專利名稱：用于金屬化學(xué)機(jī)械拋光的催化性反應(yīng)墊的制作方法
背景技術(shù)：
發(fā)明領(lǐng)域本發(fā)明是關(guān)于包含拋光墊基材及具有多重氧化態(tài)催化劑的拋光墊，本發(fā)明也關(guān)于使用配合有氧化劑的含催化劑的拋光墊方法，以化學(xué)機(jī)械拋光與集成電路及其它電子裝置有關(guān)的金屬層，其中，催化劑為金屬催化劑或具有多重氧化態(tài)的催化劑。
現(xiàn)有技術(shù)半導(dǎo)體晶片一般包含基材，如其上形成許多集成電路的硅或鎵砷化物晶片。集成電路是通過(guò)在基材上的構(gòu)圖區(qū)和在基材上的層以化學(xué)及物理集成在基材中而形成。疊層是由具有導(dǎo)電、絕緣或半導(dǎo)電性質(zhì)的各種材料形成。為了以高產(chǎn)率制造裝置，用平的半導(dǎo)體晶片開(kāi)始是相當(dāng)重要的。因此，通常需要拋光半導(dǎo)體晶片，以得到平的表面。若裝置制造的過(guò)程步驟在不平的晶片表面上進(jìn)行，則會(huì)造成使裝置無(wú)法操作的各種問(wèn)題。例如，在制造最新的半導(dǎo)體集成電路時(shí)，需要形成導(dǎo)線或在前面形成結(jié)構(gòu)上的類似的結(jié)構(gòu)。然而，形成表面之前經(jīng)常會(huì)留下具有凹凸、不等高的區(qū)域、凹槽、溝渠、及其它類似的表面不規(guī)則性的晶片高度不規(guī)則的表面型態(tài)。這種表面整體平整化對(duì)于確保光蝕刻過(guò)程中的聚焦的適當(dāng)深度，以及在制造過(guò)程的后續(xù)階段過(guò)程中移除任何不規(guī)則性及表面缺陷都是需要的。
雖然許多技術(shù)可確保晶片表面的平整度，但最廣泛使用的是使用化學(xué)機(jī)構(gòu)平整化或拋光技術(shù)的方法。拋光平整化技術(shù)在裝置制造的各階段過(guò)程中使晶片表面平整化，且改善產(chǎn)率、性能及可靠度。通常，化學(xué)機(jī)械拋光(“CMP”)包含在控制向下壓力下使用浸透有化學(xué)活性拋光組合物的拋光墊而進(jìn)行晶片的圓周移動(dòng)。
為使CMP及其它拋光技術(shù)提供有效的平整化，拋光組合物到達(dá)要拋光表面的輸送變得相當(dāng)重要?；瘜W(xué)機(jī)械拋光組合物一般包含各種成分，包括氧化劑、成膜劑、腐蝕抑制劑、磨料等。最近申請(qǐng)的美國(guó)專利第5,958,288號(hào)揭示一種包含具有多重氧化態(tài)的催化劑的拋光組合物，其說(shuō)明書在此提出以供參考。
在拋光墊中加入磨料顆粒公開(kāi)在包括美國(guó)專利5,849,051及5,849,052的許多美國(guó)專利中，其說(shuō)明書也在此提供參考。另外，已經(jīng)加入拋光墊中的固態(tài)金屬催化劑描述于美國(guó)專利第5,948,697號(hào)中?！?97專利中所述的加入拋光墊中的催化劑是用于在半導(dǎo)體施加電偏壓時(shí)催化半導(dǎo)體拋光。
除對(duì)化學(xué)機(jī)械拋光組合物及拋光墊的這些進(jìn)展外，仍需要具有改良拋光性能的拋光墊。也需要拋光集成電路層及其它可靠且可再制電子組件的新穎方法。
發(fā)明概要本發(fā)明包含一種用于化學(xué)機(jī)械拋光的包括拋光墊基材及至少一種具有多重氧化態(tài)催化劑的拋光墊。
