù)定時(shí)間Tb還沒(méi)有過(guò)去時(shí)， 程序返回到(ST5)，并且依序重復(fù)(ST5)和(ST6)的處理。在(ST6)中檢查到第二預(yù)定時(shí)間 Tb已經(jīng)過(guò)去的情況下，程序進(jìn)行到下一個(gè)步驟。即，檢查放電結(jié)束波形計(jì)數(shù)器37的計(jì)數(shù)值 K3 (ST8)，并且判斷計(jì)數(shù)值K3是否小于預(yù)定允許值3 (ST9)。 在計(jì)數(shù)值K3大于預(yù)先確定的允許值3的情況下，判斷產(chǎn)生了最初不要檢測(cè)的異常 放電。因此，顯示部分27通知異常放電狀態(tài)，并且停止所述裝置的操作(ST14)。在(ST9) 中計(jì)數(shù)值K3小于預(yù)定允許值3的情況下，所述程序進(jìn)行到下一個(gè)步驟，并且判斷最后波形 監(jiān)控時(shí)區(qū)[C]的第三預(yù)定時(shí)間tc的經(jīng)過(guò)(STIO)。當(dāng)所述時(shí)間還沒(méi)有過(guò)去時(shí)，程序返回到 (ST8)，并且依序重復(fù)(ST8)和(ST9)的處理。 當(dāng)在(ST10)中檢查到預(yù)定時(shí)間Tc已經(jīng)過(guò)去時(shí)，判斷計(jì)數(shù)值K3是否是0(零) (STll)。在計(jì)數(shù)值K1是0(零)的情況下，判斷未獲得在處理室3a中產(chǎn)生等離子放電的肯 定證明，并且顯示部分27通知未產(chǎn)生等離子放電，并且停止所述裝置的操作(ST13)。接著， 在(ST11)中檢查到計(jì)數(shù)值K3不是0(零)的情況下，等離子放電正常執(zhí)行(ST12)。因此， 結(jié)束放電狀態(tài)判斷處理。 上述的放電狀態(tài)判斷處理流程構(gòu)成了監(jiān)控在等離子處理裝置中的等離子放電狀 態(tài)的方法，其用于監(jiān)控在用于對(duì)面板9執(zhí)行等離子處理的等離子處理裝置中的處理室3a中 的等離子放電狀態(tài)，所述面板9是要處理的對(duì)象并且容納在處理室3a中。監(jiān)控在等離子處 理裝置中的等離子放電狀態(tài)的方法包括步驟由作為數(shù)據(jù)處理部分的等離子監(jiān)控裝置20 接收根據(jù)在處理室3a中的等離子放電的改變而在探針電極22b中感生的電勢(shì)改變；由N型 波形檢測(cè)部分34檢測(cè)在第一波形監(jiān)控時(shí)區(qū)[A]、最后波形監(jiān)控時(shí)區(qū)[C]和中間波形監(jiān)控時(shí) 區(qū)[B]中的特定圖案的電勢(shì)改變波形；通過(guò)放電開(kāi)始波形計(jì)數(shù)器36、異常放電波形計(jì)數(shù)器 38和放電結(jié)束波形計(jì)數(shù)器37對(duì)于每個(gè)波形監(jiān)控時(shí)區(qū)[A] 、 [B] 、 [C]計(jì)數(shù)檢測(cè)電勢(shì)改變波形 的次數(shù)，并且保存計(jì)數(shù)值K1、K2和K3 ;以及根據(jù)計(jì)數(shù)值K1、K2、K3對(duì)每個(gè)波形監(jiān)控時(shí)區(qū)[A]、 [B]、[C]執(zhí)行等離子放電狀態(tài)判斷，其包括等離子放電的存在的判斷，并且也包括等離子放 電狀態(tài)是正常還是異常的判斷。 接著，參見(jiàn)圖6，下面將說(shuō)明在上述的放電狀態(tài)判斷處理后執(zhí)行的維護(hù)判斷處理， 在這一點(diǎn)上，圖6的流程圖中所示的K4表示由泄漏放電波形計(jì)數(shù)器39保存的計(jì)數(shù)值。提 供這個(gè)維護(hù)判斷處理的目的是防止當(dāng)外物附著和沉積時(shí)引起的問(wèn)題，所述外物在繼續(xù)等離 子處理裝置的操作的過(guò)程中由真空室3中的等離子處理產(chǎn)生。為了完成所述目的，通過(guò)維 護(hù)判斷部分44來(lái)執(zhí)行這個(gè)維護(hù)判斷處理。在圖5的流程圖中所示的(ST10)完成后另外地
