專(zhuān)利名稱(chēng)：等離子體顯示面板及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種用于顯示器件等的等離子體顯示面板及其制造方法。
背景技術(shù)：
由于等離子體顯示面板(以下，稱(chēng)為“PDP”)可實(shí)現(xiàn)高精細(xì)化、大畫(huà)面化，因而100 英寸級(jí)的電視等已經(jīng)產(chǎn)品化。近年來(lái)，PDP正進(jìn)入掃描線數(shù)比現(xiàn)有的NTSC方式高兩倍以上 的高清晰度電視的應(yīng)用。PDP基本上由前面板和背面板構(gòu)成。前面板包括利用浮法制作的硼硅酸鈉系玻 璃的玻璃基板；由形成于其一主面上的條紋狀的透明電極和總線電極構(gòu)成的顯示電極；覆 蓋該顯示電極并起到電容器的作用的電介質(zhì)層；由形成于該電介質(zhì)層上的氧化鎂(MgO)構(gòu) 成的保護(hù)層。另一方面，背面板包括玻璃基板；形成于其一主面上的條紋狀的地址電極；覆蓋 地址電極的基底電介質(zhì)層；形成于基底電介質(zhì)層上的隔壁；形成于各隔壁間的分別發(fā)出紅 色、綠色及藍(lán)色光的熒光體層。前面板和背面板使其電極形成面?zhèn)葘?duì)置并氣密密封，在被隔壁隔開(kāi)的放電空間用 55kPa 80kPa的壓力封入氖(Ne)-氙(Xe)的放電氣體。PDP通過(guò)對(duì)顯示電極有選擇地施 加圖像信號(hào)電壓使其放電，通過(guò)該放電而產(chǎn)生的紫外線激發(fā)各色熒光體層發(fā)出紅色、綠色、 藍(lán)色的光而實(shí)現(xiàn)彩色圖像顯示。在這種等離子體顯示裝置中，公示了下述的實(shí)例，S卩將以玻璃為主材料的面板保 持于鋁等金屬制底板部件的前面?zhèn)龋瑢?gòu)成用于使面板發(fā)光的驅(qū)動(dòng)電路的電路基板配置于 該底板部件的背面?zhèn)?，由此?gòu)成模塊(例如，參照專(zhuān)利文獻(xiàn)1)。但是，由于在PDP等等離子體顯示中既要求大畫(huà)面又要求薄型 輕量化，因而在現(xiàn) 有技術(shù)中存在的課題是，用作基板的玻璃基板的強(qiáng)度不足，在產(chǎn)品化后的強(qiáng)度試驗(yàn)等中產(chǎn) 生面板裂紋等。專(zhuān)利文獻(xiàn)1 (日本)特開(kāi)2003-131580號(hào)公報(bào)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的PDP為在前面玻璃基板上設(shè)置了多對(duì)顯示電極和電介質(zhì)層的PDP，其特 征在于，前面玻璃基板的設(shè)置了電介質(zhì)層的面的相反側(cè)的面的應(yīng)力為0. SMPa 2. 4MPa的 范圍的壓縮應(yīng)力。另外，本發(fā)明的PDP的制造方法為，在所述PDP中，至少形成有顯示電極和電介質(zhì) 層的前面玻璃基板與背面玻璃基板對(duì)置配置，其特征在于，在顯示電極的形成工序、電介質(zhì) 層的形成工序及將前面玻璃基板和背面玻璃基板對(duì)置配置的工序中的任一工序中，以比前 面玻璃基板的應(yīng)變點(diǎn)溫度低100°c以上的熱處理溫度對(duì)前面玻璃基板進(jìn)行處理。根據(jù)本發(fā)明，可提供一種確保玻璃基板的強(qiáng)度，且面板不易產(chǎn)生裂紋的PDP。


圖1是表示本發(fā)明實(shí)施方式的PDP的構(gòu)造的立體圖；圖2是表示該P(yáng)DP的前面板的結(jié)構(gòu)的剖面圖；圖3是表示玻璃基板的截面所產(chǎn)生的應(yīng)力的說(shuō)明圖。符號(hào)說(shuō)明1 PDP
2 前面板
3 前面玻璃基板
4 掃描電極
4a、5a:透明電極
4b,5b 金屬總線_
5 維持電極
6 顯示電極
7 黑條(遮光層)
8 電介質(zhì)層
9 保護(hù)層
10背面板
11背面玻璃基板
12地址電極
13基底電介質(zhì)層
14隔壁
15熒光體層
16放電空間
20壓縮應(yīng)力層
21壓縮應(yīng)力
30拉伸應(yīng)力層
31拉伸引力
具體實(shí)施例方式以下，參照

