專利名稱：陰極射線管發(fā)光屏組件的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及陰極射線管(CRT)的包括光吸收矩陣的發(fā)光屏組件的制造方法，特別涉及使用其開口寬度基本大于制得的矩陣開口寬度的選色極制備矩陣的方法。


圖1表示其上具有屏組件22的常規(guī)CRT的蔭罩2和觀看面極18。蔭罩2包括多個矩形開口4，圖中僅示出一個開口。屏組件22包括具有矩形開口的光吸收矩陣23，在矩形開口中分別設(shè)置發(fā)射藍、綠和紅光的熒光線B、G和R。三種發(fā)光顏色的熒光體和它們之間的矩陣線或保護帶(guardband)包括具有大約0.84mm(33密耳)的寬度或屏節(jié)距P的三元組。以下用RB表示發(fā)射紅和藍光的熒光線之間的保護帶，用RG表示發(fā)射紅和綠光的熒光線之間的保護帶，用BG表示發(fā)射藍和綠光的熒光線之間的保護帶。對于常規(guī)蔭罩2來說，蔭罩開口4的寬度a不大于三元組寬度P的三分之一。在對角線尺寸為51cm(20英寸)的CRT中，蔭罩開口4的寬度a在約0.23mm(9密耳)的數(shù)量級，形成于矩陣中的開口的最終寬度b約為0.18mm(7密耳)。矩陣23在相鄰熒光線之間的保護帶寬度c約為0.1mm(4密耳)。最好采用1971年1月26日授予Mayaud的美國專利3558310中所述的工藝方法將矩陣23形成在觀看面板18上。簡要地說，在觀看面板上配置其溶解度可因光而改變的適當光致抗蝕劑膜。通過蔭罩2中的開口4使光致抗蝕劑對來自普通三合一(three-in-one)曝光臺(未示出)的紫外光曝光。在每次曝光之后，將燈移動到曝光臺中的不同位置，以再現(xiàn)來自CRT電子槍的電子束入射角。典型地，如圖2所示，用6、7和8表示的三束電子束的位置間隔大約5.38mm(212密耳)的距離Xo。要求從三個不同的燈位置進行三次曝光，以完成矩陣曝光處理。然后，用水沖洗被曝光的膜，去除具有較高溶解度的膜區(qū)域，從而露出面板盤(faceplate panel)的裸露區(qū)域。接著，用現(xiàn)有技術(shù)中公知的那種黑色矩陣漿料涂敷面板盤內(nèi)表面，當干燥時，該漿料粘附到面板盤的露出區(qū)域上。最后，去除覆蓋被保留膜的矩陣材料以及保留膜區(qū)域，留下面板盤的前述露出區(qū)域上的矩陣層。再參照圖1，在蔭罩開口的寬度a與矩陣開口的寬度b之間的差被稱為“印刷減小(print down)”。這樣，在圖1的常規(guī)蔭罩型CRT中，蔭罩開口的寬度約為0.23mm，矩陣開口的寬度約為0.18mm，典型的“印刷減小”約為0.05mm(2密耳)。蔭罩型CRT的缺點是在屏幕中心，蔭罩幾乎截取電子束電流的約18-22％；即，據(jù)說蔭罩僅具有大約18-22％的透過率。這樣，蔭罩2中開口4的面積約為罩面積的18-22％。因為沒有與蔭罩2有關(guān)的聚焦場，所以屏組件22的相應(yīng)部分被電子束激勵。
為了增加選色極的透過率而不增加屏幕被激勵部分的尺寸，需要偏轉(zhuǎn)后聚焦選色結(jié)構(gòu)。這種結(jié)構(gòu)的聚焦特性允許較大孔徑的開口，用以獲得比普通蔭罩大的電子束透過率。這種結(jié)構(gòu)中的一種，即單軸張力聚焦罩，披露于1997年7月8日授予R.W.Nosker等人的美國專利5646478中。使用例如張力聚焦罩之類的偏轉(zhuǎn)后聚焦選色極的缺點是不能采用形成矩陣的常規(guī)方法，因為現(xiàn)有方法僅提供大約0.05mm(2密耳)的“印刷減小”。對于美國專利5646478的張力聚焦罩來說，屏組件的三元組間隔P與具有常規(guī)蔭罩的CRT的相同，因而矩陣開口寬度約為0.18mm。可是，如后所述，對于張力聚焦罩型CRT來說，需要大約0.37mm(14.5密耳)的“印刷減小”。用上述常規(guī)矩陣處理方法不能實現(xiàn)“印刷減小”的這種高程度。此外，對于張力聚焦罩型CRT來說，利用例如上述美國專利3558310所教導的常規(guī)三合一曝光臺工藝方法形成的任何矩陣開口圖形都將導致因“Q”間隔誤差使轟擊在發(fā)射藍和紅光的熒光體上的電子束誤著屏。尺寸“Q”是選色極與面板內(nèi)表面之間的距離。典型的“Q”間隔誤差在+/-5％的數(shù)量級，即由面板厚度或曲率與理想尺寸的偏差引起的蔭罩-屏幕間隔上的變化。因此，需要一種新的制備矩陣的方法，該方法對于非常大的“印刷減小”也能處理同時沒有電子束的誤著屏。