11執(zhí)行這個(gè)維護(hù)判斷處理。 在圖6中所示的處理(ST20)是與在圖5的說(shuō)明中所述的(ST10)相同的處理。當(dāng) 在(ST20)中檢查了最后波形監(jiān)控時(shí)區(qū)[C]的第三預(yù)定時(shí)間tc的經(jīng)過(guò)時(shí)，檢查泄漏放電波 形計(jì)數(shù)器39的計(jì)數(shù)值K4(ST21)，并且判斷計(jì)數(shù)值K4是否小于預(yù)定允許值4(ST22)。在計(jì) 數(shù)值K4小于預(yù)定允許值4的情況下，判斷當(dāng)在處理室3a中附著外物時(shí)引起的泄漏放電的 產(chǎn)生頻率不大于允許的極限并且不必執(zhí)行維護(hù)來(lái)去除外物。以這種方式，結(jié)束判斷處理。 另一方面，在(ST22)中計(jì)數(shù)值K4大于預(yù)定允許值4的情況下，判斷泄漏放電的產(chǎn)生頻率超 過(guò)允許的極限，并且很可能外物附著和沉積。因此，通過(guò)顯示部分27來(lái)通知維護(hù)的必要性 (ST23)。 如上所述，實(shí)施例1的等離子處理裝置包括V型波形檢測(cè)部分35，其是第二波形檢 測(cè)部分，其中，接收根據(jù)等離子放電的改變而在探針電極中感生的電勢(shì)上的改變，并且檢測(cè) 由泄漏放電而引起的特定圖案的電勢(shì)改變波形。根據(jù)當(dāng)泄漏放電波形計(jì)數(shù)器39計(jì)數(shù)通過(guò) V型波形檢測(cè)部分35檢測(cè)電勢(shì)波形的次數(shù)時(shí)獲得的計(jì)數(shù)值來(lái)判斷是否需要維護(hù)。S卩，與外 物的沉積緊密相關(guān)的泄漏放電被高度靈敏地檢測(cè)，并且通過(guò)泄漏放電的累積頻率來(lái)估計(jì)外 物的沉積程度。由于這種構(gòu)成，與其中在操作所述裝置時(shí)通過(guò)測(cè)量獲得預(yù)定真空度的時(shí)間 段來(lái)估計(jì)維護(hù)時(shí)間的現(xiàn)有技術(shù)相比較，可以精確地判斷是否已經(jīng)達(dá)到可以將所述裝置維持 在最佳的操作條件下所需要的維護(hù)時(shí)間。
(實(shí)施例2) 圖7是示出在本發(fā)明的實(shí)施例2的等離子處理裝置中的等離子放電狀態(tài)監(jiān)控裝置 的構(gòu)成的方框圖。圖8A和8B是用于解釋在本發(fā)明的實(shí)施例2的等離子放電狀態(tài)監(jiān)控方法 中的電勢(shì)改變波形和波形監(jiān)控時(shí)區(qū)的示意圖示。圖9是示出在本發(fā)明的實(shí)施例2的等離子 放電狀態(tài)監(jiān)控方法中的電子放電狀態(tài)判斷處理的流程圖。 在本實(shí)施例2中，在實(shí)施例1中的N型波形檢測(cè)部分34的功能根據(jù)要檢測(cè)的對(duì)象 的波形圖案被劃分為兩個(gè)N型波形檢測(cè)部分，其中， 一個(gè)是Nl型波形檢測(cè)部分34A，另一個(gè) 是N2型波形檢測(cè)部分34B。 Nl型波形檢測(cè)部分34A主要檢測(cè)由在開(kāi)始施加高頻電源和結(jié) 束施加的狀態(tài)中的通常改變引起的電勢(shì)改變的波形圖案。N2型波形檢測(cè)部分34B主要檢測(cè) 由異常放電引起的電勢(shì)改變的波形圖案。 