專利名稱：偏壓濺射薄膜成形方法及偏壓濺射薄膜成形設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種利用偏壓濺射方法的薄膜成形方法及薄膜成形設(shè)備，更具體地說，涉及一種薄膜成形方法，這種方法用來在形成于半導(dǎo)體基片表面上的接觸孔、通孔和布線槽的側(cè)壁和底部上形成具有基本上均勻厚度的阻擋層、或在電解電鍍薄膜成形中使用的籽晶層(seed layer)。
背景技術(shù)：
在半導(dǎo)體工業(yè)中，按比例縮小正在進行，而形成在基片上的孔或布線槽的長寬比(深度/孔直徑或槽寬度)趨向于越來越大。一般說來，在利用銅的半導(dǎo)體布線中，需要在這種孔或槽的內(nèi)表面(側(cè)壁或底部)上形成厚度為幾十至幾百埃的阻擋層或用于電解電鍍的的籽晶層。特別是對阻擋層而言，由于使用具有大電阻的導(dǎo)電材料，理想狀況是在孔和槽內(nèi)壁整個表面上形成可以保持防擴散作用的最小厚度的阻擋層。此外，考慮到費用和工藝穩(wěn)定性，對濺射薄膜成形方法而言這種需要特別強烈。
在此以前，在濺射薄膜成形方法中，偏壓濺射方法已經(jīng)被認(rèn)為是改進基片表面不規(guī)則區(qū)域覆蓋度的手段。這是一種方法，其中DC電源或RF電源被施加于靶材與基片電極，而偏壓被應(yīng)用于放置在基片電極上的基片表面，以形成薄膜。
作為這種類型的偏壓濺射方法，舉例說來，已知的有在專利參考文件1和專利參考文件2中公開的方法。這些方法的構(gòu)成包括在基片處產(chǎn)生偏壓，通過反向濺射作用防止孔開口處懸突(overhang)的形成和產(chǎn)生，在孔的內(nèi)壁部分形成均勻厚度的薄膜，并再濺射沉積在孔底部上的薄膜成形材料，使材料粘附在側(cè)壁部分上。
上述孔和布線槽具有高長寬比和細小而復(fù)雜的形狀，并當(dāng)其上形成阻擋層時，需要在包含通孔和布線槽的內(nèi)壁與底部的整個基片表面上形成一層極薄的覆膜，以獲得可靠的防擴散作用。
根據(jù)本發(fā)明人的研究，盡管在上述現(xiàn)有技術(shù)中僅使用固定基片偏壓的薄膜成形對具有長寬比約為5或更小的孔與布線槽的襯底是有效的，如果此長寬比更大，再濺射顆粒沉積的位置被集中在通孔與槽中側(cè)壁部分上的某限定區(qū)域。換句話說，人們發(fā)現(xiàn)難以使薄膜厚度沿通孔與槽的整個內(nèi)壁表面均勻，因為通過再濺射顆粒在側(cè)壁部分形成的覆膜具有一定的薄膜厚度分布。具體說來，人們發(fā)現(xiàn)形成不同膜厚分布的薄膜，這是由基片偏壓的大小、來自靶材的濺射顆粒的垂直部分的數(shù)量、所形成懸突的尺寸等造成的。
此外，作為改進涂層性質(zhì)的措施，已知有一種偏壓控制方法，其通過在薄膜成形的初期增加偏壓密度，在薄膜成形的終期減小偏壓密度實現(xiàn)，如專利參考文件3所述。因此，這種方法試圖改進上述接觸孔和布線槽的側(cè)壁部分的涂層性質(zhì)。但是，在這種情況下，人們發(fā)現(xiàn)這種方法不能應(yīng)用于半導(dǎo)體工藝，因為在薄膜成形初期偏壓密度增加，下層被所生成的高能離子轟擊，導(dǎo)致較大的損壞。
