專利名稱：等離子顯示面板的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
在此公開的技術(shù)涉及用于顯示裝置等的等離子顯示面板的制造方法。
背景技術(shù)：
等離子顯示面板(以下，稱為“PDP”)由前面板和背面板構(gòu)成。前面板包括玻璃基板、在玻璃基板的一方的主面上形成的顯示電極、覆蓋顯示電極而作為電容器工作的電介體層、形成在電介體層上的由氧化鎂(MgO)構(gòu)成的保護(hù)層。另一方面，背面板包括玻璃基板、在玻璃基板的一方的主面上形成的數(shù)據(jù)電極、覆蓋數(shù)據(jù)電極的基底電介體層、形成在基底電介體層上的間隔壁、形成在各間隔壁間的分別發(fā)出紅色、綠色及藍(lán)色光的熒光體層。前面板和背面板在電極形成面?zhèn)葘?duì)置而被氣密密封。在由間隔壁分隔成的放電空間內(nèi)封入氖(Ne)及氙(Xe)的放電氣體。放電氣體通過對(duì)顯示電極選擇性地施加的影像信號(hào)電壓而放電。因放電產(chǎn)生的紫外線將各色熒光體層激發(fā)。激發(fā)后的熒光體層發(fā)出紅色、 綠色、藍(lán)色光。PDP以這種方式實(shí)現(xiàn)彩色圖像顯示(參照專利文獻(xiàn)1)。保護(hù)層主要具備四個(gè)功能。第一，保護(hù)電介體層免受因放電造成的離子沖擊。第二，放出用于產(chǎn)生數(shù)據(jù)放電的初始電子。第三，保持用于產(chǎn)生放電的電荷。第四，在維持放電時(shí)放出二次電子。通過針對(duì)離子沖擊對(duì)電介體層施加保護(hù)，可抑制放電電壓的上升。通過增加初始電子放出數(shù)量，能夠減少成為圖像閃爍的原因的數(shù)據(jù)放電錯(cuò)誤。通過提高電荷保持性能，可減少印加電壓。通過增加二次電子放出數(shù)量，可降低維持放電電壓。為了使初始電子放出數(shù)量增加，例如，嘗試向保護(hù)層的MgO添加硅(Si)或鋁(Al)等(例如，參照專利文獻(xiàn)1、2、3、4、5等)。在先技術(shù)文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)1日本特開2002-260535號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)2日本特開平11-339665號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)3日本特開2006-59779號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)4日本特開平8-2360 號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)5日本特開平10-3；34809號(hào)公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容
在PDP的制造方法中，PDP具備背面板和與背面板對(duì)置配置的前面板。前面板具有玻璃基板、形成在玻璃基板上的顯示電極、覆蓋顯示電極的電介體層、覆蓋電介體層的保護(hù)層。顯示電極包括帶狀的掃描電極和與掃描電極平行的帶狀的維持電極。保護(hù)層包括形成在電介體層上的基底層。在基底層遍及整面地分散配置有多個(gè)氧化鎂的結(jié)晶粒子凝聚而成的凝聚粒子?；讓又辽侔ǖ谝唤饘傺趸锖偷诙饘傺趸铩６?，基底層在X射線衍射分析中具有至少一個(gè)峰值?；讓拥姆逯滴挥诘谝唤饘傺趸锏腦射線衍射分析中的第一峰值與第二金屬氧化物的X射線衍射分析中的第二峰值之間。第一峰值及第二峰值
4表示與基底層的峰值所示的面方位相同的面方位。第一金屬氧化物及第二金屬氧化物為從氧化鎂、氧化鈣、氧化鍶及氧化鋇所構(gòu)成的組中選出的兩種。 該P(yáng)DP的制造方法包括以下的過程。在玻璃基板上形成所述顯示電極。接著，形成覆蓋顯示電極的電介體層。隨后，在電介體層上形成保護(hù)層。然后，在惰性氣體氣氛下對(duì)掃描電極和維持電極施加電壓而在掃描電極與維持電極之間產(chǎn)生放電，由此，產(chǎn)生惰性氣體的離子而對(duì)保護(hù)層進(jìn)行濺射。


圖1是表示實(shí)施方式的PDP的構(gòu)造的立體圖。