本發(fā)明涉及陰極射線管面板盤內(nèi)表面上具有光吸收矩陣的發(fā)光屏組件的制造方法，在光吸收矩陣中有多個尺寸大體相等的開口。該管具有與面板盤內(nèi)表面相距距離Q的選色極。該方法包括在面板盤內(nèi)表面上提供其溶解度在曝光時可改變的第一光致抗蝕劑層的步驟。使第一光致抗蝕劑層對來自相對于中心光源位置0設(shè)置于兩個對稱光源位置的燈的光曝光。曝光選擇地改變第一光致抗蝕劑層被照區(qū)域的溶解度，產(chǎn)生較高溶解度的區(qū)域和較低溶解度的區(qū)域。去除較高溶解度的區(qū)域，露出面板盤內(nèi)表面的區(qū)域，同時保留較低溶解度區(qū)域。用光吸收材料的組合物覆蓋面板盤內(nèi)表面和第一光致抗蝕劑層的保留區(qū)域。去除第一光致抗蝕劑層的保留區(qū)域和其上的光吸收材料，從而露出面板盤內(nèi)表面的部分同時保留粘附于面板盤內(nèi)表面的光吸收材料的第一保護帶。利用第二和第三光致抗蝕劑層重復該工藝方法。用相對于中心光源位置0設(shè)置于另外的非對稱光源位置的燈，通過選色極進行第二和第三光致抗蝕劑層的曝光。隨后涂敷光吸收材料并去除被選擇的區(qū)域，露出面板盤內(nèi)表面的部分同時保留粘附于面板盤內(nèi)表面的光吸收材料的第二和第三保護帶。然后，在面板盤內(nèi)表面的露出部分上淀積熒光材料，完成屏組件。
附圖中圖1是展示“印刷減小”的CRT常規(guī)蔭罩和屏組件的一部分的放大剖面圖；圖2表示CRT內(nèi)三束電子束的位置B、G和R；圖3是按照本發(fā)明制備的彩色CRT的局部軸向剖切的平面圖；圖4是圖3的CRT的張力聚焦罩和屏組件的一部分的放大剖面圖；圖5是用于圖3的CRT中的張力聚焦罩和框架的平面圖；圖6表示制造工藝方法的第一步驟，其中一部分CRT面板盤具有設(shè)置于其內(nèi)表面的第一光致抗蝕劑層；圖7表示來自第一燈位置+G和第二燈位置-G的光通過張力聚焦罩照射第一光致抗蝕劑層的區(qū)域；圖8是圖7中圓8內(nèi)區(qū)域的放大圖，表示本工藝方法的第二步驟，其中在第一光致抗蝕劑層中產(chǎn)生較高溶解度和較低溶解度的區(qū)域；圖9表示該工藝方法的第三步驟，其中去除第一光致抗蝕劑層的較高溶解度的區(qū)域并留下保留的較低溶解度的區(qū)域；圖10表示該工藝方法的第四步驟，其中在面板盤內(nèi)表面和第一光致抗蝕劑層的較低溶解度的保留區(qū)域上涂敷光吸收材料的組合物；圖11表示該工藝方法的第五步驟，其中去除較低溶解度的保留區(qū)域和其上的光吸收材料，從而露出面板盤內(nèi)表面的部分同時保留粘附于面板盤內(nèi)表面的光吸收材料的第一保護帶；圖12表示該制造工藝方法的第六步驟，其中在CRT面板盤內(nèi)表面的露出部分和第一保護帶上設(shè)置第二光致抗蝕劑層；圖13表示來自第三燈位置+B和第四燈位置-B的光通過張力聚焦罩照射第二光致抗蝕劑層的區(qū)域；圖14是圖13的圓14內(nèi)區(qū)域的放大圖，表示該工藝方法的第七步驟，其中在第二光致抗蝕劑層中產(chǎn)生較高溶解度和較低溶解度的區(qū)域；圖15表示該工藝方法的第八步驟，其中去除第二光致抗蝕劑層的較可溶的區(qū)域，露出所述面板盤的所述內(nèi)表面的區(qū)域，同時留下所述第二光致抗蝕劑層的較低溶解度的保留區(qū)域；圖16表示該工藝方法的第九步驟，其中在面板盤內(nèi)表面和第二光致抗蝕劑層的較低溶解度的保留區(qū)域上涂敷光吸收材料的組合物；圖