本技術(shù)涉及照明領(lǐng)域，特別涉及一種照明用led光源。

背景技術(shù)：

1、隨著led照明技術(shù)的不斷發(fā)展，照明不僅要高效節(jié)能，健康舒適的光色質(zhì)量也越來越受到人們關(guān)注。針對(duì)新技術(shù)的不斷涌現(xiàn)，人們對(duì)照明光品質(zhì)及舒適度提出了更高要求，特別是針對(duì)健康照明的要求在不斷提高。與傳統(tǒng)的led照明相比，全光譜照明波段更接近于太陽光，可以提供更為真實(shí)、自然、色彩平衡的照明效果。這種照明方式對(duì)于人的視覺健康和舒適度有著積極的影響，同時(shí)也有助于提高工作效率和減少疲勞。全光譜照明的應(yīng)用范圍廣泛，包括但不限于醫(yī)療、教育、娛樂和建筑等領(lǐng)域。同時(shí)，隨著科技的不斷發(fā)展和人們對(duì)健康和環(huán)保意識(shí)的不斷提高，全光譜照明的應(yīng)用范圍也將進(jìn)一步擴(kuò)大?？偠灾?，全光譜照明是當(dāng)前l(fā)ed照明的發(fā)展方向，具有廣泛的應(yīng)用前景和重要的社會(huì)意義。

2、就全光譜照明的商業(yè)化而言，一方面出于相應(yīng)光源的體積和成本考慮，商業(yè)化的全光譜led光源不可能僅通過采用具有不同發(fā)射峰值波長(zhǎng)的led芯片的方式覆蓋全光譜照明所需的發(fā)光波段，另一方面，出于當(dāng)前已經(jīng)商業(yè)化led芯片的規(guī)格參數(shù)而言，當(dāng)前已經(jīng)商業(yè)化的led芯片的發(fā)射峰值波長(zhǎng)也無法完全覆蓋全光譜照明所需的發(fā)光波段。因此，當(dāng)前全光譜照明的商業(yè)化主要依賴于將具有不同發(fā)射峰值波長(zhǎng)的多種波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料均勻混合的方式制備led光源的熒光粉膠，對(duì)應(yīng)在將該熒光粉膠均勻覆蓋于相應(yīng)led芯片并固化形成該led光源的熒光粉層后，藉由該熒光粉層中不同波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料對(duì)該led芯片所發(fā)出的相應(yīng)波段的光的轉(zhuǎn)換，使得該led光源所發(fā)出的光能夠盡可能覆蓋全光譜照明所需的發(fā)光波段。

3、也就是說，目前的商業(yè)化的全光譜led光源中，涂覆于led芯片上的熒光粉層中包含具有不同發(fā)射峰值波長(zhǎng)的多種波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料。由于照明領(lǐng)域主要采用的led芯片的發(fā)射峰值波長(zhǎng)通常處于500nm以內(nèi)，對(duì)應(yīng)這些波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料的激發(fā)光譜也被優(yōu)化在500nm以內(nèi)，但為覆蓋全光譜照明所需的發(fā)光波段，這些波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料中還會(huì)有發(fā)射峰值波長(zhǎng)在紅光和近紅外波段的波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料，而如圖1所示，發(fā)射峰值波長(zhǎng)在紅光和近紅外波段的波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料的激發(fā)光譜通常又會(huì)包含大于500nm的波段，甚至最高可以到800nm，對(duì)應(yīng)命名激發(fā)光譜包含大于500nm的波段的這些波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料為寬激發(fā)光譜的波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料，當(dāng)熒光粉層的波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料中同時(shí)包含發(fā)射峰值波長(zhǎng)在500nm至800nm區(qū)間的波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料時(shí)，這些波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料所轉(zhuǎn)換出的光會(huì)激發(fā)前述寬激發(fā)光譜的波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料而產(chǎn)生二次激發(fā)，以至于在依目標(biāo)發(fā)光光譜計(jì)算和配置熒光粉膠中的波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料的比例時(shí)，實(shí)際制備獲得的led光源的發(fā)光光譜難以與目標(biāo)發(fā)光光譜相匹配且具備不確定性，具體體現(xiàn)為實(shí)際制備獲得的led光源的整體光效相對(duì)設(shè)計(jì)值會(huì)被降低，且實(shí)際發(fā)光參數(shù)相對(duì)設(shè)計(jì)值的變化具備不確定性。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本實(shí)用新型的一個(gè)目的在于提供一種照明用led光源，其中所述led光源具有至少一led芯片，并基于所述led芯片所發(fā)出的光對(duì)具有不同發(fā)射峰值波長(zhǎng)的多種波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料的激發(fā)，使得所述led光源的目標(biāo)發(fā)光光譜能夠在較寬的波段范圍基于各所述波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料的比例配置被設(shè)計(jì)，因而適用于健康照明。