本發(fā)明也包含一種用于化學(xué)機(jī)械拋光的包括拋光墊基材、磨料、包含具有選自鐵及銅的多重氧化態(tài)的金屬的可溶性催化劑(它可催化氧化劑與要拋光的基材金屬部件的金屬間的反應(yīng))的拋光墊。
本發(fā)明是包含一種拋光基材表面上的金屬部件的方法。該方法包括的步驟有通過(guò)使拋光墊基材和至少一種具有多重氧化態(tài)的催化劑組合而制備拋光墊。接著使含催化劑的拋光墊與要拋光的基材的金屬部件接觸。氧化劑是在墊與要拋光的金屬部件接觸之前，或在使用含催化劑的拋光墊拋光基材金屬部件時(shí)加入，或二者時(shí)加入含催化劑的拋光墊中。含催化劑的拋光墊相對(duì)于基材金屬部件移動(dòng)，直到自基材金屬部件移除所需量的金屬為止。
現(xiàn)有實(shí)施方案的簡(jiǎn)述本發(fā)明是關(guān)于含催化劑的拋光墊，該墊包含拋光墊基材及至少一種具有多重氧化物態(tài)的催化劑。含催化劑的拋光墊是用于化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)一種或多種與集成電路及其它電子裝置相關(guān)的金屬部件。
本發(fā)明含催化劑的拋光墊包含拋光墊基材及至少一種催化劑。該拋光墊基材可以是任一類可用于CMP的拋光墊基材。用于拋光應(yīng)用的現(xiàn)有的一般拋光墊基材如CMP是使用軟及/或硬質(zhì)材料制成，且可分成至少四種(1)浸漬聚合物的織物；(2)微孔性薄膜；(3)多孔狀聚合物泡沫體；及(4)多孔燒結(jié)的基材。例如，第一種說(shuō)明的是含有聚氨酯樹脂浸入聚酯無(wú)紡布織物中的墊基材。第二種拋光墊基材包含涂布在通常為第一種浸漬織物的基底材料上的微孔性氨基甲酸酯膜。這種多孔性薄膜是由一系列垂直定向密閉端圓柱形孔所組成。第三種拋光墊基材為具有無(wú)規(guī)且均勻分布在所有三維中的大量孔隙度的密閉微孔聚合物泡沫體。第四種拋光墊基材為具有合成樹脂的燒結(jié)顆粒的開(kāi)孔的多孔基材。本發(fā)明中所用的拋光墊基材的代表性實(shí)例敘述于美國(guó)專利第4,728,552，4,841,680，4,927,432，4,954,141，5,020,283，5,197,999，5,212,910，5,297,364，5,394,655，5,489,233及6,062,968中，各說(shuō)明書均在此提出以供參考。
本發(fā)明中所用拋光墊基材可為上述任一種基材。另外，拋光墊基材可由除聚合物以外的材料，如纖維素織物，或技術(shù)中已知的用于化學(xué)機(jī)械拋光的任一種其它材料制成。重要的是所選用的拋光基材必需能與至少一種催化劑組合，以形成含催化劑的拋光墊。
本發(fā)明的拋光墊包含至少一種催化劑。催化劑的目的是用于使電子由要氧化的基材金屬部件轉(zhuǎn)移到氧化劑中(或類似地使電化學(xué)電子流從氧化劑轉(zhuǎn)移到金屬)。選用的催化劑可為金屬、非金屬或其組合物，且催化劑必須具有多重氧化態(tài)。即催化劑必須可以在氧化劑及基材金屬部件金屬之間有效且快速的移動(dòng)電子，以催化CMP拋光。催化劑優(yōu)選為金屬或非金屬化合物?！敖饘佟币辉~是指一種或多種元素態(tài)的金屬。通常，金屬催化劑可以小金屬顆粒摻入拋光墊基材中。至于本文中所用的“非金屬”一詞是指摻入化合物中，以形成其中的金屬不以其元素態(tài)存在的金屬化合物的金屬。