微波爐用磁控管的天線固定結(jié)構(gòu)的制作方法
【專利摘要】一種微波爐用磁控管的天線固定結(jié)構(gòu)，包括天線和磁控管陽電極部?jī)?nèi)部設(shè)置的葉片,天線的上端與磁控管陽電極部的中心軸共軸且貫穿磁控管的天線封蓋和陶瓷環(huán),并與排氣管上部密封處相互連接,天線的下端向陽電極部的中心軸外側(cè)彎折并與葉片相互固定,葉片內(nèi)側(cè)與天線下端和葉片固定位置之間的距離增大10-15%。通過使天線下端的固定位置更加偏離磁控管陽電極部的中心軸，從而在保持磁控管特性不發(fā)生變化的情況下，提高了微波爐用磁控管的電磁兼容特性，更好地減少二次諧波。
【專利說明】微波爐用磁控管的天線固定結(jié)構(gòu)

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明屬于磁控管的【技術(shù)領(lǐng)域】，具體涉及一種在保持磁控管特性不變更的情況下，提高磁控管電磁兼容特性的微波爐用磁控管的天線固定結(jié)構(gòu)。

【背景技術(shù)】
[0002]圖1是現(xiàn)有技術(shù)的磁控管結(jié)構(gòu)縱剖視圖；圖2是現(xiàn)有技術(shù)中磁控管排氣管位置的結(jié)構(gòu)示意圖；圖3是現(xiàn)有技術(shù)的微波爐用磁控管的天線固定結(jié)構(gòu)的6 δ管理示意圖。
[0003]如圖1至圖2所示，磁控管主要包括有:陽電極部；陰電極部；磁極部；微波發(fā)射部。陽電極部由圓桶形狀的陽極外殼11，在陽極外殼11的內(nèi)壁上形成有多個(gè)放射狀的葉片12，葉片上下溝槽中焊接內(nèi)外環(huán)構(gòu)成。
[0004]陰電極部包括在中心軸上由W (鎢)和TH (釷)元素形成的螺旋形狀并可放射熱電子的燈絲13 ;在葉片12的末端和燈絲13之間形成使熱電子旋轉(zhuǎn)的作用空間14 ;為了防止從燈絲13放射出來的熱電子從中心軸上下方向脫離，在燈絲13的上端和下端形成上部密封件15和下部密封件16 ;為了支撐燈絲13及引入電源，設(shè)計(jì)了貫通下部密封件16并連接上部密封件15的燈絲中央導(dǎo)桿17和與中央導(dǎo)桿17—起引入電源并連接下部密封件16的側(cè)面導(dǎo)桿18。
[0005]磁極部包括固定在陽極外殼11的上端和下端且能形成磁通的上磁極20，下磁極21 ;為了能使作用空間14上形成磁場(chǎng)，在上磁極20的上端和下磁極21的下端安裝磁鐵22。
[0006]此外，還有貫通陶瓷部件31并連接燈絲中央導(dǎo)桿17 —端和側(cè)面導(dǎo)桿18 —端進(jìn)行濾波功能的濾波線圈32 ;連接濾波線圈32，并跨接于電源兩端從外部引入電源的電容器33 ;形成在上磁極20的上部和下磁極21的下部進(jìn)行磁通作用的上部密封室41和下部密封室42 ;為了在作用空間14里產(chǎn)生的高頻波發(fā)射到外部，設(shè)有連接在葉片12并貫通上磁極20和上部密封室41中央引出來的天線51 ;為了冷卻在作用空間14里產(chǎn)生并通過葉片12傳遞的熱量，設(shè)置有冷卻片61 ;另外還有把冷卻片61保護(hù)在內(nèi)部并將冷卻片61傳遞的熱量散出的外殼19等部件。
[0007]外殼19包括從上側(cè)容納內(nèi)部裝置的上殼19a和從下側(cè)容納內(nèi)部裝置的下殼19b。
[0008]圖中所示的排氣管60是磁控管組裝以后，進(jìn)行排氣工序時(shí)為了把磁控管變成真空狀態(tài)切斷的部分。
[0009]下面說明如上所述的磁控管工作情況。在磁鐵22產(chǎn)生的磁場(chǎng)通過上磁極20和下磁極21形成磁通時(shí)，在葉片12和燈絲13之間形成磁場(chǎng)。當(dāng)通過電容器33進(jìn)行通電的時(shí)候，燈絲13在大約2000K溫度下放射熱電子，熱電子在燈絲13與陽電極部之間的4.0 KV到4.4KV和在磁鐵22產(chǎn)生的磁場(chǎng)的作用下的作用空間14進(jìn)行旋轉(zhuǎn)。
[0010]這樣，在通過中央導(dǎo)桿17和側(cè)面導(dǎo)桿18向燈絲13通電的時(shí)候，在葉片12和燈絲13之間產(chǎn)生2450MHZ左右的電場(chǎng)，使熱電子在作用空間14內(nèi)通過電場(chǎng)和磁場(chǎng)的作用下變成諧波，并使諧波傳遞到連接葉片12的天線51發(fā)射到外部。