2、本實(shí)用新型的另一個(gè)目的在于提供一種照明用led光源，其中所述led光源產(chǎn)生二次激發(fā)的概率和參與二次激發(fā)的輻射能量均能夠被降低，因而有利于在依目標(biāo)發(fā)光光譜計(jì)算和配置各波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料的比例時(shí)，降低二次激發(fā)對(duì)計(jì)算結(jié)果的影響而有利于簡(jiǎn)化對(duì)各波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料的比例的計(jì)算和配置。

3、本實(shí)用新型的另一個(gè)目的在于提供一種照明用led光源，其中所述led光源產(chǎn)生二次激發(fā)的概率和參與二次激發(fā)的輻射能量均能夠被降低，因而有利于在依目標(biāo)發(fā)光光譜計(jì)算和配置各波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料的比例后，保障所述led光源的實(shí)際發(fā)光光譜與目標(biāo)發(fā)光光譜之間的匹配性，對(duì)應(yīng)有利于保障所述led光源的整體光效和實(shí)際發(fā)光參數(shù)的穩(wěn)定性和一致性。

4、本實(shí)用新型的另一個(gè)目的在于提供一種照明用led光源，其中所述led光源具有先后固化的至少兩層熒光粉層，其中在先固化的熒光粉層中質(zhì)量占比最高的波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料的發(fā)射峰值波長(zhǎng)大于在后固化的熒光粉層中質(zhì)量占比最高的波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料的發(fā)射峰值波長(zhǎng)，如此以避免在先固化的熒光粉層中質(zhì)量占比最高的波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料的發(fā)射峰值波長(zhǎng)落入在后固化的熒光粉層中質(zhì)量占比最高的波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料的激發(fā)光譜的波峰區(qū)間，對(duì)應(yīng)降低所述led光源產(chǎn)生二次激發(fā)的概率和參與二次激發(fā)的輻射能量。

5、本實(shí)用新型的另一個(gè)目的在于提供一種照明用led光源，其中在先固化的熒光粉層中質(zhì)量占比最高的波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料的發(fā)射峰值波長(zhǎng)大于在后固化的熒光粉層中任一波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料的發(fā)射峰值波長(zhǎng)，如此以避免在先固化的熒光粉層中質(zhì)量占比最高的波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料的發(fā)射峰值波長(zhǎng)落入在后固化的熒光粉層中任一波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料的激發(fā)光譜的波峰區(qū)間，對(duì)應(yīng)進(jìn)一步降低所述led光源產(chǎn)生二次激發(fā)的概率和參與二次激發(fā)的輻射能量。

6、本實(shí)用新型的另一個(gè)目的在于提供一種照明用led光源，其中在先固化的熒光粉層中任一波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料的發(fā)射峰值波長(zhǎng)大于在后固化的熒光粉層中任一波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料的發(fā)射峰值波長(zhǎng)，如此以避免在先固化的熒光粉層中任一波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料的發(fā)射峰值波長(zhǎng)落入在后固化的熒光粉層中任一波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料的激發(fā)光譜的波峰區(qū)間，對(duì)應(yīng)避免所述led光源產(chǎn)生二次激發(fā)。

