專利名稱：線圈連接組件，上電極裝置和led刻蝕機(jī)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型屬于半導(dǎo)體技術(shù)，尤其是涉及一種線圈連接組件，具有該線圈連接組 件的上電極裝置和具有該上電極裝置的LED刻蝕機(jī)。
背景技術(shù)：
LED刻蝕機(jī)是LED光源生產(chǎn)過(guò)程中的重要的設(shè)備，GaN基外延層或藍(lán)寶石襯底是刻 蝕的主要對(duì)象，刻蝕的效果直接關(guān)系到光源芯片的質(zhì)量高低，進(jìn)而影響光源的質(zhì)量。LED刻 蝕機(jī)的組成主要包括傳輸和工藝兩個(gè)模塊，二者共同影響著刻蝕的效率或者設(shè)備的產(chǎn)能， 刻蝕結(jié)果主要由工藝模塊決定，LED刻蝕機(jī)的上電極裝置的線圈結(jié)構(gòu)決定了離子體分布的 均勻性，進(jìn)而影響基片的刻蝕效果。圖3示出了傳統(tǒng)LED刻蝕機(jī)的上電極裝置，其中線圈A15與線圈支架A14連接，連 接柱A13的下端與線圈支架A14相連，連接條A3，A4，All，A12分別將連接柱A13的上端與 連接片A5，A6，A9，A10的下端連接，連接片A5，A6，A9，AlO的上端與射頻激發(fā)裝置A8相連。 射頻激發(fā)裝置A8通過(guò)線圈A15產(chǎn)生等離子體，決定了對(duì)晶片刻蝕的效果，線圈連接條的對(duì) 稱性以及線圈連接條與晶片的距離大小都對(duì)刻蝕效果具有重要的影響。在上述傳統(tǒng)上電極裝置中，線圈連接條的空間布局凌亂，安裝和拆卸復(fù)雜，線圈連 接的對(duì)稱性差；且在該上電極裝置應(yīng)用于刻蝕裝置中時(shí)，由于線圈連接條與晶片的距離相 對(duì)較小，使得線圈連接條與線圈盒內(nèi)的其他功能部件相互干涉，等離子體分布均勻性差，對(duì) 刻蝕產(chǎn)生不利影響。而且，隨著線圈盒尺寸的減小，上電極裝置的維護(hù)困難，因此對(duì)線圈連 接條的布置提出了更高的要求。
實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型旨在至少解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的技術(shù)問(wèn)題之一。為此，本實(shí)用新型的一個(gè)目的在于提出一種空間布局整齊、組裝、拆卸和維護(hù)方便 的線圈連接組件。本實(shí)用新型的另一目的在于提出一種具有上述線圈連接組件的上電極裝置，該上 電極裝置結(jié)構(gòu)緊湊，尺寸減小，維護(hù)方便，產(chǎn)生的等離子體均勻。本實(shí)用新型的再一目的在于提出一種具有上述上電極裝置的LED刻蝕機(jī)，該LED 刻蝕機(jī)對(duì)晶片的刻蝕均勻，晶片刻蝕質(zhì)量高。根據(jù)本實(shí)用新型第一方面的線圈連接組件，包括用于安裝線圈的線圈支架；托盤，所述托盤的上表面形成有第一至第四凹槽；第一至第四線圈連接條，所述第 一至第四線圈連接條分別容納和設(shè)置在所述第一至第四凹槽內(nèi)；和第一至第四連接柱，所 述第一至第四連接柱設(shè)置在所述線圈支架的上表面與所述托盤的下表面之間，且所述第一 至第四連接柱分別連接所述第一至第四線圈連接條與所述線圈支架上的對(duì)應(yīng)線圈。根據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例的線圈連接組件，由于設(shè)置了托盤，且線圈連接條分別容 納和設(shè)置在凹槽內(nèi)，因此圈連接條的空間布置整齊，而且線圈連接條的尺寸減小，減小了所 需的空間，且組裝、拆卸和維護(hù)非常方便。同時(shí)，線圈連接柱的高度可以增加，增加了線圈連 接條與線圈支架之間的空間，便于其他部件的維修，同時(shí)可以增加線圈連接條與線圈的距離，從而可以增加線圈連接條與晶片之間的距離，提高對(duì)晶片的處理效果。另外，根據(jù)本實(shí)用新型上述實(shí)施例的線圈連接組件還可以具有如下附加的技術(shù)特 征具體地，所述第一至第四凹槽內(nèi)分別形成有通孔，其中所述第一至第四連接柱的 上端分別穿過(guò)所述通孔與第一至第四線圈連接條相連?？