17表示該工藝方法的第十步驟，其中去除較低溶解度的保留區(qū)域和其上的光吸收材料，露出面板盤內(nèi)表面的部分，同時保留粘附于面板盤內(nèi)表面的光吸收材料的第二保護帶；圖18表示該工藝方法的第十一步驟，其中在CRT面板盤內(nèi)表面的露出部分和第一以及第二保護帶上設(shè)置第三光致抗蝕劑層；圖19表示來自第五燈位置+R和第六燈位置-R的光通過張力聚焦罩然照射第三光致抗蝕劑層的區(qū)域；圖20是圖19的圓20內(nèi)區(qū)域的放大圖，表示本工藝方法的第十二步驟，其中在第三光致抗蝕劑層中產(chǎn)生較高溶解度和較低溶解度的區(qū)域；圖21表示本工藝方法的第十三步驟，其中去除第三光致抗蝕劑層的更可溶的區(qū)域，露出所述面板盤的所述內(nèi)表面的區(qū)域同時留下較低溶解度的保留區(qū)域；圖22表示該工藝方法的第十四步驟，其中在面板盤內(nèi)表面和第三光致抗蝕劑層的較低溶解度的保留區(qū)域上涂敷光吸收材料的組合物；圖23表示該工藝方法的第十五步驟，其中去除較低溶解度的保留區(qū)域和其上的光吸收材料，露出面板盤內(nèi)表面的部分和粘附于面板盤內(nèi)表面的光吸收材料的第三保護帶；圖24表示保護帶和熒光體開口如何隨“Q”間距改變而改變；和圖25是作為Q誤差的函數(shù)的保護帶寬度、熒光體開口寬度和熒光屏誤著屏的曲線。
圖3表示具有玻殼11的陰極射線管10，玻殼11包括用矩形錐體15連接的矩形面板盤12和管頸14。錐體具有從陽極鈕16延伸到管頸14的內(nèi)導電涂層(未示出)。面板盤12包括圓柱形觀看面板18和利用玻璃熔料密封到錐體15上的周邊凸緣或側(cè)壁20。三色熒光屏組件22裝于觀看面板18的內(nèi)表面上。屏組件22是線性屏，如圖4所示，具有按三個一組(三元組)排列的發(fā)射藍、綠和紅光的熒光體，各三元組包括由光吸收矩陣23的保護帶分開的三種顏色中的每一種顏色的熒光線。按相對于屏組件22的預定間距，將例如張力聚焦罩之類的多孔選色極24可拆卸地安裝在面板盤12內(nèi)。該距離被稱為“Q”間距。用圖3中虛線所示意表示的電子槍26同軸地裝入管頸14內(nèi)，產(chǎn)生和引導三束一字形電子束(示于圖2中)沿會聚路徑通過張力聚焦罩24到達屏組件22。電子槍是常規(guī)的，可以是現(xiàn)有技術(shù)中公知的任何適當?shù)臉尅?br> CRT 10被設(shè)計與外部磁偏轉(zhuǎn)線圈，例如在錐體-管頸結(jié)合處附近所示的線圈30一起使用。當被激勵時，線圈30使三束電子束受到磁場的作用，使電子束在屏組件22上掃描出水平和垂直矩形光柵。
正如現(xiàn)有技術(shù)中所知的，鋁層(未示出)覆蓋屏組件22，提供對其的電接觸以及反射表面，該反射表面將從熒光體發(fā)射的光通過觀看面極18射向外部。如圖5所示，最好由厚約為0.05mm(2密耳)且包括兩條長邊和兩條短邊的低碳鋼矩形薄板形成張力聚焦罩24。張力聚焦罩的兩條長邊平行于罩的中心長軸X，兩條短邊平行于罩的中心短軸Y。參見圖4和5，張力聚焦罩24包括有孔部分，有孔部分包含被平行于罩短軸Y的狹縫(slot)33隔開的大量第一細長線束(strand)32。
在本發(fā)明第一實施例中，例如，在對角線尺寸為68cm(27英寸)的CRT中，被定義為第一線束32和相鄰狹縫33的橫向尺寸的罩節(jié)距約為0.85mm(33.5密耳)。如圖4所示，各第一線束32的橫向尺寸或?qū)挾萪約為0.36mm(14密耳)，各狹縫33的寬度a′約為0.49mm(19.5密耳)。狹縫33從張力聚焦罩的相鄰一個長邊延伸到其相鄰的另一長邊。分別具有約為0.025mm(1密耳)的直徑的多個第二線束34大體垂直于第一線束32取向并在它們之間間隔絕緣器36。用于張力聚焦罩24的框架38包括圖5中所示的四個主構(gòu)件、兩個抗扭力構(gòu)件(torsion members)40和41、以及兩個側(cè)邊構(gòu)件42和43。