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      電火花加工側(cè)置瞄準(zhǔn)裝置的制作方法

      文檔序號:3190428閱讀:383來源:國知局
      專利名稱:電火花加工側(cè)置瞄準(zhǔn)裝置的制作方法
      技術(shù)領(lǐng)域
      本實用新型屬于電火花加工技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種電火花加工側(cè)置瞄裝置。
      背景技術(shù)
      目前,公知的電火花加工瞄準(zhǔn)裝置不外乎兩種方式,一種是利用接觸感知,另一種是用定心顯微鏡瞄準(zhǔn)。利用接觸感知瞄準(zhǔn),當(dāng)工具電極很細,電極直經(jīng)只有幾微米時,極易碰彎。而用定心顯微鏡瞄準(zhǔn)工作時需要換裝錐柄工具電極,一般誤差較大。常用的電火花加工瞄準(zhǔn)裝置,一般是在同一主軸上先采用定心顯微鏡瞄準(zhǔn)工件, 然后卸下定心顯微鏡換裝錐柄工具電極進行加工。由于采用二次裝夾一般會產(chǎn)生20微米左右的誤差。對于普通電火花加工來講能滿足技術(shù)要求;但是高技術(shù)領(lǐng)域的微靶加工的技術(shù)要求誤差為5微米左右,常用的電火花加工瞄準(zhǔn)裝置的精度距要求差距較大。
      發(fā)明內(nèi)容本實用新型已解決的技術(shù)問題是提供一種電火花加工側(cè)置瞄裝置。本實用新型的電火花加工側(cè)置瞄裝置中的鏡架與機床主軸的一個側(cè)面固定連接, 鏡架、顯微鏡與外套固定連接,顯微鏡與機床主軸平行,機床主軸的下端與電極固定連接。采用本實用新型的電火花加工側(cè)置瞄裝置,能夠省去加工機床二次裝夾帶來的安裝誤差,可以將瞄準(zhǔn)誤差控制在2微米左右,明顯提高了加工精度。本實用新型的電火花加工側(cè)置瞄裝置適用于微細孔超高位置精度的電火花加工。
      以下結(jié)合附圖和實施例對本實用新型進一步說明。


      圖1為本實用新型的電火花加工側(cè)置瞄裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。圖中,1.機床主軸 2.鏡架3.鏍釘4.顯微鏡5.外套 6.電極。
      具體實施方式
      圖1為本實用新型的電火花加工側(cè)置瞄裝置的結(jié)構(gòu)示意圖,在
      圖1中,本實用新型的電火花加工側(cè)置瞄裝置中的鏡架2通過螺釘3與機床主軸1的一個側(cè)面固定連接,鏡架 2、顯微鏡4與外套5固定連接,顯微鏡4與機床主軸1平行,機床主軸1的下端與電極6固定連接。鏡架2、外套5上分別設(shè)置有對應(yīng)的凹槽用于固定顯微鏡4。鏡架2、外套5分別采用輕質(zhì)鋁合金材料。顯微鏡4采用市售產(chǎn)品,放大倍數(shù)50倍,根據(jù)需要也可采用其它倍數(shù)。為了克服現(xiàn)有的電加工瞄準(zhǔn)裝置存在二次裝夾帶來的安裝誤差,本實用新型采用側(cè)置式固定顯微鏡瞄準(zhǔn)。工作時先在試件上用電極加工一任意孔,電極不卸下,同時機床清零,然后移動機床的xy軸,瞄準(zhǔn)電極加工的任意孔中心點并記錄xy軸數(shù)值,由此獲得了電火花加工側(cè)置瞄準(zhǔn)裝置中心與機床主軸中心(工具電極中心)固定數(shù)值ΔΧΔΥ。依據(jù)這一數(shù)據(jù)ΔΧΔΥ,在加工超高精度微細孔時,先瞄準(zhǔn)所要加工微細孔中心,然后按照xy軸固定數(shù)值 ΔΧΔΥ移動機床并打孔,這樣一來,省去了二次裝夾帶來的安裝誤差,可以將瞄準(zhǔn)誤差控制在2微米,使加工精度提高數(shù)倍。
      權(quán)利要求1.一種電火花加工側(cè)置瞄準(zhǔn)裝置,其特征是鏡架(2)與機床主軸(1)的一個側(cè)面固定連接,鏡架(2 )、顯微鏡(4 )與外套(5 )固定連接,顯微鏡(4 )與機床主軸(1)平行,機床主軸(1)的下端與電極(6)固定連接。
      2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電火花加工側(cè)置瞄準(zhǔn)裝置,其特征是所述的鏡架(2)、外套(5)上分別設(shè)置有對應(yīng)的凹槽用于固定顯微鏡(4)。
      專利摘要本實用新型提供了一種電火花加工側(cè)置瞄準(zhǔn)裝置,本實用新型中的鏡架與機床主軸的一個側(cè)面固定連接,鏡架、顯微鏡與外套固定連接,顯微鏡與機床主軸平行,機床主軸的下端與電極固定連接。采用本實用新型,能夠省去二次裝夾帶來的安裝誤差,可以將瞄準(zhǔn)誤差控制在2微米,使電火花加工精度提高數(shù)倍。
      文檔編號B23H7/26GK202317338SQ20112046709
      公開日2012年7月11日 申請日期2011年11月23日 優(yōu)先權(quán)日2011年11月23日
      發(fā)明者唐永健, 張昭瑞, 易泰民, 梅魯生, 蘇春曉, 謝軍, 魏勝 申請人:中國工程物理研究院激光聚變研究中心
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