蛇x地，所述第一至第四凹槽為弧形槽。進(jìn)而，所述第一至第四凹槽沿徑向間隔開(kāi)設(shè)置。優(yōu)選地，所述第一至第四凹槽同心。具體地，相鄰兩個(gè)凹槽中外側(cè)凹槽的弧長(zhǎng)大于內(nèi)側(cè)凹槽的弧長(zhǎng)。優(yōu)選地，第一至第四線圈連接條的上表面分別與所述托盤的上表面平齊。根據(jù)本實(shí)用新型第二方面的上電極裝置包括線圈盒，所述線圈盒內(nèi)限定有空腔， 所述線圈盒的上端面敞開(kāi)而下端面設(shè)有下開(kāi)口 ；石英蓋，所述石英蓋設(shè)置在所述下開(kāi)口內(nèi)， 用于封閉所述下開(kāi)口 ；頂蓋，所述頂蓋設(shè)置在線圈盒的頂端且形成有上開(kāi)口 ；射頻激發(fā)裝 置，所述射頻激發(fā)裝置設(shè)置在所述頂蓋上；線圈；和線圈連接組件，其中所述線圈組件為根 據(jù)本發(fā)明第一方面所述的線圈連接組件，其中所述線圈安裝在所述線圈連接組件的線圈支 架的下表面上，所述線圈支架安裝在所述石英蓋上，且所述線圈連接組件的第一至第四線 圈連接條分別與所述射頻激發(fā)裝置相連。根據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例的上電極裝置，線圈連接條空間布局整齊，安裝、拆卸和維 護(hù)簡(jiǎn)單，線圈連接條所需空間減小，便于對(duì)其他部件的維護(hù)，而且線圈連接的對(duì)稱性高，產(chǎn) 生的等離子體分布均勻，而且線圈盒的整體尺寸可以減小，上電極裝置的整體尺寸減小。此 外，由于線圈連接柱的高度可以增加，使得所述線圈連接條與線圈之間的距離增大，從而增 加了線圈連接條與晶片之間的距離，減少了與線圈盒內(nèi)的其他功能部件之間的干涉，提高 了對(duì)晶片的處理效果。具體地，所述線圈支架通過(guò)安裝支架安裝到石英蓋上。根據(jù)本實(shí)用新型第三方面的實(shí)施例的LED刻蝕機(jī)包括根據(jù)本實(shí)用新型第二方面 實(shí)施例所述的上電極裝置。根據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例的LED刻蝕機(jī)，由于線圈連接條布置設(shè) 計(jì)合理，因此等離子體均勻；而且由于線圈連接柱的高度可以增加，使得所述線圈連接條與 晶片之間的距離增大，因此對(duì)晶片的刻蝕均勻，晶片質(zhì)量提高。本實(shí)用新型的附加方面和優(yōu)點(diǎn)將在下面的描述中部分給出，部分將從下面的描述 中變得明顯，或通過(guò)本實(shí)用新型的實(shí)踐了解到。
本實(shí)用新型的上述和/或附加的方面和優(yōu)點(diǎn)從結(jié)合下面附圖對(duì)實(shí)施例的描述中 將變得明顯和容易理解，其中圖1是根據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例的上電極裝置的示意圖；圖2是根據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例的線圈連接組件的托盤的平面示意圖；和圖3是傳統(tǒng)上電極裝置的示意圖。
具體實(shí)施方式
下面詳細(xì)描述本實(shí)用新型的實(shí)施例，所述實(shí)施例的示例在附圖中示出，其中自始 至終相同或類似的標(biāo)號(hào)表示相同或類似的元件或具有相同或類似功能的元件。下面通過(guò)參考附圖描述的實(shí)施例是示例性的，僅用于解釋本實(shí)用新型，而不能理解為對(duì)本實(shí)用新型的 限制。在本實(shí)用新型的描述中，術(shù)語(yǔ)“上”、“下”、“內(nèi)”、“外”等指示的方位或位置關(guān)系為 基于附圖所示的方位或位置關(guān)系，僅是為了便于描述本實(shí)用新型而不是要求本實(shí)用新型必 須以特定的方位構(gòu)造和操作，因此不能理解為對(duì)本實(shí)用新型的限制。