兩個抗扭力構(gòu)件40和41平行于長軸X并且彼此平行。張力聚焦罩24的長邊焊接在對罩24提供所需張力的兩個抗扭力構(gòu)件40和41之間。返回到圖4，形成于觀看面板18上的屏22包括光吸收矩陣23，光吸收矩陣23具有其中設(shè)置發(fā)射B、G和R光的熒光線的矩陣開口。相應(yīng)的矩陣開口具有約為0.173mm(6.8密耳)的最佳或理想寬度b。各矩陣線或保護帶的最佳寬度c約為0.127mm(5密耳)，各熒光體三元組的寬度或屏節(jié)距P約為0.91mm(35.8密耳)。對于本實施例，張力聚焦罩24與面板盤12內(nèi)表面的中心相隔距離Q約為15.1mm(593.3密耳)。
圖6-23示出用于制造矩陣23的新工藝方法，其中使用其罩狹縫33寬于罩線束24的張力聚焦罩24。在清洗面板盤12之后，利用常規(guī)裝置，在其內(nèi)表面上配置負作用(negative acting)光致抗蝕劑材料，形成第一光致抗蝕劑層50。如圖7和8所示，在曝光臺(未示出)內(nèi)，來自至少兩個光源位置+G和-G的光通過張力聚焦罩24對第一光致抗蝕劑層50曝光。第一光源位置+G相對于中心光源位置0位于約為1.78mm(70mm)的距離ΔX處。第二光源位置-G對稱地位于距中心光源位置0約為-1.78mm(-70mm)的距離-ΔX處。光源位置+G和-G距第一光致抗蝕劑層50的縱向間距約為280.86mm(11.0573英寸)。如圖8所示，在張力聚焦罩24與其上配置第一光致抗蝕劑層50的面板內(nèi)表面之間的Q間距約為15.1mm(593.3密耳)。從光源位置+G和-G發(fā)射的光選擇地改變第一光致抗蝕劑層50的被照區(qū)域的溶解度，從而產(chǎn)生較低溶解度的區(qū)域52。由罩線束32屏蔽的第一光致抗蝕劑層50的區(qū)域沒有改變并且構(gòu)成較高溶解度的區(qū)域54。如圖9所示，用水顯影光致抗蝕劑，于是去除較高溶解度的區(qū)域和露出較高溶解度區(qū)域下面的面板盤12內(nèi)表面的區(qū)域56，同時保留具有較低溶解度的第一光致抗蝕劑層50的那些區(qū)域52。
如圖10所示，用光吸收材料58的組合物覆蓋露出的區(qū)域56和保留的較低溶解度的區(qū)域52。光吸收材料58粘附于露出區(qū)域56中的面板盤12的內(nèi)表面上。最好，光吸收材料是可從Acheson ColloidsCo.,Port Huron,MI購買的石墨組合物。然后，利用現(xiàn)有技術(shù)中公知的化學消化劑水溶液，去除第一光致抗蝕劑層的保留區(qū)域52和其上的光吸收材料。如圖11所示，第一保護帶60和光吸收材料的邊界62粘附于面板盤12的內(nèi)表面。
參照圖12，通過在面板盤12的內(nèi)表面上提供負作用光致抗蝕劑材料，再次重復該工藝方法，形成第二光致抗蝕劑層70。如圖13和14所示，在曝光臺(未示出)內(nèi)，第二光致抗蝕劑70通過張力聚焦罩24對來自至少兩個光源位置+B和-B的光曝光。第三光源位置+B相對于中心光源位置0非對稱地位于設(shè)置于大約8.99mm(354密耳)的距離2X1-ΔX處。第四光源位置-B非對稱地位于距中心光源位置0大約為-3.61mm(-142密耳)的距離-X1+ΔX處。光源位置+B和-B距第二光致抗蝕劑70的縱向間距保持約為280.86mm(11.0573英寸)的距第一光致抗蝕劑50的縱向間距。如圖14所示，在張力聚焦罩24與其上設(shè)置第二光致抗蝕劑層70的面板內(nèi)表面之間的Q間距保持在大約15.1mm(593.3密耳)。從光源位置+B和-B發(fā)射的光選擇地改變第二光致抗蝕劑層70被照區(qū)域的溶解度，從而產(chǎn)生較低溶解度的區(qū)域72。由罩線束32屏蔽的第二光致抗蝕劑層70的區(qū)域沒有改變并且構(gòu)成較高溶解度的區(qū)域74。如圖15所示，用水顯影光致抗蝕劑，于是去除較高溶解度的區(qū)域和露出較高溶解度區(qū)域下面的面板盤12內(nèi)表面的區(qū)域76，同時保留具有較低溶解度的第二光致抗蝕劑層70的那些區(qū)域72。
