一種含有多孔結(jié)構(gòu)的cmp拋光墊修整器的制造方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明公開(kāi)了一種含有多孔結(jié)構(gòu)的CMP拋光墊修整器，其特征在于：包括盤(pán)型基體和位于所述盤(pán)型基體上的多孔結(jié)構(gòu)，所述多孔結(jié)構(gòu)的上表面具有向外延伸的多個(gè)微凸起切削刃或粘結(jié)有多個(gè)金剛石切削凸起，工作狀態(tài)下，修整液可通過(guò)所述多孔結(jié)構(gòu)流出。本發(fā)明的一種含有多孔結(jié)構(gòu)的CMP拋光墊修整器所包含的多孔結(jié)構(gòu)可以解決修整過(guò)程中的堵塞問(wèn)題，減少殘屑對(duì)拋光墊的損傷；本發(fā)明提出了具有一定錐度的微凸起切削刃和金剛石切削凸起，該結(jié)構(gòu)能起到對(duì)修整過(guò)程的殘屑的容屑作用，可實(shí)現(xiàn)對(duì)拋光墊的低損傷修整。
【專(zhuān)利說(shuō)明】
一種含有多孔結(jié)構(gòu)的CMP拋光墊修整器
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及一種含有多孔結(jié)構(gòu)的CMP(化學(xué)機(jī)械拋光)拋光墊修整器，可以實(shí)現(xiàn)對(duì)拋光墊的高效、低損傷修整，提高化學(xué)機(jī)械拋光的拋光質(zhì)量。
【背景技術(shù)】
[0002]化學(xué)機(jī)械拋光(chemical mechanical polishing，簡(jiǎn)稱(chēng)CMP)技術(shù)幾乎是迄今唯一的可以提供全局平面化的表面精加工技術(shù)，可廣泛用于集成電路芯片、計(jì)算機(jī)硬磁盤(pán)、微型機(jī)械系統(tǒng)(MEMS)、光學(xué)玻璃等表面的平整化。隨著科學(xué)技術(shù)的發(fā)展，超光滑、平整、無(wú)微觀缺陷的高精表面已成為關(guān)系這些高技術(shù)產(chǎn)品性能的重要因素。
[0003]CMP工藝的基本原理是將待拋光工件在一定的下壓力及拋光液(由超細(xì)顆粒、化學(xué)氧化劑和液體介質(zhì)組成的混合液)的存在下相對(duì)于一個(gè)拋光墊作旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)，借助磨粒的機(jī)械磨削及化學(xué)氧化劑的腐蝕作用來(lái)完成對(duì)工件表面的材料去除，并獲得光潔表面。它利用了磨損中的“軟磨硬”原理，即用較軟的材料來(lái)進(jìn)行拋光以實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量的表面拋光。區(qū)別于傳統(tǒng)的純機(jī)械或純化學(xué)的拋光方法，CMP通過(guò)化學(xué)的和機(jī)械的綜合作用，從而避免了由單純機(jī)械拋光造成的表面損傷和由單純化學(xué)拋光易造成的拋光速度慢、表面平整度和拋光一致性差等缺點(diǎn)。
[0004]拋光墊是CMP中的關(guān)鍵部件，其表面是一層具有多孔性結(jié)構(gòu)的高分子材料。拋光墊表面的高分子材料一般為生長(zhǎng)法得到的聚氨酯(PU)、聚碳酸酯(PC)等，拋光墊起著儲(chǔ)存拋光液以及將拋光液中的磨蝕粒子送入工件表面并去除晶片上那些微突起部分。