此外，“第一”、“第二”、 “第三”、“第四”等術(shù)語(yǔ)僅僅是為了便于描述，而不能理解為對(duì)數(shù)量的限制。下面參考附圖描述根據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例的線圈連接組件。如圖1和2所示，根據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例的線圈連接組件包括線圈支架15，托盤 11，第一線圈連接條5、第二線圈連接條4、第三線圈連接條12和第四線圈連接條13，第一線 圈連接柱14A、第二線圈連接柱14B、第三線圈連接柱14C和第四線圈連接柱14D。更具體而言，線圈支架15用于將線圈16安裝到其上，例如線圈16安裝到線圈支 架15的下表面上。托盤11的上表面形成有第一凹槽110、第二凹槽111、第三凹槽112和 第三凹槽113。第一線圈連接條5、第二線圈連接條4、第三線圈連接條12和第四線圈連接 條13分別容納和設(shè)置在第一凹槽110、第二凹槽111、第三凹槽112和第三凹槽113內(nèi)。第 一線圈連接柱14A、第二線圈連接柱14B、第三線圈連接柱14C和第四線圈連接柱14D設(shè)置 在線圈支架15的上表面與托盤11的下表面之間，從而分別將第一線圈連接條5、第二線圈 連接條4、第三線圈連接條12和第四線圈連接條13與線圈支架15上的對(duì)應(yīng)線圈16相連。根據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例的線圈連接組件，由于設(shè)置了托盤11，第一線圈連接條5、 第二線圈連接條4、第三線圈連接條12和第四線圈連接條13分別容納和設(shè)置在第一凹槽 110、第二凹槽111、第三凹槽112和第三凹槽113內(nèi)，因此第一線圈連接條5、第二線圈連接 條4、第三線圈連接條12和第四線圈連接條13的長(zhǎng)度尺寸減小，減小了線圈連接條所需的 空間，并且組裝、拆卸和維護(hù)非常方便，同時(shí)，第一線圈連接柱14A、第二線圈連接柱14B、第 三線圈連接柱14C和第四線圈連接柱14D的高度可與增加，增加了線圈連接條與線圈支架 15之間的空間，便于其他部件的維修，并且增加了線圈連接條與線圈之間的距離，從而可以 增加線圈連接條與具有根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的線圈連接組件的刻蝕機(jī)所刻蝕的晶片之間的 距離，提高刻蝕效果。在本實(shí)用新型的一個(gè)具體示例中，第一凹槽110、第二凹槽111、第三凹槽112和第 三凹槽113內(nèi)分別形成有通孔，從而第一線圈連接柱14A、第二線圈連接柱14B、第三線圈連 接柱14C和第四線圈連接柱14D能夠穿過(guò)對(duì)應(yīng)的通孔與第一線圈連接條5、第二線圈連接條 4、第三線圈連接條12和第四線圈連接條13相連。在本實(shí)用新型的一些實(shí)施例中，如圖2所示，第一凹槽110、第二凹槽111、第三凹 槽112和第三凹槽113為弧形槽。第一凹槽110、第二凹槽111、第三凹槽112和第三凹槽 113沿托盤11的徑向間隔開(kāi)設(shè)置。在更具體的實(shí)施例中，第一凹槽110、第二凹槽111、第三 凹槽112和第三凹槽113同心設(shè)置，并且相鄰兩個(gè)凹槽中外側(cè)凹槽的弧長(zhǎng)大于內(nèi)側(cè)凹槽的 弧長(zhǎng)。如圖1所示，在本實(shí)用新型的一個(gè)具體示例中，第一線圈連接條5、第二線圈連接 條4、第三線圈連接條12和第四線圈連接條13的上表面分別與托盤11的上表面平齊。下面參考圖1描述根據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例的具有上述線圈連接組件的上電極裝置。[0042]如圖1所示，根據(jù)本實(shí)用新型一個(gè)實(shí)施例的上電極裝置包括線圈盒17，石英蓋1， 頂蓋7，射頻激發(fā)裝置8，線圈16和線圈連接組件。更具體地，所述線圈連接組件可以為參考上面實(shí)施例描述的線圈連接組件。