優(yōu)選的，催化劑為一種或多種可溶性金屬化合物，包括具有多重氧化態(tài)的選自(但不限于)Ag，Co，Cr，Cu，F(xiàn)e，Mo，Mn，Nb，Nd，Ni，Os，Pd，Rh，Ru，Sc，Sm，Sn，Ta，Ti，V，W及其組合物的金屬?！岸嘀匮趸瘧B(tài)”一詞是指當(dāng)損失一個(gè)或多個(gè)電子形式的負(fù)電荷時(shí)可以使其價(jià)位數(shù)增加的原子或化合物。最優(yōu)選的催化劑為Ag、Cu及Fe及其混合物的化合物。尤其好的催化劑為Fe的化合物，如(但不限于)硝酸鐵。
當(dāng)墊以具有氧化劑的水溶液潤(rùn)濕時(shí)，催化劑以足以改善金屬基材層拋光的量存在于拋光墊基材中。通常，這一點(diǎn)對(duì)于可在墊表面和要拋光的金屬部件間的界面處供給約0.0001至約2.0重量％催化劑量的含催化劑拋光墊是必要的。優(yōu)選的，金屬表面界面處的催化劑量約為0.001至約1.0重量％。為了在墊表面/金屬層界面處供給所需量的催化劑，含催化劑的拋光墊應(yīng)包含的催化劑量在約0.05至約30.0重量％之間。優(yōu)選的是，催化劑在含催化劑拋光墊中的含量約0.5至約10.0重量％，最好約1.0至約5.0重量％，在這優(yōu)選催化劑含量，并且使用氧化劑如過(guò)氧化氫、脲過(guò)氧化氫或單過(guò)硫酸鹽下，化學(xué)機(jī)械拋光過(guò)程基本上變成金屬并“不含金屬離子”。
拋光墊基材中或墊/金屬表面界面處的催化劑濃度范圍一般是以全部化合物的重量％表示。使用含有僅包含有小的wt％的催化劑的高分子量金屬的化合物都包含在本發(fā)明有用的催化劑范圍中。本文中所用的催化劑一詞也包含其中在組合物中的催化劑金屬少于10重量％金屬的化合物，且其中墊金屬界面處的金屬催化劑含量約為全部組合物重量的約2至約3000ppm。
與本發(fā)明含催化劑的拋光墊配合使用的氧化劑的電化學(xué)電位應(yīng)大于氧化催化劑所需的電化學(xué)電位。例如，當(dāng)六水合物(hexa aqua)鐵催化劑從Fe(II)氧化成Fe(III)時(shí)，需要相對(duì)于一般氫電極電位超過(guò)0.771伏特的氧化劑。若使用水合aqua銅絡(luò)合物，則需要相對(duì)于一般氫電極電位超過(guò)0.153伏特的氧化劑，以便將Cu(I)氧化成Cu(II)。這些電位僅針對(duì)特定的絡(luò)合物，且在添加添加劑如配位體(絡(luò)合劑)于本發(fā)明的組合物中時(shí)作為有用的氧化劑可以改變。
氧化劑優(yōu)選為無(wú)機(jī)或有機(jī)過(guò)-化合物。Hawley′s簡(jiǎn)要化學(xué)字典所定義的過(guò)-化合物為含有至少一過(guò)氧基(-O-O-)的化合物，或含有以最高氧化態(tài)存在的元素的化合物。至少含一過(guò)氧基化合物的實(shí)例包含(但不限于)過(guò)氧化氫及其加成物，如脲過(guò)氧化氫及過(guò)碳酸鹽，有機(jī)過(guò)氧化物如苯甲?；^(guò)氧化物、過(guò)乙酸及二-叔丁基過(guò)氧化物、單過(guò)硫酸鹽(SO5＝)、二過(guò)硫酸鹽(S2O8＝)及過(guò)氧化鈉。含其最高氧化態(tài)元素的化合物的實(shí)例包括(但不限于)過(guò)碘酸、過(guò)碘酸鹽、過(guò)溴酸、過(guò)溴酸鹽、過(guò)氯酸、過(guò)氯酸鹽、過(guò)硼酸、及過(guò)硼酸鹽，及高錳酸鹽。滿足電化學(xué)電位必要條件的非-過(guò)化合物的實(shí)例包括(但不限于)溴酸鹽、氯酸鹽、鉻酸鹽、碘酸鹽、碘酸及鈰(IV)化合物如鈰硝酸銨。
