專利名稱：等離子顯示器面板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種利用了由氣體放電帶來的放射(radiation)的等離子顯示器面 板。特別是涉及一種面臨放電空間的表面層(保護(hù)膜)的特性的改良技術(shù)。
背景技術(shù)：
等離子顯示器面板(以下，稱為PDP)是利用來自氣體放電的放射的平面顯示裝 置。容易進(jìn)行高速的顯示及大型化，廣泛實用于視頻顯示裝置及宣傳顯示裝置等領(lǐng)域。 PDP有直流型(DC型)和交流型(AC型)，但面放電型AC型PDP在壽命特性及大型化 方面具有特別高的技術(shù)潛力，而被商品化。圖6是通常的AC型PDP中的放電單位即放電單元構(gòu)造的示意性組圖。該圖6 所示的PDPlx通過粘合前面板2及后面板9而構(gòu)成。第一基板即前面板2按照如下方式 構(gòu)成在前面板玻璃3的單面上配設(shè)有遍及多對的將掃描電極5及維持電極4作為一對的 顯示電極對6，以覆蓋該顯示電極對6的方式依次層疊電介質(zhì)層7及表面層8。掃描電極 5、維持電極4分別層疊透明電極51、41及總線線路52、42而構(gòu)成。電介質(zhì)層7由玻璃軟化點(diǎn)為550°C 600°C左右的范圍的低熔點(diǎn)玻璃形成，具有 AC型PDP特有的電流限制功能。表面層8起到保護(hù)上述電介質(zhì)層7及顯示電極對6免受等離子體放電的離子 轟擊，并且對放電空間15效率良好地發(fā)射二次電子，使PDP的放電起始電壓降低的職 責(zé)。通常，該表面層8使用二次電子發(fā)射特性、耐濺射性、可見光透過率優(yōu)良的氧化鎂 (MgO)，通過真空蒸鍍法、印刷法進(jìn)行成膜。另外，與表面層8相同的構(gòu)成有時也作為 專門以確保二次電子發(fā)射特性為目的的保護(hù)層(也稱為保護(hù)膜。)。另一方面，第二基板即后面板9以用于在后面板玻璃10上寫入圖像數(shù)據(jù)的多個 數(shù)據(jù)(尋址)電極11與上述前面板2的顯示電極對6在正交方向上交叉的方式進(jìn)行并設(shè)。 在后面板玻璃10上以覆蓋數(shù)據(jù)電極11的方式配設(shè)由低熔點(diǎn)玻璃構(gòu)成的電介質(zhì)層12。在 電介質(zhì)層12中，在與鄰接的放電單元(省略圖示)的邊界上，以由低熔點(diǎn)玻璃構(gòu)成的規(guī) 定高度的間隔壁(barrier rib)(肋部)13劃分放電空間15的方式，使條紋狀的多個圖案部 1231、1232分別組合形成為井字狀。在電介質(zhì)層12的表面和間隔壁13的側(cè)面形成有由 涂敷及燒結(jié)R、G、B各色的熒光體油墨而成的熒光體層14(熒光體層14R、14G、14B)。前面板2和后面板9以顯示電極對6和數(shù)據(jù)電極11的各長度方向間隔放電空間 15相互正交的方式進(jìn)行配設(shè)，在兩面板2、9的周圍進(jìn)行內(nèi)部密封。在密封的放電空間 15中，作為放電氣體，以約幾十kPa的壓力密封有Xe-Ne類或Xe-He類等的稀有氣體。 通過以上方式構(gòu)成PDPlx。為了用PDP進(jìn)行圖像顯示，使用將1場的視頻分割為多個子場(S.F.)的灰度表 現(xiàn)方式(例如，場內(nèi)時分顯示方式)等。可是，在近年來的電氣化制品中，期望低功率驅(qū)動化，對PDP也有同樣的要 求。在進(jìn)行高精細(xì)的圖像顯示的PDP中，將放電單元微細(xì)化，從而放電單元數(shù)也增大。
3因此，為了可靠地進(jìn)行寫入放電，為了在狹窄的放電空間內(nèi)使放電可靠地產(chǎn)生，就必須 提高工作電壓。PDP的工作電壓依賴于表面層的二次電子發(fā)射系數(shù)(Y)。公知γ為由 材料和放電氣體決定的值，材料的功函數(shù)越小，Y越高。工作電壓的上升在以低功率驅(qū) 動PDP上成為障礙。因此，在專利文獻(xiàn)1中，公開了通過以0.1mol% 20mol%的范圍對MgO添加 氧化鈰(CeO2)的非晶體構(gòu)造來構(gòu)成表面層的技術(shù)。具體而言，通過作為添加劑的CeO2 由非晶 體狀的MgO構(gòu)成表面層，防止其表面與雜質(zhì)氣體反應(yīng)而變質(zhì)(碳氧化)，實現(xiàn)抑 制工作電壓的上升。另外，在專利文獻(xiàn)2中，也公開了構(gòu)成以0.1mol% 20mol%的范圍對MgO添 加CeO2的非晶體構(gòu)造的表面層的技術(shù)。通過該構(gòu)成，實現(xiàn)PDP的放電起始電壓以及放 電維持電壓的降低。進(jìn)而，在專利文獻(xiàn)3中，公開了對MgO以重量比0.011 0.5的范圍添加CeO2
而成的表面層，由此，實現(xiàn)工作電壓的降低。而且，在專利文獻(xiàn)4中，公開了以SrO為主成分且混合CeO2的表面層。由此， 實現(xiàn)使PDP以低電壓穩(wěn)定地進(jìn)行放電。現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)1 日本特開2000-164143號公報專利文獻(xiàn)2:日本特開平11-339665號公報專利文獻(xiàn)3 日本特開2003-173738號公報專利文獻(xiàn)4:日本特開昭52-116067號公報

發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明要解決的問題但是，無論是上述任一種的現(xiàn)有技術(shù)，實際上都難說是充分達(dá)成了 PDP的低功 率驅(qū)動化。另外，包含CeO2的表面層的老化時間(aging time(時效時間))比MgO長，具