圖2是表示實(shí)施方式的前面板的結(jié)構(gòu)的剖視圖。
圖3是表示實(shí)施方式的前面板的電極配置的圖。
圖4是表示實(shí)施方式的PDP的制造工序的圖。
圖5是表示實(shí)施方式的前面板的圖。
圖6是從背面板側(cè)觀察到的實(shí)施方式的PDP的圖。
圖7是表示實(shí)施方式的基底膜的X射線衍射分析的結(jié)果的圖。
圖8是表示實(shí)施方式的其他結(jié)構(gòu)的基底膜的X射線衍射分析的結(jié)果的圖。
圖9是實(shí)施方式的凝聚粒子的放大圖。
圖10是表示實(shí)施方式的PDP的放電延遲與保護(hù)層中的鈣(Ca)濃度的關(guān)系的圖。
圖11是表示該P(yáng)DP的電子放出性能與Vscn點(diǎn)燈電壓的關(guān)系的圖。
圖12是表示實(shí)施方式的凝聚粒子的平均粒徑與電子放出性能的關(guān)系的圖。
圖13是表示實(shí)施方式的凝聚粒子的平均粒徑與間隔壁破壞概率的關(guān)系的圖。
圖14是表示實(shí)施方式的保護(hù)層形成工序的圖。
圖15是表示實(shí)施方式的放電裝置的圖。
圖16是施加于實(shí)施方式的PDP的驅(qū)動(dòng)波形圖。
具體實(shí)施例方式[ 1.PDP的基本構(gòu)造]PDP的基本結(jié)構(gòu)為一般的交流面放電型PDP。如圖1所示，PDPl配置成由前面玻璃基板3等構(gòu)成的前面板2與由背面玻璃基板11等構(gòu)成的背面板10相對(duì)置。前面板2和背面板10的外周部通過由玻璃熔料等構(gòu)成的密封件實(shí)現(xiàn)氣密密封。在被密封的PDPl內(nèi)部的放電空間16內(nèi)，Ne及Xe等放電氣體以53kPa 80kPa的壓力被封入。在前面玻璃基板3上，由掃描電極4及維持電極5構(gòu)成的一對(duì)帶狀的顯示電極6 和黑條7相互平行地分別配置有多列。在前面玻璃基板3上以覆蓋顯示電極6和黑條7的方式形成有作為電容器工作的電介體層8。而且，在電介體層8的表面形成有由MgO等構(gòu)成的保護(hù)層9。而且，如圖2所示，本實(shí)施方式的保護(hù)層9包含層疊在電介體層8上的作為基底層的基底膜91和附著在基底膜91上的凝聚粒子92。另外，如圖3所示，在掃描電極4與維持電極5之間的相對(duì)狹窄的區(qū)域內(nèi)形成有主間隙50。主間隙50是在PDPl內(nèi)產(chǎn)生維持放電的區(qū)域。在掃描電極4與維持電極5之間的相對(duì)廣闊的區(qū)域內(nèi)形成有像素間隙 (inter-pixel gap)600維持放電并未擴(kuò)大到像素間隙60。即，放電區(qū)域是夾著主間隙50的大致掃描電極4與維持電極5之間的區(qū)域。掃描電極4及維持電極5分別在由銦錫氧化物(ITO)、二氧化錫(SnO2)、氧化亞鉛 (ZnO)等導(dǎo)電性金屬氧化物構(gòu)成的透明電極上層疊有含有Ag的總線電極。在背面玻璃基板11上，沿與顯示電極6正交的方向相互平行地配置有由以銀(Ag) 為主要成分的導(dǎo)電性材料構(gòu)成的多個(gè)數(shù)據(jù)電極12。數(shù)據(jù)電極12由基底電介體層13覆蓋。 數(shù)據(jù)電極12覆蓋在基底電介體層13上。而且，在數(shù)據(jù)電極12間的基底電介體層13上形成有劃分放電空間16的具有規(guī)定高度的間隔壁14。在基底電介體層13上及間隔壁14的側(cè)面按照每個(gè)數(shù)據(jù)電極12依次涂敷形成有通過紫外線發(fā)出紅色光的熒光體層15、發(fā)出綠色光的熒光體層15及發(fā)出藍(lán)色光的熒光體層15。在顯示電極6與數(shù)據(jù)電極12交叉的位置形成有放電單元。在顯示電極6方向排列的具有紅色、綠色、藍(lán)色的熒光體層15的放電單元成為用于彩色顯示的像素。需要說明的是，在本實(shí)施方式中，封入放電空間16的放電氣體含有10體積％以上 30%體積以下的Xe。[2. PDP的制造方法]接下來，利用圖4對(duì)PDPl的制造方法進(jìn)行說明。首先，說明前面板2的制造方法。如圖4所示，在電極形成工序Sll中，通過光刻法在前面玻璃基板3上形成掃描電極4及維持電極5和黑條7。掃描電極4及維持電極5 具有含有用于確保導(dǎo)電性的Ag的總線電極4b、5b。