線圈 盒17內(nèi)限定有空腔，線圈盒17的上端面敞開(kāi)而下端面設(shè)有下開(kāi)口。石英蓋1設(shè)置在下開(kāi) 口內(nèi)用于封閉下開(kāi)口。頂蓋7設(shè)置在線圈盒17的頂端且形成有上開(kāi)口。射頻激發(fā)裝置8 設(shè)置在頂蓋7上。如圖1所示，線圈16安裝在線圈支架15的下表面上，線圈支架15安裝在石英蓋1 上，例如通過(guò)安裝支架2安裝到石英蓋1上，并且與石英蓋1間隔開(kāi)預(yù)定距離，第一線圈連 接條5、第二線圈連接條4、第三線圈連接條12和第四線圈連接條13分別與射頻激發(fā)裝置 8相連，例如，分別與第一連接片6，第二連接片10，第三連接片9和第四連接片3相連。需 要理解的是，第一連接片6，第二連接片10，第三連接片9和第四連接片3可以為連接條的 形式。第一線圈連接柱14A、第二線圈連接柱14B、第三線圈連接柱14C和第四線圈連接 柱14D的上端分別與第一線圈連接條5、第二線圈連接條4、第三線圈連接條12和第四線圈 連接條13相連而它們的下端分別與對(duì)應(yīng)的線圈16相連。根據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例的上電極裝置，由于線圈連接條設(shè)置在托盤上的凹槽內(nèi)， 因此線圈連接條空間布置整齊，上電極裝置產(chǎn)生的等離子體分布均勻，線圈連接條的安裝、 拆卸和維護(hù)簡(jiǎn)單，所需空間減小，由此線圈連接柱的高度可以增加，便于對(duì)其他部件的維 護(hù)；并且由于線圈連接柱的高度可以增加，使得線圈連接條與線圈之間的距離增大，進(jìn)而使 得線圈連接條與具有根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的上電極裝置的刻蝕機(jī)所處理的晶片之間的距離 可以增大，減小了線圈連接條與線圈盒內(nèi)的其他功能部件之間的干涉，提高了刻蝕效果。而 且，線圈盒的整體尺寸可以減小，上電極裝置的整體尺寸可以減小。根據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例的上電極裝置可以用于LED刻蝕機(jī)，具有根據(jù)本實(shí)用新型 實(shí)施例的上電極裝置的LED刻蝕機(jī)，由于線圈連接條的布置設(shè)計(jì)合理，線圈連接布置更加 有效，因此等離子體分布均勻，而且，線圈連接條與晶片的距離增大，因此對(duì)晶片的刻蝕均 勻，晶片的質(zhì)量提高。根據(jù)本實(shí)用新型的實(shí)施例的LED刻蝕機(jī)的其他構(gòu)成都是已知的，這里 不再詳細(xì)描述。需要理解的是，根據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例的上電極裝置并不限于用于LED刻蝕機(jī)， 也可以用于其他半導(dǎo)體處理設(shè)備。在本說(shuō)明書的描述中，參考術(shù)語(yǔ)“一個(gè)實(shí)施例”、“一些實(shí)施例”、“示例”、“具體示 例”、或“一些示例”等的描述意指結(jié)合該實(shí)施例或示例描述的具體特征、結(jié)構(gòu)、材料或者特 點(diǎn)包含于本實(shí)用新型的至少一個(gè)實(shí)施例或示例中。在本說(shuō)明書中，對(duì)上述術(shù)語(yǔ)的示意性表 述不一定指的是相同的實(shí)施例或示例。而且，描述的具體特征、結(jié)構(gòu)、材料或者特點(diǎn)可以在 任何的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例或示例中以合適的方式結(jié)合。盡管已經(jīng)示出和描述了本實(shí)用新型的實(shí)施例，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員可以理解 在不脫離本實(shí)用新型的原理和宗旨的情況下可以對(duì)這些實(shí)施例進(jìn)行多種變化、修改、替換 和變型，本實(shí)用新型的范圍由權(quán)利要求及其等同物限定。