有生產(chǎn)效率上的課題。進(jìn)而，在PDP中存在“放電延遲”的問題。在PDP等顯示器領(lǐng)域中，伴隨圖像 顯示的高精細(xì)化，圖像源的信息量的增加推進(jìn)，處于顯示面的掃描電極(掃描線)數(shù)增加 的傾向。例如，在所謂的全高清(full-high-vision) TV中，與通常的NTSC方式的TV相 比，掃描線的數(shù)量增加到2倍以上。為了由這樣的高精細(xì)型PDP正確地進(jìn)行視頻顯示， 謀求按視頻源的信息量增加的量以高速進(jìn)行驅(qū)動。具體而言，需要在l/60[s]以內(nèi)高速驅(qū) 動1場的時序(sequence)。為了達(dá)成該目的，可舉出例如在子場中的寫入期間，使向數(shù)據(jù)電極施加的脈沖 的寬度變窄的方法。但是，如果只實施該方法，則“放電延遲”的問題變大。所謂“放電延遲”是 指在PDP的驅(qū)動時，從電壓脈沖的起動到實際上在放電單元內(nèi)產(chǎn)生放電為止產(chǎn)生時滯的 問題。如果為了實現(xiàn)高速驅(qū)動而縮短脈沖的寬度，則在各脈沖的寬度內(nèi)能夠放電結(jié)束的概率降低，因此，容易產(chǎn)生“放電延遲”。其結(jié)果是，時常在畫面上產(chǎn)生不亮單元(點(diǎn) 亮不良)，有損圖像顯示性能。特別是，在如專利文獻(xiàn)1那樣具備非晶體構(gòu)造的表面層的PDP中，由于難以從該表面層對放電空間發(fā)射抑制放電延遲的初始電子，所以能夠使 這樣的不亮單元引起的畫質(zhì)劣化比較大。這樣，在當(dāng)前的PDP中，存留有幾個要解決的課題。本發(fā)明是鑒于以上各課題而做成的，作為第一目的，提供一種通過改良表面層 使二次電子發(fā)射特性和電荷保持特性提高，從而可以穩(wěn)定地實現(xiàn)良好的圖像顯示性能的 發(fā)揮和低功率驅(qū)動的等離子顯示器面板。作為第二目的，提供一種除上述各效果之外，通過進(jìn)一步防止驅(qū)動時的放電延 遲的產(chǎn)生，從而即使是以高速驅(qū)動來顯示高精細(xì)圖像的情況，也能夠期待穩(wěn)定地發(fā)揮高 品位的圖像顯示性能的PDP。用于解決問題的方案為了達(dá)成上述目的，本發(fā)明提供一種等離子顯示器面板，配設(shè)有多個顯示電 極對的第一基板隔著放電空間與第二基板相向配置，在兩基板之間充滿放電氣體并被 進(jìn)行內(nèi)部密封，其中，在第一基板的面臨放電空間的面，配設(shè)有以CeO2為主成分、在 16mol%以上31mol%以下的范圍內(nèi)含有Ba的表面層。在此，所述表面層如果進(jìn)一步在16mol%以上24mol%以下的范圍內(nèi)含有Ba，貝Ij 在防止向表面層的碳氧化物的附著方面是更優(yōu)選的。另夕卜，所述表面層如果在26mol%以上29mol%以下的范圍內(nèi)含有Ba，則在獲得 降低驅(qū)動電壓的效果的方面是更優(yōu)選的。另外，所述表面層也可以成為具有熒石構(gòu)造的構(gòu)成。在此，可以在表面層的放電空間側(cè)還進(jìn)一步配設(shè)有MgO微粒子。即，可以將所 述表面層作為基底層，在其上將MgO以面臨放電空間的方式進(jìn)行配設(shè)，作為其整體，構(gòu) 成表面層。該MgO微粒子可以通過氣相氧化法制作?；蚩梢詿Y(jié)(bake) MgO前體而進(jìn)行制作。發(fā)明效果在具有以上的構(gòu)成的本發(fā)明的PDP中，其特征在于，以(^02為主體，在包含Ba 的表面層揮發(fā)出高的二次電子發(fā)射特性。作為其理由，考慮有以下的兩個理由。作為第一理由，可以舉出，通過在表面層添加Ba，從而該表面層的價電子帶的 能級從真空能級(vacuum level)設(shè)置到4 6eV左右的位置。如果將其與現(xiàn)在廣泛實用 化的MgO的表面層的價電子帶的電子能級(8eV左右)相比較，則示出俄歇中性化(auger neutralization)的過程中取得的激發(fā)所需的能量充分，二次電子發(fā)射特性非常大。另外， 通常BaO的表面穩(wěn)定性極差，數(shù)秒左右的大氣暴露就會進(jìn)行氫氧化、碳氧化。因此，在 形成由BaO構(gòu)成的表面層的情況下，不得不進(jìn)行在極凈化的狀況下的PDP制作工藝。與 此相對，由于本發(fā)明的表面層以具有高的化學(xué)穩(wěn)定性的CeO2作為主成分，所以只要在某 程度凈化的狀況下，則即使沒有那樣嚴(yán)密地控制成膜環(huán)境，也能夠形成具有高的二次電 子發(fā)射特性的表面層。作為第二理由，可舉出在表面層的禁帶(forbidden band)中形成由Ce引起的電子能級。在該P(yáng)DP的驅(qū)動時，能夠利用由所述Ce引起的電子能級捕獲的電子，增大所謂 的俄歇中性化的過程中取得的激發(fā)中可使用的能量。通過利用該增大的能量，從而大幅 提高表面層的二次電子發(fā)射特性。因此，即使是比較低的放電起始電壓，也能夠通過良 好的響應(yīng)性而開始放電，通過防止放電延遲，可以期待能夠通過低功率來驅(qū)動優(yōu)良的圖 像顯示性能的PDP的實現(xiàn)。
另外，在表面層中，由Ce引起的電子能級從真空能級形成到某左右的深度 (即，能量上不過淺的深度)，該電子能級捕獲的電子不容易發(fā)射。由此，降低了在驅(qū)動 時表面層中的電荷過度地消失這樣所謂的“電荷泄漏”的問題。這樣，通過在表面層中 發(fā)揮適當(dāng)?shù)碾姾杀３痔匦?，從而可以隨著時間經(jīng)過將二次電子發(fā)射到放電空間。因這樣的兩個理由，在本發(fā)明的PDP中，具有高的二次電子發(fā)射特性。另外，如果通過這樣將CeO2作為主體，將包含Ba的層作為基底層，在其表面進(jìn) 一步配設(shè)由氣相氧化法、前體燒結(jié)法等制作的MgO微粒子構(gòu)成的微粒子群，從而構(gòu)成表 面層，則除了能夠進(jìn)一步使二次電子發(fā)射特性提高而抑制放電延遲之外，還改善了放電 起始時的初始電子發(fā)射特性。由此，即使是高速驅(qū)動具有擁有微小放電空間的高精細(xì)單 元的PDP的情況，利用放電空間內(nèi)的豐富的電子，使放電產(chǎn)生，除可以得到良好的顯示 響應(yīng)性之外，也可以期待改善放電延遲及放電延遲的溫度依賴性的問題，作為結(jié)果，實 現(xiàn)了優(yōu)良的圖像顯示性能。另外，由此，即使驅(qū)動溫度遍及大寬度的溫度范圍，也能夠 穩(wěn)定地驅(qū)動PDP。