[0005]拋光墊的機(jī)械性能，如硬度、彈性和剪切模量、毛孔的大小及分布、可壓縮性、粘彈性、表面粗糙度以及拋光墊使用的不同時(shí)期對(duì)拋光速度及最終平整度起著重要作用。事實(shí)上，拋光墊表面的結(jié)構(gòu)、化學(xué)和機(jī)械性能隨著拋光墊的使用時(shí)間延長(zhǎng)會(huì)發(fā)生變化。大量的實(shí)驗(yàn)研究表明，使用后的拋光墊的物理改變(如毛孔尺寸、粗糙度等)比化學(xué)改變更大，并認(rèn)為這些改變對(duì)拋光墊的CMP性能有重要影響。同時(shí)，拋光墊使用過(guò)程中表面會(huì)逐漸變平，出現(xiàn)“釉化”現(xiàn)象，使去除速度下降，造成拋光速率不均勻。因此，需要用修整器對(duì)拋光墊進(jìn)行實(shí)時(shí)的修整，恢復(fù)拋光墊的粗糙面，改善其容納漿料的能力，從而使去除速度得到維持并可延長(zhǎng)拋光墊的壽命。
[0006]修整器是與拋光墊進(jìn)行直接接觸，其對(duì)拋光墊的表面形狀、物理特性具有直接影響，所以對(duì)修整器表面形狀及結(jié)構(gòu)進(jìn)行優(yōu)化對(duì)提高晶圓的表面質(zhì)量是必要的。
[0007]現(xiàn)有的修整器以金剛石修整器為主，通常根據(jù)在金剛石修整器制造中胎體類(lèi)型的不同，分為四種:電鍍型、釬焊型、金屬燒結(jié)型和化學(xué)氣相沉積(CVD)金剛石型，其性能的好壞直接關(guān)系到拋光墊的表面狀況，從而影響晶片的去除率、非均勻性等拋光質(zhì)量。但現(xiàn)有的修整器存在著諸多不足，如金剛石顆粒容易脫落，從而會(huì)劃傷拋光墊;殘肩容易堵塞修整器切削表面，降低其切削效率;大顆粒殘肩不易及時(shí)排除，劃傷已加工拋光墊表面;金剛石顆粒的裸露量小，切削點(diǎn)少，切削壽命不足等。
[0008]目前，CMP拋光墊修整器的應(yīng)用較多。其中，專(zhuān)利《化學(xué)機(jī)械拋光墊調(diào)整器及相關(guān)方法》(專(zhuān)利號(hào)為CN 101557904A)中提出了一種含有表面的角度為90度或更小超硬切割元件的調(diào)整器，此專(zhuān)利的發(fā)明雖然能降低對(duì)拋光墊的刺穿破裂性，但此結(jié)構(gòu)不利于加工過(guò)程中殘肩的容肩作用，有時(shí)殘肩對(duì)拋光墊表面的擦傷后果會(huì)比切割元件對(duì)拋光墊的損傷后果更加嚴(yán)重。此外，在專(zhuān)利《CMP墊調(diào)整器》(專(zhuān)利號(hào)為CN 103688344A)中提出了一種具有基板且涉及一種具有切削刀片圖形的CMP墊調(diào)整器，其中的切削刀片為突出的具有相同或不同高度的多邊形柱體，每個(gè)柱體之間通過(guò)凹坑相間隔，且在其表面鍍金剛石薄膜。雖然該發(fā)明可以減小調(diào)整處理期間產(chǎn)生的碎片的尺寸，但各切削刀片間容易被殘肩堵塞，會(huì)削弱對(duì)拋光墊的修整效果。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0009 ]為解決當(dāng)前CMP拋光墊修整器存在的問(wèn)題，本發(fā)明提供一種含有多孔結(jié)構(gòu)的CMP拋光墊修整器。
[0010]本發(fā)明采用的技術(shù)手段如下:
[0011]—種含有多孔結(jié)構(gòu)的CMP拋光墊修整器，其特征在于:包括盤(pán)型基體和位于所述盤(pán)型基體上的多孔結(jié)構(gòu)，所述多孔結(jié)構(gòu)的上表面具有向外延伸的多個(gè)微凸起切削刃或粘結(jié)有多個(gè)金剛石切削凸起，所述盤(pán)型基體內(nèi)設(shè)有與所述多孔結(jié)構(gòu)下表面相匹配的腔體，
[0012]工作狀態(tài)下，修整液可通過(guò)所述多孔結(jié)構(gòu)流出。
[0013]所述多孔結(jié)構(gòu)為盤(pán)型多孔結(jié)構(gòu)或環(huán)形多孔結(jié)構(gòu)等。
