專利名稱：低損耗大功率弧焊逆變器的制作方法
技術領域：
本實用新型涉及一種弧焊逆變器，尤其指要求低損耗的大功率弧焊逆變器。
目前，常見的半橋式弧焊逆變器，如


圖1所示，以串聯(lián)的二可自關斷開關管P1、P2(P1發(fā)射極與P2集電極相連)和串聯(lián)的電容器C1、C2并聯(lián)、并且每只可自關斷開關管P1、P2分別加R－C－D吸收電路S(包含電阻R、電容C及二極管D，其中電容器C的電容量約為0.01微法)；通常決定大功率弧焊逆變器效率的主要因素有三方面一種是可自關斷開關管本身的損耗、另一種是變壓器銅、鐵的損耗，還有一種是可自關斷開關管電壓尖峰會分別在二吸收電路損耗(電路充放電)，一般達200～500瓦，約降低整機效率2～10％。
鑒此，本實用新型的目的是提供一種低損耗大功率弧焊逆變器，以兩串聯(lián)可自關斷開關管構(gòu)成半導體模塊，加上一個大電容C的R－C－D吸收電路，從而降低電路損耗。
本實用新型的目的是這樣實現(xiàn)的一種低損耗大功率弧焊逆變器包括由一塊半導體模塊構(gòu)成的二串聯(lián)可自關斷開關管P1、P2，二串聯(lián)電容C1、C2及R－C－D吸收電路，上述模塊上的可自關斷開關管P1集電極和可自關斷開關管P2發(fā)射極之間跨接一個R－C－D吸收電路，并且該吸收電路中的電容C限定為0.1微法以上，此外，二串聯(lián)電容C1、C2與半導體模塊之間的連接導線長度≤30厘米，同時，上述半導體模塊的正、負電位輸入端分別串聯(lián)電流互感器T1、T2，而在其交流輸出端串聯(lián)電流互感器T3。
由于采用上述方案電路能量損耗大大降低(不超過2瓦)，相應使用壽命延長，此外，重量輕、體積小，安裝簡單又可靠。
以下結(jié)合附圖和實施例對本實用新型進一步說明。
圖1現(xiàn)有技術的電路原理圖。
圖2本實用新型典型實施例電路原理圖。
圖中電容C1、C2半導體模塊M可自關斷開關管P1、P2吸收電路S 電阻R 電容C 二極管D 電流互感器T1、T2和T3。
如圖2所示，半導體模塊M(IGBT、TPM等)，是由可自關斷開關管P1發(fā)射極與可自關斷開關管P2集電極串聯(lián)構(gòu)成一體；在可自關斷開關管P1集電極和可自關斷開關管P2發(fā)射極之間跨接(并聯(lián))一個R－C－D吸收電路S(由電阻R、電容C及二極管D組成)，只要在正、負電位輸入端不出現(xiàn)過電壓，吸收電路S中不會產(chǎn)生電壓尖峰(不會充放電)，一般電容C要求在0.1微法以上(限制在0.1～1微法較佳)，大電容C既能使可自關斷開關管P1、P2不出現(xiàn)尖峰，又能吸收電路中的過電壓(過電壓保護)，此外，電容C1、C2與半導體模塊M之間的連接導線長度要求盡量短，一般≤30厘米(以小于10厘米更佳)，因為連接導線長度短、電感小，不易與大電容C產(chǎn)生振蕩。
電流互感器T1、T2分別串聯(lián)在半導體模塊M的正、負電位輸入端，構(gòu)成過電流保護電路，對該逆變器過流、短路、模塊溫度過高等起保護作用；電流互感器T3串聯(lián)在半導體模塊M的交流輸出端，對該逆變器進行逐個脈沖控制。
權利要求一種低損耗大功率弧焊逆變器包括由一塊半導體模塊構(gòu)成的二串聯(lián)可自關斷開關管P1、P2，二串聯(lián)電容C1、C2及R-C-D吸收電路，其特征是上述模塊上的可自關斷開關管P1集電極和可自關斷開關管P2發(fā)射極之間跨接一個R-C-D吸收電路，并且該吸收電路中的電容C限定為0.1微法以上，此外，二串聯(lián)電容C1、C2與半導體模塊之間的連接導線長度≤30厘米，同時，上述半導體模塊的正、負電位輸入端分別串聯(lián)電流互感器T1、T2，而在其交流輸出端串聯(lián)電流互感器T3。
專利摘要本實用新型涉及一種弧焊逆變器，尤其指要求低損耗的大功率弧焊逆變器。它包括由一塊半導體模塊構(gòu)成的二串聯(lián)可自關斷開關管P
文檔編號B23K9/10GK2201207SQ94222389
公開日1995年6月21日 申請日期1994年9月29日 優(yōu)先權日1994年9月29日
發(fā)明者劉振英 申請人:劉振英