圖1是表示本發(fā)明實施方式1的PDP的構(gòu)成的剖面圖。圖2是表示各電極和驅(qū)動器的關(guān)系的示意圖。圖3是表示PDP的驅(qū)動波形例的圖。圖4是表示CeO2的電子能級和俄歇過程中的二次電子發(fā)射的情況的示意圖。圖5是表示本實施方式1的PDP的表面層及現(xiàn)有的PDP的保護(hù)膜的各電子能級、 和俄歇過程中的二次次電子發(fā)射的情況的示意圖。圖6是表示本發(fā)明實施方式2的PDP的構(gòu)成的剖面圖。圖7是表示使CeO2中的Ba濃度變化的樣品的X線衍射結(jié)果的圖表。圖8是表示通過XPS測定求得的碳氧化物占表面的比例的CeO2中的Ba濃度依 賴性的圖表。圖9是表示Xel5%中的放電起始電壓的CeO2中的Ba濃度依賴性的圖表。圖10是表示現(xiàn)有通常的PDP的構(gòu)成的組圖。
具體實施例方式下面，對本發(fā)明的實施方式及實施例進(jìn)行說明，但當(dāng)然本發(fā)明不限定于這些形 式，在不脫離本發(fā)明的技術(shù)范圍的范圍內(nèi)可以適當(dāng)?shù)剡M(jìn)行變更來加以實施。<實施方式1>(PDP的構(gòu)成例)圖1是沿本發(fā)明的實施方式1的PDPl的xz平面的示意性的剖面圖。該P(yáng)DPl除去表面層8周邊的構(gòu)成，整體上與現(xiàn)有的構(gòu)成(圖4)相同。PDPl在此作為42英寸級的NTSC標(biāo)準(zhǔn)例的AC型，但本發(fā)明當(dāng)然也可以應(yīng)用 于XGA、SXGA等其他標(biāo)準(zhǔn)例。作為具有HD (HighDefinition 高清晰度)以上的分
辨率的高精細(xì)的PDP，例如可以例示出如下的規(guī)格。面板尺寸為37、42、50英寸的各 尺寸的情況下，可以按相同順序設(shè)定為1024X720(像素數(shù))、1024X768(像素數(shù))、 1366X 768 (像素數(shù))。此外，可以包含比該HD面板更高分辨率的面板。作為具有HD 以上的分辨率的面板，可以為包含具備1920X1080(像素數(shù))的全HD面板。如圖1所示，PDPl的構(gòu)成大致分為使主面相互相向配設(shè)的第一基板(前面板2) 及第二基板(后面板9)。在成為前面板2的基板的前面板玻璃3上，在其一主面形成有多對隔開規(guī)定的放 電間隙(75 μ m)配設(shè)的一對顯示電極對6 (掃描電極5、維持電極4)。各顯示電極對6是 對由氧化銦錫(ITO)、氧化鋅(ZnO)、氧化錫(SnO2)等透明導(dǎo)電性材料構(gòu)成的帶狀的透 明電極51、41 (厚度0.1 μ m、寬度150 μ m)，層疊由Ag厚膜(厚度2 μ m 10 μ m)、 Al薄膜(厚度0.1 μ m 1 μ m)或Cr/Cu/Cr層疊薄膜(厚度0.1 μ m 1 μ m)等構(gòu)成的 總線線路52、42 (厚度7 μ m、寬度95 μ m)而成。通過該總線線路52、42降低透明電 極 51、41 的片電阻(sheet resistance)。在此，“厚膜”是指通過在涂敷包含導(dǎo)電性材料的漿料(paste)等后燒結(jié)而形成 的各種厚膜法而形成的膜。另外，“薄膜”是指通過使用包含濺射法、離子鍍敷法、電 子束蒸鍍法等的真空工藝的各種薄膜法而形成的膜。 在配設(shè)了顯示電極對6的前面板玻璃3上，遍及其主面整體通過絲網(wǎng)印刷法等形 成以氧化鉛(PbO)或氧化鉍(Bi2O3)或氧化磷(PO4)為主成分的低熔點(diǎn)玻璃(厚度35μιη) 的電介質(zhì)層7。電介質(zhì)層7具有AC型PDP特有的電流限制功能，與DC型PDP相比成為了可 以實現(xiàn)長壽命化的要素。在電介質(zhì)層7的表面形成有膜厚約1 μ m的表面層(保護(hù)層)8。該表面層8以 保護(hù)電介質(zhì)層7不受放電時的離子轟擊、使放電起始電壓降低為目的進(jìn)行配設(shè)，由耐濺 射性及二次電子發(fā)射系數(shù)Y優(yōu)良的材料構(gòu)成。該材料進(jìn)一步要求良好的光學(xué)透明性、電 絕緣性。表面層8為本發(fā)明的主要的特征部分，其以CeO2為主成分，包含Ba而成。在晶 體構(gòu)造上，作為整體成為保持NaCl的微晶體構(gòu)造或晶體構(gòu)造的至少任一種的晶體性膜。 Ba如后所述是為了縮小該表面層8的帶隙而添加的，由此，實現(xiàn)老化時間的削減和電壓 降低的下降。另外，表面層8也可以為由以CeO2為主成分、包含Ba的熒石構(gòu)造的材料構(gòu)成。在本發(fā)明中，在表面層8中，通過對CeO2添加Ba元素，從而發(fā)揮良好的二次電 子發(fā)射特性及電荷保持特性。其結(jié)果是，通過PDP 1實現(xiàn)工作電壓(主要是放電起始電 壓和放電維持電壓)的降低，可以進(jìn)行穩(wěn)定的低功率驅(qū)動。另外，當(dāng)Ba濃度為低濃 度時，表面層8的二次電子發(fā)射特性及電荷保持特性不 充分，而且在老化(aging)上具有較長時間，不優(yōu)選。另外，當(dāng)Ba濃度為高濃度時，CeO2所具有的表面穩(wěn)定性差，不能發(fā)揮充分的二次電子發(fā)射特性，進(jìn)而，用于除去表面污染物的老化時間也變長。因此，為了兼顧良好的 低功率驅(qū)動和可見光透過率，上述的適當(dāng)?shù)腂a添加濃度