權(quán)利要求1.一種線圈連接組件，其特征在于，包括用于安裝線圈的線圈支架；托盤，所述托盤的上表面形成有第一至第四凹槽；第一至第四線圈連接條，所述第一至第四線圈連接條分別容納和設(shè)置在所述第一至第 四凹槽內(nèi)；和第一至第四連接柱，所述第一至第四連接柱設(shè)置在所述線圈支架的上表面與所述托盤 的下表面之間，且所述第一至第四連接柱分別連接所述第一至第四線圈連接條與所述線圈 支架上的對(duì)應(yīng)線圈。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的線圈連接組件，其特征在于，所述第一至第四凹槽內(nèi)分別形 成有通孔，其中所述第一至第四連接柱的上端分別穿過(guò)所述通孔與所述第一至第四線圈連 接條相連。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的線圈連接組件，其特征在于，所述第一至第四凹槽為弧形槽。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的線圈連接組件，其特征在于，所述第一至第四凹槽沿徑向間 隔開(kāi)設(shè)置。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的線圈連接組件，其特征在于，所述第一至第四凹槽同心。
6.根據(jù)權(quán)利要求4或5所述的線圈連接組件，其特征在于，相鄰兩個(gè)凹槽中外側(cè)凹槽的 弧長(zhǎng)大于內(nèi)側(cè)凹槽的弧長(zhǎng)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的線圈連接組件，其特征在于，所述第一至第四線圈連接條的 上表面分別與所述托盤的上表面平齊。
8.—種上電極裝置，其特征在于，包括線圈盒，所述線圈盒內(nèi)限定有空腔，所述線圈盒的上端面敞開(kāi)而下端面設(shè)有下開(kāi)口 ；石英蓋，所述石英蓋設(shè)置在所述下開(kāi)口內(nèi)，用于封閉所述下開(kāi)口 ；頂蓋，所述頂蓋設(shè)置在線圈盒的頂端且形成有上開(kāi)口 ；射頻激發(fā)裝置，所述射頻激發(fā)裝置設(shè)置在所述頂蓋上；線圈；和線圈連接組件，其中所述線圈組件為根據(jù)權(quán)利要求1-7中任一項(xiàng)所述的線圈連接組 件，其中所述線圈安裝在所述線圈連接組件的線圈支架的下表面上，所述線圈支架安裝在 所述石英蓋上，且所述線圈連接組件的第一至第四線圈連接條分別與所述射頻激發(fā)裝置相 連。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的上電極裝置，其特征在于，所述線圈支架通過(guò)安裝支架安裝 到所述石英蓋上。
10.一種LED刻蝕機(jī)，其特征在于，包括根據(jù)權(quán)利要求8或9所述的上電極裝置。
專利摘要本實(shí)用新型公開(kāi)一種線圈連接組件，包括用于安裝線圈的線圈支架；托盤，所述托盤的上表面形成有第一至第四凹槽；第一至第四線圈連接條，所述第一至第四線圈連接條分別容納和設(shè)置在所述第一至第四凹槽內(nèi)；和第一至第四連接柱，所述第一至第四連接柱設(shè)置在線圈支架的上表面與托盤的下表面之間以分別將第一至第四線圈連接條與所述線圈支架上的對(duì)應(yīng)線圈相連。根據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例的線圈連接組件，圈連接條的空間布局整齊，高度減小，減小了連接條所需的空間，組裝和拆卸非常方便，線圈連接條與線圈支架之間的空間增加，便于其他部件的維修。本實(shí)用新型還提出了一種具有上述線圈連接組件的上電極裝置和具有該上電極裝置的LED刻蝕機(jī)。
文檔編號(hào)H01J37/32GK201893315SQ20102060291
公開(kāi)日2011年7月6日 申請(qǐng)日期2010年11月11日 優(yōu)先權(quán)日2010年11月11日
發(fā)明者李璐, 管長(zhǎng)樂(lè), 韋剛 申請(qǐng)人:北京北方微電子基地設(shè)備工藝研究中心有限責(zé)任公司