專利參考文件1日本專利申請?zhí)卦S公開8-264487/1996(頁5-10，圖2和3)專利參考文件2日本專利2602276(頁4-6，圖1和3)專利參考文件3日本專利2711503(頁2-3，圖1)考慮到上述問題，本發(fā)明的目標(biāo)是對于高長寬比的接觸孔、通孔、布線槽等的內(nèi)壁表面提供一種形成具有良好覆層性質(zhì)的薄膜的方法和設(shè)備。

發(fā)明內(nèi)容
為了解決上述問題，本發(fā)明提供一種偏壓濺射薄膜成形方法，以通過應(yīng)用陰極電壓與基片偏壓的雙電壓形成薄膜，其中在其上僅應(yīng)用雙電壓中的陰極電壓的狀態(tài)下形成不規(guī)則部分的基片上形成薄膜，并在改變基片偏壓的同時執(zhí)行濺射薄膜成形，以使形成在不規(guī)則部分側(cè)壁與底部上表面的薄膜厚度實質(zhì)上均勻。
這里，在薄膜成形初期為什么僅應(yīng)用陰極電壓的原因是為了防止當(dāng)從初始階段應(yīng)用基片偏壓時下層的破壞或惡化。
因此，最好在偏壓濺射的初始階段所應(yīng)用的基片電壓較低。但是，如果在薄膜成形初始階段要獲得足夠膜厚的條件下形成薄膜，就不需要以較低的基片偏壓開始。
當(dāng)利用偏壓濺射薄膜成形方法在具有例如接觸孔的不規(guī)則部分的基片表面上形成薄膜時，在通孔側(cè)壁與底部表面上的薄膜厚度分布趨向于與所應(yīng)用基片偏壓的密度相關(guān)聯(lián)。這種關(guān)聯(lián)在側(cè)壁表面的高度方向顯著，和在通孔底表面上顯著。因此，一定有可以消除側(cè)壁表面高度方向的涂層厚度差的偏壓函數(shù)(基片偏壓、應(yīng)用時間等為變量)，并且通過利用這種函數(shù)控制基片偏壓的增加和減小，可以消除不規(guī)則部分側(cè)壁表面的高度方向的覆膜厚度差，膜可以是均勻的。
類似地，一定有可以消除通孔底部表面上基片中心側(cè)和邊緣側(cè)間的覆膜厚度差的偏壓函數(shù)，并且通過控制基片偏壓的增加和減小，可以消除不規(guī)則部分底部表面上形成的覆膜厚度差。
此外，不僅通過分別消除側(cè)壁部分的高度方向和底部表面上的薄膜厚度不均勻性，而且通過適當(dāng)選擇各上述偏壓函數(shù)，可以同時消除側(cè)壁表面與底部表面的薄膜厚度差。
因此，即使涂層表面具有細小而復(fù)雜的不規(guī)則部分，也可以在基片整個表面上形成均勻厚度的覆膜。
當(dāng)改變基片偏壓的同時如此執(zhí)行偏壓濺射薄膜成形時，進入基片的濺射顆粒數(shù)量也可以通過改變陰極電壓控制。并且，通過選擇最適宜的條件組合，可以獲得具有極好涂層性質(zhì)的薄膜，其中其均勻性被進一步改進。
在這種情況下，通過使來自靶材的濺射顆粒實質(zhì)上垂直地進入，可以防止在諸如通孔之類的開口處產(chǎn)生的懸突的形成，并且相當(dāng)大數(shù)量的沉積薄膜可以被固定在不規(guī)則部分的底部上。因此，如果利用底部上的沉積薄膜作為薄膜成形源執(zhí)行偏壓濺射薄膜成形，可以保證側(cè)壁上薄膜成形而不損壞下層，并且允許上述均勻薄膜成形的偏壓函數(shù)的選擇范圍將變寬。
舉例說來，通過將靶材與基片間的距離設(shè)定為大于所使用晶片直徑的距離，并使用其中濺射顆粒的平均自由程長于此距離的真空度執(zhí)行濺射薄膜成形，可以實現(xiàn)上述濺射顆粒的實質(zhì)上垂直進入。盡管有在基片與靶材間插入準(zhǔn)直儀(collimator)的情況，這種方法必須慎重使用，因為準(zhǔn)直儀本身可能被濺射或者可能變成灰塵源。