本發(fā)明實(shí)施方式的PDP。實(shí)施方式圖1是表示本發(fā)明實(shí)施方式的PDP的構(gòu)造的立體圖。PDP的基本構(gòu)造與通常的交 流面放電型PDP—樣。如圖1所示，PDP1將由前面玻璃基板3等構(gòu)成的前面板2和由背 面玻璃基板11等構(gòu)成的背面板10對(duì)置配置，用玻璃料等構(gòu)成的密封材料將其外周部進(jìn)行 氣密密封。在密封的PDP1內(nèi)部的放電空間16，以55kPa 80kPa的壓力封入氖(Ne)及氙 (Xe)等放電氣體。在前面板2的前面玻璃基板3上，相互平行地分別配置多列由掃描電極4及維持 電極5構(gòu)成的一對(duì)的帶狀的顯示電極6和黑條(遮光層)7。在前面玻璃基板3上，以覆蓋 顯示電極6和遮光層7的方式形成作為電容器發(fā)揮作用的電介質(zhì)層8，并在其表面形成由氧化鎂(MgO)等構(gòu)成的保護(hù)層9。
另外，在背面板10的背面玻璃基板11上，沿著與前面板2的掃描電極4及維持電 極5正交的方向相互平行地配置多個(gè)帶狀的地址電極12，基底電介質(zhì)層13對(duì)其進(jìn)行覆蓋。 此外，在地址電極12間的基底電介質(zhì)層13上形成將放電空間16隔開(kāi)的、規(guī)定高度的隔壁 14。在隔壁14間的槽內(nèi)每個(gè)地址電極12上，依次涂敷并形成被紫外線激發(fā)分別發(fā)出紅色、 藍(lán)色及綠色光的熒光體層15。在掃描電極4及維持電極5和地址電極12相交叉的位置形 成放電單元，與顯示電極6方向并列的具有紅色、藍(lán)色及綠色的熒光體層15的放電單元成 為用于彩色顯示的像素。圖2是本發(fā)明實(shí)施方式的PDP前面板2的剖面圖。圖2所表示的與圖1上下顛倒。 如圖2所示，在利用浮法制造的前面玻璃基板3上，圖案形成由掃描電極4和維持電極5構(gòu) 成的顯示電極6和黑條7。掃描電極4和維持電極5由分別由銦錫氧化物(ITO)及氧化錫 (SnO2)等構(gòu)成的透明電極4a、5a和形成于透明電極4a、5a上的金屬總線電極4b、5b構(gòu)成。 金屬總線電極4b、5b的目的是用于對(duì)透明電極4a、5a的長(zhǎng)度方向賦予導(dǎo)電性，由以銀(Ag) 材料為主成分的導(dǎo)電性材料形成。電介質(zhì)層8以覆蓋形成于前面玻璃基板3上的這些透明電極4a、5a和金屬總線電 極4b、5b及黑條7的方式設(shè)置。而且，在電介質(zhì)層8上形成有保護(hù)層9。以下，對(duì)PDP玻璃基板的基板強(qiáng)度進(jìn)行說(shuō)明。如上所述，PDP在進(jìn)入大畫(huà)面·高精細(xì)化的同時(shí)，還要求輕量化·薄型化。因此， 為了將作為產(chǎn)品的PDP的強(qiáng)度維持在現(xiàn)有程度，要求進(jìn)一步提高前面玻璃基板3、背面玻璃 基板11的強(qiáng)度。另外，在PDP的產(chǎn)品出廠時(shí)的包裝中，通常，緩沖材料只設(shè)置在PDP周邊部，在作為 圖象顯示部的位置不予設(shè)置。因此，在輸送產(chǎn)品時(shí)，當(dāng)前面玻璃基板3側(cè)朝下墜落而受到?jīng)_ 擊的情況下，包括產(chǎn)品整體自重的力施加到前面玻璃基板3上，前面玻璃基板3凸?fàn)顝澢?產(chǎn)生面板裂紋。另一方面，當(dāng)顯示面的相反側(cè)的背面玻璃基板11側(cè)朝下墜落的情況下，在作為下 面的背面玻璃基板11上粘貼有驅(qū)動(dòng)電路基板等所搭載的兼用作散熱的加強(qiáng)板，從而減小 背面玻璃基板11破裂的面板裂紋的概率。另外，在該情況下，前面玻璃基板3成凹狀，較之 變形為凸?fàn)畹那闆r不易產(chǎn)生面板裂紋。即，對(duì)于墜落等沖擊，前面玻璃基板3的圖像顯示面 側(cè)的狀態(tài)對(duì)面板裂紋有很大的影響。但是，PDP的玻璃基板通常利用浮法形成。在浮法中，將調(diào)制好的玻璃原材料在溶 解槽中在1600°C左右使其熔化并脫泡，之后，通過(guò)使錫在熔化的浮槽上浮動(dòng)延伸，成型為具 有所要求的寬度、厚度的平坦的板狀。其后，對(duì)成型為板狀的玻璃從約600°C左右快速冷卻 至約200°C左右。因此，在玻璃基板的最表面殘留有變形及應(yīng)力。圖3是示意地表示利用浮法形成的玻璃基板上產(chǎn)生的應(yīng)力的圖，用玻璃基板的截 面進(jìn)行表示。