專利名稱：一種激光除錫球的裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及激光應(yīng)用領(lǐng)域，具體涉及一種激光除錫球的裝置。
背景技術(shù)：
激光加工技術(shù)是利用激光束與物質(zhì)相互作用的特性對(duì)材料(包括金屬與非金屬)進(jìn)行鉆開、焊接、表面處理、打孔、微加工以及作為光源，識(shí)別物體等的一門技術(shù)，傳統(tǒng)應(yīng)用最大的領(lǐng)域?yàn)榧す饧庸ぜ夹g(shù)，激光加工系統(tǒng)包括激光器、導(dǎo)光系統(tǒng)、加工機(jī)床、控制系統(tǒng)及檢測(cè)系統(tǒng)。激光機(jī)一般靠激光電源帶動(dòng)激光管發(fā)光，通過幾個(gè)反光鏡的折射，使光線傳輸?shù)郊す忸^，再由激光頭上安裝的聚焦鏡將光線匯聚成為一點(diǎn)，而這一點(diǎn)可以達(dá)到很高的溫度，從而將材料瞬間升華為氣體，由抽風(fēng)機(jī)吸走，這樣就達(dá)到鉆開或鉆孔的目的。 錫球(BGA,Ball Gird Array,球柵陣列封裝)是用來代替IC元件封裝結(jié)構(gòu)中的引腳，從而滿足電性互連以及機(jī)械連接要求的一種連接件。其終端產(chǎn)品為數(shù)碼相機(jī)/MP3/MP4/筆記型電腦/移動(dòng)通信設(shè)備(手機(jī)、高頻通信設(shè)備)/LED/IXD/DVD/電腦主機(jī)板/PDA/車載液晶電視/家庭影院(AC 3系統(tǒng))/衛(wèi)星定位系統(tǒng)等消費(fèi)性電子產(chǎn)品。BGA/CSP封裝件的發(fā)展順應(yīng)了技術(shù)發(fā)展的趨勢(shì)并滿足了人們對(duì)電子產(chǎn)品短、小、輕、薄的要求這是一種高密度表面裝配封裝技術(shù)，對(duì)bga返修臺(tái)、bga封裝、bga返修、BGA植球要求都非常高。在封裝的底部，引腳都成球狀并排列成一個(gè)類似於格子的圖案，由此命名為BGA，產(chǎn)品特點(diǎn)(錫球)(無鉛錫珠)的純度和圓球度均非常高，適用於BGA，CSP等尖端封裝技術(shù)及微細(xì)焊接使用，錫球最小直徑可為O. 14_，對(duì)非標(biāo)準(zhǔn)尺寸可以依客戶的要求而定制.使用時(shí)具自動(dòng)校正能力并可容許相對(duì)較大的置放誤差，無端面平整度問題。但由于元器件趨向于小型化，錫球也趨向于小型化，且，在貼錫球于元器件時(shí)，高溫使得錫球熔化后，熔液流到IC間隙處，造成短路，因此有必要除去一部分錫球。

實(shí)用新型內(nèi)容為了解決以上的技術(shù)問題，本實(shí)用新型提供一種激光除錫球的裝置。本實(shí)用新型公開了一種激光除錫球的裝置，包括切錫部位選擇單元，用于選擇基體上需要除錫球的部位；預(yù)設(shè)參數(shù)導(dǎo)入單元，用于導(dǎo)入除錫球的預(yù)設(shè)參數(shù)，所述的預(yù)設(shè)參數(shù)包括切剔部分占整個(gè)錫球的百分比；切錫單元，與所述的預(yù)設(shè)參數(shù)導(dǎo)入單元及切錫部位選擇單元相連，用于按照所述的預(yù)設(shè)參數(shù)來回移動(dòng)激光束來回掃描所述的錫球；切錫部分判斷單元，與所述的切錫單元相連，用于判斷切錫部分是否達(dá)到了所述的百分比；切剔完成提示單元，與所述的切錫部分判斷單元相連，用于提示切錫完成并停止掃描。[0013]在本實(shí)用新型所述的激光除錫球的裝置中，還包括壓縮空氣吹入單元，與所述的切錫單元相連，用于在所述的鉆開部位吹入壓縮空氣，吹走汽化的和/或鉆開下來的材料。在本實(shí)用新型所述的激光除錫球的裝置中，所述的基體包括IC塊、BGA。在本實(shí)用新型所述的激光除錫球的裝置中，所述的激光束可X軸、Y軸、Z軸三個(gè)方向上運(yùn)動(dòng)。在本實(shí)用新型所述的激光除錫球的裝置中，所述的百分比為20%至90%。實(shí)施本實(shí)用新型的一種激光除錫球的裝置，具有以下有益的技術(shù)效果物理方法除去多余錫球，降低因基板局部變形造成的連錫現(xiàn)象，提高產(chǎn)品的良率。