另外，掃描電極4及維持電極5具有透明電極^i、5a。總線電極4b層疊在透明電極如上。總線電極恥層疊在透明電極^1上。關(guān)于透明電極^、5a的材料，使用用于確保透明度和電傳導(dǎo)度的ITO等。首先，通過濺射法等在前面玻璃基板3上形成ITO薄膜。接下來，通過光刻法形成規(guī)定圖案的透明電極4a>5a0關(guān)于總線電極4bjb的材料，使用含有Ag、用于使Ag結(jié)合的玻璃熔料、感光性樹脂和溶劑等的白色膏劑。首先，通過絲網(wǎng)印刷法等將白色膏劑涂敷在前面玻璃基板3上。然后，利用干燥爐去除白色膏劑中的溶劑。然后，經(jīng)由規(guī)定的圖案的光掩膜使白色膏劑曝光。然后，白色膏劑顯影而形成總線電極圖案。最后，通過燒成爐以規(guī)定的溫度將總線電極圖案燒成。S卩，將總線電極圖案中的感光性樹脂除去。另外，總線電極圖案中的玻璃熔料熔融。熔融后的玻璃熔料在燒成后再度玻璃化。通過以上的工序形成總線電極4b、5b。于是，在透明電極如與透明電極如之間的相對(duì)狹窄的區(qū)域內(nèi)形成主間隙50。在透明電極如與透明電極fe之間的相對(duì)廣闊的區(qū)域形成像素間隙60。黑條7使用含有黑色顏料的材料。黑條7利用絲網(wǎng)印刷法等而形成在顯示電極6 間。另外，如圖5所示，在形成掃描電極4及維持電極5的同時(shí)，形成掃描電極側(cè)引出部21及維持電極側(cè)引出部23。掃描電極側(cè)引出部21及維持電極側(cè)引出部23形成在未被電介體層8及保護(hù)層9覆蓋的區(qū)域。在掃描電極側(cè)引出部21形成有向掃描電極4傳遞來自電路基板的信號(hào)的多個(gè)掃描電極端子22。在維持電極側(cè)引出部23形成有多個(gè)向維持電極5傳遞來自電路基板的信號(hào)的維持電極端子M。接下來，在電介體層形成工序S12中，形成電介體層8。關(guān)于電介體層8的材料， 使用含有電介體玻璃熔料、樹脂和溶劑等的電介體膏劑。首先，利用金屬型涂料法等將電介體膏劑以通過規(guī)定厚度覆蓋掃描電極4、維持電極5及黑條7的方式涂敷在前面玻璃基板3 上。接下來，通過干燥爐去除電介體膏劑中的溶劑。最后，通過燒成爐以規(guī)定的溫度燒成電介體膏劑。S卩，去除電介體膏劑中的樹脂。另外，電介體玻璃熔料熔融。熔融后的玻璃熔料在燒成后再度玻璃化。通過以上的工序S12形成電介體層8。在此，除了將電介體膏劑進(jìn)行金屬型涂敷的方法以外，還可以使用絲網(wǎng)印刷法、旋涂(spin code)法等。另外，也可以不使用電介體膏劑，通過CVD(化學(xué)氣相沉積(Chemical Vapor D印osition))法等也可以形成成為電介體層8的膜。關(guān)于電介體層8的詳細(xì)內(nèi)容將進(jìn)行后述。接下來，在保護(hù)層形成工序S13中，在電介體層8上形成保護(hù)層9。在保護(hù)層中含有基底膜91與分散配置在基底膜91上的凝聚粒子92。在基底膜91中含有至少兩種金屬氧化物。關(guān)于保護(hù)層9的詳細(xì)內(nèi)容及保護(hù)層形成工序S13的詳細(xì)內(nèi)容將進(jìn)行后述。隨后，在濺射工序S14中對(duì)保護(hù)層9表面進(jìn)行濺射。通過對(duì)保護(hù)層9表面進(jìn)行濺射，從而使保護(hù)層9表面的金屬氧化物的濃度比發(fā)生變化。關(guān)于濺射工序S14的詳細(xì)內(nèi)容將進(jìn)行后述。通過以上的工序Sll S14在前面玻璃基板3上形成掃描電極4、維持電極5、黑條7、電介體層8、保護(hù)層9，從而完成前面板2。接下來，對(duì)背面板制作工序S21進(jìn)行說明。通過光刻法在背面玻璃基板11上形成數(shù)據(jù)電極12。關(guān)于數(shù)據(jù)電極12的材料，使用含有用于確保導(dǎo)電性的Ag和用于使Ag結(jié)合的玻璃熔料和感光性樹脂和溶劑等的數(shù)據(jù)電極膏劑。首先，通過絲網(wǎng)印刷法等以規(guī)定的厚度在背面玻璃基板11上涂敷數(shù)據(jù)電極膏劑。然后，通過干燥爐去除數(shù)據(jù)電極膏劑中的溶劑。 接著，經(jīng)由規(guī)定圖案的光掩膜使數(shù)據(jù)電極膏劑曝光。然后，數(shù)據(jù)電極膏劑顯影而形成數(shù)據(jù)電極圖案。