專利名稱：：射頻濺射配置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及一種配置，用于利用高頻(HighFrequency,HF)來進(jìn)行濺射，例如射頻(RadioFrequency,RF)。
背景技術(shù)：
：RF濺射設(shè)備可包括有排空腔室(evacuatablechamber)，通常為真空腔室或等離子腔室，其包括至少二電極，等離子可形成于此些電極之間。此些電極中至少一者是提供濺射的材料，而另一電極是提供為對應(yīng)電極(counterelectrode)。在RF濺射中，高頻電壓是施加于二電極之間，而持續(xù)地交替極性?？勺⒁獾氖?，具有較小電極面積的電極會顯示擇優(yōu)濺射效應(yīng)(preferentialsputteringeffect)。因此，一般較小的電極是作為包括有濺射材料的電極，而較大的電極是作為此對應(yīng)電極，此對應(yīng)電極通常是接地。但此擇優(yōu)濺射效應(yīng)并不完全限定于此較小電極面積，較大電極被濺射影響的程度是決定于電極電位與較大電極電位之間的差異，若此差異超過濺射門坎，此較大電極亦會被濺射。若此較大電極包括有一或更多不欲被濺射沈積至基材的成份，則不希望此較大電極亦會被濺射。為了避免來自較大電極的濺射影響，RF濺射配置的外圍(例如真空腔室)可作為較大的對應(yīng)電極。較小電極面積與較大對應(yīng)電極面積之間的比例可為110或更高，以減少來自較大電極的濺射。然而，此設(shè)計規(guī)則110具有限制，在特定應(yīng)用中，例如，直徑30cm的芯片(wafer)通常需40cm的靶材。若根據(jù)此110的規(guī)則，對應(yīng)電極的面積會大于lm2，而難以配置于真空濺射腔室。德國專利第GB2191787號揭露一配置，其磁場是施加于對應(yīng)電極，以確保對應(yīng)電極的效果，并減少對應(yīng)電極的濺射情形。利用施加磁場于對應(yīng)電極，對應(yīng)電極面積與靶材電極之間的比例可被減少。因此，對應(yīng)電極可使用較小面積，同時仍可避免來自對應(yīng)電極的不預(yù)期濺射情形。然而，此方法需額外的磁鐵，因而復(fù)雜化設(shè)計與濺射設(shè)備的制造，因此，需提供另一種RF濺射配置，其亦可減少對應(yīng)電極的濺射可能性。
發(fā)明內(nèi)容一種裝置，用于濺射，其包括真空腔室、至少一第一電極、對應(yīng)電極及射頻產(chǎn)生器。真空腔室是由至少一側(cè)壁、底部和遮蓋單元所定義，第一電極具有一表面，其配置于真空腔室內(nèi)，對應(yīng)電極具有一表面，其配置于真空腔室內(nèi)，射頻產(chǎn)生器是用以施加RF電場，其穿過第一電極與對應(yīng)電極，以激發(fā)等離子于第一電極與對應(yīng)電極之間。其中，對應(yīng)電極包括側(cè)壁及/或底部的至少一部分以及增設(shè)導(dǎo)電部，增設(shè)導(dǎo)電部包括至少二表面，其實(shí)質(zhì)平行地配置并相互間隔一距離。相較于未具有增設(shè)導(dǎo)電部的表面的對應(yīng)電極，此增設(shè)導(dǎo)電部，特別是實(shí)質(zhì)相互平行的二表面可增加對應(yīng)電極的表面面積。當(dāng)此二表面是相互平行配置時，此些表面和對應(yīng)電極可提供一緊密的配置。因此，相較于此些表面未相互平行配置，此對應(yīng)電極可占用較小的空間于真空腔室中。對應(yīng)電極所增加的表面面積可用以減少對應(yīng)電極的材料濺射，并避免污染沈積層。