[0011]在作用空間產(chǎn)生的不僅有用于烹調(diào)的基本波(2450MHZ)，還有基本波頻率整數(shù)倍的高頻諧波，主要包括第二高頻諧波(4900MHZ)、第三高頻諧波(7350MHZ)、第四高頻諧波(9.8GHZ)、第五高頻諧波(12.5GHZ)等?；静ㄓ糜趯?duì)微波爐內(nèi)的物品加熱，整數(shù)倍高頻諧波容易對(duì)周圍的電器元件造成強(qiáng)烈的電磁干擾，而且對(duì)人體有害，因此必須盡量減少高頻諧波從磁控管中泄漏。
[0012]天線封蓋由封蓋壁包圍形成，設(shè)置于磁控管的陽極外殼上部，并在封蓋壁內(nèi)部形成上部密封室，在天線封蓋上部設(shè)置天線出口，天線從天線出口中穿出。而天線封蓋的上端從外殼的上殼中穿出。為避免微波從天線封蓋和上殼之間組合處的縫隙泄漏，在天線封蓋的上端需要嵌套一個(gè)墊圈環(huán)101，墊圈環(huán)101應(yīng)與天線封蓋100上端的封蓋壁緊密貼合，并且向天線封蓋外側(cè)方向延展出環(huán)狀的遮擋部分，在安裝時(shí)墊圈環(huán)自外殼內(nèi)部向上穿出，墊圈環(huán)下部的遮擋部分留在外殼內(nèi)，而墊圈環(huán)上部穿出上殼19a中間的通孔，通過墊圈環(huán)101的遮擋部分防止微波從上殼中間通孔處外泄。
[0013]現(xiàn)有技術(shù)中的微波爐用磁控管的天線固定結(jié)構(gòu)，包括天線51和磁控管陽電極部?jī)?nèi)部設(shè)置的葉片12，天線的上端與磁控管陽電極部的中心軸共軸且貫穿磁控管的天線封蓋100和陶瓷環(huán)62，并與排氣管上部密封處相互連接，天線的下端向陽電極部的中心軸外側(cè)彎折并與葉片相互固定，葉片內(nèi)側(cè)與天線下端和葉片固定位置之間的距離為8.36毫米。
[0014]由圖3所示，實(shí)驗(yàn)中得出在距離為8.36毫米時(shí)Mean值為890，而6 δ管理Z值Ht數(shù)值僅為1.23。
[0015]但是現(xiàn)有技術(shù)的微波爐用磁控管的天線固定結(jié)構(gòu)無法有效降低磁控管的二次諧波，從而使微波爐用磁控管的電磁兼容特性變差，從而對(duì)人體和微波爐周圍的電器元件產(chǎn)生不利影響。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0016]本發(fā)明為解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的技術(shù)問題而提供一種在保持磁控管特性不變更的情況下，提高磁控管電磁兼容特性的微波爐用磁控管的天線固定結(jié)構(gòu)。
[0017]本發(fā)明為解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的技術(shù)問題所采取的技術(shù)方案是:
本發(fā)明的微波爐用磁控管的天線固定結(jié)構(gòu)，包括天線和磁控管陽電極部?jī)?nèi)部設(shè)置的葉片，天線的上端與磁控管陽電極部的中心軸共軸且貫穿磁控管的天線封蓋和陶瓷環(huán)，并與排氣管上部密封處相互連接，天線的下端向陽電極部的中心軸外側(cè)彎折并與葉片相互固定，葉片內(nèi)側(cè)與天線下端和葉片固定位置之間的距離增大10-15%。
[0018]本發(fā)明還可以采用如下技術(shù)措施:
所述的葉片內(nèi)側(cè)與天線下端和葉片固定位置之間的距離為9.36毫米。
[0019]所述的天線下端與葉片垂直固定。
[0020]本發(fā)明具有的優(yōu)點(diǎn)和積極效果是:
本發(fā)明的微波爐用磁控管的天線固定結(jié)構(gòu)中，增大了葉片內(nèi)側(cè)與天線下端和葉片固定位置之間的距離，使天線下端的固定位置更加偏離磁控管陽電極部的中心軸，起到調(diào)節(jié)磁控管因扼流結(jié)構(gòu)變化所帶來的磁控管特性的改變的作用，從而在保持磁控管特性不發(fā)生變化的情況下，提高了微波爐用磁控管的電磁兼容特性，能夠更好地減少二次諧波，提高磁控管的安定度。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0021]圖1是現(xiàn)有技術(shù)的磁控管結(jié)構(gòu)縱剖視圖；
圖2是本發(fā)明的微波爐用磁控管的天線固定結(jié)構(gòu)的示意圖；
圖3是現(xiàn)有技術(shù)的微波爐用磁控管的天線固定結(jié)構(gòu)的6 δ管理示意圖；
圖4是本發(fā)明的微波爐用磁控管的天線固定結(jié)構(gòu)的示意圖；
圖5是實(shí)驗(yàn)得出的微波爐用磁控管天線固定位置相對(duì)于濾除二次諧波的效率與安定度的關(guān)系不意圖；
圖6是本發(fā)明的微波爐用磁控管的天線固定結(jié)構(gòu)的6 δ管理示意圖。