最后，通過燒成爐以規(guī)定的溫度將數(shù)據(jù)電極圖案燒成。即，去除數(shù)據(jù)電極圖案中的感光性樹脂。另外，數(shù)據(jù)電極圖案中的玻璃熔料熔融。熔融后的玻璃熔料在燒成后再度玻璃化。通過以上的工序形成數(shù)據(jù)電極12。在此，除了將數(shù)據(jù)電極膏劑進(jìn)行絲網(wǎng)印刷的方法以外，還可以使用濺射法、蒸鍍法等。接下來，形成基底電介體層13。關(guān)于基底電介體層13的材料，使用含有電介體玻璃熔料和樹脂和溶劑等的基底電介體膏劑。首先，通過絲網(wǎng)印刷法等以規(guī)定的厚度在形成有數(shù)據(jù)電極12的背面玻璃基板11上涂敷基底電介體膏劑，從而將數(shù)據(jù)電極12覆蓋。接著， 通過干燥爐去除基底電介體膏劑中的溶劑。最后，通過燒成爐以規(guī)定的溫度燒成基底電介體膏劑。即，去除基底電介體膏劑中的樹脂。另外，電介體玻璃熔料熔融。熔融后的玻璃熔料在燒成后再度玻璃化。通過以上的工序形成基底電介體層13。在此，除了將基底電介體膏劑進(jìn)行絲網(wǎng)印刷的方法以外，還可以使用金屬型涂料法、旋涂法等。另外，也可以不使用基底電介體膏劑，通過CVD法等形成成為基底電介體層13的膜。然后，通過光刻法形成間隔壁14。關(guān)于間隔壁14的材料，使用含有填料、用于使填料結(jié)合的玻璃熔料、感光性樹脂、溶劑等的間隔壁膏劑。首先，通過金屬型涂料法等，以規(guī)定的厚度在基底電介體層13上涂敷間隔壁膏劑。然后，通過干燥爐去除間隔壁膏劑中的溶劑。接下來，經(jīng)由規(guī)定的圖案的光掩膜使間隔壁膏劑曝光。然后，間隔壁膏劑顯影而形成間隔壁圖案。最后，通過燒成爐以規(guī)定的溫度燒成間隔壁圖案。即，去除間隔壁圖案中的感光性樹脂。另外，間隔壁圖案中的玻璃熔料熔融。熔融后的玻璃熔料在燒成后再度玻璃化。通過以上的工序形成間隔壁14。在此，除了光刻法以外，還可以使用噴砂法等。
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接下來，形成熒光體層15。關(guān)于熒光體層15的材料，使用含有熒光體、粘結(jié)劑和溶劑等的熒光體膏劑。首先，通過散播(dispense)法等以規(guī)定的厚度在鄰接的間隔壁14間的基底電介體層13上及間隔壁14的側(cè)面上涂敷熒光體膏劑。接下來，通過干燥爐去除熒光體膏劑中的溶劑。最后，通過燒成爐以規(guī)定的溫度燒成熒光體膏劑。即，去除熒光體膏劑中的樹脂。通過以上的工序形成熒光體層15。在此，除了散播法以外，還可以使用絲網(wǎng)印刷法、噴墨法等。通過以上的背面板制作工序S21，在背面玻璃基板11上形成具有規(guī)定的構(gòu)成構(gòu)件的背面板10。接下來，在熔料涂敷工序S22中，通過散播法在背面板10的周圍形成密封件(未圖示)。關(guān)于密封件(未圖示)的材料，使用含有玻璃熔料和粘結(jié)劑和溶劑等的密封膏劑。 隨后，通過干燥爐去除密封膏劑中的溶劑。然后，組裝前面板2和背面板10。在排列工序(aligning step)S31中，以顯示電極6與數(shù)據(jù)電極12正交的方式，將前面板2和背面板10對(duì)置配置。如圖6所示，從背面板 10側(cè)觀察PDPl時(shí)，掃描電極側(cè)引出部21和維持電極側(cè)引出部23突出。接下來，在密封排氣工序S32中，利用玻璃熔料密封前面板2和背面板10的周圍， 并將放電空間16內(nèi)排氣。最后，在放電氣體供給工序S33中，向放電空間16封入含有Ne、Xe等的放電氣體。最后，由于組裝后的PDPl通常維持電壓高且放電本身也不穩(wěn)定，所以進(jìn)行老化 (ageing)工序S34。通過老化工序S34使PDPl的制造工序中的PDPl的放電特性均勻。另外，使得PDPl的放電特性穩(wěn)定。通過以上的工序完成PDP1。[3.電介體層的詳細(xì)內(nèi)容]說明電介體層8的詳細(xì)內(nèi)容。電介體層8由第一電介體層81和第二電介體層82 構(gòu)成。第一電介體層81的電介體材料含有以下的成分。三氧化二鉍(Bi2O3)為20重量％ 40重量％。從由氧化鈣(CaO)、氧化鍶(SrO)及氧化鋇(BaO)構(gòu)成的組中選出的至少1種為0. 5重量％ 12重量％。