專利名稱：一種e型電子槍磁透鏡聚焦裝置的制作方法
技術領域：
—種e型電子槍磁透鏡聚焦裝置技術領域[0001]本實用新型涉及e型電子槍磁透鏡聚焦裝置磁透鏡聚焦裝置，更具體的說涉及一種用于電子束蒸發(fā)鍍膜用領域的無線圈式e型電子槍磁透鏡聚焦裝置磁透鏡聚焦裝置。
背景技術：
[0002]電子束蒸發(fā)鍍膜系統(tǒng)需要采用e型電子槍磁透鏡聚焦裝置的磁透鏡聚焦裝置，在電子束蒸發(fā)鍍膜系統(tǒng)中，陰極燈絲加熱發(fā)射電子，在負高壓電場下，經(jīng)過磁透鏡聚焦和磁場偏轉系統(tǒng)作用下加速偏轉270°，電子束垂直打到蒸發(fā)鍍膜材料上進行鍍膜。磁聚焦現(xiàn)象一般都是利用載流螺線管中激發(fā)的磁場來實現(xiàn)的?，F(xiàn)有的磁透鏡聚焦裝置在實際應用中采用載流的線圈所激發(fā)的非均勻磁場來實現(xiàn)磁聚焦作用。實踐中通過調節(jié)線圈的電流大小往往難以實現(xiàn)磁透鏡聚焦的最佳狀態(tài)。實用新型內容[0003]本實用新型所要解決的技術問題是實現(xiàn)一種磁透鏡聚焦性能高的電子束蒸發(fā)鍍膜用e型電子槍磁透鏡聚焦裝置磁透鏡聚焦裝置。[0004]為了實現(xiàn)上述目的，本實用新型采用的技術方案為一種e型電子槍磁透鏡聚焦裝置，包括電子槍本體，所述的電子槍本體底端設有永磁體，槍頭兩側設有導磁體，兩個所述的導磁體均開有導磁槽，所述的導磁槽內填充有磁塊和/或導磁塊。[0005]所述的兩個導磁體內的導磁槽相向設置，與電子射出方向垂直。[0006]本實用新型的優(yōu)點在于該電子束蒸發(fā)鍍膜用e型電子槍磁透鏡聚焦裝置的無線圈式磁場偏轉系統(tǒng)調節(jié)裝置只 要適當調節(jié)增減磁透鏡中的導磁體磁極中槽內導磁體塊和永磁體塊數(shù)量，就可以實現(xiàn)磁透鏡聚焦的最佳狀態(tài)，有效的解決了傳統(tǒng)e型槍中電子束難以實現(xiàn)磁透鏡聚焦的最佳狀態(tài)問題。


[0007]下面對本實用新型說明書中每幅附圖表達的內容及圖中的標記作簡要說明[0008]圖1為e型電子槍磁透鏡聚焦裝置結構示意圖；[0009]上述圖中的標記均為1、電子槍本體；2、永磁體；3、燈絲；4、導磁體；5、導磁槽。
具體實施方式
[0010]參見圖1可知，電子槍本體I內的陰極燈絲I接負高壓，陽極接地，陰極燈絲I供電加熱發(fā)射電子，并由槍頭處噴出，e型電子槍的磁透鏡聚焦由永磁體2和導磁體4，永磁體2設置于電子槍本體I底端，圖1中，永磁體2左側為N極，右側為S極。導磁體4設有兩個分別位于電子槍本體I槍頭兩側，導磁體4作為第一磁極具有良導磁性,導磁體4均勻磁化，無體磁荷，僅有面磁荷分布在端面上，導磁體4沿槍頭向外延伸，并在端部相向延伸， 該相向延伸的導磁體4部分開有導磁槽5,導磁槽5用于填充磁塊和導磁塊,根據(jù)電子束蒸發(fā)鍍膜實際環(huán)境，調節(jié)增減導磁槽5內磁塊和導磁塊數(shù)量，即可改變導磁體4磁極表面的磁荷密度。槍頭噴射出的電子經(jīng)過磁透鏡聚焦和磁場偏轉系統(tǒng)作用下加速偏轉270 °，垂直打到蒸發(fā)鍍膜材料上，即可準確的把蒸發(fā)材料以圓心為中心均勻加熱進行鍍膜。[0011]實驗結果表明，在實際真空鍍膜設備系統(tǒng)環(huán)境下，裝配調試e型電子槍磁透鏡聚焦裝置磁透鏡聚焦裝置時，只要適當調節(jié)增減磁透鏡中的導磁體導磁槽5內導磁塊和磁塊數(shù)量，就可以實現(xiàn)磁透鏡聚焦的最佳狀態(tài)，從而解決了傳統(tǒng)e型槍中電子束難以實 現(xiàn)磁透鏡聚焦的最佳狀態(tài)問題。[0012]上面結合附圖對本發(fā)明進行了示例性描述，顯然本實用新型具體實現(xiàn)并不受上述方式的限制，只要采用了本發(fā)明的方法構思和技術方案進行的各種非實質性的改進，或未經(jīng)改進將本發(fā)明的構思和技術方案直接應用于其它場合的，均在本實用新型的保護范圍之內。
權利要求1.一種e型電子槍磁透鏡聚焦裝置，包括電子槍本體(I )，其特征在于所述的電子槍本體(I)底端設有永磁體(2)，槍頭兩側設有導磁體(4)，兩個所述的導磁體(4)均開有導磁槽(5)，所述的導磁槽(5)內填充有磁塊和/或導磁塊。
2.根據(jù)權利要求1所述的e型電子槍磁透鏡聚焦裝置，其特征在于所述的兩個導磁體(4)內的導磁槽(5)相向設置,與電子射出方向垂直。
專利摘要本實用新型揭示了一種e型電子槍磁透鏡聚焦裝置，包括電子槍本體，所述的電子槍本體底端設有永磁體，槍頭兩側設有導磁體，兩個所述的導磁體均開有導磁槽，所述的導磁槽內填充有磁塊和/或導磁塊。該電子束蒸發(fā)鍍膜用e型電子槍磁透鏡聚焦裝置的無線圈式磁場偏轉系統(tǒng)調節(jié)裝置只要適當調節(jié)增減磁透鏡中的導磁體磁極中槽內導磁體塊和永磁體塊數(shù)量，就可以實現(xiàn)磁透鏡聚焦的最佳狀態(tài)，有效的解決了傳統(tǒng)e 型槍中電子束難以實現(xiàn)磁透鏡聚焦的最佳狀態(tài)問題。
文檔編號H01J37/147GK202839530SQ20122047969
公開日2013年3月27日 申請日期2012年9月19日 優(yōu)先權日2012年9月19日
發(fā)明者任東海, 朱文武 申請人:任東海