圖I是本實(shí)用新型實(shí)施例一種激光除錫球方法流程圖；圖2是本實(shí)用新型實(shí)施例一種激光除錫球裝置流程圖。
具體實(shí)施方式
為詳細(xì)說明本實(shí)用新型的技術(shù)內(nèi)容、構(gòu)造特征、所實(shí)現(xiàn)目的及效果，以下結(jié)合實(shí)施方式并配合附圖詳予說明。請(qǐng)參閱圖I，一種激光除錫球方法，包括SI.選擇基體上需要除錫球的部位；基體為印刷線路板或電子元器件表面有接觸電極須要上錫膏或錫球的產(chǎn)品，如IC,BGA...都可以使用此工藝，將基體的需要除錫的部位放在激光發(fā)生器照射下的區(qū)域內(nèi)，較佳地，激光波長(zhǎng)為192nm 10640nm。S2.導(dǎo)入除錫球的預(yù)設(shè)參數(shù)，所述的預(yù)設(shè)參數(shù)包括切剔部分占整個(gè)錫球的百分比；所述的百分比為20%至90%。預(yù)設(shè)的參數(shù)包括掃描次數(shù)，由于激光的能量高，錫球被掃過很快汽化，為了防止錫球粘連，實(shí)踐證實(shí)，切剔部分占整個(gè)錫球的20%至90%為宜。S3.按照所述的預(yù)設(shè)參數(shù)來回掃描所述的錫球；所述的激光束可X軸、Y軸、Z軸三個(gè)方向上運(yùn)動(dòng)。為了鉆切方便，激光束可根據(jù)需要切割的部分而不斷上下移動(dòng)、左右移動(dòng)、前后移動(dòng)。S31，在所述的切剔部分吹入壓縮空氣，吹走汽化的和/或切除下來的材料。高速氣流對(duì)激光與基體相互作用區(qū)有一定的冷卻作用，使激光與基體互相作用產(chǎn)生的熱量向基體內(nèi)部的傳導(dǎo)深度降低，從而使由于受熱融化快速冷卻而產(chǎn)生的重鑄層厚度下降，激光束射向基體樣品，激光束焦點(diǎn)處的能量密度超過基體的破壞閥值，使得切割處的基體汽化成陶瓷顆粒，通過吹入壓縮空氣將汽化狀態(tài)的基體顆粒迅速去除，以免影響下面的加工。S4.判斷切錫部分是否達(dá)到了所述的百分比，若是，進(jìn)入步驟S5，若否，返回步驟S3 ；S5.提示切錫完成并停止掃描。請(qǐng)參閱圖2，一種激光除錫球的裝置，用于實(shí)現(xiàn)上述的方法，包括[0034]切錫部位選擇單元10、預(yù)設(shè)參數(shù)導(dǎo)入單元20、切錫單元30、壓縮空氣吹入單元35、切錫部分判斷單元40、切剔完成提示單元50。切錫部位選擇單元10,用于選擇基體上需要除錫球的部位；預(yù)設(shè)參數(shù)導(dǎo)入單元20，用于導(dǎo)入除錫球的預(yù)設(shè)參數(shù)，所述的預(yù)設(shè)參數(shù)包括切剔部分占整個(gè)錫球的百分比；切錫單元30，與預(yù)設(shè)參數(shù)導(dǎo)入單元20相連，用于按照所述的預(yù)設(shè)參數(shù)來回掃描所述的錫球；切錫部分判斷單元40，與切錫單元30相連，用于判斷切錫部分是否達(dá)到了所述 的百分比；切剔完成提示單元50，與切錫部分判斷單元40相連，用于提示切錫完成并停止掃描。較佳地，本實(shí)用新型的一種激光除錫球的裝置還包括壓縮空氣吹入單元35，與切錫單元30相連，用于在所述的鉆開部位吹入壓縮空氣，吹走汽化的和/或鉆開下來的材料。