在一實(shí)施例中，增設(shè)導(dǎo)電部的此些表面是相互間隔一距離，以形成等離子于此些表面之間。因此，均勻且同質(zhì)的等離子可形成于此真空腔室中，使得材料可更均勻地被濺射于基材上，或者來自基材的材料可更均勻地被濺射。若此裝置是用以沈積材料于基材上，第一電極是由欲濺射材料的靶材所提供。此裝置可包括多個靶材，以作為多個第一電極。此增設(shè)導(dǎo)電部可電性連接于側(cè)壁及/或底部，因而增設(shè)導(dǎo)電部、側(cè)壁及/或底部可共同作為對應(yīng)電極。此增設(shè)導(dǎo)電部可機(jī)械性連接于側(cè)壁及/或底部，以固定位置。此機(jī)械性連接亦可提供側(cè)壁及/或底部的電性連接。增設(shè)導(dǎo)電部的此些表面可被適當(dāng)?shù)嘏渲茫约ぐl(fā)和形成等離子于一或更多個表面與第一電極之間。增設(shè)導(dǎo)電部的此些表面可實(shí)質(zhì)垂直于側(cè)壁及/或平行于底部。增設(shè)導(dǎo)電部可配置于真空腔室的周圍區(qū)域中，在一實(shí)施例中，增設(shè)導(dǎo)電部是配置于第一電極與基材之間的視角線之外，以避免阻礙、防止或減少由第一電極沈積材料到基材(或由基材移除材料)。此增設(shè)導(dǎo)電部可具有不同的形式，在一實(shí)施例中，增設(shè)導(dǎo)電部的此些表面是一體成型于真空腔室的側(cè)壁，并垂直地由所述側(cè)壁延伸出，此些表面可由突出于真空腔室的側(cè)壁的凸部所提供，凸部是位于真空腔室內(nèi)。此增設(shè)導(dǎo)電部的表面亦可具有不同的形式，在一實(shí)施例中，增設(shè)導(dǎo)電部的此些表面是由二個或更多個環(huán)所提供。此些環(huán)可為圓形、正方形、矩形，此些環(huán)的形狀亦可對應(yīng)于真空腔室的橫向形狀。在一實(shí)施例中，此些環(huán)是配置于真空腔室中，并鄰近與間隔于真空腔室的側(cè)壁。此些環(huán)是形成分離的組件，因而此些環(huán)可由腔室中被移除，且優(yōu)選可由相同尺寸或不同尺寸的環(huán)來取代。因此，對應(yīng)電極與第一電極之間的表面面積比率可進(jìn)行改變。此些環(huán)包括一板或薄片，其包括金屬或合金材料。此些環(huán)所提供的表面是相互上下平行配置，而形成堆棧的表面。在一實(shí)施例中，此些環(huán)是利用一或多個軸襯來相互間隔設(shè)置。在另一實(shí)施例中，此些環(huán)包括多個穿孔，其間隔設(shè)置，此些穿孔是垂直地對位，一桿是設(shè)置于此些穿孔中，而形成堆棧設(shè)置的環(huán)。軸襯亦可設(shè)置于此桿上，多個桿可間隔地沿著環(huán)來設(shè)置，桿的數(shù)量可被適當(dāng)?shù)剡x擇，以具有適當(dāng)?shù)臋C(jī)械穩(wěn)定性。一桿或多個桿可結(jié)合于真空腔室的底部，以定位此堆棧結(jié)構(gòu)于腔室中。此桿亦可作為環(huán)表面與對應(yīng)電極的其它組件(例如底部和側(cè)壁)之間的電性連接。此些環(huán)具有一寬度，在一實(shí)施例中，增設(shè)導(dǎo)電部的此些環(huán)具有相同的寬度。此些環(huán)的內(nèi)徑可被適當(dāng)?shù)剡x擇，藉以使欲沈積的第一電極和基材不會被此些環(huán)來遮蔽。此些環(huán)是設(shè)置鄰近于第一電極和基材。