在圖7中所示的等離子監(jiān)控裝置20中，通過(guò)放電開(kāi)始波形計(jì)數(shù)器36和放電結(jié)束 波形計(jì)數(shù)器37來(lái)計(jì)數(shù)從Nl型波形檢測(cè)部分34A發(fā)送的檢測(cè)信號(hào)，并且通過(guò)異常放電波形 計(jì)數(shù)器38來(lái)計(jì)數(shù)從N2型波形檢測(cè)部分34B發(fā)送的檢測(cè)信號(hào)。除了上述幾點(diǎn)之外，并且除了 在由計(jì)數(shù)器控制部分41控制異常放電波形計(jì)數(shù)器38時(shí)波形監(jiān)控時(shí)區(qū)的設(shè)置不同這一點(diǎn)， 即除了設(shè)置如下所述的中間波形監(jiān)控時(shí)區(qū)[D]取代中間波形監(jiān)控時(shí)區(qū)[B]這一點(diǎn)之外，在 圖7中所示的等離子監(jiān)控裝置20與在圖5中所示的等離子監(jiān)控裝置20相同。
參見(jiàn)圖8A和8B，下面將說(shuō)明Nl型波形檢測(cè)部分34A和N2型波形檢測(cè)部分34B的 功能。圖8A是示出在從等離子處理裝置的操作開(kāi)始到操作結(jié)束的處理中檢測(cè)的波形圖案 并且還示出已經(jīng)被設(shè)置以便檢測(cè)波形圖案的預(yù)定時(shí)間的視圖。圖8B是其中被分配預(yù)定時(shí) 間的多個(gè)波形監(jiān)控時(shí)區(qū)的設(shè)置定時(shí)被示出為與由高頻電源部分19開(kāi)始和結(jié)束施加高頻電 源的定時(shí)相關(guān)的時(shí)序圖。 以與圖4A相同的方式，圖8A示出了從等離子處理裝置的操作開(kāi)始到結(jié)束的處理
12中檢測(cè)的波形圖案。在這種情況下，第一預(yù)定時(shí)間Ta、第三預(yù)定時(shí)間Tc、第一波形監(jiān)控時(shí)區(qū) [A]和最后波形監(jiān)控時(shí)區(qū)[C]與在圖4中所示的那些相同。因此，在此省略說(shuō)明。
在第一波形監(jiān)控時(shí)區(qū)[A]和最后波形監(jiān)控時(shí)區(qū)[C]中，以與圖4A相同的方式，檢 測(cè)由在高頻電源的施加開(kāi)始和結(jié)束時(shí)的正常狀態(tài)改變引起的電勢(shì)改變波形的N形波形圖 案(Nl型波形WN1)。設(shè)置用于檢測(cè)波形圖案的門(mén)限值電平被設(shè)置在對(duì)應(yīng)于N1型波形WN1的 偏轉(zhuǎn)寬度的電平，即設(shè)置用于檢測(cè)波形圖案的門(mén)限值電平被設(shè)置在第一門(mén)限值電平±Vth， 其等于圖4A中的門(mén)限值電平Vth。通過(guò)放電開(kāi)始波形計(jì)數(shù)器36和放電結(jié)束波形計(jì)數(shù)器37 分別計(jì)數(shù)由Nl型波形檢測(cè)部分34A在第一波形監(jiān)控時(shí)區(qū)[A]和最后波形監(jiān)控時(shí)區(qū)[C]中 檢測(cè)的由高頻電源的施加開(kāi)始和結(jié)束引起的波形。 中間波形監(jiān)控時(shí)區(qū)[D]與實(shí)施例1中的中間波形監(jiān)控時(shí)區(qū)[B]不同，并且包括所 有第一預(yù)定時(shí)間Ta、第二預(yù)定時(shí)間Tb和第三預(yù)定時(shí)間Tc。在這種情況下，中間波形監(jiān)控時(shí) 區(qū)[D]包括插入在第一波形監(jiān)控時(shí)區(qū)[A]和最后波形監(jiān)控時(shí)區(qū)[C]之間的時(shí)區(qū)(第二預(yù)定 時(shí)間Tb)。