如圖3所示，對(duì)于玻璃基板，在其截面方向上，在表面作為殘余應(yīng)力形成有壓 縮應(yīng)力21生成的壓縮應(yīng)力層20，另外，在內(nèi)部作為殘余應(yīng)力形成有拉伸應(yīng)力31生成的拉伸 應(yīng)力層30。但是，這些壓縮應(yīng)力層20和拉伸應(yīng)力層30以均衡的狀態(tài)存在，玻璃基板的形狀 維持平板。與此相對(duì)，如上所述，在以前面玻璃基板3側(cè)為下面進(jìn)行輸送時(shí)的沖擊等情況下，作用有使圖像顯示面彎曲成凸?fàn)畹耐饬?。從而，由于利用浮法形成的玻璃基板為在基板?表面殘留壓縮應(yīng)力的狀態(tài)，所以，相對(duì)這種沖擊的外力，利用浮法形成的玻璃基板比較強(qiáng)。但是，本發(fā)明人等發(fā)現(xiàn)，這種玻璃基板的強(qiáng)度因經(jīng)過(guò)的PDP的制造工序不同而發(fā) 生變化。具體而言，在顯示電極形成后、電介質(zhì)層形成后、保護(hù)層形成后、密封排氣后的各工 序后，對(duì)前面玻璃基板3的殘余應(yīng)力進(jìn)行了測(cè)定，結(jié)果，通過(guò)經(jīng)過(guò)各個(gè)工序，應(yīng)力明顯降低。這是由于顯示電極及電介質(zhì)層的燒成工序，尤其是密封 排氣工序等熱工藝過(guò)程 影響的緣故。即，在這些熱工藝過(guò)程中，玻璃基板的溫度升溫到400°C 550°C，其后，降溫 至室溫程度。可認(rèn)為是在其降溫時(shí)，由于玻璃基板整體慢慢地退火，因而使產(chǎn)生于玻璃基板 的殘留壓縮應(yīng)力得以緩和。而且可以認(rèn)為，玻璃基板的溫度通過(guò)反復(fù)進(jìn)行升溫 降溫，而使 殘留的壓縮應(yīng)力進(jìn)一步降低。另外，除該壓縮應(yīng)力的降低之外，在PDP1的生產(chǎn)工序中，由于與燒成工序所使用 的定位器的接觸及各工序間的輸送輥的接觸等而易于使玻璃基板表面產(chǎn)生傷痕(微觀裂 紋)。由于該傷痕的產(chǎn)生，將進(jìn)一步降低玻璃基板的強(qiáng)度。作為這種結(jié)果，在利用現(xiàn)有技術(shù)制造的PDP1的前面玻璃基板3上，產(chǎn)生殘留的壓 縮應(yīng)力的降低，因輸送時(shí)的沖擊等導(dǎo)致的圖像顯示面成凸?fàn)畹膹澢菀桩a(chǎn)生，從而容易 產(chǎn)生面板裂紋。就這些結(jié)果而言，根據(jù)產(chǎn)品包裝墜落試驗(yàn)進(jìn)行的強(qiáng)度試驗(yàn)等的結(jié)果也可確 認(rèn)具有同樣的傾向。與此相對(duì)，在本發(fā)明的實(shí)施方式中，使殘留于前面玻璃基板3的表面的殘余應(yīng)力 在某一定范圍存在，實(shí)現(xiàn)了受到?jīng)_擊時(shí)不易產(chǎn)生面板裂紋的PDP1。另外，本發(fā)明人等發(fā)現(xiàn)，對(duì)應(yīng)該沖擊的必要的殘余應(yīng)力值因基板的厚度及玻璃組 成不同而大不相同。特別是在使用由不含鉛的成分構(gòu)成的玻璃基板的情況下，即使與現(xiàn)有 技術(shù)一樣的殘余應(yīng)力，墜落試驗(yàn)強(qiáng)度也明顯降低，難以維持像現(xiàn)有技術(shù)那樣的基板強(qiáng)度，難 以確保工廠生產(chǎn)率。基于這種結(jié)果，在本發(fā)明的實(shí)施方式中，根據(jù)PDP1的前面玻璃基板3 的種類(lèi)，將基板的殘余應(yīng)力設(shè)定為下述的范圍。將前面玻璃基板3的與設(shè)置有電介質(zhì)層8的面相反側(cè)的面的應(yīng)力設(shè)定為 0. 8MPa 2. 4MPa的范圍。特別是在前面玻璃基板的厚度為2. 8mm士0. 5mm的情況下，優(yōu)選將 其壓縮應(yīng)力設(shè)定為1. 3MPa 2. 4MPa的范圍。另外，在前面玻璃基板的厚度為1. 8mm士0. 5mm 的情況下，優(yōu)選將其壓縮應(yīng)力設(shè)定為0. 8MPa 1. 7MPa的范圍。另一方面，對(duì)于利用上述的浮法形成的、不經(jīng)過(guò)PDP制造工序的初始狀態(tài)的玻璃 基板，當(dāng)基板的厚度為2. 8mm士0. 5mm時(shí)，具有1. 3MPa 2. 4MPa的殘余應(yīng)力，當(dāng)基板的厚度 為1.8謹(jǐn)士0. 5mm時(shí)，具有0. 