在另一實(shí)施例中，增設(shè)導(dǎo)電部的此些環(huán)具有不同的寬度，此配置可更有效地利用真空腔室內(nèi)的空間。在另一實(shí)施例中，當(dāng)欲沈積的基材是位于底部上，且包括有沈積材料的第一電極是設(shè)置于真空腔室內(nèi)的頂部時，此些環(huán)的寬度可朝真空腔室的底部來逐漸地增加。由于一般靶材的表面面積是大于基材，以得到均勻厚度的沈積層于基材上，因而在基材周圍會形成較大的空間，若此些環(huán)的寬度可朝真空腔室的底部來逐漸地增加，則此基材周圍的空間可被更有效地利用。此對應(yīng)電極具有表面面積Ac，第一電極具有表面面積Ae，其中Ac大于等于10Ae。真空腔室內(nèi)的對應(yīng)電極的表面面積是至少大于第一電極的表面面積的10倍，以避免或減少來自對應(yīng)電極的濺射至一有利程度。在另一實(shí)施例中，側(cè)壁包括二側(cè)壁單元，其至少部分相互間隔一距離。一通道是延伸于側(cè)壁單元之間，用以抽出氣體于真空腔室之外及/或提供氣體至真空腔室內(nèi)。此通道的寬度可約為1mm，以減少RF能量散失于通道及濺射率下降的情形。為讓本發(fā)明的上述內(nèi)容能更明顯易懂，下文特舉優(yōu)選實(shí)施例，并配合所附圖式，作詳細(xì)說明如下圖1顯示具有對應(yīng)電極的RF濺射配置的示意圖，對應(yīng)電極是根據(jù)一對照部分(左側(cè))和本發(fā)明的第一實(shí)施例(右側(cè))；圖2顯示根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例的具有對應(yīng)電極的RF濺射配置的示意圖；圖3顯示根據(jù)本發(fā)明的第三實(shí)施例的具有對應(yīng)電極的RF濺射配置的示意圖；以及圖4顯示真空腔室的抽吸通道的詳細(xì)剖面圖。具體實(shí)施例方式請參照圖1，其顯示RF濺射配置1的圓形濺射裝置的剖面圖，其包括真空腔室20，真空腔室20是由側(cè)壁單元4、5、底部19和遮蓋單元(未標(biāo)示)所定義。然而，下述的發(fā)明并不限于圓形。此濺射配置包括用以被濺射的靶材2以及基材固定器3，此基材固定器3例如是用以支撐半導(dǎo)體晶圓。側(cè)壁包括第一側(cè)壁單元4和第二側(cè)壁單元5，第二側(cè)壁單元5是同軸地配置于第一側(cè)壁單元4之外，因而形成通道8，其位于第一側(cè)壁單元4和第二側(cè)壁單元5之間，藉以允許經(jīng)由泵浦(未繪示)來進(jìn)行抽吸。工作氣體可進(jìn)入真空腔室來靠近于靶材2，并經(jīng)由通道8來被抽出。此側(cè)壁并不需視為由二個單元所組成，亦可由單一單元、三個部分或更多單元所組成。為求簡潔，在此省略說明電性連接關(guān)系。靶材2包括第一電極18，第一和第二側(cè)壁單元4、5是接地，因而可共同作為對應(yīng)電極17。RF電場是施加于第一電極18和對應(yīng)電極17，以激發(fā)等離子。此RF濺射配置1更包括RF產(chǎn)生器21，以產(chǎn)生RF等離子于第一電極18和對應(yīng)電極17之間，且選擇性地，RF濺射配置1更包括磁場產(chǎn)生單元(未繪示)，用以產(chǎn)生磁場，其鄰接于靶材2表面。在操作RF濺射配置時，護(hù)罩6可固定基材25于基材固定器3上，而靶材2的材料可沈積于基材25上。此護(hù)罩6可具有相同于基材25的電位，或者具有浮動電位。如圖1的左側(cè)所示，RF濺射配置更包括另一導(dǎo)電組件7，用以增加側(cè)壁單元4、5與底部19的對應(yīng)電極17的主動面積。