而且，中間波形監(jiān)控時(shí)區(qū)[D]包括第一預(yù)定時(shí)間Ta和第三預(yù)定時(shí)間Tc。當(dāng)如上 所述設(shè)置其目的是監(jiān)控由異常放電引起的波形的中間波形監(jiān)控時(shí)區(qū)[D]時(shí)，有可能監(jiān)控在 從等離子處理裝置的開(kāi)始到結(jié)束的所有操作時(shí)間中產(chǎn)生的異常放電。因此，有可能更加增 強(qiáng)監(jiān)控異常放電的產(chǎn)生的精度。 在中間波形監(jiān)控時(shí)區(qū)[D]中，以與在圖4A中所示的相同方式，通過(guò)N2型波形檢測(cè) 部分34B來(lái)檢測(cè)由在處理室3a中的異常放電引起的N2型波形WN2，并且通過(guò)V型波形檢測(cè) 部分35來(lái)檢測(cè)由泄漏放電引起的V型波形WV。設(shè)置用于檢測(cè)波形圖案的門(mén)限值電平被設(shè) 置在對(duì)應(yīng)于N2型波形WN2的偏轉(zhuǎn)寬度的電平，即所述門(mén)限值電平被設(shè)置在比在圖4A中的 門(mén)限值電平Vth更高的第二門(mén)限值電平士Vth2。分別通過(guò)異常放電波形計(jì)數(shù)器38和泄漏 放電波形計(jì)數(shù)器39計(jì)數(shù)在中間波形監(jiān)控時(shí)區(qū)[D]中檢測(cè)的異常放電引起的N2型波形WN2 和由泄漏放電引起的V型波形WV。 在如上所述的實(shí)施例2中，用于檢測(cè)N型波形的波形檢測(cè)部分包括多個(gè)波形檢測(cè) 部分(Nl型波形檢測(cè)部分34A、N2型波形檢測(cè)部分34B)，用于檢測(cè)波形，所述波形的電勢(shì)改 變的偏轉(zhuǎn)寬度不同。由于這種構(gòu)成，當(dāng)通過(guò)使用不同的門(mén)限值電平通過(guò)多個(gè)波形檢測(cè)部分 來(lái)檢測(cè)其電勢(shì)中的改變的偏轉(zhuǎn)寬度彼此不同的、同一N型電勢(shì)改變波形圖案的多種波形圖 案時(shí)，可以檢測(cè)其出現(xiàn)的原因彼此不同的、作為彼此類(lèi)似的波形圖案的多種波形圖案，同時(shí) 正確地區(qū)別所述波形圖案。因此，可以更細(xì)地監(jiān)控放電狀態(tài)。 圖9示出了在實(shí)施例2中的等離子處理裝置的操作時(shí)執(zhí)行的放電狀態(tài)判斷處理。 在這一點(diǎn)上，以與圖5相同的方式，在圖9的流程圖中所示的Kl、 K2和K3表示分別由放電 開(kāi)始波形計(jì)數(shù)器36、異常放電波形計(jì)數(shù)器38和放電結(jié)束波形計(jì)數(shù)器37保存的計(jì)數(shù)值。當(dāng) 開(kāi)始判斷處理時(shí)，檢查(ST31)異常放電波形計(jì)數(shù)器38的計(jì)數(shù)值K2，其計(jì)數(shù)對(duì)象是包括等離 子處理裝置的操作時(shí)間的全部范圍的中間波形監(jiān)控時(shí)區(qū)[D]，并且判斷計(jì)數(shù)值K2是否小于 預(yù)定允許值2 (ST32)。 在計(jì)數(shù)值K2大于預(yù)定允許值2的情況下，判斷產(chǎn)生了最初不要檢測(cè)的異常放電。 因此，顯示部分27通知異常放電狀態(tài)，并且停止所述裝置的操作(ST46)。在(ST32)中計(jì) 數(shù)值K2小于預(yù)定允許值2的情況下，程序進(jìn)行到下一個(gè)步驟，并且判斷第一波形監(jiān)控時(shí)區(qū) [A]的第一預(yù)定時(shí)間Ta的經(jīng)過(guò)(ST33)。