從由三氧化鉬(MoO3)、三氧化鎢(WO3)、二氧化鈰(CeO2)及二氧化錳(MnO2)構(gòu)成的組中選出的至少1種為0. 1重量％ 7重量％。需要說明的是，也可以替代由Mo03、W03、CeO2及MnO2構(gòu)成的組，而含有0. 1重量％ 7重量％的從由氧化銅(CuO)、三氧化二鉻(Cr2O3)、三氧化二鈷(Co2O3)、七氧化二釩 (V2O7)及三氧化二銻(SId2O3)構(gòu)成的組中選出的至少1種化合物。另外，作為上述成分以外的成分，也可以含有ZnO為0重量％ 40重量％、三氧化二硼(B2O3)為0重量％ ；35重量％、二氧化硅(SiO2)為0重量％ 15重量％、三氧化二鋁(Al2O3)為0重量％ 10重量％等不含鉛成分的成分。電介體材料以通過濕式噴射研磨或球磨使平均粒徑成為0. 5 μ m 2. 5 μ m的方式被粉碎而制作電介體材料粉末。接下來，陽重量％ 70重量％的該電介體材料粉末和30 重量％ 45重量％的粘結(jié)劑成分通過三根輥充分混煉而成為金屬型涂料用或印刷用的第一電介體層用膏劑。粘結(jié)劑成分為乙基纖維素或含有1重量％ 20重量％的丙烯酸樹脂的松油醇或二甘醇丁醚醋酸酯。另外，在膏劑中，根據(jù)需要可添加作為可塑劑的鄰苯二甲酸二辛酯、鄰苯二甲酸二丁酯、磷酸三苯酯、磷酸三丁酯。另外，作為分散劑可以添加甘油單油酸酯、脫水山梨醇倍半油酸酯、homogenol (花王公司制商品名)、烷基芳基的磷酸酯等。若添加分散齊U，則可提高印刷性。第一電介體層用膏劑覆蓋顯示電極6而通過金屬型涂料法或絲網(wǎng)印刷法印刷在前面玻璃基板3上。被印刷的第一電介體層用膏劑在干燥后，以比電介體材料的軟化點(diǎn)稍高的溫度的575°C 590°C燒成，從而形成第一電介體層81。接下來，說明第二電介體層82。第二電介體層82的電介體材料含有以下的成分。 Bi2O3為11重量％ 20重量％。從CaO、Sr0、Ba0選出的至少1種為1.6重量％ 21重量％。從Mo03、W03、CeA中選出的至少1種為0. 1重量％ 7重量％。需要說明的是，也可以替代Mo03、W03、Ce02，而含有0. 1重量％ 7重量％的從CuO、 Cr2O3、Co203、V2O7, Sb203> MnO2 中選出的至少 1 種。另外，作為上述的成分以外的成分，也可以含有ZnO為0重量％ 40 Mfi%> B2O3 為0重量％ 35重量％、Si&為0重量％ 15重量％、A1203為0重量％ 10重量％等不含鉛成分的成分。電介體材料以通過濕式噴射研磨或球磨使平均粒徑成為0. 5 μ m 2. 5 μ m的方式被粉碎而制作電介體材料粉末。然后，陽重量％ 70重量％的該電介體材料粉末、30重量％ 45重量％的粘結(jié)劑成分通過三根輥充分混煉而成為金屬型涂料用或印刷用的第二電介體層用膏劑。粘結(jié)劑成分為乙基纖維素或含有1重量％ 20重量％的丙烯酸樹脂的松油醇或二甘醇丁醚醋酸酯。另外，在膏劑中，根據(jù)需要可添加作為可塑劑的鄰苯二甲酸二辛酯、鄰苯二甲酸二丁酯、磷酸三苯酯、磷酸三丁酯。另外，作為分散劑可以添加甘油單油酸酯、脫水山梨醇倍半油酸酯、homogenol (花王公司制商品名)、烷基芳基的磷酸酯等。若添加分散齊U，則可提高印刷性。第二電介體層用膏劑通過絲網(wǎng)印刷法或金屬型涂料法印刷在第一電介體層81 上。印刷的第二電介體層用膏劑在干燥后以比電介體材料的軟化點(diǎn)稍高的溫度的550°C 590°C燒成，從而形成第二電介體層82。需要說明的是，為確?？梢姽馔干渎剩瑢?duì)于電介體層8的膜厚而言，優(yōu)選第一電介體層81和第二電介體層82合計(jì)為41 μ m以下。對(duì)于第一電介體層81而言，為了抑制與總線電極4b、5b的Ag的反應(yīng)，使Bi2O3的含有量比第二電介體層82的Bi2O3的含有量多而成為20重量％ 40重量％。于是，由于第一電介體層81的可見光透射率比第二電介體層82的可見光透射率低，從而第一電介體層81的膜厚比第二電介體層82的膜厚薄。對(duì)于第二電介體層82而言，若Bi2O3的含有量小于11重量％，則難以產(chǎn)生著色，但在第二電介體層82中容易產(chǎn)生氣泡。因此，不優(yōu)選Bi2O3的含有量小于11重量％。另一方面，若Bi2O3的含有率超過40重量％，則容易產(chǎn)生著色，因此可見光透射率下降。從而，不期望Bi2O3的含有量超過40重量％。另外，電介體層8的膜厚越小則亮度提高和放電電壓降低的效果越明顯。