此導(dǎo)電組件7可視為金屬制的類孔徑組件，例如為金屬環(huán)，其一體成型且電性連接于此側(cè)壁(如第一側(cè)壁單元4)。由于可利用的對應(yīng)電極17的面積的主要部分是靠近于靶材2，因而在組件7與靶材2之間可形成良好等離子條件。然而，組件7可遮蔽第二側(cè)壁單元5，來免于受到等離子的影響，因而可大幅地減少第二側(cè)壁單元5和對應(yīng)電極17的濺射有效性。再者，組件7可擋住靶材2邊緣與基材25邊緣之間的視角線(lineofsight)9，其可減少基材25的邊緣的鍍膜能力，且組件7亦可阻礙氣流的流動。若組件7的尺寸被適當(dāng)?shù)剡x擇，以避免組件7擋住視角線9，則對應(yīng)電極17的面積會減少。然而，由于此原因及一或更多個上述的影響，對應(yīng)電極17的不預(yù)期濺射可能會發(fā)生。根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例，RF濺射配置更包括增設(shè)導(dǎo)電部16，其包括堆棧設(shè)置的至少二電性連接導(dǎo)電表面10、11、12，此些表面10、11、12少相互間隔設(shè)置。在圖1的右側(cè)所示的第一實(shí)施例中，此些電性連接表面10、11、12是利用間隔部14、15來實(shí)質(zhì)地平行且相互間隔配置。導(dǎo)電部16是電性連接于底部19和側(cè)壁單元4、5，并形成部分的對應(yīng)電極17。如圖1的右側(cè)所示，導(dǎo)電部16包括一組電性連接環(huán)10、11、12，其平行堆棧設(shè)置并提供三個電性連接面。間隔部14、15是垂直于環(huán)表面，并可分別控制環(huán)10-11以及11-12之間的距離。較低的環(huán)12是直接位于真空腔室20的底部19上，環(huán)10、11、12是例如經(jīng)由間隔部14、15來相互電性連接。環(huán)10、11、12之間的距離(間隔部14、15的長度)是被適當(dāng)?shù)剡x擇，藉以在操作RF濺射裝置時的最低壓力下，等離子可形成于環(huán)10、11、12之間的空間中。本發(fā)明的系統(tǒng)可依據(jù)工作壓力(processpressure)，而具有高構(gòu)造彈性。若相鄰環(huán)之間的距離為5至15mm，則工作壓力可變化于1及0.1之間，以激發(fā)等離子，其相互的對應(yīng)關(guān)系呈線性變化。等離子區(qū)域的壓力是定義為“工作壓力”，若RF濺射裝置之間隔部的長度為15mm，則此RF濺射裝置可在1及0.1之間的壓力范圍下進(jìn)行操作。對應(yīng)電極17的增設(shè)導(dǎo)電部16的其它配置是顯示于圖2和圖3中。第二實(shí)施例的增設(shè)導(dǎo)電部16，亦包括三個環(huán)10’、11’、12’，其利用間隔部14，、15，來平行且相互間隔配置。相較于圖1的實(shí)施例，環(huán)10，、11，、12，是傾斜于間隔部14，、15，。在第二實(shí)施例中，環(huán)10’、11’、12’是朝真空腔室20的底部19來向下傾斜，并指向真空腔室20的中心。此配置可增加每一環(huán)10’、11’、12’表面面積，且未增加其有效寬度，亦即未增加環(huán)10’、11’、12’在真空腔室20內(nèi)的橫向空間配置。此較低的環(huán)12’并未直接位于真空腔室20的底部19上，而利用另一間隔部(桿13)來設(shè)置于底部19的上方一距離處。