[00? 4]所述盤(pán)型基體的材質(zhì)為招合金、40Cr等金屬材料，或如不銹鋼等的耐腐蝕材料。
[0015]所述多孔結(jié)構(gòu)的材質(zhì)為內(nèi)部含有大量微小氣孔的材料，如微孔陶瓷真空吸盤(pán)材料。
[0016]所述多個(gè)微凸起切削刃矩陣式的分布在所述多孔結(jié)構(gòu)上。
[0017]所述微凸起切削刃的外表面設(shè)有金剛石涂層。所述金剛石涂層對(duì)所述微凸起切削刃起到穩(wěn)固作用，提高了修整過(guò)程的穩(wěn)定性，并與所述微凸起切削刃一起承擔(dān)對(duì)拋光墊的修整作用。
[0018]所述微凸起切削刃為四棱錐形、圓錐形或多邊形棱錐。
[0019]所述多個(gè)金剛石切削凸起呈網(wǎng)格狀分布于所述多孔結(jié)構(gòu)的上表面上。
[0020]所述金剛石切削凸起包括與所述多孔結(jié)構(gòu)粘結(jié)的硬質(zhì)顆粒和位于所述硬質(zhì)顆粒外表面的金剛石涂層。所述金剛石涂層對(duì)所述硬質(zhì)顆粒起到穩(wěn)固作用，提高了修整過(guò)程的穩(wěn)定性，并與所述硬質(zhì)顆粒一起承擔(dān)對(duì)拋光墊的修整作用。
[0021]所述腔體的下部設(shè)有密封蓋板，所述密封蓋板與所述腔體之間設(shè)有密封圈，所述密封蓋板上至少設(shè)有一個(gè)與所述腔體連通的流道，在一定壓力下，修整液通過(guò)所述流道進(jìn)入所述腔體，再通過(guò)所述多孔結(jié)構(gòu)流出，可清洗堵塞在所述微凸起切削刃之間或所述金剛石切削凸起之間、以及所述多孔結(jié)構(gòu)表面上的殘肩，降低殘肩對(duì)拋光墊的損傷。
[0022]本發(fā)明的一種含有多孔結(jié)構(gòu)的CMP拋光墊修整器所包含的多孔結(jié)構(gòu)可以解決修整過(guò)程中的堵塞問(wèn)題，減少殘肩對(duì)拋光墊的損傷;本發(fā)明提出了具有一定錐度的微凸起切削刃和金剛石切削凸起，該結(jié)構(gòu)能起到對(duì)修整過(guò)程的殘肩的容肩作用，可實(shí)現(xiàn)對(duì)拋光墊的低損傷修整。
[0023]基于上述理由本發(fā)明可在拋光等領(lǐng)域廣泛推廣。
【附圖說(shuō)明】
[0024]下面結(jié)合附圖和【具體實(shí)施方式】對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的說(shuō)明。
[0025]圖1是本發(fā)明的實(shí)施例1中一種含有多孔結(jié)構(gòu)的CMP拋光墊修整器的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0026]圖2是圖1中A-A向示意圖。
[0027]圖3是圖1中I部放大示意圖(主要接觸面的局部放大圖)。
[0028]圖4是圖2中II部放大示意圖(多孔結(jié)構(gòu)和微凸起切削刃的局部剖面放大圖)。
[0029]圖5是本發(fā)明的實(shí)施例2中一種含有多孔結(jié)構(gòu)的CMP拋光墊修整器的主要接觸面的局部放大圖。
[0030]圖6是本發(fā)明實(shí)施例2中一種含有多孔結(jié)構(gòu)的CMP拋光墊修整器的多孔結(jié)構(gòu)和金剛石切削凸起的局部剖面放大圖。
[0031]圖7是圖6的局部放大圖。
【具體實(shí)施方式】
[0032]—種含有多孔結(jié)構(gòu)的CMP拋光墊修整器，包括盤(pán)型基體和位于所述盤(pán)型基體上的多孔結(jié)構(gòu)，所述多孔結(jié)構(gòu)的上表面具有向外延伸的多個(gè)微凸起切削刃或粘結(jié)有多個(gè)金剛石切削凸起，