很重要。對于表面層8的構(gòu)造，在將放射源設(shè)定為CuKci射線的薄膜X射線分析測定 中，在Ba添加濃度高時，在與BaO同等的位置關(guān)系處可以確認(rèn)峰值(peak)，可知盡管存 在相當(dāng)量的Ce，但至少具有與BaO相同的NaCl構(gòu)造。另一方面，在Ba添加濃度低時， 由于可以在與純粹的CeO2同等的位置確認(rèn)峰值，所以可以確認(rèn)至少保持與CeO2同樣的 熒石構(gòu)造。由于Ba的離子半徑與Ce的離子半徑相當(dāng)不同，所以當(dāng)表面層8中的Ba濃 度高(Ba添加量過多)時，CeO2基底的熒石構(gòu)造會倒坍。與此相對，通過適當(dāng)調(diào)節(jié)Ba 濃度，從而可以保持表面層8的晶體構(gòu)造(熒石構(gòu)造)。在成為后面板9的基板的后面板玻璃10上，在其一主面上，由Ag厚膜(厚度 2 μ m 10 μ m)、Al薄膜(厚度0.1 μ m 1 μ m)或Cr/Cu/Cr層疊薄膜(厚度0.1 μ m Iym)等的任一種構(gòu)成的數(shù)據(jù)電極11以寬度100 μ m，將χ方向作為長度方向，并在y方 向上按每一定間隔(360 μ m)并設(shè)為條紋狀。而且，以內(nèi)包各個數(shù)據(jù)電極11的方式，遍 及后面板玻璃9的整個面配設(shè)有厚度30 μ m的電介質(zhì)層12。在電介質(zhì)層12上，進(jìn)一步匹配鄰接的數(shù)據(jù)電極11的間隙而配設(shè)有并字狀的間隔 壁13 (高度約110 μ m、寬度40 μ m)，通過劃分放電單元，從而起到防止誤放電、光學(xué)串 擾的產(chǎn)生的作用。在鄰接的兩個間隔壁13的側(cè)面和其間的電介質(zhì)層12的面上，形成有分別對應(yīng)于 用于彩色顯示的紅色(R)、綠色(G)、藍(lán)色(B)的熒光體層14。另外，電介質(zhì)層12不 是必須的，也可以直接由熒光體層14內(nèi)包數(shù)據(jù)電極11。前面板2和后面板9以數(shù)據(jù)電極11和顯示電極對6的相互的長度方向垂直的方 式相向配置，兩面板2、9的外周緣部由玻璃粉(glass frit)進(jìn)行密封。在該兩面板2、9 之間，以規(guī)定壓力封入由包含He、Xe、Ne等的惰性氣體成分構(gòu)成的放電氣體。間隔壁13之間為放電空間15，相鄰的一對顯示電極對6和1個數(shù)據(jù)電極11 夾持放電空間15而交叉的區(qū)域?qū)?yīng)于涉及圖像顯示的放電單元(也稱為“子像素(sub pixel)”)。放電單元間距是χ方向為675 μ m、y方向為300 μ m。通過對應(yīng)于相鄰的 RGB的各色的3個放電單元來構(gòu)成1像素(675 μ mX900 μ m)。如圖2所示，對掃描電極5、維持電極4及數(shù)據(jù)電極11的每一個，在面板外部連 接掃描電極驅(qū)動器111、維持電極驅(qū)動器112、數(shù)據(jù)電極驅(qū)動器113而作為驅(qū)動電路。(PDP的驅(qū)動例)上述構(gòu)成的PDP 1在驅(qū)動時，通過包含各驅(qū)動器111 113的公知的驅(qū)動電路 (未圖示)，對各顯示電極對6的間隙施加幾十kHz 幾百kHz的AC電壓。由此，在任 意的放電單元內(nèi)產(chǎn)生放電，主要是包含激發(fā)Xe原子引起的波長147nm主體的共振線和激 發(fā)Xe分子引起的波長172nm主體的分子線的紫外線(圖1的虛線及箭頭)照射到熒光體 層14。熒光體層14受到激發(fā)而發(fā)出可見光。而且，該可見光透過前面板2而發(fā)光到前 面。作為該驅(qū)動方法的一例，采用場內(nèi)時分灰度顯示方式。該方式將顯示的場分為 多個子場(S.F.)，進(jìn)一步將各子場分為多個期間。1子場進(jìn)一步分割為如下4個期間(1)使全放電單元成為初始化狀態(tài)的初始化期間；(2)將各放電單元作為地址，向各放電 單元選擇/輸入對應(yīng)輸入數(shù)據(jù)的顯示狀態(tài)的寫入期間；(3)使處于顯示狀態(tài)的放電單元進(jìn) 行顯示發(fā)光的維持期間；(4)擦除由維持放電而形成的壁電荷的擦除期間。在各子場中，在初始化期間將畫面整體的壁電荷由初始化脈沖復(fù)位后，只對寫 入期間應(yīng)點(diǎn)亮的放電單元進(jìn)行蓄積壁電荷的寫入放電，在其后的放電維持期間，通過對 全部放電單元一齊施加交流電壓(維持電壓)，從而進(jìn)行一定時間放電維持，由此進(jìn)行發(fā) 光顯不。在此，圖3為場中的第m子場中的驅(qū)動波形例。如圖3所示，對各子場，分別 分配為初始化期間、寫入期間、放電維持期間、擦除期間。
初始化期間是指，為了防止在此之前的放電單元的點(diǎn)亮引起的影響(蓄積的壁 電荷引起的影響)而進(jìn)行畫面整體的壁電荷的擦除(初始化放電)的期間。在圖3所示的 驅(qū)動波形例中，對掃描電極5施加與數(shù)據(jù)電極11及維持電極4相比較高的電壓(初始化 脈沖)，使放電單元內(nèi)的氣體放電。由此產(chǎn)生的電荷以消除數(shù)據(jù)電極11、掃描電極5及 維持電極4間的電位差的方式在放電單元的壁面上蓄積，因此，在掃描電極5附近的表面 層8的表面，負(fù)電荷作為壁電荷進(jìn)行蓄積。另外，在數(shù)據(jù)電極11附近的熒光體層14表 面及維持電極4附近的表面層8的表面，正電荷作為壁電荷進(jìn)行蓄積。通過該壁電荷， 在掃描電極5-數(shù)據(jù)電極11間、掃描電極5-維持電極4間產(chǎn)生規(guī)定值的壁電位。寫入期間是進(jìn)行根據(jù)分割為子場的圖像信號而選擇的放電單元的尋址(點(diǎn)亮/不 點(diǎn)亮的設(shè)定)的期間。