此三個環(huán)10’、11’、12’包括穿孔，其沿著環(huán)來間隔設(shè)置，環(huán)的穿孔是垂直地對位，藉以使桿13設(shè)置于穿孔中，而形成堆棧設(shè)置的環(huán)。環(huán)10’、11’、12’是利用軸襯(bushing)的方式，而沿著桿的高度來相互上下間隔配置。第一實(shí)施例的距離-壓力的關(guān)系仍可應(yīng)用于環(huán)10’、11’、12’之間的距離，但在第二實(shí)施例的傾斜面的例子中，其并未有效于間隔部的長度。靶材2邊緣與基材25邊緣之間的視角線是顯示于圖2中的線9，如圖2所示，此增設(shè)導(dǎo)電部16’并未超過此視角線，因而未遮蔽住基材25的周圍區(qū)域，因而可沈積更均勻的鍍膜于基材25上。請參照圖3，其顯示根據(jù)第三實(shí)施例的導(dǎo)電部16”的示意圖。在第三實(shí)施例中，導(dǎo)電部亦包括三個環(huán)10”、11”、12”，其利用間隔部14”、15”來平行且相互間隔配置。在第三實(shí)施例中，此些環(huán)可具有不同的寬度。上環(huán)10”的寬度是小于中環(huán)11”的寬度，中環(huán)11”的寬度是小于下環(huán)12”的寬度。此些堆棧設(shè)置的環(huán)的寬度是由上而下地減少。在此實(shí)施例中，此三個環(huán)10”、11”、12”的外側(cè)面是相互地垂直對齊，其內(nèi)側(cè)面則由于漸增的寬度而逐漸地朝真空腔室20的中心來延伸。此三個環(huán)10”、11”、12”是實(shí)質(zhì)地相互平行配置，因而實(shí)質(zhì)地垂直于側(cè)壁5并平行于底部19。然而，此些環(huán)亦如第二實(shí)施例一樣地為傾斜狀態(tài)，此環(huán)12”亦利用桿13來設(shè)置于底部19的上方一距離處。漸增的寬度可被適當(dāng)?shù)剡x擇，藉以使增設(shè)導(dǎo)電部16”可在真空腔室20的視角線9、側(cè)壁5及底部19之間占有最大的空間。利用增加環(huán)的表面，此配置可使用視角線9與側(cè)壁5之間的有效空間來增加對應(yīng)電極17的面積。在此三個實(shí)施例中，可適當(dāng)?shù)剡x擇此些環(huán)的厚度，以確保其機(jī)械和熱穩(wěn)定性。此些環(huán)可包括金屬或合金材料，并可利用此預(yù)期材料的片材來形成板狀。此增設(shè)導(dǎo)電部16、16’、16”是電性連接于對應(yīng)電極17的側(cè)壁4、5，如實(shí)施例中所示。增設(shè)導(dǎo)電部16、16’、16”可在真空腔室20中機(jī)械性及電性連接于底部19及/或側(cè)壁4、5的一處或更多處。增設(shè)導(dǎo)電部16、16’、16”亦可一體成型于真空腔室20的側(cè)壁4、5的底部。例如，二個或更多個的環(huán)狀可突出于側(cè)壁，因而形成相互間隔的環(huán)，此時，由于側(cè)壁可作間隔部，因而可不需額外的間隔部。然而，此堆棧配置可形成部分的側(cè)壁，因而環(huán)是由側(cè)壁延伸出。每一實(shí)施例的環(huán)可具有相同的形狀及/或材料，以簡化此些環(huán)的維持和提供。然而，此些環(huán)的寬度亦可不同。間隔部14、15可視為軸襯，整個堆棧的組合可利用桿13或螺桿來經(jīng)由軸襯而連接環(huán)10、11、12，間隔部14、15可視為周圍封閉、獨(dú)立、單一的柱狀單元。用以提供表面的實(shí)質(zhì)平行環(huán)的數(shù)量并不限于3個，依據(jù)可用的空間，本發(fā)明可設(shè)有更少或更多于3個環(huán)。