當(dāng)所述時(shí)間還沒(méi)有過(guò)去時(shí)，程序返回到(ST31)，并且以(ST31)和(ST32)的順序來(lái)重復(fù)處理。 當(dāng)在(ST33)中檢查到已經(jīng)過(guò)去第一預(yù)定時(shí)間Ta時(shí)，檢查放電結(jié)束波形計(jì)數(shù)器37 的計(jì)數(shù)值Kl (ST34)，并判斷計(jì)數(shù)值Kl是否是0 (零)(ST35)。在計(jì)數(shù)值Kl是0 (零)的情 況下，判斷未獲得在處理室3a中產(chǎn)生等離子放電的肯定證明，并且顯示部分27通知未產(chǎn)生 等離子放電。然后，停止所述裝置的操作(ST44)。 接著，在(ST35)中檢查到計(jì)數(shù)值K1不是0(零)的情況下，判斷在處理室3a中 產(chǎn)生等離子放電，并且程序進(jìn)行到下一個(gè)步驟。即，檢查異常放電波形計(jì)數(shù)器38的計(jì)數(shù)值 K2 (ST36)，并且判斷計(jì)數(shù)值K2是否小于預(yù)定允許值2 (ST37)。在計(jì)數(shù)值K2大于預(yù)定允許值 2的情況下，判斷已經(jīng)在處理室3a中出現(xiàn)最初不要產(chǎn)生的異常放電，并且顯示部分27通知 異常放電狀態(tài)，并停止所述裝置的操作(ST46)。 在計(jì)數(shù)值K2小于預(yù)定允許值2的情況下，程序進(jìn)行到下一個(gè)步驟。即，判斷第二 預(yù)定時(shí)間Tb的經(jīng)過(guò)(ST38)。當(dāng)?shù)诙A(yù)定時(shí)間Tb還沒(méi)有過(guò)去時(shí)，程序返回到(ST37)，并且 依序重復(fù)(ST37)和(ST38)的處理。在(ST38)中檢查到第二預(yù)定時(shí)間Tb已經(jīng)過(guò)去的情況 下，程序進(jìn)行到下一個(gè)步驟。即，再一次檢查異常放電波形計(jì)數(shù)器38的計(jì)數(shù)值K2 (ST39)，并 且判斷計(jì)數(shù)值K2是否小于預(yù)定允許值2 (ST40)。 在計(jì)數(shù)值K2大于預(yù)定允許值2的情況下，判斷產(chǎn)生最初不要檢測(cè)的異常放電超過(guò) 所允許的頻率。因此，顯示部分27通知異常放電狀態(tài)，并且停止所述裝置的操作(ST46)。 在ST40中計(jì)數(shù)值K2小于預(yù)定允許值2的情況下，程序進(jìn)行到下一個(gè)步驟，并且判斷最后波 形監(jiān)控時(shí)區(qū)[C]的第三預(yù)定時(shí)間tc的經(jīng)過(guò)(ST41)。當(dāng)所述時(shí)間還沒(méi)有過(guò)去時(shí)，程序返回到 (ST40)，并且依序重復(fù)(ST40)和(ST41)的處理。 當(dāng)在(ST41)中檢查到第三預(yù)定時(shí)間Tc已經(jīng)過(guò)去時(shí)，檢查放電結(jié)束波形計(jì)數(shù)器37 的計(jì)數(shù)值K3 (ST42)，并且判斷計(jì)數(shù)值K3是否是0 (零)(ST43)。在計(jì)數(shù)值K3是0 (零)的 情況下，判斷未獲得在處理室3a中產(chǎn)生等離子放電的肯定證明，并且顯示部分27通知未產(chǎn) 生等離子放電，并且停止所述裝置的操作(ST44)。接著，在(ST43)檢測(cè)到計(jì)數(shù)值K3不是 O(零)的情況下，等離子放電正常執(zhí)行。因此，結(jié)束放電狀態(tài)判斷處理。