8MPa 1.7MPa的殘余應(yīng)力。因此，根據(jù)本發(fā)明人等的研究，通過(guò)維持這些在初始狀態(tài)下的殘余應(yīng)力，即使在產(chǎn) 品包裝墜落試驗(yàn)等中，也可得到?jīng)]有面板裂紋等的良好的結(jié)果。因此，可制造對(duì)于輸送時(shí)的 沖擊不易產(chǎn)生面板裂紋的PDP，從而可維持基板強(qiáng)度并確保生產(chǎn)率。另外，在本發(fā)明的實(shí)施方式中，通過(guò)測(cè)定偏向透射光的相位角來(lái)進(jìn)行玻璃基板的 殘余應(yīng)力的測(cè)定。作為測(cè)定裝置使用了偏振計(jì)(日本神港精機(jī)株式會(huì)社制造，SP-II型)。 在該應(yīng)力測(cè)定裝置中，由于原理上具有在壓縮應(yīng)力和拉伸應(yīng)力下，可看到偏向透射光的顏 色不同的特性，因而可判斷是壓縮應(yīng)力還是拉伸應(yīng)力。另外，殘余應(yīng)力的測(cè)定部位是對(duì)前面玻璃基板3的圖像顯示面即沒(méi)有形成電介質(zhì)層等的一側(cè)的面進(jìn)行測(cè)定。這是因?yàn)榭紤]到，在上述的產(chǎn)品包裝的墜落時(shí)的沖擊等所引起 的面板裂紋以圖像顯示面?zhèn)葹槠瘘c(diǎn)。另外，可得到在該部位的測(cè)定值與下述的產(chǎn)品包裝墜 落試驗(yàn)結(jié)果的明確的關(guān)系。以下，說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施方式的PDP的制造方法。 如上所述，在現(xiàn)有技術(shù)中，通過(guò)形成PDPl的各部位時(shí)的燒成工序及干燥工序等熱 工藝，在玻璃基板上產(chǎn)生的應(yīng)力發(fā)生變化。因此，在本發(fā)明的實(shí)施方式中，由于將玻璃基板 上殘留的應(yīng)力設(shè)定為一定范圍，因此PDP的各構(gòu)成要素的形成利用比現(xiàn)有技術(shù)的制造方法 低溫的熱工藝進(jìn)行。本發(fā)明人等研究的結(jié)果發(fā)現(xiàn)，為了將玻璃基板上的殘余應(yīng)力設(shè)定為上述范圍，必 須在低于玻璃基板的應(yīng)變點(diǎn)溫度100°C以上的溫度范圍制造PDP1。即，在前面玻璃基板3 承受超過(guò)該溫度的熱工藝的情況下，殘留于初始狀態(tài)的玻璃基板的壓縮應(yīng)力得到緩和，而 脫離上述的殘余應(yīng)力范圍。其結(jié)果是，因輸送時(shí)的沖擊等而容易產(chǎn)生面板裂紋。在本發(fā)明的實(shí)施方式中，作為前面玻璃基板3使用了旭硝子株式會(huì)社制PD200及 堿石灰玻璃AS。在PD200中，由于應(yīng)變點(diǎn)為約570°C，因而通過(guò)將前面玻璃基板3的表面的 溫度設(shè)定為470°C以下的溫度范圍的熱工藝來(lái)制造PDP1。另一方面，在堿石灰玻璃AS中， 由于應(yīng)變點(diǎn)為約510°C，因而通過(guò)將前面玻璃基板3的表面的溫度設(shè)為410°C以下的溫度范 圍的熱工藝來(lái)制造PDP1。由此，可在前面玻璃基板3的表面保持利用浮法制造玻璃基板的 初始狀態(tài)的殘余應(yīng)力那樣制造PDPl。以下，詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施方式的PDP的制造方法。在此，所記載的方法是，作為 前面玻璃基板3使用上述堿石灰玻璃AS，通過(guò)將前面玻璃基板3的溫度設(shè)定為410°C以下 的溫度范圍的熱工藝來(lái)制造PDP1。另外，通過(guò)使用PD200作為前面玻璃基板3，將前面玻璃 基板3的溫度設(shè)定為470°C以下的溫度范圍的制造方法，也可得到本發(fā)明的效果。另外，在本發(fā)明的實(shí)施方式中，在測(cè)定前面玻璃基板3的溫度時(shí)，考慮到是在高溫 下進(jìn)行測(cè)定而使用與玻璃基板表面接觸的k型熱電偶。該情況的測(cè)定誤差為士5°C左右。首先，在初始狀態(tài)的前面玻璃基板3上形成掃描電極4及維持電極5和遮光層7。 透明電極4a、5a用濺射法等薄膜工藝形成，通過(guò)光刻法等圖案成形為所期望的形狀。在此，詳細(xì)說(shuō)明金屬總線電極4b、5b的形成方法。