在該期間，在使放電單元點(diǎn)亮的情況下，對掃描電極5施加與數(shù) 據(jù)電極11及維持電極4相比較低的電壓(掃描脈沖)。S卩，對掃描電極5-數(shù)據(jù)電極11 在與上述壁電位相同的方向施加數(shù)據(jù)脈沖，并且，在掃描電極5-維持電極4之間在與壁 電位相同的方向施加電壓，使寫入放電產(chǎn)生。由此，在熒光體層14表面、維持電極4附 近的表面層8的表面蓄積負(fù)電荷，在掃描電極5附近的表面層8的表面，蓄積正電荷作為 壁電荷。如上，在維持電極4-掃描電極5之間產(chǎn)生規(guī)定值的壁電位。放電維持期間是為了確保對應(yīng)于灰度的亮度而通過寫入放電將所設(shè)定的點(diǎn)亮狀 態(tài)放大并進(jìn)行放電維持的期間。在此，在上述壁電荷存在的放電單元，分別對一對掃描 電極5及維持電極4以相互不同的相位施加用于維持放電的電壓脈沖(例如，約200V的 矩形波電壓)。由此，按電壓極性的每次變化而對寫入顯示狀態(tài)的放電單元產(chǎn)生脈沖放 H1^ ο通過該維持放電，從放電空間15中的激發(fā)Xe原子放射147nm的共振線，從激 發(fā)Xe分子放射173nm主體的分子線。該共振線/分子線照射到熒光體層14表面，進(jìn)行 可見光發(fā)光引起的顯示發(fā)光。而且，通過每RGB各色的子場單位的組合，進(jìn)行多色/多 灰度(gradation)顯示。另外，在表面層8沒有寫入壁電荷的非放電單元中，不產(chǎn)生維持 放電，顯示狀態(tài)成為黑色顯示。在擦除期間，對掃描電極5施加減弱型的擦除脈沖，由此，擦除壁電荷。(關(guān)于放電電壓的減少)表面層8對作為主成分的CeO2包含Ba而構(gòu)成，具有由BaO引起的NaCl構(gòu)造。 而且，表面層8的能量帶中的電子狀態(tài)幾乎與BaO相同。在此，在作為BaO所固有的電子能級(electron level)而存在的能量級(energylevel),與MgO相比較，距真空能級的深度存在于比較淺的區(qū)域。因此，在驅(qū)動PDPl的情況下，存在于作為BaO所固有的電子能級的能量級的電 子在遷移到Xe離子的基態(tài)(ground state)時，存在于該能量級的其他電子受到俄歇效應(yīng)而 獲得的能量與MgO的情況相比較大。該上述其他電子受到的能量為用于該電子超出真空 能級而作為二次電子發(fā)射的充分的量。其結(jié)果是，在表面層8中，其材料與MgO的情況 相比較，會發(fā)揮出良好的二次電子發(fā)射特性。具體而言，作為本實施方式1的表面層所固有的電子能級而存在的能量級，存 在于距真空能級的深度為6.05eV以下的區(qū)域。另一方面，作為MgO所固有的電子能級 而存在的能量級，存在于距真空能級的深度超過6.05eV的區(qū)域。下面，對伴隨放電空間15內(nèi)的放電氣體和表面層8之間的能量交換的電子的狀 態(tài)遷移路徑進(jìn)行說明。使用該說明，對表面層8的上述區(qū)域存在固有電子能級的根據(jù)進(jìn) 行詳述。在PDPl的驅(qū)動時，在放電空間15內(nèi)產(chǎn)生由放電氣體引起的離子(Xe離子等)， 當(dāng)該離子相對表面層8接近至可相互作用的位置時，存在于構(gòu)成表面層8的材料所固有的 電子能級的電子遷移到上述離子的基態(tài)。由此，表面層8中的其他電子通過俄歇效應(yīng)而 獲得一定的能量。該獲得能量獲得從“相當(dāng)于從真空能級到上述離子的基態(tài)的能級的深 度的能量”扣除“相當(dāng)于從真空能級到表面層8的構(gòu)成材料所固有的電子能級的深度的 能量”的量的能量。通過經(jīng)由該工藝，從而獲得上述扣除后的量的能量的上述其他電子 跳過達(dá)到真空能級的能隙(energygap)，作為二次電子發(fā)射到放電空間15。在此，如圖4所示，Xe離子在帶構(gòu)造中，從真空能級到12.1eV的深度具有基態(tài) 的能量級。因此，在表面層8的構(gòu)成中材料所固有的電子能級存在于比作為上述12.1eV 的一半的6.05eV淺的區(qū)域的情況下(圖4中的(a))，存在于表面層8中的上述其他電子 得到從“相當(dāng)于Xe原子的離子化狀態(tài)的能級的深度的能量(12.1eV)”扣除“相當(dāng)于構(gòu) 成表面層8的材料所固有的電子能級的深度的能量”的量的能量(超過6.05eV)。由此， 該電子跳過達(dá)到真空能級的能隙，作為二次電子發(fā)射。另外，相反，在構(gòu)成表面層8的材料所固有的電子能級存在于比作為上述 12.1eV的一半的6.05eV深的能級的情況下(圖4中的(b))，上述其他電子即使得到從基 態(tài)的能級的深度(12.1eV)扣除構(gòu)成表面層8的材料所固有的電子能級的深度的量的能量 (不足6.05eV)，也不會跳過達(dá)到真空能級的能隙。因此，該電子不會作為二次電子進(jìn)行發(fā)射。另外，通常，各材料固有的帶隙和電子親和力的和設(shè)定為MgO為約8.8eV、 CaO 為約 8.0eV、SrO 為約 6.9eV、BaO 為約 5.2eV。接著，在具備以CeO2為主成分、其中包含Ba并作為整體具有熒石構(gòu)造的表面層 8的PDPl中，考察減少放電電壓的機(jī)制。圖5是表示由CeO2構(gòu)成的表面層8的電子能級的示意圖。在本發(fā)明中，如圖5所示，作為抑制放電電壓的上升的一個解決方法，在距 CeO2的真空能級比較淺的禁帶中的位置，配設(shè)良好地受到俄歇效應(yīng)的作用的電子能級。 該電子能級通過對表面層8導(dǎo)入能夠保持熒石構(gòu)造的程度的Ba而形成。在本發(fā)明中， 通過創(chuàng)設(shè)這樣的電子能級，從而能夠使為了二次電子發(fā)射而能在俄歇中性化的過程中取得的激發(fā)中使用的能量在表觀上增加。因此，在本發(fā)明中，能夠使二次電子發(fā)射概率上 升，作為結(jié)果，可以將豐富的二次電子在放電空間15進(jìn)行利用。