[0033]工作狀態(tài)下，修整液可通過(guò)所述多孔結(jié)構(gòu)流出。
[0034]所述多孔結(jié)構(gòu)的材質(zhì)為內(nèi)部含有大量微小氣孔的材料，如微孔陶瓷真空吸盤(pán)材料。
[0035]所述多個(gè)微凸起切削刃矩陣式的分布在所述多孔結(jié)構(gòu)上。
[0036]所述微凸起切削刃的外表面設(shè)有金剛石涂層。
[0037]所述微凸起切削刃為四棱錐形、圓錐形或多邊形棱錐。
[0038]所述多個(gè)金剛石切削凸起呈網(wǎng)格狀分布于所述多孔結(jié)構(gòu)的上表面上。
[0039]所述金剛石切削凸起包括與所述多孔結(jié)構(gòu)粘結(jié)的硬質(zhì)顆粒和位于所述硬質(zhì)顆粒外表面的金剛石涂層。
[0040]實(shí)施例1
[0041]如圖1-圖4所示，一種含有多孔結(jié)構(gòu)的CMP拋光墊修整器，包括盤(pán)型基體I和位于所述盤(pán)型基體I上的多孔結(jié)構(gòu)，所述多孔結(jié)構(gòu)為環(huán)形多孔結(jié)構(gòu)2，所述環(huán)形多孔結(jié)構(gòu)2的上表面具有向外延伸的多個(gè)微凸起切削刃3，所述盤(pán)型基體I內(nèi)設(shè)有與所述環(huán)形多孔結(jié)構(gòu)2下表面相匹配的腔體，即環(huán)形腔體4，
[0042]工作狀態(tài)下，修整液可通過(guò)所述環(huán)形腔體4和所述環(huán)形多孔結(jié)構(gòu)2流出。
[0043]所述環(huán)形多孔結(jié)構(gòu)2的材質(zhì)為微孔陶瓷真空吸盤(pán)材料。
[0044]所述多個(gè)微凸起切削刃3矩陣式的分布在所述環(huán)形多孔結(jié)構(gòu)2上。
[0045]所述微凸起切削刃3的外表面設(shè)有金剛石涂層5，所述金剛石涂層5的厚度為幾十微米。
[0046]所述微凸起切削刃3為四棱錐形，其底邊長(zhǎng)1mm，其高度為1mm，每四個(gè)所述微凸起切削刃3之間具有小于Imm X Imm的平面區(qū)域。
[0047]所述環(huán)形腔體4的下部設(shè)有密封蓋板6，所述密封蓋板6與所述環(huán)形腔體4之間設(shè)有密封圈7，所述密封蓋板6上至少設(shè)有一個(gè)與所述環(huán)形腔體4連通的流道8，在一定壓力下，修整液通過(guò)所述流道8進(jìn)入所述環(huán)形腔體4，再通過(guò)所述環(huán)形多孔結(jié)構(gòu)2流出，可清洗堵塞在所述微凸起切削刃3之間以及所述環(huán)形多孔結(jié)構(gòu)2表面上的殘肩，降低殘肩對(duì)拋光墊的損傷。
[0048]所述環(huán)形腔體4與所述盤(pán)型基體I之間設(shè)有套筒9。
[0049]所述密封蓋板6通過(guò)螺釘10與所述盤(pán)型基體I固定連接。
[0050]所述修整器可通過(guò)所述盤(pán)型基體I上的孔11固定在拋光機(jī)上。
[0051 ]所述微凸起切削刃3可通過(guò)激光加工、微制造技術(shù)、模具成型、化學(xué)刻蝕以及3D打印技術(shù)等方法來(lái)實(shí)現(xiàn)。所述金剛石涂層5可通過(guò)化學(xué)氣相沉積法和掩膜方法等進(jìn)行涂布。
[0052]實(shí)施例2
[0053]如圖5-圖7所示，一種含有多孔結(jié)構(gòu)的CMP拋光墊修整器，其與實(shí)施例1中公開(kāi)的一種含有多孔結(jié)構(gòu)的CMP拋光墊修整器的區(qū)別特征在于:所述環(huán)形多孔結(jié)構(gòu)2的上表面粘結(jié)有多個(gè)金剛石切削凸起12，所述多個(gè)金剛石切削凸起12呈網(wǎng)格狀分布于所述環(huán)形多孔結(jié)構(gòu)2的上表面上。