由于所形成的覆膜具有良好的涂層性質(zhì)，特別是在不規(guī)則部分(側(cè)壁表面和底部表面)的內(nèi)表面上實質(zhì)上均勻薄膜厚度分布，其可以有效地用作銅布線的阻擋層或電解電鍍薄膜成形的籽晶層。
因此，當(dāng)形成用作具有保持防擴散功能的最小厚度的阻擋層的薄膜時，可以有效利用使用電阻低于鋁的銅布線的優(yōu)勢。當(dāng)薄膜用作電解電鍍的籽晶層時，可以形成均勻電鍍膜，并且可以抑制布線中空隙的產(chǎn)生。
為了執(zhí)行上述偏壓濺射薄膜成形，偏壓濺射薄膜成形設(shè)備裝備有至基片電極的可變輸出的AC或DC電源，和組成的控制系統(tǒng)；在控制系統(tǒng)中，先將陰極電壓設(shè)定為預(yù)定電壓，當(dāng)基片與靶材被分開預(yù)定距離時的基片偏壓值和對應(yīng)于此基片偏壓值的各表面上薄膜的厚度分布被儲存作參考數(shù)據(jù)；從參考數(shù)據(jù)中選擇當(dāng)在各表面上執(zhí)行薄膜成形時使薄膜厚度實質(zhì)上均勻的基片偏壓值，以使偏壓函數(shù)使用其作為變量；并且通過此函數(shù)控制電源的輸出。
這里使用的術(shù)語“偏壓函數(shù)”不僅僅意味著一個數(shù)學(xué)函數(shù)，并且意味著基片偏壓值與對應(yīng)于此基片偏壓值的各表面上薄膜厚度分布被儲存作參考數(shù)據(jù)以產(chǎn)生數(shù)據(jù)庫，并適當(dāng)改變基片偏壓以相應(yīng)地改正薄膜厚度。偏壓函數(shù)也包括偏壓濺射薄膜成形過程中在適當(dāng)?shù)臅r間周期內(nèi)使基片偏壓為“零”。
此外，不用說，在這種偏壓濺射薄膜成形過程中通過適當(dāng)?shù)馗淖冴帢O電壓和控制濺射顆粒的進入數(shù)量可以獲得較好的涂層性質(zhì)。換句話說，偏壓濺射薄膜成形設(shè)備還擁有與陰極相對的可變輸出電源，并且在通過根據(jù)上述偏壓函數(shù)控制基片電源輸出執(zhí)行偏壓濺射薄膜成形中，控制系統(tǒng)也控制陰極電源的輸出。由于陰極電壓的改變，可以獲得具有極好涂層性質(zhì)的薄膜，其中其均勻性被進一步改進。


圖1是本發(fā)明的濺射薄膜成形設(shè)備的示意剖面圖；圖2(a)至(c)表示各種形狀由阻擋層金屬覆蓋的接觸孔；圖3表示懸突、臺階覆蓋度(step coverage)和基片偏壓施加電功率間的相關(guān)性；圖4(a)為表示基片上接觸孔位置的頂視圖，圖4(b)為表示基片上接觸孔的示意剖面圖，而圖4(c)表示最小側(cè)覆蓋度高度與基片偏壓施加電功率間的相關(guān)性；圖5(a)表示位于基片邊緣部分的接觸孔的示意剖面圖，而圖5(b)表示側(cè)壁各位置處側(cè)覆蓋度與基片偏壓施加電功率間的相關(guān)性；圖6(a)為表示基片上兩個接觸孔位置的頂視圖，而圖6(b)表示在實施方式1和比較實施方式1中覆蓋度分布范圍；和圖7表示在實施方式2和比較實施方式2中孔的側(cè)壁部分上高度方向的Ta薄膜厚度分布。
標(biāo)號說明1薄膜成形室2排氣口3濺射氣體入口6靶材7基片8陰極電源9基片偏壓電源