因此，在PDPl中，由 于降低了工作電壓并且形成了良好的規(guī)模的放電，所以可以以低功率來驅(qū)動具有優(yōu)良的 圖像顯示性能的PDP。<實施方式2>關(guān)于本發(fā)明的實施方式2，以與實施方式1的差異為中心進(jìn)行說明。圖6是表示 實施方式2的PDPla的構(gòu)成的剖面圖。PDPla的基本構(gòu)造與PDPl相同，但其在以下方面具有特征，即，通過將表面層 8設(shè)為基底層8，并在其表面分散配置初始電子發(fā)射特性高的MgO微粒子16，從而構(gòu)成 表面層8a。作為MgO微粒子16的分散密度，作為一例，在從Z方向來俯視放電單元20 中的表面層8a時，能夠以不能直接看到基底層8的方式進(jìn)行設(shè)定，但不限定于這樣的分 散密度。例如，可以局部設(shè)置于基底層8的表面。在該情況下，如果進(jìn)一步進(jìn)行示例， 則可以只在與顯示電極對6對應(yīng)的位置局部地設(shè)置MgO微粒子16。 另外，在圖6中為了便于理解構(gòu)成，比實際大地示意性地表示配設(shè)于基底層8 上的MgO微粒子16。MgO微粒子16可以通過氣相法(gasphase method)或前體燒結(jié)法 (precursor baking method)的任一種制作。但是，通過本申請發(fā)明人的研究可知，如果通 過后述的前體燒結(jié)法進(jìn)行制作，則可以得到性能特別良好的MgO微粒子16。根據(jù)具有這樣的構(gòu)成的PDPla，在表面層中，可以協(xié)同地(synergistically)發(fā)揮 相互功能分離的基底層8及MgO微粒子16的各特性。S卩，在該驅(qū)動時，與PDPl相同，通過對CeO2添加Ba的基底層8，提高二次電 子發(fā)射特性。其結(jié)果是，謀求到了 PDPla的工作電壓的降低，并實現(xiàn)了低功率驅(qū)動。另 夕卜，由于基底層8具有良好的電荷保持特性，所以即使是持續(xù)驅(qū)動PDPla的情況，也可 以隨著時間經(jīng)過而穩(wěn)定發(fā)揮上述的二次電子發(fā)射特性。另一方面，在PDPla中，通過還配設(shè)MgO微粒子16，提高初始電子發(fā)射特性。 由此，能夠期待飛躍性地改善放電響應(yīng)性并降低放電延遲及放電延遲的溫度依賴性的問 題的效果。該效果特別是使本發(fā)明適用于高精細(xì)型的PDP、在通過寬度短的脈沖進(jìn)行高 速驅(qū)動的情況下，能夠發(fā)揮優(yōu)良的圖像顯示性能。另外，在PDPla中，由于基底層8的表面通過MgO微粒子16進(jìn)行保護(hù)，所以 降低了從放電空間15側(cè)雜質(zhì)直接附著于基底層8表面的問題。由此，可以期待進(jìn)一步的 PDP的壽命特性的提高。(關(guān)于MgO微粒子16)設(shè)置于PDPla的MgO微粒子16通過本申請發(fā)明人進(jìn)行的實驗，主要可以確認(rèn) 抑制寫入放電中的“放電延遲”的效果、和改善“放電延遲”的溫度依賴性的效果。因 此，在本實施方式2的PDPla中，MgO微粒子16與基底層8相比，利用高度的初始電子 發(fā)射特性優(yōu)良的性質(zhì)，以面臨放電空間15的方式將MgO微粒子16作為驅(qū)動時的初始電 子發(fā)射部進(jìn)行配設(shè)。“放電延遲”的產(chǎn)生認(rèn)為是在放電起始時，成為觸發(fā)的初始電子從基底層8的 表面發(fā)射到放電空間15中的量不足為主要原因。因此，由于有效有助于相對于放電空間 15的初始電子發(fā)射性，所以將與基底層8相比初始電子發(fā)射量極大的MgO微粒子16分散配置于基底層8的表面。由此，在尋址期間必要的初始電子從MgO微粒子16大量地 發(fā)射，實現(xiàn)了放電延遲的消除。通過獲得這樣的初始電子發(fā)射特性，從而PDPla即使在 高精細(xì)的情況等中，也能夠進(jìn)行放電響應(yīng)性良好的高速驅(qū)動。進(jìn)而也可知，作為在基底層8的表面配設(shè)這種MgO微粒子16的構(gòu)成，除了主要 抑制寫入放電中的“放電延遲”的效果之外，也可得到改善“放電延遲”的溫度依賴性 的效果。如上，在PDPla中，組合發(fā)揮低功率驅(qū)動化和二次電子發(fā)射特性、電荷保持特 性等各效果的基底層8、與發(fā)揮放電延遲及其溫度依賴性的抑制效果的MgO微粒子16， 構(gòu)成表面層。由此，作為PDPl整體，即使是具有高精細(xì)的放電單元的情況，也能夠以 低電壓對高速驅(qū)動進(jìn)行驅(qū)動，而且可以期待抑制了不亮單元的產(chǎn)生的高品位的圖像顯示 性能。進(jìn)而，MgO微粒子16通過層疊 設(shè)置在基底層8的表面，從而也具有對該基底層 8的一定的保護(hù)效果。即，基底層8具有較高的二次電子發(fā)射系數(shù)，可以進(jìn)行PDP的低 功率驅(qū)動，相反，具有水、二氧化碳、碳化氫等雜質(zhì)的吸附性比較高的性質(zhì)。當(dāng)引起雜 質(zhì)的吸附時，有損二次電子發(fā)射特性等放電的初始特性。因此，如果將這樣的基底層8 由MgO微粒子16包覆，則在該包覆區(qū)域中，可以防止從放電空間15對基底層8的表面 附著雜質(zhì)。由此，可以期待還提高PDPla的壽命特性(Iifecharacteristics)。<PDP的制造方法>接著，對上述各實施方式中的PDPl及Ia的制造方法進(jìn)行例示。PDPl和Ia的 不同只是表面層8和8a的構(gòu)成，關(guān)于其他的制作工序是共同的。(后面板的制作)在由厚度約2.6_的堿石灰玻璃構(gòu)成的后面板玻璃10的表面上，通過絲網(wǎng)印 刷法以一定間隔條紋狀地涂敷以Ag為主成分的導(dǎo)電體材料，形成厚度幾ym(例如約 5μιη)的數(shù)據(jù)電極11。