專(zhuān)利名稱(chēng)：新型led紅外燈的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
新型LED紅外燈技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種新型LED紅外燈。背景技術(shù)：
傳統(tǒng)第一代LED紅外燈，是以發(fā)出紅外波長(zhǎng)850匪的二極管為主要光源，由環(huán)氧樹(shù)脂材料進(jìn)行封裝，但由于環(huán)氧樹(shù)脂遇熱后容易產(chǎn)生斷裂，隨著時(shí)間長(zhǎng)了，斷裂面就愈來(lái)愈多，我們可以在顯微鏡下看下它明顯的斷裂面。紅外光線通過(guò)每個(gè)斷裂面時(shí)，有部分光穿過(guò)了環(huán)氧樹(shù)脂膠體，也有部分光被環(huán)氧樹(shù)脂膠體斷裂面折射回了，而剩余的光線再次遇到下一個(gè)斷裂面時(shí)，又會(huì)發(fā)生折射，通過(guò)的斷裂面愈多則折射回頭的光就愈多，照射出去的紅外光就愈少，如圖1所示。這也是第一代傳統(tǒng)LED紅外燈光衰減快，壽命短的第一個(gè)主要原因， 而第二大原因是因?yàn)楦嗌a(chǎn)廠家為了讓夜視效果增強(qiáng)，只是單純采用“壘積木”的方式， 無(wú)限制地增多紅外LED個(gè)數(shù)，于是紅外攝像機(jī)塊頭越來(lái)越大，攝像機(jī)內(nèi)發(fā)熱量越來(lái)越多，如果散熱處理不當(dāng)，紅外攝像機(jī)只好罷工。第二代的頂技術(shù)也稱(chēng)為陣列式紅外技術(shù)(Array)，它是在原來(lái)第一代傳統(tǒng)LED紅外的基礎(chǔ)上將封裝方式作出改進(jìn)，為防止光衰去掉了環(huán)氧樹(shù)脂的透鏡，將發(fā)光二極管按照陣列式排在一起，通過(guò)一個(gè)透鏡來(lái)進(jìn)行光傳遞。市場(chǎng)上有分別出現(xiàn)過(guò)由40、60、90個(gè)發(fā)光二極管組成在一起的陣列式光源。因光的發(fā)射是直線，一個(gè)透鏡只有一個(gè)圓心，眾多的發(fā)光源并不能將所有光線都聚集到透鏡的一個(gè)焦點(diǎn)上發(fā)射出去，因而光線比較分散，從而造成紅外光約93%的光線被浪費(fèi)，導(dǎo)致亮度不強(qiáng)。再多的發(fā)光源也只是盡可能地接近透鏡的模糊圓心，于是排列得緊密，光線越接近透鏡焦點(diǎn)，但同時(shí)發(fā)熱量就越大。因此，提供一種發(fā)熱量少、體積小、光衰減慢、光亮度高的LED紅外燈實(shí)為必要。
發(fā)明內(nèi)容本實(shí)用新型的目的在于提供一種發(fā)熱量少、體積小、光衰減慢、光亮度高的LED紅外燈。為實(shí)現(xiàn)本實(shí)用新型目的，提供以下技術(shù)方案本實(shí)用新型提供一種新型LED紅外燈，其包括發(fā)光芯片及硅膠透鏡，發(fā)光芯片上有一個(gè)發(fā)光二極管，發(fā)光二極管的光線從硅膠透鏡射出。該新型LED紅外燈結(jié)構(gòu)采用硅膠代替環(huán)氧樹(shù)脂作為透鏡，有效地防止了透鏡的斷裂，使得光線可以持續(xù)發(fā)出而不會(huì)被損耗。 單點(diǎn)發(fā)光可保證光衰少，發(fā)熱量少。優(yōu)選的，該發(fā)光二極管位于硅膠透鏡的焦點(diǎn)處。大大保證了光的強(qiáng)度和出射率，及光能的利用率，節(jié)能環(huán)保，提高電能轉(zhuǎn)換光能的轉(zhuǎn)化率。優(yōu)選的，該發(fā)光芯片采用COB封裝方式封裝。有效降低功耗。COB板上芯片封裝 (Chip On Board, CCffi)工藝過(guò)程首先是在基底表面用導(dǎo)熱環(huán)氧樹(shù)脂(一般用摻銀顆粒的環(huán)氧樹(shù)脂)覆蓋硅片安放點(diǎn)，然后將硅片直接安放在基底表面，熱處理至硅片牢固地固定在基底為止，隨后再用絲焊的方法在硅片和基底之間直接建立電氣連接。COB板上芯片封裝將半導(dǎo)體芯片直接貼裝在印刷線路板上，芯片與基板的電氣連接用引線縫合方法實(shí)現(xiàn)，芯片與基板的電氣連接用引線縫合方法實(shí)現(xiàn)，并用樹(shù)脂覆蓋以確?？煽啃?。COB是最簡(jiǎn)單的裸芯片貼裝技術(shù)。優(yōu)選的，該發(fā)光芯片為四元晶片。光亮度高，生產(chǎn)簡(jiǎn)單。