如圖16所示，用光吸收材料78的組合物覆蓋在先形成的露出的區(qū)域76和保留的較低溶解度的區(qū)域72。光吸收材料78粘附于在先形成的露出區(qū)域76中的面板盤12內(nèi)表面上。然后，利用現(xiàn)有技術(shù)中公知的化學消化劑水溶液，去除第二光致抗蝕劑層的保留區(qū)域72和其上的光吸收材料。如圖17所示，新形成的第二保護帶80和先前形成的第一保護帶60保留在面板盤12的內(nèi)表面上。
參照圖18，通過在面板盤12內(nèi)表面上提供負作用光致抗蝕劑材料，第三次重復該工藝方法，形成第三光致抗蝕劑層90。如圖19和20所示，在曝光臺(未示出)內(nèi)，第三光致抗蝕劑90通過張力聚焦罩24對來自至少兩個光源位置+R和-R的光曝光。第五光源位置+R相對于中心光源位置0非對稱地設(shè)置于大約為3.61mm(142密耳)的距離X2-ΔX處。第六光源位置-R非對稱地設(shè)置于距中心光源位置0大約為-8.99mm(-354密耳)的距離-2X2+ΔX處。光源位置+R和-R距第三光致抗蝕劑層90的縱向間距保持在大約280.86mm(11.0573英寸)。如圖20所示，在張力聚焦罩24與其上設(shè)置第三光致抗蝕劑層90的面板內(nèi)表面之間的Q間距保持在大約15.1mm(593.3密耳)。如圖20所示，從光源位置+R和-R發(fā)射的光選擇性地改變第三光致抗蝕劑層90的被照區(qū)域的溶解度，于是產(chǎn)生較低溶解度的區(qū)域92。由罩線束32屏蔽的第三光致抗蝕劑層90的區(qū)域沒有改變并且構(gòu)成較高溶解度的區(qū)域94。如圖21所示，用水顯影光致抗蝕劑，從而去除較高溶解度的區(qū)域和露出較高溶解度區(qū)域下面的面板盤12內(nèi)表面的區(qū)域96，同時保留具有較低溶解度的第三光致抗蝕劑層90的那些區(qū)域92。
如圖22所示，用光吸收材料98的組合物覆蓋在先形成的露出的區(qū)域96和在面板盤12內(nèi)表面上的較低溶解度的保留區(qū)域92。光吸收材料98粘附于在先形成的露出區(qū)域96中的面板盤12內(nèi)表面上。然后，利用現(xiàn)有技術(shù)中公知的化學消化劑水溶液，去除第三光致抗蝕劑層的保留區(qū)域92和其上的光吸收材料。如圖23所示，新形成的第三保護帶100和先前形成的第一保護帶60和第二保護帶80保持在面板盤12的內(nèi)表面上。
圖24中示出本工藝方法的優(yōu)點。如果Q間距改變，例如因從張力聚焦罩到面板盤內(nèi)表面的距離改變，那么R、B和B矩陣開口也改變，但尺寸保持相等。如果因前述“Q誤差”，Q間距改變-5％，那么各矩陣開口的寬度從0.173mm(6.8密耳)的理想尺寸增加到大約0.189mm(7.46密耳)，保護帶改變?nèi)缦卤Ｗo帶60的寬度從0.127mm(5密耳)的理想尺寸增加到大約0.139mm(5.49密耳)，而保護帶80和100的寬度從0.127mm(5密耳)的理想尺寸減小到大約0.0945mm(3.72密耳)?？墒?，如果Q間距改變+5％，那么各矩陣開口的寬度減小到大約0.156mm(6.14密耳)，但保護帶尺寸改變?nèi)缦卤Ｗo帶60的寬度減小到0.115mm(4.51密耳)，同時保護帶80和100的寬度增加到0.160mm(6.28密耳)。這些結(jié)果圖示于圖25中。
在形成矩陣之后，用適當方法淀積熒光屏元，該方法例如披露于1996年10月3日授予Gorog等人的美國專利5455133中。本方法調(diào)節(jié)矩陣開口和保護帶的尺寸，以考慮Q間距的改變?？墒?，如圖25所示，作為本方法的結(jié)果，轟擊紅、藍和綠熒光體的電子束沒有誤著屏。