在現(xiàn)有技術(shù)中，通常為如下方 法，即利用網(wǎng)板印刷法等涂敷含有感光性成分、玻璃成分及導(dǎo)電性成分等的膏劑，利用光 刻法等進(jìn)行圖案形成后，為了使以保持形狀為目的而含有的玻璃成分玻璃化，在560°C 600°C下進(jìn)行燒成。但是，這種方法如上所述，由于殘留于玻璃基板的壓縮應(yīng)力減小而得不 到本發(fā)明的效果。因此，在本發(fā)明的實(shí)施方式中，為了將上述的燒成中的燒成溫度設(shè)定為比玻璃基 板的應(yīng)變點(diǎn)溫度低100°c的溫度以下，而使用以下的制造方法。S卩，使用微細(xì)配線用金屬膏劑作為形成金屬總線電極4b、5b的材料。該膏劑為在 室溫下通過(guò)分散劑使數(shù)納米尺寸的銀(Ag)粒子(以下，稱(chēng)為“納米銀粒子”)分散而成的膏 劑(以下稱(chēng)為納米Ag膏劑)。該納米Ag膏劑可以通過(guò)加熱去除分散劑，同時(shí)利用粒子效應(yīng) 對(duì)金屬納米粒子進(jìn)行燒成而形成具有導(dǎo)電性的膜。 在本發(fā)明的實(shí)施方式中，作為納米Ag膏劑使用了播磨化成(harima)株式會(huì)社制 造的膏劑NPS或者NPS-HTB。將這些納米Ag膏劑使用預(yù)先圖案形成的格網(wǎng)，通過(guò)網(wǎng)板印刷法在基板上進(jìn)行圖案涂敷。而且，在使用膏劑NPS的情況下，作為干燥燒成工序進(jìn)行60分 鐘210°C 230°C的熱處理。而在使用膏劑NPS-HTB的情況下，在200°C 240°C下施行10 分鐘的干燥工序之后，在300°C 350°C下施行30分鐘 60分鐘的燒成工序而形成。另外，除使用上述的納米Ag膏劑之外，也可以通過(guò)濺射法等的真空薄膜形成工序 形成金屬單層膜或者鉻/銅/鉻、鉻/鋁/鉻等金屬多層膜。但是，在該情況下，必須將玻 璃基板的溫度設(shè)定為410°C以下。而且，在形成這種薄膜后，形成地址電極層并利用光刻法 形成圖案。通過(guò)使用以上的使用納米Ag膏劑的方法或者使用真空薄膜形成的方法中的任一 種，只要形成金屬總線電極4b、5b就可將殘留于前面玻璃基板3的壓縮應(yīng)力維持在制造玻 璃基板的初始狀態(tài)的值。另外，遮光層7也同樣，通過(guò)使用對(duì)含有黑色顏料的膏劑進(jìn)行網(wǎng)板印刷的方法及 在玻璃基板的整個(gè)面上形成黑色顏料之后，使用光刻法進(jìn)行圖案形成、并進(jìn)行燒成而形成。 該情況也需要將前面玻璃基板3的溫度設(shè)定為410°C以下。以下，對(duì)電介質(zhì)層8進(jìn)行說(shuō)明。對(duì)于電介質(zhì)層8，首先以覆蓋掃描電極4、維持電極 5及遮光層7的方式，通過(guò)網(wǎng)板印刷法、模涂法等在前面玻璃基板3上涂敷電介質(zhì)膏劑而形 成電介質(zhì)膏劑層。其后，通過(guò)放置規(guī)定的時(shí)間，使涂敷的電介質(zhì)膏劑層表面均化而成為平坦 的表面。在現(xiàn)有技術(shù)中，電介質(zhì)膏劑為含有玻璃粉末等電介質(zhì)層材料、粘接劑及溶劑的涂 料。而且，在上述工序之后，為了使該玻璃粉末玻璃化而以電介質(zhì)層材料的應(yīng)變點(diǎn)溫度附近 即550°C 600°C進(jìn)行燒成。但是，由于利用該技術(shù)而使殘留于玻璃基板的壓縮應(yīng)力變小， 因而得不到本發(fā)明的效果。與此相對(duì)，在本實(shí)施方式中，使用的是在由具有硅氧烷鍵的低聚物構(gòu)成的樹(shù)脂粘 接劑和甲基乙基酮或者異丙醇等溶劑的混合液中分散50重量％ 60重量％左右的硅石粒 子并進(jìn)行調(diào)節(jié)而成的膏劑。在此，作為樹(shù)脂粘接劑使用了 JSR株式會(huì)社的古拉斯卡(” ^力)，作為硅石粒子使用了日產(chǎn)化學(xué)工業(yè)株式會(huì)社的IPA-ST。將該膏劑以覆蓋掃描電極1、維持電極5及遮光層7的方式通過(guò)模涂法涂覆于前面 玻璃基板3上，在100°C下進(jìn)行60分鐘干燥之后，在250°C 350°C下進(jìn)行10分鐘 30分 鐘燒成。在本發(fā)明的實(shí)施方式中，將燒成后的電介質(zhì)層8的厚度設(shè)定為12 y m 15 y m左