此些環(huán)可容易地由金屬片來裁切或沖壓出，然而亦可為其它符合上述關(guān)系的形式。此增設(shè)導(dǎo)電部16可包括至少二平行間隔配置的表面，以提供對應(yīng)電極17的面積，其可具堆棧配置，以減少對于氣流的阻礙，且可同時增加對應(yīng)電極17的表面面積。通過適當(dāng)?shù)剡x擇環(huán)之間的距離，等離子與對應(yīng)電極17之間的電性接觸可被最佳化。根據(jù)本發(fā)明的一上述實(shí)施例的RF濺射配置可用以沈積鋯鈦酸鉛(lead-zirconium-titanate,PZT)，以作為壓電應(yīng)用。當(dāng)此三個環(huán)是由鋁所制成，且具有30mm寬度及5mm厚度時，操作的壓力范圍可在2及IOmTorr之間。每一間隔部的長度為15mm,RF頻率為13.56MHz。在另一實(shí)施例中，真空腔室可經(jīng)由如圖4所示的通道8來進(jìn)行抽吸。在一般情況中，在真空腔室內(nèi)的抽吸管路優(yōu)選為暢通無阻礙的，換言之，需避免狹窄和收縮的通道。然而，RF能量容易由通道的開口來摻出，因此，導(dǎo)電網(wǎng)格可用以阻擋RF能量的摻出，但網(wǎng)格需額外進(jìn)行增設(shè)和維護(hù)。如圖4所示，通過增大第二側(cè)壁單元5的頭部，此通道8可被縮小，以避免大量RF能量的損失，因而可形成狹小通道的環(huán)繞抽吸通道。為了補(bǔ)償抽吸通道的縮小部分，通道的開孔是位于第二側(cè)壁單元5的頭部的下方。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，當(dāng)二側(cè)壁4、5之間的間隙為2mm時，真空腔室內(nèi)的操作壓力區(qū)間可在IPa至0.IPa之間。權(quán)利要求1.一種裝置，用于濺射其包括真空腔室，是由至少一側(cè)壁、底部和遮蓋單元所定義；至少一第一電極，具有一表面，其配置于所述真空腔室內(nèi)；對應(yīng)電極，具有一表面，其配置于所述真空腔室內(nèi)；以及射頻產(chǎn)生器，所述射頻產(chǎn)生器用以施加射頻電場，其穿過所述至少一第一電極與所述對應(yīng)電極，以激發(fā)等離子于所述第一電極與所述對應(yīng)電極之間；其中，所述對應(yīng)電極包括所述真空腔室的所述側(cè)壁及/或所述底部的至少一部分，以及增設(shè)導(dǎo)電部，所述增設(shè)導(dǎo)電部包括至少二表面，其平行地配置并相互間隔一距離。2.如權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述增設(shè)導(dǎo)電部的所述表面是相互間隔所述距離，以形成等離子于所述表面之間。3.如權(quán)利要求1或2所述的裝置，其中所述增設(shè)導(dǎo)電部是電性連接于所述側(cè)壁及/或所述底部。4.如權(quán)利要求1至3的其中一項(xiàng)所述的裝置，其中所述增設(shè)導(dǎo)電部是機(jī)械性連接于所述側(cè)壁及/或所述底部。5.如權(quán)利要求1至4的其中一項(xiàng)所述的裝置，其中所述增設(shè)導(dǎo)電部的所述表面是實(shí)質(zhì)垂直于所述側(cè)壁。6.如權(quán)利要求1至5的其中一項(xiàng)所述的裝置，其中所述增設(shè)導(dǎo)電部的所述表面是平行于所述底部。7.如權(quán)利要求1至6的其中一項(xiàng)所述的裝置，其中所述導(dǎo)電部是配置于所述真空腔室的周圍區(qū)域中。