最優(yōu)選的氧化劑為過(guò)氧化氫及其加成物，單過(guò)硫酸鹽及二過(guò)硫酸鹽。
本發(fā)明的含催化劑拋光墊配合至少一種氧化劑而使用，以平整化與電基材如集成電路有關(guān)的金屬部件。電基材包含一種或多種金屬部件?；谋砻嫔系母鹘饘俨考蛇x自用于制造電子基材的任一種金屬及合金。優(yōu)選的，金屬部件包含選自鈦、鈦合金、氮化鈦、鎢、鎢合金、銅、銅合金、鉭、鉭合金及其組合物的一種金屬。
本發(fā)明的含催化劑拋光墊的催化劑與氧化劑一起操作，以促進(jìn)金屬表面的有效的化學(xué)機(jī)械拋光。通常，含催化劑的拋光墊會(huì)與要拋光的金屬表面接觸，且墊會(huì)相對(duì)于金屬表面移動(dòng)。含催化劑拋光墊的表面與要拋光金屬層之間的界面處必須有氧化劑存在(一般是以水溶液形式導(dǎo)入)，以使催化劑通過(guò)選用的氧化劑而催化金屬部件表面的氧化。
在拋光組合物中氧化劑可單獨(dú)使用或與其它拋光組合物添加劑組合用。通常，水性拋光溶液中存在的氧化劑的含量約為0.5至約50.0重量％。優(yōu)選的在溶液中存在的氧化劑含量要使該溶液施用于墊/金屬部件界面時(shí)，以在墊界面處提供約為1.0至約10.0重量％氧化劑量的量。針對(duì)該應(yīng)用的目的，墊/金屬部件界面處的氧化劑、催化劑或任一種其它成分的量是通過(guò)測(cè)量催化劑、氧化劑等在拋光組合物離開(kāi)所用拋光機(jī)時(shí)的濃度而定。
其它熟知的拋光組合物添加劑可單獨(dú)或組合進(jìn)本發(fā)明的化學(xué)機(jī)械拋光組合物中。這種添加劑包括無(wú)機(jī)酸、有機(jī)酸、表面活性劑、烷基銨鹽或氫氧化物、分散劑、成膜劑、抑制劑、拋光加速劑等。
為使化學(xué)機(jī)械拋光更有效地進(jìn)行，一般都使用磨料，以從要拋光金屬層的表面機(jī)械性的移除化學(xué)改性的材料。磨料可以加入施加到金屬基材表面上的含催化劑拋光墊間界面的溶液(含或不含氧化劑)中，磨料可加入到含催化劑的拋光墊中，或可使用組合二種磨料輸送法。磨料一般為金屬氧化物磨料。金屬氧化物磨料可選自氧化鋁、氧化鈦、氧化鋯、氧化鍺、氧化硅、氧化鈰有其混合物。溶液或含催化劑的拋光墊優(yōu)選包含約1.0至約20.0重量％或更多的磨料。然而，更好是，磨料溶液或拋光墊包含約3.0至約6.0重量％的磨料，且最佳的磨料為二氧化硅。
催化劑可以通過(guò)將固體顆料或液態(tài)材料加入聚合物基材中，且使催化劑從聚合物基材以浸提、釋出或曝露出方式的任一種技術(shù)中已知的方法而加入拋光墊基材中。將催化劑加入拋光墊基材中的方法實(shí)例包括包封、加入按時(shí)釋放催化劑顆粒進(jìn)入拋光墊基材中、浸漬、產(chǎn)生聚合物/催化劑絡(luò)合物，以小分子催化劑加入拋光墊基材聚合物基質(zhì)中，在其制造過(guò)程中以鹽形式將催化劑引入拋光墊基材中、將催化劑的可溶或可浸提形式的催化劑加入拋光墊基材中，或這些方法的任何組合。將催化劑加于拋光墊基材中的方法的選擇當(dāng)然取決于所選用的催化劑。若催化劑為金屬粒狀催化劑，則一般會(huì)通過(guò)浸漬或在墊的制造過(guò)程中將催化劑加入拋光墊基材中。