[0054]所述金剛石切削凸起12包括與所述環(huán)形多孔結(jié)構(gòu)2粘結(jié)的硬質(zhì)顆粒13和位于所述硬質(zhì)顆粒13外表面的金剛石涂層14。所述硬質(zhì)顆粒13通過(guò)粘結(jié)層15與所述環(huán)形多孔結(jié)構(gòu)2粘結(jié)。所述硬質(zhì)顆粒13的大小與實(shí)施例1中的所述微凸起切削刃3的大小相當(dāng)，所述硬質(zhì)顆粒13為金剛石顆粒或其他硬質(zhì)的顆粒。
[0055]所述多個(gè)金剛石切削凸起12與多孔結(jié)構(gòu)2的粘接和金剛石涂層14的涂布可用掩膜方法等進(jìn)行實(shí)施。
[0056]以上所述，僅為本發(fā)明較佳的【具體實(shí)施方式】，但本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于此，任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，根據(jù)本發(fā)明的技術(shù)方案及其發(fā)明構(gòu)思加以等同替換或改變，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種含有多孔結(jié)構(gòu)的CMP拋光墊修整器，其特征在于:包括盤(pán)型基體和位于所述盤(pán)型基體上的多孔結(jié)構(gòu)，所述多孔結(jié)構(gòu)的上表面具有向外延伸的多個(gè)微凸起切削刃或粘結(jié)有多個(gè)金剛石切削凸起， 工作狀態(tài)下，修整液可通過(guò)所述多孔結(jié)構(gòu)流出。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種含有多孔結(jié)構(gòu)的CMP拋光墊修整器，其特征在于:所述多孔結(jié)構(gòu)為內(nèi)部含有大量微小氣孔的材料。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種含有多孔結(jié)構(gòu)的CMP拋光墊修整器，其特征在于:所述多個(gè)微凸起切削刃矩陣式的分布在所述多孔結(jié)構(gòu)上。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種含有多孔結(jié)構(gòu)的CMP拋光墊修整器，其特征在于:所述微凸起切削刃的外表面設(shè)有金剛石涂層。5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種含有多孔結(jié)構(gòu)的CMP拋光墊修整器，其特征在于:所述微凸起切削刃為四棱錐形、圓錐形或多邊形棱錐。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種含有多孔結(jié)構(gòu)的CMP拋光墊修整器，其特征在于:所述多個(gè)金剛石切削凸起呈網(wǎng)格狀分布于所述多孔結(jié)構(gòu)的上表面上。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種含有多孔結(jié)構(gòu)的CMP拋光墊修整器，其特征在于:所述金剛石切削凸起包括與所述多孔結(jié)構(gòu)粘結(jié)的硬質(zhì)顆粒和位于所述硬質(zhì)顆粒外表面的金剛石涂層。
【文檔編號(hào)】B24B53/017GK106041741SQ201610451507
【公開(kāi)日】2016年10月26日
【申請(qǐng)日】2016年6月21日
【發(fā)明人】康仁科, 董志剛, 段佳冬, 周平, 朱祥龍
【申請(qǐng)人】大連理工大學(xué)