因此，只要在絕緣耐壓不下降的范圍內(nèi)，則優(yōu)選盡量將膜厚設(shè)定得小。根據(jù)以上的觀點(diǎn)，在本實(shí)施方式中，將電介體層8的膜厚設(shè)定為41 μ m以下，使第一電介體層81為5μπι 15 μ m，使第二電介體層82為20 μ m 36 μ m。對(duì)于以如上的方式制造的PDPl而言，即使顯示電極6使用Ag材料，也可以抑制前面玻璃基板3的著色現(xiàn)象(變黃)及電介體層8中的氣泡的產(chǎn)生等，從而確認(rèn)出實(shí)現(xiàn)了絕緣耐壓性能優(yōu)良的電介體層8的情況。然后，在本實(shí)施方式的PDPl中，對(duì)通過這些電介體材料可抑制第一電介體層81中的變黃或氣泡的產(chǎn)生的理由進(jìn)行考察。即可知，通過向含有Bi2O3的電介體玻璃添加臨03或 WO3, Ag2MoO4, Ag2Mo2O7, Ag2Mo4O13^ Ag2WO4, Ag2W2O7, Ag2W4O13 這種化合物在 5S0°C 以下的低溫容易生成。在本實(shí)施方式中，因?yàn)殡娊轶w層8的燒成溫度為550°C 590°C，所以在燒成中向電介體層8中擴(kuò)散的銀離子(Ag+)與電介體層8中的Mo03、WO3> CeO2, MnO2反應(yīng)，從而生成穩(wěn)定的化合物而實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定化。即，由于在Ag+未被還原的情況下實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定化，因此不會(huì)凝聚而生成膠體。因此，通過使Ag+穩(wěn)定化，從而減少伴隨Ag的膠體化而產(chǎn)生的氧，因此向電介體層8中產(chǎn)生的氣泡也變少。另一方面，為了使這些效果有效，優(yōu)選使含有Bi2O3的電介體玻璃中的Mo03、W03> Ce02、Mn02的含有量為0. 1重量％以上，進(jìn)一步優(yōu)選為0. 1重量％以上、7重量％以下。尤其是，若不足0. 1重量％則抑制變黃的效果變小，若超過7重量％則引起玻璃上的著色，因此不優(yōu)選。 即，對(duì)于本實(shí)施方式的PDPl的電介體層8而言，利用與由Ag材料構(gòu)成的總線電極 4bjb相接的第一電介體層81抑制變黃現(xiàn)象和氣泡產(chǎn)生，通過設(shè)置在第一電介體層81上的第二電介體層82實(shí)現(xiàn)高光透射率。其結(jié)果是，電介體層8整體能夠?qū)崿F(xiàn)氣泡或變黃的產(chǎn)生極少且透射率高的PDP。[4.保護(hù)層的詳細(xì)內(nèi)容]保護(hù)層9含有作為基底層的基底膜91和凝聚粒子92?；啄?1至少含有第一金屬氧化物和第二金屬氧化物。第一金屬氧化物及第二金屬氧化物為從由MgO、CaO, SrO 及BaO構(gòu)成的組中選出的兩種。而且，基底膜91在X射線衍射分析中具有至少一個(gè)峰值。 該峰值位于第一金屬氧化物的X射線衍射分析中的第一峰值與第二金屬氧化物的X射線衍射分析中的第二峰值之間。第一峰值和第二峰值表示與基底膜91的峰值所示的面方位 (surface orientation) t百同的面方" 立。[4-1.基底膜的詳細(xì)內(nèi)容]本實(shí)施方式的構(gòu)成PDPl的保護(hù)層9的基底膜91面的X射線衍射結(jié)果在圖7中示出。另外，在圖7中還示出MgO單體、CaO單體、SrO單體及BaO單體的X射線衍射分析的結(jié)^ ο在圖7中，橫軸為布拉格的衍射角O θ )，縱軸為X射線衍射波的強(qiáng)度。衍射角的單位由1周為360度的度進(jìn)行表示，強(qiáng)度由任意單位(arbitrary unit)表示。對(duì)作為特定方位面的結(jié)晶方位面附加括號(hào)而進(jìn)行表示。如圖7所示，在(111)的面方位，CaO單體在衍射角32. 2度處具有峰值。MgO單體在衍射角36. 9度處具有峰值。SrO單體在衍射角30. 0度處具有峰值。BaO單體在衍射角 27. 9度處具有峰值。在本實(shí)施方式的PDPl中，保護(hù)層9的基底膜91含有從由MgO、CaO, SrO及BaO構(gòu)成的組中選出的至少2種以上的金屬氧化物。