右o另外，在本發(fā)明的實(shí)施方式中，可利用溶膠-凝膠法進(jìn)行電介質(zhì)層8的形成。所謂 “溶膠-凝膠”法，是指將金屬醇鹽等的粒子分散成膠質(zhì)狀的溶膠，通過(guò)加水分解 聚合反應(yīng) 做成失去流動(dòng)性的凝膠，對(duì)其加熱而形成電介質(zhì)層8的方法。在此，實(shí)質(zhì)上為了做成不含有 鉛成分的電介質(zhì)層8，作為原料由四乙氧基硅烷(TE0S)形成氧化硅(Si02)膜。另外，除上述的溶膠_凝膠法之外，也可以通過(guò)等離子體CVD法等以四乙氧基硅烷 (TE0S)為原料形成氧化硅(Si02)膜。該情況也需要將前面玻璃基板3的溫度設(shè)定為410°C 以下。以下，說(shuō)明保護(hù)層9的形成方法。作為形成保護(hù)層9的方法，有網(wǎng)板印刷法、濺射 法、電子束蒸鍍法、離子電鍍法、使用有機(jī)金屬原料的熱CVD法(化學(xué)汽相沉積法)等?，F(xiàn) 在最廣泛采用的電子束蒸鍍法為對(duì)以作為蒸鍍?cè)吹逆V(Mg)為主成分的金屬氧化物的粒料照射電子束，使其加熱蒸發(fā)，在氧環(huán)境中形成以鎂(Mg)為主成分的金屬氧化物即氧化鎂 (MgO)膜。在本發(fā)明的實(shí)施方式中，利用電子束蒸鍍法形成保護(hù)層9，而此時(shí)，要將玻璃基板 的基板溫度設(shè)定為270°C 350°C。另外，基板溫度通過(guò)氧化鎂(MgO)的膜成長(zhǎng)、氧環(huán)境等 適宜調(diào)節(jié)，使前面玻璃基板3的溫度為410°C以下。利用這種方法，并通過(guò)形成保護(hù)層9來(lái) 維持殘留于玻璃基板的應(yīng)力。另外，保護(hù)層9的主成分即氧化鎂(MgO)對(duì)水分、碳酸氫系、碳酸系等雜質(zhì)氣體的 吸附性較強(qiáng)。因此，在形成保護(hù)層9之后，有時(shí)施行用于使這些雜質(zhì)氣體脫離保護(hù)層9的燒 成工序。但是，該燒成工序也需要在將前面玻璃基板3的溫度設(shè)定為410°C以下的溫度范圍 下進(jìn)行。通過(guò)如上所述的工序，在前面玻璃基板3上形成作為規(guī)定的構(gòu)成物的掃描電極4、 維持電極5、遮光層7、電介質(zhì)層8及保護(hù)層9，可完成將前面玻璃基板3的殘余應(yīng)力保持在 初始狀態(tài)的前面板2。另一方面，以下述的方式形成背面板10。首先，在背面玻璃基板11上，通過(guò)對(duì)含有 銀(Ag)材料的膏劑進(jìn)行網(wǎng)板印刷的方法、及在整個(gè)面形成金屬膜之后使用光刻法進(jìn)行圖 案形成的方法，來(lái)形成作為地址電極12用的構(gòu)成物的材料層，通過(guò)用所要求的溫度對(duì)其進(jìn) 行燒成而形成地址電極12。然后，在形成有地址電極12的背面玻璃基板11上，利用模涂法等以覆蓋地址電極 12的方式涂敷電介質(zhì)膏劑形成電介質(zhì)膏劑層。其后，通過(guò)對(duì)電介質(zhì)膏劑層進(jìn)行燒成形成基 底電介質(zhì)層13。另外，電介質(zhì)膏劑為含有玻璃粉末等電介質(zhì)材料和粘接劑及溶劑的涂料。然后，在基底電介質(zhì)層13上涂敷含有隔壁材料的隔壁形成用膏劑并按照規(guī)定的 形狀進(jìn)行圖案形成，由此，形成隔壁材料層，之后，通過(guò)進(jìn)行燒成而形成隔壁14。在此，作為 對(duì)涂覆于基底電介質(zhì)層13上的隔壁形成用膏劑進(jìn)行圖案形成的方法，可使用光刻法及噴 砂法。其后，在相鄰的隔壁14間的基底電介質(zhì)層13上及隔壁14的側(cè)面涂敷含有熒光體材 料的熒光體膏劑，通過(guò)燒成形成熒光體層15。通過(guò)以上的工序，完成在背面玻璃基板11上 具有規(guī)定的構(gòu)成部件的背面板10。這樣，以使掃描電極4和地址電極12正交的方式對(duì)置配置具備規(guī)定的構(gòu)成部件的 前面板2和背面板10，將其周?chē)芊?，將大氣從放電空間16內(nèi)排出后，封入含有氖(Ne)、氙 (Xe)等放電氣體，由此完成PDP1。該密封和排氣的工序以下述的方式進(jìn)行。在密封之前，在前面板2或背面板10的 周?chē)囊?guī)定位置涂敷密封材料，使密封材料進(jìn)行一定時(shí)間干燥。其后，以使前面板2的顯示 電極6和背面板10的地址電極12相交叉的方式對(duì)置配置前面板2和背面板10，并利用固 定卡具等進(jìn)行固定。