本發(fā)明還可應(yīng)用于較細節(jié)距的張力聚焦罩。例如，其中張力聚焦罩的罩節(jié)距為0.65mm(25.6密耳)和第一線束寬度為0.3mm(11.8密耳)，相應(yīng)的屏節(jié)距為0.68mm(25.8密耳)。各矩陣開口的最佳寬度b約為0.132mm(5.2密耳)，矩陣線寬度c約為0.094mm(3.7密耳)。對于本實施例的張力聚焦罩24，中心Q間距約為11.14mm(449密耳)。
此外，如果張力聚焦罩24的罩節(jié)距為0.41mm(16.1密耳)且第一線束寬度為0.2mm(7.8密耳)，相應(yīng)的屏節(jié)距為0.42mm(16.5密耳)。各矩陣開口的寬度b約為0.066mm(2.6密耳)，矩陣線寬度c約為0.074mm(2.9密耳)。在本實施例的張力聚焦罩24中，中心Q間距約為7.4mm(291.5密耳)。
權(quán)利要求
1．一種CRT面板盤12內(nèi)表面上具有光吸收矩陣23的發(fā)光屏組件22的制造方法，在光吸收矩陣23中有多個尺寸大體相等的開口，該CRT帶有與所述面板盤的所述內(nèi)表面相距距離Q的選色極24，所述方法包括下列步驟a)在面板盤12內(nèi)表面上提供其溶解度在曝光時可改變的第一光致抗蝕劑層50；b)使所述第一光致抗蝕劑層50對來自相對于中心光源位置0對稱設(shè)置的至少兩個光源位置+G和-G的光曝光，以選擇地改變所述第一光致抗蝕劑層50被照區(qū)域的溶解度，從而產(chǎn)生具有較高溶解度的區(qū)域54和具有較低溶解度的區(qū)域52，c)去除具有較高溶解度的所述第一光致抗蝕劑層50的區(qū)域54，于是露出所述面板盤12的所述內(nèi)表面的區(qū)域56，同時保留較低溶解度的所述區(qū)域52；d)用光吸收材料58的組合物覆蓋所述區(qū)域56和所述保留的區(qū)域52；e)去除所述保留區(qū)域52和其上的光吸收材料，從而露出所述面板盤12的所述內(nèi)表面的部分同時保留粘附于所述面板盤的所述內(nèi)表面上的所述光吸收材料的第一保護帶60；f)分別利用第二和第三光致抗蝕劑層70和90和另外非對稱設(shè)置的光源位置+B、-B和+R、-R，再重復步驟a)至e)兩次以上，露出所述面板盤的所述內(nèi)表面的部分，產(chǎn)生所述光吸收材料的第二和第三保護帶80和100；和g)在面板盤內(nèi)表面的露出部分上淀積熒光材料。
2．一種CRT面板盤12內(nèi)表面上具有光吸收矩陣23的發(fā)光屏組件22的制造方法，在光吸收矩陣23中有多個尺寸大體相等的開口，該CRT帶有與所述面板盤的所述內(nèi)表面相距距離Q的選色極24，所述方法包括下列步驟在所述面板盤12的所述內(nèi)表面上提供其溶解度在曝光時可改變的第一光致抗蝕劑層50；使所述第一光致抗蝕劑層50通過所述選色極24對來自相對于中心光源位置0對稱設(shè)置的至少兩個光源位置+G和-G的光曝光，以選擇地改變所述第一光致抗蝕劑層50的被照區(qū)域的溶解度，從而產(chǎn)生具有較高溶解度的區(qū)域54和具有較低溶解度的區(qū)域52，去除具有較高溶解度的所述第一光致抗蝕劑層50的區(qū)域54，從而露出在所述較高溶解度的所述區(qū)域54下面的所述面板盤12的所述內(nèi)表面的區(qū)域56，同時保留較低溶解度的所述第一光致抗蝕劑層50的那些區(qū)域52；用光吸收材料58的組合物覆蓋所述面板盤12的所述內(nèi)表面和所述第一光致抗蝕劑層50的所述保留區(qū)域52，該光吸收材料58粘附于所述面板盤12的所述內(nèi)表面上；去除所述第一光致抗蝕劑層50的所述保留區(qū)域52和其上的光吸收材料58，從而露出所述面板盤12的所述內(nèi)表面的部分同時保留粘附于所述面板盤的所述內(nèi)表面上的所述光吸收材料的第一保護帶60；在所述面板盤12的所述內(nèi)表面的所述露出部分和粘附于所述面板盤的所述內(nèi)表面上的所述光吸收材料的保留的第一保護帶60上提供其溶解度在曝光時可改變的第二光致抗蝕劑層70；使所述第二光致抗蝕劑70通過所述選色電極24對來自至少兩個非對稱設(shè)置的源位置+B和-B