專利名稱：鍍膜裝置中的遮板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是關(guān)于一種鍍膜裝置中的遮板，特別是用在一基板上形成兩種以上特定厚度的鍍膜層的一種鍍膜裝置中的遮板。
在鍍膜技術(shù)中，于同一基板上鍍上兩種以上不同厚度的鍍膜層，甚至是特定漸變斜率的漸變膜層，其是具有一定的困難度。如

圖1所示，在一傳統(tǒng)的鍍膜裝置5中，是將傾斜基板51放置于基座52的上方，并于基座52的表面上放置欲鍍的靶材53，利用真空蒸鍍或是濺鍍的方式進(jìn)行鍍膜。在此，基板51的放置位置不與基座52平行，而是傾斜呈一角度。此技術(shù)即是利用鍍膜層54的厚度與基座52至基板51之間距離的1.5-1.9次方成反比(依機(jī)臺不同而不同)，所以離基座52越近的基板51部分，其膜層越厚；反之，離基座52較遠(yuǎn)的基板51部分，其膜層越薄。
就上述鍍膜裝置及方法而言，理論上基板及濺鍍源之間的距離與鍍膜層的厚度是呈一定關(guān)系，但實際上業(yè)者無法精確控制鍍膜層在基板上各部分的膜厚，僅能利用傾斜基板的方法，控制鍍膜層在基板上某兩點的膜厚較不理想。換言之，無法任意控制鍍膜層在此兩點中間或外面部分的膜厚，這樣的結(jié)果限制了此一鍍膜裝置及方法的應(yīng)用，以及無法滿足規(guī)格日益精密的需求。
本發(fā)明的目的是提供一種鍍膜裝置中的遮板，克服現(xiàn)有技術(shù)的弊端，使其于一基板上形成兩種以上特定厚度的鍍膜層，達(dá)到能夠精確控制鍍膜厚度的目的。
本發(fā)明的目的是這樣實現(xiàn)的一種鍍膜裝置中的遮板，其特征是遮板的形狀是由多數(shù)條同心圓弧線所構(gòu)成，該同心圓弧線的弧度是根據(jù)該鍍膜層的特定厚厚設(shè)成。
該同心圓弧線的弧度與鍍膜層的特定厚度的關(guān)系符合下述方程式Tn＝(1-θn/360)×T n≥2其中，該Tn為遮板的第n條弧線所形成的鍍膜層厚度，T為沒有遮板時，轉(zhuǎn)盤旋轉(zhuǎn)一周所形成的鍍膜層厚度，θn為第n條同心圓被遮板所遮的弧線所對應(yīng)的角的角度。
與傳統(tǒng)技術(shù)相比，本發(fā)明是提供一種鍍膜用的遮板，利用此遮板能夠精密控制鍍膜層每一點的膜厚。本發(fā)明的遮板的形狀是依照鍍膜層每一點的膜厚來設(shè)成，換句話說，可依照所需鍍膜層的膜厚來改變遮板的形狀；再者，透過鍍膜層厚度的改變亦可改變其光譜的特性。
下面結(jié)合較佳實施例和附圖詳細(xì)說明。
圖2是本發(fā)明的鍍膜裝置的示意3-圖10是本發(fā)明的遮板形狀與形成的鍍膜層關(guān)系的示意圖。
本實施例的遮板1是用于一鍍膜裝置4中，此鍍膜裝置4包含一轉(zhuǎn)盤41以及鍍材源42，且轉(zhuǎn)盤41是與鍍材源42相對而設(shè)，如圖2所示，轉(zhuǎn)盤41是以一固定角速度旋轉(zhuǎn)，換句話說，以角度當(dāng)作距離，周期當(dāng)作時間，轉(zhuǎn)盤41每繞一圈所花的時間是一定的。
再者，鍍材源42可依不同需求而更換。當(dāng)利用真空蒸鍍方式時，其鍍材源42可為一置于高溫坩堝(Crucible)的蒸鍍源(Source)，同時亦可為利用電子束(ElectronBeam)加熱的蒸鍍源；當(dāng)利用濺鍍方式時，其鍍材源42可為一位于直流電漿(DCPlasma)的陰極靶材。當(dāng)然，鍍材源42亦可為一填裝有鍍材的射出器。
另外，如圖2所示，基板2是設(shè)置于轉(zhuǎn)盤41上，而遮板1是設(shè)置于轉(zhuǎn)盤41與鍍材源42之間，且靠近基板2的位置。
本實施例中，鍍膜層3的特定厚度與該同心圓弧線的弧度的關(guān)系是以一方程式?jīng)Q定，亦即遮板1的形狀是依照鍍膜層3的特定厚度而設(shè)成。換言主，遮板1的形狀是由多數(shù)條同心圓弧線所構(gòu)成，于鍍膜中該同心圓弧線的弧度是控制鍍膜層3的特定厚度。該同心圓弧線的弧度與鍍膜層3的特定厚度的關(guān)系，通過實驗研究，可以用下列方程式表示Tn＝(1-θn/360)×T n≥2其中，Tn代表在遮板1的第n條弧線所形成的鍍膜層3厚度，T代表沒有遮板12時，轉(zhuǎn)盤41旋轉(zhuǎn)一周所形成的鍍膜層3厚度，θn代表第n條同心圓被遮板1所遮的弧線所對應(yīng)的角的角度。
