大氣壓下離子源裝置制造方法
【專利摘要】本實(shí)用新型提供了一種大氣壓下離子源裝置，所述離子源裝置包括離子源，進(jìn)一步包括：螺旋線圈，所述螺旋線圈設(shè)置在所述離子源的出射端的下游，螺旋線圈的軸線彎曲；電流源，所述電流源設(shè)置所述螺旋線圈的頭端和尾端之間。本實(shí)用新型具有靈敏度高、溶劑干擾極小等優(yōu)點(diǎn)，并有助于降低質(zhì)譜分析系統(tǒng)的真空度要求、體積。
【專利說明】大氣壓下離子源裝置

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及質(zhì)譜分析，特別涉及大氣壓下離子源裝置。

【背景技術(shù)】
[0002]目前，在常規(guī)的電噴霧或APCI離子源中，為了防止溶劑的干擾，在設(shè)計(jì)離子流路的過程中，采用一定角度入射的方式，以避免溶劑過多的進(jìn)入到質(zhì)譜儀中。再有，為了提高靈敏度，加大真空接口部分的開孔面積。這種技術(shù)方案已定程度上解決了溶劑干擾和靈敏度低的問題，但隨之帶來較多不足，如:
[0003]1、離子是以一定角度進(jìn)入質(zhì)譜儀中，僅有少量離子進(jìn)入質(zhì)譜儀，離子進(jìn)入率低；還有，難免會(huì)有一些溶劑進(jìn)入質(zhì)譜儀中；
[0004]2、真空接口部分開孔面積的增大，相應(yīng)地需要提高真空系統(tǒng)的抽速，進(jìn)而帶來了真空系統(tǒng)體積龐大等問題。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0005]為了解決上述現(xiàn)有技術(shù)方案中的不足，本實(shí)用新型提供了一種靈敏度高、溶劑干擾極小的大氣壓下離子源裝置，并有助于降低質(zhì)譜分析系統(tǒng)的真空度要求、體積。
[0006]本實(shí)用新型的目的是通過以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的:
[0007]—種大氣壓下離子源裝置，所述離子源裝置包括離子源，其特征在于:所述離子源裝置進(jìn)一步包括:
[0008]螺旋線圈，所述螺旋線圈設(shè)置在所述離子源的出射端的下游，螺旋線圈的軸線彎曲；
[0009]電流源，所述電流源設(shè)置所述螺旋線圈的頭端和尾端之間。
[0010]根據(jù)上述的離子源裝置，優(yōu)選地，所述螺旋線圈的軸線彎曲90度。
[0011]根據(jù)上述的離子源裝置，優(yōu)選地，所述螺旋線圈采用電阻絲繞成。
[0012]根據(jù)上述的離子源裝置，優(yōu)選地，所述離子源是電噴霧源、APC1、DART。
[0013]根據(jù)上述的離子源裝置，優(yōu)選地，所述螺旋線圈部分地繞在所述離子源的外圍。
[0014]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型具有的有益效果為:
[0015]1、采用磁場(chǎng)的方法導(dǎo)引大氣壓下的離子，改變離子的無序運(yùn)動(dòng)軌跡，提升進(jìn)入到質(zhì)譜儀中的離子流量，提高了分析靈敏度；
[0016]2、可調(diào)的磁場(chǎng)設(shè)計(jì):可以通過提升電流而增加磁場(chǎng)強(qiáng)度，從而消耗離子的徑向動(dòng)能，使得放電的離子束趨于聚焦；
[0017]3、彎曲的螺旋線圈設(shè)置，使得不帶電的溶劑直線飛出線圈，而帶電的離子在磁場(chǎng)作用下彎曲飛行而進(jìn)入到質(zhì)譜分析系統(tǒng)中，僅有極少的溶劑會(huì)進(jìn)入質(zhì)譜分析系統(tǒng)，大大地降低了溶劑對(duì)系統(tǒng)的干擾；
[0018]4、無需增大真空接口部分開孔面積，降低系統(tǒng)的真空要求，即降低了質(zhì)譜分析系統(tǒng)的體積。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0019]參照附圖，本實(shí)用新型的公開內(nèi)容將變得更易理解。本領(lǐng)域技術(shù)人員容易理解的是:這些附圖僅僅用于舉例說明本實(shí)用新型的技術(shù)方案，而并非意在對(duì)本實(shí)用新型的保護(hù)范圍構(gòu)成限制。圖中:
[0020]圖1為本實(shí)用新型實(shí)施例1的大氣壓下離子源裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。