以可溶或不可溶金屬化合物形態(tài)的催化劑加入拋光墊基材中的一方法中，催化劑可以不溶、半溶或可溶的物質(zhì)在墊基材聚合物基質(zhì)的制造過(guò)程中包封在所產(chǎn)生的孔隙空間中。
或者，可將催化劑在其聚合成基質(zhì)前的聚合物的母體中加入，因此使墊基材聚合物整合且確保催化劑在聚合物基質(zhì)中。
另一方法是將可溶性金屬催化劑加入按時(shí)釋出的顆料中，且通過(guò)上述包封將按時(shí)釋出的催化劑顆粒加入墊基材中。通常，按時(shí)釋出的催化劑顆粒將包括由pH相關(guān)的粘合劑環(huán)繞的可溶金屬催化劑，或使可溶金屬加入pH相關(guān)的粘合劑中?？扇苄越饘俅呋瘎┦峭ㄟ^(guò)使含催化劑的拋光墊與具有可使pH相關(guān)的粘合劑溶解的pH值以控制拋光過(guò)程的時(shí)期內(nèi)的按時(shí)釋出催化劑的溶液接觸而釋出。
另一例中，本發(fā)明的催化劑可在制造墊基材之后加入墊基材中。用于將催化劑加入預(yù)制的墊基材中的一方法是通過(guò)使用一般的浸漬技術(shù)，以催化劑浸漬而進(jìn)行。浸漬可通過(guò)制備催化劑溶液，且將催化劑溶液加入拋光墊中，隨后將拋光墊烘干而制備。浸漬技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)之一為一旦含催化劑的拋光墊中的催化劑消耗至不再有效時(shí)，可再以催化劑浸漬墊。這樣，拋光墊可重復(fù)使用直到拋光墊基材無(wú)效為止。
本發(fā)明的含催化劑拋光墊是用于在集成電路制造過(guò)程中使基材金屬部件平整化?！敖饘俨考币辉~是指要拋光的基材表面的暴露的金屬部分?；目砂粋€(gè)或多個(gè)金屬部件?！敖饘俨考币辉~也包含其中基材的全部表面由單一金屬或合金構(gòu)成的基材。
含催化劑的拋光墊是與拋光機(jī)配合使用，然后使其與要拋光的表面接觸。通常，會(huì)在拋光墊與要拋光的基材表面接觸前，或含催化劑的拋光墊與要拋光的基材表面接觸期間或二者時(shí)，將含氧化劑的水溶液或拋光組合物施加到墊中?；蛘叱鲜龇椒ㄍ?，水性拋光溶液或組合物可直接加于基材表面上，在該表面與金屬表面的反應(yīng)是通過(guò)含催化劑拋光墊中的催化劑催化。如上所述，可視情況將磨料加入氧化劑溶液中，或可將磨料加入含催化劑的拋光墊中。一旦含催化劑的拋光墊、氧化劑及任選的磨料位于拋光墊/基材界面時(shí)，含催化劑的拋光墊相對(duì)于含金屬的基材層移動(dòng)，使金屬層平整化。當(dāng)平整化完成時(shí)，含催化劑的拋光墊移出與基材的接觸。
實(shí)施例1本實(shí)施例評(píng)價(jià)含與不含催化劑的墊的拋光效能。所用的墊為由Rodel制造的IC1000拋光墊。該墊是用于拋光具有鎢膜沉積的硅晶片的1平方英寸的切割截面。第一組試驗(yàn)中，是使用含5重量％二氧化硅及4重量％過(guò)氧化氫的拋光漿料。拋光是在Struers，West Lake，Ohio制造的桌面拋光機(jī)上進(jìn)行。桌面拋光基包含Rotopol 31基臺(tái)及Rotoforce 3下壓?jiǎn)卧Ｆ脚_(tái)速度為150rpm。拋光載體的速度為150rpm，且漿料流速為100毫升/分鐘。所用的拋光力為50n。在這些條件下使用五種晶片，且平均拋光速率為270/分鐘。
接著將相同的拋光墊浸泡在硝酸鐵催化劑的10重量％溶液中。接著使用拋光墊，以使用拋光漿料、拋光機(jī)及上述的拋光條件拋光七個(gè)1平方英寸的切割截面的晶片。七個(gè)晶片是在平均拋光速率652/分鐘下進(jìn)行拋光。