作為數(shù)據(jù)電極11的電極材料，根據(jù)需要也可以使用Ag、Al、 Ni、Pt、Cr、Cu、Pd等金屬、各種金屬的碳化物或氮化物等導(dǎo)電性陶瓷等材料或它們的 組合、或?qū)盈B它們而形成的層疊電極。在此，為了使制作預(yù)定的PDPl設(shè)定為40英寸級的NTSC規(guī)格或VGA規(guī)格，將 相鄰的兩個數(shù)據(jù)電極11的間隔設(shè)定為0.4mm程度以下。接著，遍及形成了數(shù)據(jù)電極11的后面板玻璃10的面整體，以厚度約20 30μιη 涂敷由鉛類或非鉛類的低熔點(diǎn)玻璃、SiO2材料構(gòu)成的玻璃漿料并進(jìn)行燒結(jié)，形成電介質(zhì)層。接著，在電介質(zhì)層12面上，由規(guī)定的圖案形成間隔壁13。涂敷低熔點(diǎn)玻璃材 料漿料，使用噴砂法(sandblastmethod)、光刻法，以分隔與鄰接放電單元(省略圖示)的 邊界周圍的方式，使放電單元的多個排列以分隔行及列的井字形狀的圖案(參照圖10)形 成。如果能夠形成間隔壁13，則在間隔壁13的壁面、和在間隔壁13間露出的電介質(zhì) 層12的表面，涂敷包含在AC型PDP中通常使用的紅色(R)熒光體、綠色(G)熒光體、 藍(lán)色(B)熒光體的任一種的熒光油墨。將其進(jìn)行干燥/燒結(jié)，分別作為熒光體層14。能夠適用的RGB各色熒光的化學(xué)組成例為如下所示。
紅色熒光體；(Y、Gd)B03:Eu綠色熒光體；Zn2Si04:Mn藍(lán)色熒光體；BaMgAl1Q017:Eu各熒光體材料的形態(tài)優(yōu) 選為平均粒徑2.0 μ m的粉末。將其在服務(wù)器內(nèi)以50質(zhì) 量％的比例加入，投入乙基纖維素1.0質(zhì)量％、溶劑(α-松油醇)49質(zhì)量％，用混砂機(jī)進(jìn) 行攪拌混合，制作15X10_3Pa · S的熒光體油墨。而且，將其通過泵從直徑60 μ m的噴 嘴噴射并涂敷于間隔壁13間。此時，使面板沿間隔壁20的長度方向移動，將熒光體油 墨涂敷為條紋狀。其后，以50(TC燒結(jié)10分鐘，形成熒光體層14。如上完成后面板9。另外，在上述方法例中，將前面板玻璃3及后面板玻璃10設(shè)定為由堿石灰玻璃 構(gòu)成，但其為作為材料的一例而舉出的，也可以用除此以外的材料構(gòu)成。(前面板2的制作)在厚度約2.6mm的由堿石灰玻璃構(gòu)成的前面板玻璃3的面上制作顯示電極對6。 在此，表示通過印刷法形成顯示電極對6的例，但除此之外，也可以由模涂(die coat) 法、刀涂(blade coat)法等形成。首先，通過使ITO、SnO2> ZnO等透明電極材料以最終厚度約lOOnm、以條紋
等規(guī)定的圖案涂敷在前面板玻璃3上，進(jìn)行干燥。由此，制作透明電極41、51。另一方面，調(diào)整對Ag粉末和有機(jī)媒介物(organic vehicle)混合感光性樹脂(光 分解性樹脂)而成的感光性漿料(paste)，將其重疊涂敷在上述透明電極41、51上，由具 有所形成的顯示電極的圖案的掩模覆蓋。而且，從該掩模上進(jìn)行曝光，經(jīng)由顯影工序以 590 600°C左右的燒結(jié)溫度進(jìn)行燒結(jié)。由此，在透明電極41、51上形成最終厚度為幾 μ m的總線線路42、52。根據(jù)該光掩模法，與現(xiàn)有的100 μ m的線寬為界限的絲網(wǎng)印刷 法相比，可以使總線線路42、52細(xì)線化到30μιη左右的線寬。作為總線線路42、52的 金屬材料，除Ag之外，可以使用Pt、Au、Al、Ni、Cr、或氧化錫、氧化銦等?？偩€線 路42、52除上述方法以外，可以通過蒸鍍法、濺射法等使電極材料成膜后，進(jìn)行蝕刻處 理而形成。接著，從形成的顯示電極對6上，涂敷混合了軟化點(diǎn)為550°C 600°C的鉛類或 非鉛類的低熔點(diǎn)玻璃、SiO2材料粉末與由二甘醇丁醚醋酸酯(butyl carbitol acetate)等構(gòu) 成的有機(jī)粘合劑的漿料。而且，以550°C 650°C左右進(jìn)行燒結(jié)，形成最終厚度為膜厚幾 μιη 幾十μ m的電介質(zhì)層7。(表面層的形成)將實施方式1或2的PDPl或PDPla的表面層分別按照如下的任一步驟形成。首先，對用電子束蒸鍍法形成表面層(基底層)8的情況進(jìn)行說明。準(zhǔn)備蒸鍍源用顆粒。作為該顆粒的制作方法，首先混合CeO2粉末和作為堿土 類金屬元素的碳氧化物的BaCO3粉末，將該混合粉末添加入金屬模并進(jìn)行加壓成形。其 后，將其添加入氧化鋁坩堝，如果在大氣中以1400°C左右的溫度進(jìn)行約30分鐘的燒結(jié)， 則會得到顆粒作為燒結(jié)體。將該燒結(jié)體或顆粒添加入電子束蒸鍍裝置的蒸鍍坩堝中，將其作為蒸鍍源蒸鍍 到電介質(zhì)層7的表面上，由此成膜包含CeO2和Ba的表面層8。鍶濃度的調(diào)整通過在得到添加入氧化鋁坩堝的混合粉末的階段，調(diào)節(jié)CeO2和碳酸鍶的混合比率而進(jìn)行。由此， 完成PDPl的表面層。另外，表面層(基底層)8的成膜方法不只是電子束蒸鍍法，同樣也可以適用濺 射法、離子鍍膜法等公知的方法。接著，在制造PDPla的情況下，制作MgO微粒子16。MgO微粒子可以通過如 下所示的氣相合成法或前體燒結(jié)法的任意一種方法進(jìn)行制作。[氣相合成法]將鎂金屬材料(純度99.9% )在充滿惰性氣體的環(huán)境下進(jìn)行加熱。在維持該加 熱狀態(tài)的狀態(tài)下，在惰性氣體環(huán)境內(nèi)導(dǎo)入少量氧，通過將鎂直接氧化，制作MgO微粒子 16。[前體燒結(jié)法]將如下例示的MgO前體在高溫(例如700°C以上)下均勻地進(jìn)行燒結(jié)，并使其漸 冷而得到MgO微粒子16。