10控制系統(tǒng)20接觸孔21側(cè)壁部分22開口部分23底部部分具體實施方式
圖1為表示用于實施本發(fā)明的偏壓濺射薄膜成形方法的濺射薄膜成形設(shè)備的示意剖面圖。薄膜成形室1的構(gòu)造如下，擁有連接至真空排氣系統(tǒng)(未顯示)的排氣口2和在其側(cè)壁上的濺射氣體入口、安裝在其中的濺射陰極4和基片臺5、和互相面對的放置在濺射陰極4上的Ta靶材6與放置在基片臺5上的硅基片7。靶材6與基片7間的距離等于或大于基片7的直徑(200mm)。
此外，濺射陰極4被連接至設(shè)備外部的陰極電源8，基片臺5被連接至設(shè)備外部的AC或DC電源9，并且電源9被連接至用以控制基片偏壓的控制系統(tǒng)10。在陰極4上方剛離開設(shè)備的位置上安裝通過電動機11旋轉(zhuǎn)驅(qū)動的卡具11a，并且在濺射薄膜成形過程中，安裝在卡具11a上的磁體12a與13a(為N極或S極)和12b與13b(為S極或N極)旋轉(zhuǎn)以執(zhí)行磁控管(magnetron)濺射薄膜成形。連接基片臺5與電源9的連接部件14具有通過絕緣體15伸入薄膜成形室1結(jié)構(gòu)。
半導(dǎo)體基片7在形成在基片表面上的絕緣膜中擁有如圖所示2細小凹入形狀的接觸孔20，用來使用導(dǎo)電材料布線。為了防止諸如銅之類的布線材料擴散進 SiO2絕緣膜，諸如Ta、TaN、TiN和WN(阻擋層金屬或防擴散薄膜)之類具有相對高電阻的導(dǎo)電材料被用作涂層，以防止半導(dǎo)體性能的損壞。
要求這種阻擋層金屬保持良好的涂層精度，即薄而均勻的薄膜厚度，并且涂覆接觸孔整個內(nèi)表面?？梢允褂脠D1所示的薄膜成形設(shè)備，利用偏壓濺射方法在接觸孔的內(nèi)壁部分形成由Ta構(gòu)成的阻擋層金屬薄膜。
在使用偏壓濺射方法中，基片偏壓，即從電源9通過圖1中的連接部件14應(yīng)用于基片臺5的電功率顯著影響上述覆膜的形成。舉例說來，當(dāng)基片偏壓不足時，形成在接觸孔20的側(cè)壁部分21上的覆膜趨向于具有小于要求的厚度，如圖2(a)所示；而當(dāng)基片偏壓過量時，經(jīng)常在通孔20的開口部分22處形成稱作懸突的突起，如圖2(b)所示。盡管在圖1所示的設(shè)備中通過增加靶材6與基片7間的距離以增加撞擊至基片表面的濺射顆粒垂直分量，此懸突的形成被阻止至一定程度，但是由于基片偏壓因素也起作用，為了獲得如圖2(c)所示的理想阻擋層金屬形狀，仔細地調(diào)節(jié)基片偏壓很重要。
現(xiàn)在，如果將在圖2中側(cè)壁部分21上形成的覆膜厚度d3與在基片表面上形成的覆膜厚度d1的比率定義為側(cè)覆蓋度；將在底部部分23上形成的覆膜厚度d4與薄膜厚度d1的比率定義為臺階覆蓋度；并將開口部分22的特征薄膜厚度d2與薄膜厚度d1的比率定義為懸突；這些比率所代表的覆膜特征值趨向于與基片偏壓的密度顯著相關(guān)。
圖3中的圖表顯示其一示例。這里，使用RF電源作為產(chǎn)生偏壓的電源，并且圖表中縱坐標(biāo)指示懸突與階覆蓋度的值。當(dāng)基片偏壓功率為0W時，即，在通常的濺射薄膜成形中，懸突與臺階覆蓋度的值很小，并且因此覆蓋性能不可靠。當(dāng)基片偏壓功率增加時，臺階覆蓋度增加，因而覆蓋性能被改善；但是，由于懸突也增加，僅簡單增加基片偏壓功率不能獲得圖2(c)所示的理想形狀。