參閱圖3-圖4所示，基板1是設(shè)置于轉(zhuǎn)盤41上，而遮板1設(shè)置于靠近基板2的位置，遮板1的形狀如圖3所示，于圖示的遮板12中，A點的弧線所對應(yīng)的角度為0，根據(jù)方程式計算所得可知A點處的鍍膜層3厚度為T；在B點的弧線所對應(yīng)的角度為90度，根據(jù)方程式計算B點處的鍍膜層3厚度為3/4T；而在C點的弧線所對應(yīng)的角度為0，故C點處的鍍膜層3厚度為T。其中，T的厚度由鍍材源42所鍍上鍍材的多寡而定。如圖4所示，利用此遮板1所鍍出的鍍膜層3為兩邊較厚而中間較薄的漸變式膜層。
參閱圖5-圖6所示，在圖示的遮板1中，A點的弧線所對應(yīng)的角度為90，根據(jù)方程式計算所得，可知A點處的鍍膜層3厚度為3/4T；在B點的弧線所對應(yīng)的角度為0，根據(jù)方程式計算所得可知，B點處的鍍膜層3厚度為T；而在C點的弧線所對應(yīng)的角度為90，故C點處的鍍膜層3厚度為3/4T。如圖6所示，利用此遮板1所鍍出的鍍膜層3為兩邊較薄而中間較厚的漸變式膜層。
參閱圖7-圖8所示，在圖示的遮板1中，A點的弧線所對應(yīng)的角度為0，根據(jù)方程式計算所得可知，A點處的鍍膜層3厚度為T；在B點的弧線所對應(yīng)的角度為45，根據(jù)方程式計算所得可知，B點處的鍍膜層3厚度為7/8T；而在C點的弧線所對應(yīng)的角度為90，故C點處的鍍膜層3厚度為3/4T。如圖8所示，利用此遮板1所鍍出的鍍膜層3為由A點至C點膜厚漸減的漸變式膜層。
參閱圖9-圖10所示，本發(fā)明亦可鍍出梯變式的膜層，在圖示的遮板1中，A區(qū)段的弧線所對應(yīng)的角度為0，根據(jù)方程式計算A區(qū)段的鍍膜層3厚度為T；在B區(qū)段的弧線所對應(yīng)的角度為45，根據(jù)方程式計算B區(qū)段的鍍膜層3厚度為7/8T；而在C區(qū)段的弧線所對應(yīng)的角度為90，C段的鍍膜層3厚度為3/4T。如圖10所示，利用此遮板1所鍍出的鍍膜層3為梯變式的膜層。
由上述實施例可知，遮板1是利用測量鍍膜層各點的膜厚，并以方程式將每一點弧線所對應(yīng)的角度算出，進(jìn)而設(shè)成遮板1。而且，利用遮板1所鍍成的鍍膜層3并不限于任何形式，不論是漸變式膜層、陡變式膜層或是梯變式膜層都可以使用本發(fā)明的遮板1實施出來。
與傳統(tǒng)技術(shù)相比，本發(fā)明是提供一種鍍膜裝置中的遮板，利用此遮板能夠精密控制基板上鍍膜的每一點厚度。在此，遮板的形狀與鍍膜層每一點的厚度是以一方程式換算，換言之，遮板的形狀可依照欲鍍鍍膜各點的厚度來設(shè)成。與傳統(tǒng)技術(shù)相比，本發(fā)明能夠精密控制以及定義鍍膜層上每一點的厚度，亦即可以精密定義出兩種以上不同的厚度，據(jù)以做出漸變式、陡變式或是梯變式等厚度可控制的膜層，在工業(yè)上的應(yīng)用實具有相當(dāng)價值。
上述僅為較佳實施例，任何未脫離本發(fā)明的精神與范疇進(jìn)行的等效修改或變化，均應(yīng)包含于本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種鍍膜裝置中的遮板，其特征是遮板的形狀是由多數(shù)條同心圓弧線所構(gòu)成，該同心圓弧線的弧度是根據(jù)該鍍膜層的特定厚厚設(shè)成。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鍍膜裝置中的遮板，其特征是該同心圓弧線的弧度與鍍膜層的特定厚度的關(guān)系符合下述方程式Tn＝(1-θn/360)×T n≥2其中，該Tn為遮板的第n條弧線所形成的鍍膜層厚度，T為沒有遮板時，轉(zhuǎn)盤旋轉(zhuǎn)一周所形成的鍍膜層厚度，θn為第n條同心圓被遮板所遮的弧線所對應(yīng)的角的角度。
全文摘要
一種鍍膜裝置中的遮板，是用以在一基板上形成兩種以上特定厚度的鍍膜層，其中遮板的形狀是由多數(shù)條同心圓弧線所構(gòu)成，同心圓弧線的弧度是依據(jù)鍍膜層的特定厚度設(shè)成。具有遮板能夠精密控制鍍膜層每一點的膜厚的功效。
文檔編號C23C14/00GK1459513SQ02120249
公開日2003年12月3日 申請日期2002年5月17日 優(yōu)先權(quán)日2002年5月17日
發(fā)明者張智能, 余安華, 陳明華 申請人:精碟科技股份有限公司