作為MgO前體，可以選擇例如烴氧基鎂(Mg(OR)2)、乙酰丙 酮鎂(Mg(acac)2)、氫氧化鎂(Mg (OH) 2)、MgC03、氯化鎂(MgCl2)、硫酸鎂(MgSO4)、 硝酸鎂(Mg(N03)2)、草酸鎂(MgC2O4)中的任一種以上(也可以混合兩種以上進(jìn)行使 用)。另外，根據(jù)選擇的化合物，通常，也會取水化物的方式，當(dāng)也可以使用這樣的水化 物。成為MgO前體的鎂化合物以燒結(jié)后得到的MgO的純度為99.95%以上、作為最 優(yōu)值為99.98%以上的方式進(jìn)行調(diào)整。這是因為，當(dāng)對鎂化合物混合一定量以上的各種堿 金屬、B、Si、Fe、Al等雜質(zhì)元素時，在熱處理時產(chǎn)生不需要的粒子間粘連、燒結(jié)，難以 得到高晶體性的MgO微粒子16。因此，通過除去雜質(zhì)元素等，預(yù)先對前體進(jìn)行調(diào)整。將由上述任一種方法得到的MgO微粒子16分散于溶劑。而且，將該分散液根 據(jù)噴射法、絲網(wǎng)印刷法、靜電涂敷法，分散散布于上述制作的基底層8的表面。其后， 經(jīng)由干燥/燒結(jié)工序?qū)崿F(xiàn)溶劑除去，并使微粒子16固定于基底層8的表面。通過以上的工序形成PDPla的表面層8a。(PDP 的完成)將制作的前面板2和后面板9使用密封用玻璃進(jìn)行粘合。其后，將放電空間 15的內(nèi)部排氣為高真空(1.0X10-4Pa)程度，并對其以規(guī)定的壓力(在此為66.5kPa IOlkPa)密封 Ne-Xe 類、He-Ne-Xe 類、Ne-Xe-Ar 類等放電氣體。通過經(jīng)由以上的各工序，完成PDPl或la。(性能確認(rèn)實驗)接著，為了確認(rèn)本發(fā)明的性能，準(zhǔn)備基本構(gòu)成相同、只有表面層不同的以下樣 品1 8的PDP。作為表示以CeO2為主體的表面層(基底層)中包含的Ba量的方法，使用以Ba/ (Ba+Ce)*100表示的原子數(shù)的比例(下面標(biāo)記為“XBa”)。該原子數(shù)的比例表示Ba的 原子數(shù)相對于Ce和Ba的合計的原子數(shù)的比例。另外，該XBa的單位，其數(shù) 值可以直接標(biāo)記為(％ )或標(biāo)記為(mol% )的任一 種，但為了方便，下面以(mol%)進(jìn)行表示。由于樣品1(比較例1)設(shè)定為最基本的PDP的現(xiàn)有構(gòu)成，所以其具有通過EB蒸鍍而成膜的MgO構(gòu)成的表面層(不含有Ce、Ba)。樣品2、7 (比較例2 4)在對CeO2添加Ba的表面層，分別按照相同順序具有 XBa*0mol%、9.3mol%> 100mol%的表面層。樣品4 6 (實施例1 3)相當(dāng)于實施方式1的PDPl的構(gòu)成。SP，在對CeO2 添加Ba的表面層，分別按照相同的順序具有16.4mol%、23.8mol%> 31.2mol%的
表面層。樣品8 (實施例4)相當(dāng)于實施方式2的PDPla的構(gòu)成。S卩，具有對CeO2添加 Ba且XBa為31.2mol%的基底層、和在其上分散配置通過前體燒結(jié)法制作的MgO微粒子 的表面層。將各樣品1 8的表面層的構(gòu)成、使用它們而得到的實驗數(shù)據(jù)匯集起來示于表
權(quán)利要求
1. 一種等離子顯示器面板，配設(shè)有多個顯示電極對的第一基板隔著放電空間與第二 基板相向配置，在兩基板之間充滿放電氣體并被進(jìn)行內(nèi)部密封，其中，在第一基板的面臨放電空間的面，配設(shè)有以CeO2為主成分、在16mol%以上31mol% 以下的范圍內(nèi)含有Ba的表面層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子顯示器面板，其中，所述表面層在16mol%以上 24mol%以下含有Ba。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子顯示器面板，其中，所述表面層在26mol%以上 29mol%以下的范圍內(nèi)含有Ba。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的等離子顯示器面板，其中，所述表面層具有熒石構(gòu)造。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子顯示器面板，其中，在表面層的放電空間側(cè)還配設(shè)有 MgO微粒子。
全文摘要
本發(fā)明中，作為第一目的，提供一種能夠改良表面層使二次電子發(fā)射特性和電荷保持特性提高、以良好的圖像顯示性能穩(wěn)定地進(jìn)行低功率驅(qū)動的PDP。作為第二目的，提供一種進(jìn)一步防止驅(qū)動時的放電延遲的產(chǎn)生，即使是進(jìn)行高速驅(qū)動的高精細(xì)的PDP，也能夠期待高品位的圖像顯示性能的PDP。因此，在電介質(zhì)層(7)的放電空間(15)側(cè)的面，配設(shè)以CeO2為主成分、添加16mol％～29mol％的Ba而成的膜厚約1μm的表面層(保護(hù)膜)(8)。由此，在表面層(8)中的禁帶形成一定深度的電子能級，或者，使價電子帶的電子能級上升而減少帶隙，實現(xiàn)二次電子發(fā)射特性及電荷保持特性的提高。
文檔編號H01J11/12GK102017049SQ201080001458
公開日2011年4月13日 申請日期2010年1月13日 優(yōu)先權(quán)日2009年2月18日
發(fā)明者岡藤美智子, 坂井全弘, 山內(nèi)康弘, 本多洋介, 福井裕介, 西谷干彥 申請人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會社