優(yōu)選的，該硅膠透鏡采用耐高溫的軟硅膠。對(duì)比現(xiàn)有技術(shù)，本實(shí)用新型具有以下優(yōu)點(diǎn)本實(shí)用新型提供的新型LED紅外燈采用四元晶片，只有一個(gè)發(fā)光點(diǎn)，單點(diǎn)發(fā)光可實(shí)現(xiàn)更少光衰，熱量少，且光亮度高，節(jié)能環(huán)保，電光轉(zhuǎn)換率高，本實(shí)用新型LED紅外燈的發(fā)光二極管所發(fā)出的紅外光是傳統(tǒng)第一代LED紅外燈的3. 7倍。此外，采用耐高溫的軟硅膠使該LED紅外燈更耐用壽命更長(zhǎng)。采用COB封裝技術(shù)可使生產(chǎn)更簡(jiǎn)單，降低成本。
圖1為現(xiàn)有第一代LED紅外燈的光路走向示意圖；圖2為現(xiàn)有第二代LED紅外燈的結(jié)構(gòu)示意圖；圖3為現(xiàn)有第二代LED紅外燈的光路走向示意圖；圖4為本實(shí)用新型LED紅外燈的光路走向示意圖。
具體實(shí)施方式
請(qǐng)參閱圖4，本實(shí)用新型的新型LED紅外燈，其包括發(fā)光芯片及硅膠透鏡，發(fā)光芯片上有一個(gè)發(fā)光二極管，發(fā)光二極管的光線從硅膠透鏡射出，并且該發(fā)光二極管位于硅膠透鏡的焦點(diǎn)處，大大保證了光的強(qiáng)度和出射率，及光能的利用率，節(jié)能環(huán)保，提高電能轉(zhuǎn)換光能的轉(zhuǎn)化率。單點(diǎn)發(fā)光可保證光衰少，發(fā)熱量少。該新型LED紅外燈結(jié)構(gòu)采用耐高溫的硅膠代替環(huán)氧樹(shù)脂作為透鏡，耐高溫壽命長(zhǎng)，且有效地防止了透鏡的斷裂，使得光線可以持續(xù)發(fā)出而不會(huì)被損耗。該發(fā)光芯片采用COB封裝方式封裝。有效降低功耗。COB板上芯片封裝(Chip On Board, COB)工藝過(guò)程首先是在基底表面用導(dǎo)熱環(huán)氧樹(shù)脂(一般用摻銀顆粒的環(huán)氧樹(shù)脂) 覆蓋硅片安放點(diǎn)，然后將硅片直接安放在基底表面，熱處理至硅片牢固地固定在基底為止， 隨后再用絲焊的方法在硅片和基底之間直接建立電氣連接。COB板上芯片封裝將半導(dǎo)體芯片直接貼裝在印刷線路板上，芯片與基板的電氣連接用引線縫合方法實(shí)現(xiàn)，芯片與基板的電氣連接用引線縫合方法實(shí)現(xiàn)，并用樹(shù)脂覆蓋以確?？煽啃?。COB是最簡(jiǎn)單的裸芯片貼裝技術(shù)。該發(fā)光芯片為四元晶片。光亮度高，生產(chǎn)簡(jiǎn)單。以上所述僅為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例，本實(shí)用新型的保護(hù)范圍并不局限于此， 任何基于本實(shí)用新型技術(shù)方案上的等效變換均屬于本實(shí)用新型保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種新型LED紅外燈，其特征在于，其包括發(fā)光芯片及硅膠透鏡，發(fā)光芯片上有一個(gè)發(fā)光二極管，發(fā)光二極管的光線從硅膠透鏡射出。
2.如權(quán)利要求1所述的新型LED紅外燈，其特征在于，該發(fā)光二極管位于硅膠透鏡的焦點(diǎn)處。
3.如權(quán)利要求1所述的新型LED紅外燈，其特征在于，該發(fā)光芯片采用COB封裝方式封裝。
4.如權(quán)利要求1所述的新型LED紅外燈，其特征在于，該發(fā)光芯片為四元晶片。
5.如權(quán)利要求1所述的新型LED紅外燈，其特征在于，該硅膠透鏡采用耐高溫的軟硅膠。
專(zhuān)利摘要本實(shí)用新型提供一種新型LED紅外燈，其包括發(fā)光芯片及硅膠透鏡，發(fā)光芯片上有一個(gè)發(fā)光二極管，發(fā)光二極管的光線從硅膠透鏡射出。該新型LED紅外燈結(jié)構(gòu)采用硅膠代替環(huán)氧樹(shù)脂作為透鏡，有效地防止了透鏡的斷裂，使得光線可以持續(xù)發(fā)出而不會(huì)被損耗。單點(diǎn)發(fā)光可保證光衰少，發(fā)熱量少。
文檔編號(hào)F21Y101/02GK202195426SQ20112028296
公開(kāi)日2012年4月18日 申請(qǐng)日期2011年8月5日 優(yōu)先權(quán)日2011年8月5日
發(fā)明者胡團(tuán) 申請(qǐng)人:廣州市歐思卡電器制造有限公司