上述的放電狀態(tài)判斷處理流程構(gòu)成了監(jiān)控在等離子處理裝置中的等離子放電狀 態(tài)的方法，其用于監(jiān)控在用于對(duì)面板9執(zhí)行等離子處理的等離子處理裝置中的處理室3a中 的等離子放電狀態(tài)，所述面板9是要處理的對(duì)象并且容納在處理室3a中。監(jiān)控在等離子處 理裝置中的等離子放電狀態(tài)的方法包括步驟由作為數(shù)據(jù)處理部分的等離子監(jiān)控裝置20 接收根據(jù)在處理室3a中的等離子放電的改變而在探針電極22b中感生的電勢(shì)改變；由N型 波形檢測(cè)部分34檢測(cè)在第一波形監(jiān)控時(shí)區(qū)[A]、最后波形監(jiān)控時(shí)區(qū)[C]和中間波形監(jiān)控時(shí) 區(qū)[D]中的特定圖案的電勢(shì)改變波形；通過(guò)放電開(kāi)始波形計(jì)數(shù)器36、異常放電波形計(jì)數(shù)器 38和放電結(jié)束波形計(jì)數(shù)器37對(duì)于每個(gè)波形監(jiān)控時(shí)區(qū)[A] 、 [D] 、 [C]計(jì)數(shù)檢測(cè)電勢(shì)改變波形 的次數(shù)，并且保存計(jì)數(shù)值K1、K2和K3 ;以及根據(jù)計(jì)數(shù)值K1、K2、K3對(duì)每個(gè)波形監(jiān)控時(shí)區(qū)[A]、 [D]、[C]執(zhí)行等離子放電狀態(tài)判斷，其包括等離子放電的存在的判斷，并且也包括等離子放 電狀態(tài)是正常還是異常的判斷。 如上所述，在實(shí)施例1或者2中所示的等離子處理裝置包括放電檢測(cè)傳感器23， 其是等離子放電狀態(tài)監(jiān)控單元，用于監(jiān)控和判斷在處理室3a中的等離子放電狀態(tài)，所述放 電檢測(cè)傳感器23具有電介質(zhì)構(gòu)件21，所述電介質(zhì)構(gòu)件21附接到真空室3從而一面可以面向在處理室中產(chǎn)生的波形圖案放電，所述放電檢測(cè)傳感器23還具有在電介質(zhì)構(gòu)件21的另
一面上布置的探針電極22b;以及，等離子監(jiān)控裝置20，其是數(shù)據(jù)處理部分，其接收根據(jù)等
離子放電上的改變而在探針電極22b中感生的電勢(shì)上的改變，檢測(cè)在多個(gè)波形監(jiān)控時(shí)區(qū)中
的特定圖案的電勢(shì)改變波形，并且計(jì)數(shù)每種波形的電勢(shì)改變波形的出現(xiàn)的次數(shù)。 由于上述構(gòu)成，有可能根據(jù)每種波形的計(jì)數(shù)值來(lái)進(jìn)行放電狀態(tài)判斷，其包括放電
存在還是不存在以及放電狀態(tài)是正常還是異常的判斷。在這種放電狀態(tài)判斷中，可以由放
電檢測(cè)傳感器23高度靈敏地檢測(cè)在處理室3a中的等離子放電上的改變。因此，與其中檢
測(cè)由等離子放電上的改變對(duì)于高頻電源部分的電壓和電流的影響的傳統(tǒng)方法相比較，并且
也與其中在檢測(cè)到通過(guò)等離子放電在電極之間產(chǎn)生自偏壓時(shí)估計(jì)放電狀態(tài)的傳統(tǒng)方法相
比較，有可能更精確地監(jiān)控等離子放電狀態(tài)。因此，即使當(dāng)需要在低輸出條件下產(chǎn)生等離子
放電時(shí)，可以高度精確地檢測(cè)在等離子放電狀態(tài)中的改變，并且有可能正確地監(jiān)控等離子
放電存在還是不存在以及等離子放電正常還是異常。 產(chǎn)業(yè)上的應(yīng)用性 本發(fā)明的等離子處理裝置提供了下述優(yōu)點(diǎn)有可能精確地判斷是否已經(jīng)達(dá)到將所 述裝置的操作狀態(tài)維持在最佳條件所需要的適當(dāng)?shù)木S護(hù)時(shí)間。本發(fā)明對(duì)于其中對(duì)于諸如面 板的要處理的對(duì)象執(zhí)行諸如等離子清潔的等離子處理的技術(shù)領(lǐng)域是有效的。