關(guān)于構(gòu)成基底膜91的單體成分為兩種成分的情況下的X射線衍射結(jié)果在圖7中示出。A點(diǎn)為作為單體成分使用MgO和CaO的單體而形成的基底膜91的X射線衍射結(jié)果。 B點(diǎn)為作為單體成分使用MgO和SrO的單體而形成的基底膜91的X射線衍射結(jié)果。C點(diǎn)為作為單體成分使用MgO和BaO的單體而形成的基底膜91的X射線衍射結(jié)果。如圖7所示，A點(diǎn)在(111)的面方位上在衍射角36. 1度處具有峰值。成為第一金屬氧化物的MgO單體在衍射角36. 9度處具有峰值。成為第二金屬氧化物的CaO單體在衍射角32. 2度處具有峰值。即，D點(diǎn)的峰值存在于MgO單體的峰值與SrO單體的峰值之間。 同樣，E點(diǎn)的峰值在衍射角為32. 8度處，存在于成為第一金屬氧化物的MgO單體的峰值與成為第二金屬氧化物的BaO單體的峰值之間。F點(diǎn)的峰值在衍射角為30. 2度處，也存在于成為第一金屬氧化物的CaO單體的峰值與成為第二金屬氧化物的BaO單體的峰值之間。另外，構(gòu)成基底膜91的單體成分為三種成分以上的情況下的X射線衍射結(jié)果在圖 8中示出。D點(diǎn)為作為單體成分使用MgO、CaO及SrO形成的基底膜91的X射線衍射結(jié)果。 E點(diǎn)為作為單體成分使用Mg0、Ca0及BaO形成的基底膜91的X射線衍射結(jié)果。F點(diǎn)為作為單體成分使用CaO、SrO及BaO形成的基底膜91的X射線衍射結(jié)果。如圖8所示，D點(diǎn)在(111)的面方位上在衍射角33. 4度處具有峰值。成為第一金屬氧化物的MgO單體在衍射角36. 9度處具有峰值。成為第二金屬氧化物的SrO單體在衍射角30. 0度處具有峰值。即，A點(diǎn)的峰值存在于MgO單體的峰值與CaO單體的峰值之間。 同樣，E點(diǎn)的峰值在衍射角為32. 8度處，存在于成為第一金屬氧化物的MgO單體的峰值與成為第二金屬氧化物的BaO單體的峰值之間。F點(diǎn)的峰值在衍射角為30. 2度處，也存在于成為第一金屬氧化物的MgO單體的峰值與成為第二金屬氧化物的BaO單體的峰值之間。因此，本實(shí)施方式的PDPl的基底膜91至少含有第一金屬氧化物和第二金屬氧化物。而且，基底膜91在X射線衍射分析中具有至少一個(gè)峰值。該峰值存在于第一金屬氧化物的X射線衍射分析的第一峰值與第二金屬氧化物的X射線衍射分析的第二峰值之間。第一峰值和第二峰值表示與基底膜91的峰值所示的面方位相同的面方位。第一金屬氧化物及第二金屬氧化物為從由MgO、CaO、SrO及BaO構(gòu)成的組中選出的兩種。需要說明的是，在上述的說明中，作為結(jié)晶的面方位面以(111)為對(duì)象進(jìn)行了說明，但是，在以其他面方位作為對(duì)象的情況下，金屬氧化物的峰值的位置也與上述情況同樣。CaO、SrO及BaO的距真空能級(jí)的深度存在于比MgO淺的區(qū)域。因此，可以想到的是，在驅(qū)動(dòng)PDPl的情況下，存在于CaO、SrO、BaO的能級(jí)的電子向Xe離子的基底狀態(tài)遷移時(shí)，通過俄歇效應(yīng)放出的電子數(shù)比從MgO的能級(jí)遷移的情況多。另外，如上述那樣，本實(shí)施方式的基底膜91的峰值位于第一金屬氧化物的峰值與第二金屬氧化物的峰值之間。S卩，基底膜91的能級(jí)存在于單體的金屬氧化物之間，可以想到的是，通過俄歇效應(yīng)放出的電子數(shù)比從MgO的能級(jí)遷移的情況多。其結(jié)果是，與MgO單體相比，利用基底膜91能夠發(fā)揮良好的二次電子放出特性，其結(jié)果是，能夠降低維持電壓。因此，尤其是為了提高亮度而提高作為放電氣體的^分壓的情況下，能夠降低放電電壓，實(shí)現(xiàn)低電壓且高亮度的PDP1。在表1中示出，在本實(shí)施方式的PDPl中將60kPa的Xe及Ne的混合氣體(Xe、15% ) 封入且改變了基底膜91的構(gòu)成的情況下的維持電壓的結(jié)果。
1表1
權(quán)利要求