的光曝光，以選擇地改變所述第二光致抗蝕劑層70被照區(qū)域的溶解度，從而在所述第二光致抗蝕劑層中產(chǎn)生較高溶解度的區(qū)域74和較低溶解度的區(qū)域72；去除所述第二光致抗蝕劑層70的較高溶解度的區(qū)域74，從而露出所述較高溶解度區(qū)域74下面的所述面板盤12的所述內(nèi)表面的區(qū)域76，同時保留所述第二光致抗蝕劑層70的較低溶解度的區(qū)域72；用光吸收材料78的組合物涂敷所述面板盤12的所述內(nèi)表面和所述第二光致抗蝕劑層70的保留區(qū)域72，該光吸收材料78粘附于所述面板盤12的所述內(nèi)表面上；去除所述第二光致抗蝕劑層70的所述保留區(qū)域72和其上的光吸收材料78，從而露出所述面板盤12的所述內(nèi)表面的部分，同時保留粘附于所述面板盤12的所述內(nèi)表面上的所述光吸收材料的第二保護帶80；在所述面板盤的所述內(nèi)表面的所述露出部分和粘附于所述面板盤12的所述內(nèi)表面的所述光吸收材料的保留的第一和第二保護帶60、80上，提供其溶解度在曝光時可改變的第三光致抗蝕劑層90；使所述第三光致抗蝕劑層90通過所述選色電極24對來自至少兩個不同的非對稱設(shè)置的源位置+R和-R的光曝光，以選擇地改變所述第三光致抗蝕劑層90被照區(qū)域的溶解度，從而在所述第三光致抗蝕劑層90中產(chǎn)生較高溶解度的區(qū)域94和較低溶解度的區(qū)域92；去除所述第三光致抗蝕劑層90的具有較高溶解度的區(qū)域94，從而露出較高溶解度的所述區(qū)域94之下的所述面板盤12的所述內(nèi)表面的區(qū)域96，同時保留所述第三光致抗蝕劑層90的較低溶解度的那些區(qū)域92；用光吸收材料98的組合物涂敷所述面板盤12的所述內(nèi)表面和所述第三光致抗蝕劑層90的保留區(qū)域92，該光吸收材料98粘附于所述面板盤12的所述內(nèi)表面；去除所述第三光致抗蝕劑層90的所述保留區(qū)域92和其上的光吸收材料98，從而露出所述面板盤12的所述內(nèi)表面的部分，同時保留粘附于所述面板盤12的所述內(nèi)表面上的所述光吸收材料的第三保護帶100；和然后，在所述面板盤12的所述內(nèi)表面的露出部分上淀積熒光材料G、B和R。
3．一種CRT面板盤12內(nèi)表面上具有光吸收矩陣23的發(fā)光屏組件22的制造方法，光吸收矩陣23具有在其間有尺寸大體相等的開口的多個保護帶60、80和100，該CRT帶有其開口33基本上大于所述矩陣中的開口的張力罩24，所述張力罩24與所述面板盤12的所述內(nèi)表面相距距離Q，所述方法包括下列步驟在面板盤12內(nèi)表面上提供其溶解度在曝光時可改變的第一光致抗蝕劑層50；使所述第一光致抗蝕劑層50通過所述張力罩24對來自相對于中心光源位置0對稱設(shè)置的至少兩個光源位置+G和-G的光曝光，其中所述光源位置被設(shè)置在第一位置ΔX和第二燈位置-ΔX，以選擇地改變所述第一光致抗蝕劑層50被照區(qū)域的溶解度，從而在所述第一光致抗蝕劑層50中產(chǎn)生具有較高溶解度的區(qū)域54和具有較低溶解度的區(qū)域52，去除具有較高溶解度的所述第一光致抗蝕劑層50的區(qū)域54，從而露出在所述較高溶解度的所述區(qū)域54下面的所述面板盤12的所述內(nèi)表面的區(qū)域56，同時保留較低溶解度的所述第一光致抗蝕劑層50的那些區(qū)域52；用光吸收材料58的組合物覆蓋所述面板盤12的所述內(nèi)表面和所述第一光致抗蝕劑層50的所述保留區(qū)域52，該光吸收材料58粘附于所述面板盤12的所述內(nèi)表面上；去除所述第一光致抗蝕劑層50的所述保留區(qū)域52和其上的光吸收材料58，從而露出所述面板盤12的所述內(nèi)表面的部分同時保留粘附于所述面板盤的所述內(nèi)表面上的所述光吸收材料的第一保護帶60；在所述面板盤12的所述內(nèi)表面的所述露出部分和粘附于所述面板盤的所