權(quán)利要求
一種等離子處理裝置，用于對(duì)在處理室中容納的要處理的對(duì)象執(zhí)行等離子處理，包括真空室，其形成處理室；電極部分，其被布置在所述處理室中；真空排氣部分，用于通過(guò)真空從所述處理室排出氣體；供氣部分，用于向所述處理室中提供用于產(chǎn)生等離子的氣體；高頻電源部分，用于當(dāng)在所述電極部分上施加高頻電壓時(shí)在所述處理室中產(chǎn)生等離子放電；匹配裝置，用于將用于產(chǎn)生等離子放電的等離子放電電路的阻抗與所述高頻電源部分的阻抗匹配；以及，等離子放電狀態(tài)監(jiān)控單元，用于監(jiān)控所述處理室中的等離子放電狀態(tài)，所述等離子放電狀態(tài)監(jiān)控單元包括放電檢測(cè)傳感器，其具有板狀電介質(zhì)構(gòu)件，該板狀電介質(zhì)構(gòu)件附著到所述真空室以便該板狀電介質(zhì)構(gòu)件的一面可以與在所述處理室中產(chǎn)生的等離子放電相對(duì)，所述放電檢測(cè)傳感器還具有在所述板狀電介質(zhì)構(gòu)件的另一面上布置的探針電極；第一波形檢測(cè)部分，用于接收根據(jù)等離子放電的改變而在所述探針電極中感生的電勢(shì)上的改變，并且用于檢測(cè)根據(jù)異常放電產(chǎn)生的特定圖案的電勢(shì)改變波形；以及，第二波形檢測(cè)部分，用于接收在電勢(shì)上的改變，并且用于檢測(cè)由泄漏放電引起的特定圖案的電勢(shì)波形，以及計(jì)數(shù)部分，用于計(jì)數(shù)由所述第二波形檢測(cè)部分進(jìn)行的檢測(cè)電勢(shì)改變波形的次數(shù)；以及維護(hù)判斷部分，用于根據(jù)所計(jì)數(shù)的值來(lái)判斷是否需要所述真空室的維護(hù)。
2. 根據(jù)權(quán)利要求l的等離子處理裝置，其中，從附著到窺視孔的透光玻璃構(gòu)件形成所述電介質(zhì)構(gòu)件，通過(guò)所述窺視孔，可以從所述真空室外部看到所述處理室內(nèi)部，并且所述探針電極由透光傳導(dǎo)材料形成。
全文摘要
本發(fā)明的目的是提供一種等離子處理裝置，其能夠精確地判斷是否已經(jīng)達(dá)到將所述裝置的操作狀態(tài)維持在最佳條件所需要的適當(dāng)?shù)木S護(hù)時(shí)間。電介質(zhì)構(gòu)件(21)和探針電極單元(22)在其中彼此組合的放電檢測(cè)傳感器(23)附著到在組成真空室的蓋子部分(2)中提供的開(kāi)口部分(2a)。接收根據(jù)在等離子放電中的改變而在探針電極(22b)中感生的電勢(shì)中的改變，并且通過(guò)將一計(jì)數(shù)值與已經(jīng)由維護(hù)判斷部分(44)預(yù)先設(shè)置的允許值相比較，判斷是否需要維護(hù)工作，所述計(jì)數(shù)值是當(dāng)泄漏放電波形計(jì)數(shù)器(39)計(jì)數(shù)由V型波形檢測(cè)部分(35)檢測(cè)與外物在真空室中的附著相關(guān)的泄漏放電引起的V形特定圖案的V型波形的檢測(cè)次數(shù)時(shí)獲得的。
文檔編號(hào)H01J37/32GK101785080SQ200880103819
公開(kāi)日2010年7月21日 申請(qǐng)日期2008年8月21日 優(yōu)先權(quán)日2007年8月21日
發(fā)明者有田潔, 水上達(dá)弘, 野野村勝 申請(qǐng)人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會(huì)社