第三種操作中，在將相同拋光墊再浸泡在含10重量％硝酸鐵催化劑的溶液中18小時(shí)，接著使其干燥24小時(shí)，接著在烘干后及拋光前調(diào)節(jié)該墊，使用該墊在平均拋光速率為489/分鐘下拋光五個(gè)晶片。
拋光結(jié)果表明，使用包含催化劑(該例中為硝酸鐵催化劑)的拋光墊拋光基材層與不含催化劑的拋光墊比較可改善拋光結(jié)果。
需了解本發(fā)明并不限于所示及本文所述的實(shí)施方案，且在不離本發(fā)明的范圍下，可作各種改變。
權(quán)利要求
1.一種用于化學(xué)機(jī)械拋光的拋光墊，包括a)拋光墊基材；及b)至少一種具有多重氧化態(tài)的催化劑。
2.如權(quán)利要求1的拋光墊，其中，催化劑催化氧化劑與要拋光基材金屬部件的金屬反應(yīng)。
3.如權(quán)利要求1的拋光墊，其中，催化劑是可溶的。
4.如權(quán)利要求3的拋光墊，其中，當(dāng)墊配合含有氧化劑的水性拋光組合物使用時(shí)，可溶性催化劑在墊中的含量要足以改善金屬基材層拋光的量。
5.如權(quán)利要求1的拋光墊，其中，催化劑為可溶性金屬催化劑。
6.如權(quán)利要求5的拋光墊，其中，可溶性金屬催化劑為含有選自Ag，Co，Cr，Cu，F(xiàn)e，Mo，Mn，Nb，Nd，Ni，Os，Pd，Pt，Rh，Ru，Sc，Sm，Sn，Ta，Ti，V，W及其組合物中之一的金屬的化合物。
7.如權(quán)利要求5的拋光墊，其中，可溶性金屬催化劑為具有多重氧化態(tài)的鐵、銅、銀及其任何組合物。
8.如權(quán)利要求5的拋光墊，其中，可溶性金屬催化劑為選自無(wú)機(jī)鐵化合物及有機(jī)鐵化合物中的鐵化合物。
9.如權(quán)利要求8的拋光墊，其中，鐵化合物為硝酸鐵。
10.如權(quán)利要求1的拋光墊，包含約0.05至約30.0重量％的催化劑。
11.如權(quán)利要求1的拋光墊，包含約0.5至約10.0重量％的催化劑。
12.如權(quán)利要求5的拋光墊，其含有足量的可溶性金屬催化劑，以便在該墊與水性拋光組合物配合使用時(shí)，在墊/基材界面處由可溶金屬催化劑輸送為約0.0001至約2.0重量％的金屬量。
13.如權(quán)利要求2的拋光墊，其中，氧化劑為過(guò)氧化氫。
14.如權(quán)利要求2的拋光墊，其中，氧化劑是選自單過(guò)硫酸鹽、過(guò)硫酸鹽及其混合物。
15.如權(quán)利要求1的拋光墊，其中，墊包含至少一種磨料。
16.一種化學(xué)機(jī)械拋光用的拋光墊，包括a)拋光墊基材；及b)具有多重氧化態(tài)的可催化氧化劑與基材金屬部件的金屬間反應(yīng)的可溶性催化劑，其中，催化劑是選自鐵化合物、銅化合物及其混合物。
17.如權(quán)利要求16的拋光墊，其包含磨料。
18.如權(quán)利要求17的拋光墊，其中，磨料為至少一種金屬氧化物。
19.如權(quán)利要求18的拋光墊，其中，金屬氧化物磨料是選自氧化鋁、氧化鈰、氧化鍺、二氧化硅、氧化鈦、氧化鋯及其混合物。
20.一種用于拋光包含至少一種金屬層的基材表面上的金屬的方法，包括步驟為a.通過(guò)使拋光墊基材與至少一種具有多重氧化態(tài)的可催化氧化劑與基材金屬部件的金屬間的反應(yīng)的催化劑組合制備拋光墊；b.將含有氧化劑的溶液施加在拋光墊中；及c.通過(guò)使拋光墊相對(duì)于基材金屬部件移動(dòng)，而由基材金屬部件移除至少部分金屬。