8.如權(quán)利要求1至7的其中一項(xiàng)所述的裝置，其中所述導(dǎo)電部是配置于所述第一電極與欲被濺射的基材之間的視角線之外。9.如權(quán)利要求1至8的其中一項(xiàng)所述的裝置，其中所述導(dǎo)電部的所述表面是一體成型于所述真空腔室的所述側(cè)壁，并垂直地由所述側(cè)壁延伸出。10.如權(quán)利要求1至9的其中一項(xiàng)所述的裝置，其中所述導(dǎo)電部的所述表面是由二個或更多個環(huán)所提供。11.如權(quán)利要求10所述的裝置，其中所述環(huán)是配置于所述真空腔室中，并鄰近與間隔于所述真空腔室的所述側(cè)壁。12.如權(quán)利要求10或11所述的裝置，其中所述環(huán)包括板或薄片，其包括金屬或合金材料。13.如權(quán)利要求10至12的其中一項(xiàng)所述的裝置，其中所述環(huán)是利用一或多個軸襯來相互間隔地設(shè)置。14.如權(quán)利要求10至13的其中一項(xiàng)所述的裝置，其中所述環(huán)包括多個穿孔，其間隔設(shè)置，所述穿孔是垂直地對位，桿是設(shè)置于所述穿孔中，而形成堆棧設(shè)置的所述環(huán)。15.如權(quán)利要求14所述的裝置，其中所述桿是結(jié)合于所述真空腔室的所述底部。16.如權(quán)利要求10至15的其中一項(xiàng)所述的裝置，其中所述增設(shè)導(dǎo)電部的所述環(huán)的寬度是相同。17.如權(quán)利要求10至15的其中一項(xiàng)所述的裝置，其中所述增設(shè)導(dǎo)電部的所述環(huán)的寬度是不相同。18.如權(quán)利要求17所述的裝置，其中所述環(huán)的寬度是朝所述真空腔室的所述底部來逐漸地增加。19.如權(quán)利要求1至18的其中一項(xiàng)所述的裝置，其中所述對應(yīng)電極具有表面面積(Ac)，所述第一電極具有表面面積(At)，所述表面面積(Ac)大于或等于所述表面面積(At)。20.如權(quán)利要求1至19的其中一項(xiàng)所述的裝置，其中所述第一電極包括靶材，其具有欲被濺射的材料。21.如權(quán)利要求1至20的其中一項(xiàng)所述的裝置，其中所述側(cè)壁包括二側(cè)壁單元，其至少部分相互間隔一距離。22.如權(quán)利要求21所述的裝置，其中一通道是延伸于所述側(cè)壁單元之間，用以抽出氣體于所述真空腔室之外及/或提供氣體至所述真空腔室內(nèi)的所述側(cè)壁之間。全文摘要一種用于濺射的裝置，包括真空腔室、至少一第一電極、對應(yīng)電極及RF產(chǎn)生器。真空腔室是由至少一側(cè)壁、底部和遮蓋單元所定義，第一電極具有第一表面，其配置于真空腔室內(nèi)，對應(yīng)電極具有表面，其配置于真空腔室內(nèi)，RF產(chǎn)生器是用以施加RF電場于此至少一第一電極與對應(yīng)電極上，以激發(fā)等離子于第一電極與對應(yīng)電極之間。其中，對應(yīng)電極包括側(cè)壁及/或底部的至少一部分以及增設(shè)導(dǎo)電部，增設(shè)導(dǎo)電部包括至少二表面，其實(shí)質(zhì)平行地配置并相互間隔一距離。文檔編號H01J37/34GK102224561SQ200980147149公開日2011年10月19日申請日期2009年11月20日優(yōu)先權(quán)日2008年11月24日發(fā)明者馬汀·克拉策申請人:Oc歐瑞康巴爾查斯股份有限公司