述內(nèi)表面上的所述光吸收材料的保留的第一保護帶60上提供其溶解度在曝光時可改變的第二光致抗蝕劑層70；使所述第二光致抗蝕劑70通過所述張力罩24對至少兩個來自相對于所述中心光源位置0非對稱設(shè)置的光源位置+B和-B的光曝光，其中所述光源設(shè)置于第三位置-X1+ΔX和第四位置2X1-ΔX，以選擇地改變所述第二光致抗蝕劑層70的被照區(qū)域的溶解度，從而在所述第二光致抗蝕劑層70中產(chǎn)生較高溶解度的區(qū)域74和較低溶解度的區(qū)域72；去除所述第二光致抗蝕劑層70的較高溶解度的區(qū)域74，從而露出所述較高溶解度區(qū)域74下面的所述面板盤12的所述內(nèi)表面的區(qū)域76，同時保留所述第二光致抗蝕劑層70的較低溶解度的區(qū)域72；用光吸收材料78的組合物涂敷所述面板盤12的所述內(nèi)表面和所述第二光致抗蝕劑層70的保留區(qū)域72，該光吸收材料78粘附于所述面板盤12的所述內(nèi)表面上；去除所述第二光致抗蝕劑層70的所述保留區(qū)域72和其上的光吸收材料78，從而露出所述面板盤12的所述內(nèi)表面的部分，同時保留粘附于所述面板盤12的所述內(nèi)表面上的所述光吸收材料的第二保護帶80；在所述面板盤的所述內(nèi)表面的所述露出部分和粘附于所述面板盤12的所述內(nèi)表面的所述光吸收材料的保留的第一和第二保護帶60、80上，提供其溶解度在曝光時可改變的第三光致抗蝕劑層90；使所述第三光致抗蝕劑90通過所述張力罩24對來自至少兩個相對于所述中心光源位置0非對稱地設(shè)置的源位置+R和-R的光曝光，其中該光源位置設(shè)置于第五燈位置X2-ΔX和第六燈位置-2X2+ΔX，以選擇地改變所述第三光致抗蝕劑層90被照區(qū)域的溶解度，從而在所述第三光致抗蝕劑層90中產(chǎn)生較高溶解度的區(qū)域94和較低溶解度的區(qū)域92；去除所述第三光致抗蝕劑層90的具有較高溶解度的區(qū)域94，從而露出較高溶解度的所述區(qū)域94之下的所述面板盤12的所述內(nèi)表面的區(qū)域96，同時保留所述第三光致抗蝕劑層90的較低溶解度的那些區(qū)域92；用光吸收材料98的組合物涂敷所述面板盤12的所述內(nèi)表面和所述第三光致抗蝕劑層90的保留區(qū)域92，該光吸收材料98粘附于所述面板盤12的所述內(nèi)表面；去除所述第三光致抗蝕劑層90的所述保留區(qū)域92和其上的光吸收材料98，從而露出所述面板盤12的所述內(nèi)表面的部分，同時保留粘附于所述面板盤12的所述內(nèi)表面上的所述光吸收材料的第三保護帶100；和然后，在所述面板盤12的所述內(nèi)表面的露出部分上淀積熒光材料發(fā)藍、綠和紅光的熒光體。
全文摘要
本發(fā)明涉及CRT面板盤(12)內(nèi)表面上具有光吸收矩陣(23)的發(fā)光屏組件(22)的制造方法,在光吸收矩陣(23)中有多個尺寸大體相等的開口。選色極24與內(nèi)表面相距距離Q。該方法包括在面板盤內(nèi)表面上提供其溶解度在曝光時可改變的第一光致抗蝕劑層(50)的步驟。使第一光致抗蝕劑層對來自相對于中心光源位置0對稱設(shè)置的兩個光源位置+G和－G的光曝光。然后,去除光致抗蝕劑層的更可溶的區(qū)域(54),用光吸收材料(58)進行涂敷和顯影,去除其上有光吸收材料的第一光致抗蝕劑層的不太可溶的區(qū)域(52)。光吸收材料的第一保護帶(60)保留在面板盤內(nèi)表面上。分別使用第二和第三光致抗蝕劑層(70和90)以及兩個非對稱設(shè)置的光源位置+B、－B和+R、－R,重復兩次以上該工藝方法,產(chǎn)生第二和第三保護帶(80和100)。
文檔編號H01J29/18GK1296633SQ99804937
公開日2001年5月23日 申請日期1999年1月21日 優(yōu)先權(quán)日1998年2月9日
發(fā)明者R·拉佩盧塔, I·戈洛格 申請人:湯姆森許可公司