21.如權(quán)利要求20的方法，其中，含有氧化劑的溶液是在選自(i)使用拋光墊以移除至少部分金屬之前，(ii)使用拋光墊以移除至少部分金屬時(shí)，或(i)與(ii)并用的方法的過(guò)程中施加到拋光墊中。
22.如權(quán)利要求20的方法，其中，催化劑為粒狀金屬催化劑。
23.如權(quán)利要求22的方法，其中，拋光墊包含約0.5至約30.0wt％的粒狀金屬催化劑。
24.如權(quán)利要求22的方法，其中，粒狀金屬催化劑是選自鐵顆粒、含鐵合金的顆粒、銅顆粒、含銅合金的顆粒、及其混合物。
25.如權(quán)利要求20的方法，其中，催化劑為可溶性金屬催化劑。
26.如權(quán)利要求25的方法，其中，可溶性金屬催化劑在拋光墊中的含量為約0.5至約30.0重量％。
27.如權(quán)利要求26的方法，其中，可溶性金屬催化劑為具有多重氧化態(tài)的鐵、銅、銀及其任一組合物的化合物。
28.如權(quán)利要求27的方法，其中，可溶性金屬催化劑為選自無(wú)機(jī)鐵化合物及有機(jī)鐵化合物中的鐵化合物。
29.如權(quán)利要求20的方法，其中，基材金屬部件為選自鎢、鎢合金、銅、銅合金、鉭、鉭合金及其組合物的金屬。
30.如權(quán)利要求20的方法，其中，基材包含由選自鈦、氮化鈦、及其組合物的金屬制成的第二種金屬部件，其中至少部分第二種金屬部件是在步驟(c)中移除。
31.如權(quán)利要求20的方法，其中，拋光墊基材是以催化劑浸漬的。
32.如權(quán)利要求20的方法，其中，拋光墊包含至少一種磨料。
33.如權(quán)利要求32的方法，其中，磨料為選自氧化鋁、氧化鈰、氧化鍺、二氧化硅、氧化鈦、氧化鋯及其混合物中的金屬氧化物磨料。
34.如權(quán)利要求20的方法，其中，含氧化劑的溶液為水溶液。
35.如權(quán)利要求20的方法，其中，含氧化劑的溶液還包括粒狀磨料。
36.如權(quán)利要求35的方法，其中，磨料為選自氧化鋁、氧化鈰、氧化鍺、二氧化硅、氧化鈦、氧化鋯及其混合物的金屬氧化物磨料。
37.如權(quán)利要求36的方法，其中，磨料為二氧化硅。
38.如權(quán)利要求20的方法，其中，氧化劑為有機(jī)過(guò)氧化物、無(wú)機(jī)過(guò)氧化物、包含溴酸鹽、氯酸鹽、鉻酸鹽、碘酸鹽、碘酸、鈰(IV)化合物的非-過(guò)氧化物及其混合物。
39.如權(quán)利要求20的方法，其中，氧化劑為過(guò)氧化氫。
40.如權(quán)利要求20的方法，其中，氧化劑是選自單過(guò)硫酸鹽、過(guò)硫酸鹽及其混合物。
全文摘要
本發(fā)明是關(guān)于一種包含拋光墊基材及具有多重氧化態(tài)的催化劑的拋光墊，其中含催化劑的拋光墊與氧化劑配合，以化學(xué)機(jī)械拋光與集成電路及其它電子組件有關(guān)的金屬件。
文檔編號(hào)B24B37/00GK1487867SQ02803949
公開(kāi)日2004年4月7日 申請(qǐng)日期2002年1月18日 優(yōu)先權(quán)日2001年1月22日
發(fā)明者史蒂文·K·格魯賓, 克里斯托弗·C·斯特萊因茨, 布賴恩·L·米勒, L 米勒, 史蒂文 K 格魯賓, 托弗 C 斯特萊因茨 申請(qǐng)人:卡伯特微電子公司