在現(xiàn)有技術(shù)中，作為密封材料，使用將低熔點(diǎn)的結(jié)晶化玻璃料和規(guī)定的填料混合 并使用有機(jī)溶劑進(jìn)行了混煉而成的膏狀的密封材料等。而且在460°C 550°C左右進(jìn)行燒 成使密封材料固化。但是，由于利用該技術(shù)使殘留于玻璃基板的壓縮應(yīng)力減少，因而得不到 本發(fā)明的效果。與此相對(duì)，在本發(fā)明的實(shí)施方式中，作為密封材料使用了 UV固化型的材料。由此， 可實(shí)現(xiàn)現(xiàn)有技術(shù)中未進(jìn)行的在低溫下的密封 排氣工序，從而可維持殘留于玻璃基板的應(yīng) 力。具體而言，將JSR株式會(huì)社制造的UV固化型密封劑TU7113用作密封材料。將其調(diào)制成膏狀，使用具備分配器的涂敷裝置等涂敷密封材料。其后，以壓接密封材料的方式對(duì)前面板2和背面板10進(jìn)行臨時(shí)固定，對(duì)該密封材料部分進(jìn)行UV照射，通過(guò)用150°C進(jìn)行30分鐘升溫使密封材料固化。由此完成了密封工序。然后，排出PDPl內(nèi)的氣體。為了促使PDPl內(nèi)物理性吸附的氣體脫離，在200°C左 右升溫維持60分鐘左右。其后，用規(guī)定的壓力(例如，在使用Ne-Xe混合氣體的情況下，用 約530hPa SOOhPa的壓力)將含有氖(Ne)及氙(Xe)等的放電氣體封入放電空間16。最 后，對(duì)排氣管等部分進(jìn)行氣密密封完成排氣工序。如上所述，在本發(fā)明的實(shí)施方式中，在制造PDPl的過(guò)程中，表面電極6的形成工 序、電介質(zhì)層8的形成工序、以及對(duì)置配置形成前面板2和背面板10的工序中的任一工序， 至少在構(gòu)成前面板2的前面玻璃基板3的溫度比前面玻璃基板3的應(yīng)變點(diǎn)溫度低100°C以 上的溫度下進(jìn)行。另外，此時(shí)，根據(jù)玻璃基板的種類(lèi)，也可以是470°C以下的溫度，也可以是 410°C以下。其結(jié)果是，可以將在前面板2的前面玻璃基板3的未設(shè)有電介質(zhì)層8的一側(cè)的面 即顯示側(cè)的面的殘余應(yīng)力設(shè)定為制造玻璃基板的初始狀態(tài)的殘余應(yīng)力即0. SMPa 2. 4MPa 范圍。此外，當(dāng)前面玻璃基板3的厚度為2. 8mm士0.5mm時(shí)，優(yōu)選其殘余應(yīng)力為1. 3MPa 2. 4MPa范圍，當(dāng)前面玻璃基板3的厚度為1. 8mm士0. 5mm時(shí)，優(yōu)選其殘余應(yīng)力為0. 8MPa 1. 7MPa的范圍。由此，可維持殘留于玻璃基板的壓縮應(yīng)力，且可以得到在輸送時(shí)的沖擊等外力作 用下也不會(huì)產(chǎn)生面板裂紋等的高強(qiáng)度的PDPl。實(shí)施例以下，對(duì)本發(fā)明實(shí)施方式的PDP的作用效果進(jìn)行說(shuō)明。為了確認(rèn)本發(fā)明實(shí)施方式 的效果而進(jìn)行了墜落強(qiáng)度試驗(yàn)。具體而言，制作畫(huà)面尺寸為對(duì)角長(zhǎng)42英寸的PDP樣品，進(jìn) 行與產(chǎn)品出廠時(shí)一樣的包裝，以圖像顯示面為下面從50cm高度墜落，確認(rèn)用包裝材料包裝 的內(nèi)部的PDP樣品有無(wú)裂紋。進(jìn)行了試驗(yàn)的PDP樣品數(shù)如此，S卩，利用現(xiàn)有技術(shù)的制造方法 制造的PDP樣品、利用本發(fā)明實(shí)施方式制造的PDP樣品各100臺(tái)。另外，該實(shí)施例的PDP樣 品中，作為前面玻璃基板3，全部使用了厚度為1. 8mm士0. 5mm的玻璃基板。上述墜落強(qiáng)度試驗(yàn)的結(jié)果是，利用現(xiàn)有技術(shù)的制造方法制造的PDP樣品，100臺(tái)中 有6臺(tái)前面玻璃基板3產(chǎn)生裂紋。而利用本發(fā)明實(shí)施方式制造的PDP樣品，在100臺(tái)中，前 面玻璃基板3都沒(méi)有產(chǎn)生裂紋。另外，對(duì)采用現(xiàn)有技術(shù)的PDP樣品和采用本發(fā)明實(shí)施方式的PDP樣品各10臺(tái)，測(cè) 定了前面玻璃基板3的殘余應(yīng)力。