7、本實(shí)用新型的另一個(gè)目的在于提供一種照明用led光源，其中所述led光源產(chǎn)生二次激發(fā)的概率和參與二次激發(fā)的輻射能量均能夠被降低，對(duì)應(yīng)在各波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料的比例依目標(biāo)發(fā)光光譜被固定配置的狀態(tài)，使得所述led芯片的輻射通量的變化引起的實(shí)際發(fā)光光譜的變化能夠被計(jì)算獲取，如此以便于在后繼依對(duì)所述led芯片的輻射通量的控制，調(diào)節(jié)所述led光源的實(shí)際發(fā)光光譜，從而滿足具有明確目的性的照明調(diào)節(jié)需求。

8、為實(shí)現(xiàn)以上至少一目的，根據(jù)本實(shí)用新型的一個(gè)方面，本實(shí)用新型提供一種照明用led光源，所述照明用led光源包括：

9、一基板載體，至少一led芯片，以及在所述led芯片的發(fā)光路徑被先后固化的至少兩層熒光粉層，其中所述led芯片被承載于所述基板載體并與所述基板載體上的相應(yīng)線路連接，其中所述led芯片選自發(fā)射峰值波長(zhǎng)在300nm-480nm范圍內(nèi)的led芯片，其中以在先固化和在后固化區(qū)分按時(shí)間順序被固化的至少兩所述熒光粉層中相鄰的兩所述熒光粉層，在后固化的所述熒光粉層被固化于在先固化的所述熒光粉層，各所述熒光粉層包含至少一種波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料，且在先固化的所述熒光粉層中質(zhì)量占比最高的波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料的發(fā)射峰值波長(zhǎng)大于在后固化的所述熒光粉層中質(zhì)量占比最高的波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料的發(fā)射峰值波長(zhǎng)。

10、在一實(shí)施例中，其中在先固化的所述熒光粉層中質(zhì)量占比最高的波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料的發(fā)射峰值波長(zhǎng)大于在后固化的所述熒光粉層中任一波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料的發(fā)射峰值波長(zhǎng)。

11、在一實(shí)施例中，其中在先固化的所述熒光粉層中任一波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料的發(fā)射峰值波長(zhǎng)大于在后固化的所述熒光粉層中任一波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料的發(fā)射峰值波長(zhǎng)。

12、在一實(shí)施例中，其中的兩所述熒光粉層中，在先固化的所述熒光粉層中任一波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料的發(fā)射峰值波長(zhǎng)大于等于670nm，在后固化的所述熒光粉層中任一波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料的發(fā)射峰值波長(zhǎng)小于670nm。

13、在一實(shí)施例中，其中該兩所述熒光粉層中，在先固化的所述熒光粉層中具有至少兩種波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料，在后固化的所述熒光粉層中具有至少三種波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料。

14、在一實(shí)施例中，其中該兩所述熒光粉層中，在先固化的所述熒光粉層中具有兩種波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料且兩種波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料的發(fā)射峰值波長(zhǎng)分別處于733nm±5nm和795nm±5nm的范圍，在后固化的所述熒光粉層中具有五種波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料且五種波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料的發(fā)射峰值波長(zhǎng)分別處于494±5nm、535±5nm、495±5nm、655±5nm以及525±5nm的范圍。

15、在一實(shí)施例中，其中所述led芯片的數(shù)量為多個(gè)，各所述led芯片選自發(fā)射峰值波長(zhǎng)在400nm-480nm范圍內(nèi)的led芯片，并且多個(gè)所述led芯片被設(shè)置滿足具有多個(gè)發(fā)射峰值波長(zhǎng)。

16、在一實(shí)施例中，其中多個(gè)所述led芯片被設(shè)置滿足具有至少三個(gè)發(fā)射峰值波長(zhǎng)，并且各發(fā)射峰值波長(zhǎng)之間的最小差值大于等于5nm。

17、在一實(shí)施例中，其中多個(gè)所述led芯片被設(shè)置滿足具有四個(gè)發(fā)射峰值波長(zhǎng)，這四個(gè)發(fā)射峰值波長(zhǎng)分別處于435nm±5nm，445nm±5nm，455nm±5nm以及470nm±5nm的范圍。

18、通過對(duì)隨后的描述和附圖的理解，本實(shí)用新型進(jìn)一步的目的和優(yōu)勢(shì)將得以充分體現(xiàn)。