【具體實(shí)施方式】
[0021]圖1和以下說明描述了本實(shí)用新型的可選實(shí)施方式以教導(dǎo)本領(lǐng)域技術(shù)人員如何實(shí)施和再現(xiàn)本實(shí)用新型。為了教導(dǎo)本實(shí)用新型技術(shù)方案，已簡(jiǎn)化或省略了一些常規(guī)方面。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該理解源自這些實(shí)施方式的變型或替換將在本實(shí)用新型的范圍內(nèi)。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該理解下述特征能夠以各種方式組合以形成本實(shí)用新型的多個(gè)變型。由此，本實(shí)用新型并不局限于下述可選實(shí)施方式，而僅由權(quán)利要求和它們的等同物限定。
[0022]實(shí)施例1:
[0023]圖1示意性地給出了本實(shí)用新型實(shí)施例的大氣壓下離子源裝置的結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)圖，如圖1所示，所述離子源裝置包括:
[0024]離子源11，如電噴霧源、APC1、DART等；
[0025]螺旋線圈21，所述螺旋線圈設(shè)置在所述離子源的出射端的下游，且處于質(zhì)譜分析儀41的上游，螺旋線圈的軸線彎曲，如60度、90度；
[0026]電流源31，所述電流源設(shè)置所述螺旋線圈的頭端和尾端之間。
[0027]上述離子源裝置的工作方法，所述工作方法包括以下步驟:
[0028](Al)離子源出射離子，溶劑伴隨著所述離子出射；
[0029](A2)螺旋線圈通電后產(chǎn)生磁場(chǎng)，所述離子在螺旋線圈內(nèi)發(fā)生偏轉(zhuǎn)，之后進(jìn)入質(zhì)譜分析儀41，而所述溶劑直線運(yùn)動(dòng)而飛出螺旋線圈。
[0030]實(shí)施例2:
[0031]根據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例1的大氣壓下離子源裝置及其工作方法在質(zhì)譜分析系統(tǒng)中的應(yīng)用例。
[0032]在該應(yīng)用例中，采用電噴霧離子源，電阻絲繞成的螺旋線圈的軸線彎曲90度，電流源連接在線圈的頭端和尾端之間，且電流可調(diào)。線圈的部分繞在電噴霧離子源的外圍，且處于質(zhì)譜分析系統(tǒng)的真空系統(tǒng)的上游。
[0033]本實(shí)用新型實(shí)施例的離子源裝置的工作過程，包括以下步驟:
[0034]電噴霧離子源出射離子，溶劑隨著離子一并射出；
[0035]離子在螺旋線圈產(chǎn)生的磁場(chǎng)中偏轉(zhuǎn)90度，進(jìn)入到質(zhì)譜分析系統(tǒng)中；而溶劑直線運(yùn)行而飛出線圈；
[0036]提升電流而提高螺旋線圈的磁場(chǎng)強(qiáng)度，離子在線圈內(nèi)聚焦。
[0037]根據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例2達(dá)到的益處在于:螺旋線圈的彎曲設(shè)計(jì)顯著地降低了溶劑對(duì)測(cè)量的不利影響，同時(shí)提高了離子進(jìn)入質(zhì)譜分析系統(tǒng)的量，進(jìn)而提高了檢測(cè)靈敏度。
【權(quán)利要求】
1.一種大氣壓下離子源裝置，所述離子源裝置包括離子源，其特征在于:所述離子源裝置進(jìn)一步包括: 螺旋線圈，所述螺旋線圈設(shè)置在所述離子源的出射端的下游，螺旋線圈的軸線彎曲； 電流源，所述電流源設(shè)置所述螺旋線圈的頭端和尾端之間。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的離子源裝置，其特征在于:所述螺旋線圈的軸線彎曲90度。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的離子源裝置，其特征在于:所述螺旋線圈采用電阻絲繞成。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的離子源裝置，其特征在于:所述離子源是電噴霧源、APCI,DART0
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的離子源裝置，其特征在于:所述螺旋線圈部分地繞在所述離子源的外圍。
【文檔編號(hào)】H01J49/00GK203941876SQ201420387048
【公開日】2014年11月12日 申請(qǐng)日期:2014年7月5日 優(yōu)先權(quán)日:2014年7月5日
【發(fā)明者】俞建成, 聞路紅, 林群英, 王海星, 趙鵬 申請(qǐng)人:寧波大學(xué)