其結(jié)果是，使用現(xiàn)有技術(shù)的制造方法的前面玻璃基板3 的殘余應(yīng)力超出0. SMPa 1. 7MPa的合適范圍且?guī)缀醪划a(chǎn)生應(yīng)力。與此相對(duì)，使用本發(fā)明 實(shí)施方式的制造方法的前面玻璃基板3的殘余應(yīng)力為上述的范圍。這可以看作是，在本發(fā)明實(shí)施方式的PDP制造方法中，由于是在比前面玻璃基板3 的玻璃基板的應(yīng)變點(diǎn)溫度低100°c的溫度以下制造PDP1，因而，維持初期產(chǎn)生于前面玻璃 基板3的殘余應(yīng)力幾乎不減少，由此，PDPl具有強(qiáng)度。另外，根據(jù)本發(fā)明，與現(xiàn)有技術(shù)相比較，由于是在低溫下的熱工藝，具有抑制在燒 成爐等中以玻璃基板面內(nèi)的溫度梯度為起因而產(chǎn)生的基板的熱裂紋等的產(chǎn)生的效果。
另外，在上述的本發(fā)明實(shí)施方式中，記載了各個(gè)熱工藝的設(shè)定溫度及其處理時(shí)間 例，但是并不限于該設(shè)定，通過(guò)在比前面玻璃基板3的應(yīng)變點(diǎn)溫度低100°C的溫度以下制造 PDP，可將玻璃基板的殘余應(yīng)力維持在初始狀態(tài)的殘余應(yīng)力，可以達(dá)到本發(fā)明的效果。產(chǎn)業(yè)上應(yīng)用的可行性如上所述，本發(fā)明可提供一種具有充分的玻璃基板強(qiáng)度，且很少產(chǎn)生面板裂紋的 PDP，在大畫(huà)面的顯示器件等方面有用。
權(quán)利要求
一種等離子體顯示面板，在前面玻璃基板上設(shè)有多對(duì)顯示電極和電介質(zhì)層，其特征在于，所述前面玻璃基板的與設(shè)有所述電介質(zhì)層的面相反側(cè)的面的應(yīng)力為0.8MPa～2.4MPa范圍的壓縮應(yīng)力。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板，其特征在于，所述前面玻璃基板的厚度為2. 8mm士0. 5mm，所述壓縮應(yīng)力為1. 3MPa 2. 4MPa的范圍。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板，其特征在于，所述前面玻璃基板的厚度為1. 8mm士0. 5mm，所述壓縮應(yīng)力為0. 8MPa 1. 7MPa的范圍。
4. 一種等離子體顯示面板的制造方法，在該等離子體顯示面板中，至少形成有顯示電 極和電介質(zhì)層的前面玻璃基板與背面玻璃基板對(duì)置配置，其特征在于，在所述顯示電極的形成工序、所述電介質(zhì)層的形成工序及將所述前面玻璃基板和所 述背面玻璃基板對(duì)置配置的工序中的任一工序中，以比所述前面玻璃基板的應(yīng)變點(diǎn)溫度低 IOO0C以上的熱處理溫度對(duì)所述前面玻璃基板進(jìn)行處理。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的等離子體顯示面板的制造方法，其特征在于， 所述熱處理溫度為470°C以下。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的等離子體顯示面板的制造方法，其特征在于， 所述熱處理溫度為410°C以下。
全文摘要
本發(fā)明提供一種用于顯示器件等的等離子體顯示面板及其制造方法，該等離子體顯示面板(1)在前面玻璃基板(3)上設(shè)有多對(duì)顯示電極(6)和電介質(zhì)層(8)，將前面玻璃基板(3)的沒(méi)有設(shè)置電介質(zhì)層(8)一側(cè)的面的應(yīng)力設(shè)為0.8MPa～2.4MPa范圍的壓縮應(yīng)力，使玻璃基板具有充分的強(qiáng)度，從而實(shí)現(xiàn)很少產(chǎn)生面板裂紋的等離子體顯示面板(1)。
文檔編號(hào)H01J11/22GK101802960SQ200980100470
公開(kāi)日2010年8月11日 申請(qǐng)日期2009年3月17日 優(yōu)先權(quán)日2008年3月18日
發(fā)明者秋山浩二, 西中勝喜, 青砥宏治 申請(qǐng)人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會(huì)社