其中，所述的基體包括IC塊、BGA，所述的激光束可X軸、Y軸、Z軸三個(gè)方向上運(yùn)動(dòng)，所述的百分比為20%至90%。實(shí)施本實(shí)用新型的一種激光除錫球方法和裝置，具有以下有益的技術(shù)效果物理方法除去多余錫球，降低因基板局部變形造成的連錫現(xiàn)象，提高產(chǎn)品的良率。上面結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型的實(shí)施例進(jìn)行了描述，但是本實(shí)用新型并不局限于上述的具體實(shí)施方式
，上述的具體實(shí)施方式
僅僅是示意性的，而不是限制性的，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員在本實(shí)用新型的啟示下，在不脫離本實(shí)用新型宗旨和權(quán)利要求所保護(hù)的范圍情況下，還可做出很多形式，這些均屬于本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種激光除錫球的裝置，其特征在于，包括 切錫部位選擇單元，用于選擇基體上需要除錫球的部位； 預(yù)設(shè)參數(shù)導(dǎo)入單元，用于導(dǎo)入除錫球的預(yù)設(shè)參數(shù)，所述的預(yù)設(shè)參數(shù)包括切剔部分占整個(gè)錫球的百分比； 切錫單元，與所述的預(yù)設(shè)參數(shù)導(dǎo)入單元及切錫部位選擇單元相連，用于按照所述的預(yù)設(shè)參數(shù)來回移動(dòng)激光束來回掃描所述的錫球； 切錫部分判斷單元，與所述的切錫單元相連，用于判斷切錫部分是否達(dá)到了所述的百分比； 切剔完成提示單元，與所述的切錫部分判斷單元相連，用于提示切錫完成并停止掃描。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的激光除錫球的裝置，其特征在于，還包括壓縮空氣吹入單元，與所述的切錫單元相連，用于在所述的鉆開部位吹入壓縮空氣，吹走汽化的和/或鉆開下來的材料。
3.根據(jù)權(quán)利要求I或2任一項(xiàng)所述的激光除錫球的裝置，其特征在于，所述的基體包括IC 塊、BGA。
4.根據(jù)權(quán)利要求I或2任一項(xiàng)所述的激光除錫球的裝置，其特征在于，所述的激光束可X軸、Y軸、Z軸三個(gè)方向上運(yùn)動(dòng)。
5.根據(jù)權(quán)利要求I或2任一項(xiàng)所述的激光除錫球的裝置，其特征在于，所述的百分比為20%至 90%。
專利摘要本實(shí)用新型公開了一種激光除錫球的裝置，包括切錫部位選擇單元，用于選擇基體上需要除錫球的部位；預(yù)設(shè)參數(shù)導(dǎo)入單元，用于導(dǎo)入除錫球的預(yù)設(shè)參數(shù)，所述的預(yù)設(shè)參數(shù)包括切剔部分占整個(gè)錫球的百分比；切錫單元，與所述的預(yù)設(shè)參數(shù)導(dǎo)入單元及切錫部位選擇單元相連，用于按照所述的預(yù)設(shè)參數(shù)來回移動(dòng)激光束來回掃描所述的錫球；切錫部分判斷單元，與所述的切錫單元相連，用于判斷切錫部分是否達(dá)到了所述的百分比；切剔完成提示單元，與所述的切錫部分判斷單元相連，用于提示切錫完成并停止掃描。實(shí)施本實(shí)用新型的激光除錫球方法及裝置用物理方法除去多余錫球，提高IC產(chǎn)品的良率。
文檔編號(hào)B23K26/36GK202591838SQ20122001381
公開日2012年12月12日 申請(qǐng)日期2012年1月12日 優(yōu)先權(quán)日2012年1月12日
發(fā)明者彭信翰 申請(qǐng)人:深圳市木森科技有限公司