1.一種等離子顯示面板的制造方法，所述等離子顯示面板具備背面板和與所述背面板對(duì)置配置的前面板， 所述前面板具有電介體層和覆蓋所述電介體層的保護(hù)層， 所述保護(hù)層包括形成在所述電介體層上的基底層，在所述基底層的整面上分散配置有多個(gè)氧化鎂的結(jié)晶粒子凝聚而成的凝聚粒子， 所述基底層至少包括第一金屬氧化物和第二金屬氧化物， 而且，所述基底層在X射線衍射分析中具有至少一個(gè)峰值，所述峰值位于第一金屬氧化物的X射線衍射分析中的第一峰值與第二金屬氧化物的X 射線衍射分析中的第二峰值之間，所述第一峰值及所述第二峰值表示與所述峰值所示的面方位相同的面方位， 所述第一金屬氧化物及所述第二金屬氧化物為從由氧化鎂、氧化鈣、氧化鍶及氧化鋇構(gòu)成的組中選出的兩種，在所述等離子顯示面板的制造方法中， 在所述電介體層上形成所述保護(hù)層，然后，在所述保護(hù)層表面進(jìn)行濺射，進(jìn)而使被濺射的所述保護(hù)層的成分再堆積，從而改變所述保護(hù)層表面的所述第一金屬氧化物與所述第二金屬氧化物的濃度比。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子顯示面板的制造方法，其中，所述前面板還具有玻璃基板、形成在所述玻璃基板上且被所述電介體層覆蓋的顯示電極，在所述玻璃基板上形成所述顯示電極， 然后，形成覆蓋所述顯示電極的所述電介體層， 接著，在所述電介體層上形成所述保護(hù)層， 接著，在惰性氣體氣氛下對(duì)所述顯示電極施加電壓而產(chǎn)生放電， 進(jìn)而，利用通過所述放電產(chǎn)生的所述惰性氣體的離子對(duì)所述保護(hù)層表面進(jìn)行濺射， 并且，通過使被濺射的所述保護(hù)層的成分再堆積，從而改變所述保護(hù)層表面的所述濃貞t匕。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的等離子顯示面板的制造方法，其中， 在惰性氣體氣氛下，向所述顯示電極施加電壓而產(chǎn)生放電，進(jìn)而，利用通過所述放電產(chǎn)生的所述惰性氣體的離子對(duì)所述保護(hù)層表面進(jìn)行濺射， 并且，通過使被濺射的所述保護(hù)層的成分再堆積，從而改變所述保護(hù)層表面的相當(dāng)于產(chǎn)生所述放電的區(qū)域的放電區(qū)域的所述濃度比和所述保護(hù)層表面的相當(dāng)于未產(chǎn)生所述放電的區(qū)域的非放電區(qū)域的所述濃度比。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的等離子顯示面板的制造方法，其中， 在惰性氣體氣氛下，對(duì)所述顯示電極施加電壓而產(chǎn)生放電，進(jìn)而，利用通過所述放電產(chǎn)生的所述惰性氣體的離子對(duì)所述保護(hù)層表面進(jìn)行濺射， 并且，通過使被濺射的所述保護(hù)層的成分再堆積，從而改變所述保護(hù)層表面的被濺射的區(qū)域的所述濃度比和所述保護(hù)層表面的未被濺射的區(qū)域的所述濃度比。
5.根據(jù)權(quán)利要求3或4所述的等離子顯示面板的制造方法，其中， 在惰性氣體氣氛下，對(duì)所述掃描電極和所述維持電極施加電壓而產(chǎn)生放電，進(jìn)而，利用通過所述放電產(chǎn)生的所述惰性氣體的離子對(duì)所述保護(hù)層表面進(jìn)行濺射， 并且，通過使被濺射的所述保護(hù)層的成分再堆積，從而改變所述顯示電極上的所述保護(hù)層表面的所述濃度比和未形成所述顯示電極的區(qū)域上的所述保護(hù)層表面的所述濃度比。
全文摘要
本發(fā)明提供一種等離子顯示面板的制造方法。具有包含金屬氧化物的基底層和在基底層上分散配置的凝聚粒子的等離子顯示面板的制造方法包括以下的過程。在電介體層上形成保護(hù)層。接下來，對(duì)保護(hù)層表面進(jìn)行濺射。而且，通過使得被濺射的保護(hù)層的成分再堆積，從而改變保護(hù)層表面的第一金屬氧化物與第二金屬氧化物的濃度比。
文檔編號(hào)H01J11/22GK102449723SQ201180002230
公開日2012年5月9日 申請(qǐng)日期2011年3月16日 優(yōu)先權(quán)日2010年3月26日
發(fā)明者吉野恭平, 頭川武央, 林海, 武田英治, 石橋?qū)? 辻田卓司, 野本和也 申請(qǐng)人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會(huì)社