【具體實(shí)施方式】
[0022]下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)的說明。
[0023]圖4是本發(fā)明的微波爐用磁控管的天線固定結(jié)構(gòu)的示意圖；圖5是實(shí)驗(yàn)得出的微波爐用磁控管天線固定位置相對(duì)于濾除二次諧波的效率與安定度的關(guān)系示意圖；圖6是本發(fā)明的微波爐用磁控管的天線固定結(jié)構(gòu)的6δ管理示意圖。
[0024]如圖4所示，本發(fā)明的微波爐用磁控管的天線固定結(jié)構(gòu)，包括天線51和磁控管陽電極部?jī)?nèi)部設(shè)置的葉片12，天線的上端與磁控管陽電極部的中心軸共軸且貫穿磁控管的天線封蓋和陶瓷環(huán)，并與排氣管上部密封處相互連接，天線的下端向陽電極部的中心軸外側(cè)彎折并與葉片相互固定，葉片內(nèi)側(cè)與天線下端和葉片固定位置之間的距離L，比現(xiàn)有技術(shù)中對(duì)應(yīng)距離增大約12%。葉片內(nèi)側(cè)與天線下端和葉片固定位置之間的距離為9.36毫米。天線下端與葉片垂直固定。
[0025]由圖5所示，葉片內(nèi)側(cè)與天線下端和葉片固定位置之間的距離為9.36毫米時(shí)的安定度ST2相對(duì)于距離為8.36時(shí)只下降了少許，而濾波效率卻有大范圍的提升，因而將葉片內(nèi)側(cè)與天線下端和葉片固定位置之間的距離增大到9.36毫米能夠兼顧安定度和濾波效率。
[0026]由圖6所示，實(shí)驗(yàn)中得出在距離為9.36毫米時(shí)Mean值為1135，而6 δ管理Z值Zlt數(shù)值為4.54。相對(duì)于8.36毫米時(shí)大幅度的提升了管理Z值。
[0027]本發(fā)明的微波爐用磁控管的天線固定結(jié)構(gòu)中，增大了葉片內(nèi)側(cè)與天線下端和葉片固定位置之間的距離，使天線下端的固定位置更加偏離磁控管陽電極部的中心軸，起到調(diào)節(jié)磁控管因扼流結(jié)構(gòu)變化所帶來的磁控管特性的改變的作用，從而在保持磁控管特性不發(fā)生變化的情況下，提高了微波爐用磁控管的電磁兼容特性，能夠更好地抑制二次諧波。
[0028]以上所述，僅是本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并非對(duì)本發(fā)明作任何形式上的限制，雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例公開如上，然而，并非用以限定本發(fā)明，任何熟悉本專業(yè)的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍內(nèi)，當(dāng)然會(huì)利用揭示的技術(shù)內(nèi)容作出些許更動(dòng)或修飾，成為等同變化的等效實(shí)施例，但凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實(shí)質(zhì)對(duì)以上實(shí)施例所作的任何簡(jiǎn)單修改、等同變化與修飾，均屬于本發(fā)明技術(shù)方案的范圍內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種微波爐用磁控管的天線固定結(jié)構(gòu)，包括天線和磁控管陽電極部?jī)?nèi)部設(shè)置的葉片，天線的上端與磁控管陽電極部的中心軸共軸且貫穿磁控管的天線封蓋和陶瓷環(huán)，并與排氣管上部密封處相互連接，天線的下端向陽電極部的中心軸外側(cè)彎折并與葉片相互固定，其特征在于:葉片內(nèi)側(cè)與天線下端和葉片固定位置之間的距離增大10-15%。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微波爐用磁控管的天線固定結(jié)構(gòu)，其特征在于:葉片內(nèi)側(cè)與天線下端和葉片固定位置之間的距離為9.36毫米。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微波爐用磁控管的天線固定結(jié)構(gòu)，其特征在于:天線下端與葉片垂直固定。
【文檔編號(hào)】H01J23/40GK104253009SQ201310260270
【公開日】2014年12月31日 申請(qǐng)日期:2013年6月27日 優(yōu)先權(quán)日:2013年6月27日
【發(fā)明者】李斌 申請(qǐng)人:樂金電子(天津)電器有限公司