圖4表示對上述偏壓與覆膜厚度間的相關(guān)性的進一步詳細檢驗。圖4(a)和(b)分別為位于基片7邊緣側(cè)的接觸孔20的頂視圖和剖視圖。觀測最小側(cè)覆蓋度部分，即在側(cè)壁部分的薄膜厚度分布中最小膜厚的位置，距離底部部分23的高度d5，與基片偏壓功率間的相關(guān)性，如圖4(c)所示。從圖4(c)可知隨著基片偏壓功率的增加，最小側(cè)覆蓋度的高度d5向開口部分22移動。
此外，圖5表示對基片偏壓功率與覆膜厚度間相關(guān)性的另一檢驗的結(jié)果。在圖5(a)中，沿位于基片邊緣側(cè)的接觸孔20中的基片邊緣側(cè)的側(cè)壁部分，在開口部分22的附近的一位置、給定最小側(cè)覆蓋度的一位置、和在底部部分23的附近的一位置被分別標(biāo)示為50a、50b和50c。沿位于基片中心側(cè)的接觸孔20中的側(cè)壁部分，在開口部分22的附近的一位置、給定最小側(cè)覆蓋度的一位置、和在底部部分23的附近的一位置被分別標(biāo)示為51a、51b和51c。側(cè)覆蓋度與這些側(cè)壁部分位置50a、50b、50c、51a、51b和51c中的基片偏壓功率之間的關(guān)系表示在圖5(b)中。根據(jù)圖5(b)觀測側(cè)覆蓋度與側(cè)壁部分的上述位置中的基片偏壓功率之間的相關(guān)性。因此，可知在各位置整體薄膜厚度隨著基片偏壓功率的增加而增加；并且在100和250W間的功率范圍內(nèi)，在基片上邊緣側(cè)與中心側(cè)的接觸孔中的側(cè)壁部分的側(cè)覆蓋度數(shù)值實際上彼此接近。也可知側(cè)覆蓋度值實質(zhì)上在優(yōu)選的150和200W間的功率范圍內(nèi)適合。
通過圖4和5的詳細檢驗，可知在側(cè)壁部分高度方向的覆膜厚度差，沿基片中心側(cè)與基片邊緣側(cè)的側(cè)壁部分的覆膜厚度差，即薄膜厚度的非對稱差與基片偏壓功率相關(guān)，并且因此可以通過控制基片偏壓功率消除薄膜厚度差。
在本發(fā)明中，如以下實施例所示，作為控制基片偏壓功率的方法，一種調(diào)制技術(shù)，即首先在給定條件下獲得接觸孔中的薄膜厚度分布以準(zhǔn)備數(shù)據(jù)庫。接下來，利用數(shù)據(jù)庫應(yīng)用適于消除各位置薄膜厚度差的基片偏壓功率，以實現(xiàn)消除上述覆膜厚度差。
在本發(fā)明的實施方式中，盡管涂層的目標(biāo)是接觸孔，不用說本發(fā)明并不限于此，而且如果涂層目標(biāo)具有由基片上的不規(guī)則部分形成的側(cè)壁部分，可以應(yīng)用于通孔、布線槽或簡單臺階形狀。
實施例利用圖1的薄膜成形設(shè)備，在基片7的接觸孔表面上形成由Ta單體金屬構(gòu)成的阻擋層金屬薄膜。
實施例1在這種情況下，在偏壓濺射薄膜成形過程中應(yīng)用的RF基片偏壓功率連續(xù)可變，具有在0和350W間的范圍內(nèi)變化的所需電功率。因此，形成阻擋層金屬薄膜，并觀測位于基片中心部分和基片邊緣側(cè)的兩接觸孔(參考圖(6))。此時，通過形成在沒有不規(guī)則體部分表面上的薄膜厚度，標(biāo)準(zhǔn)化形成在各接觸孔側(cè)壁部分和底部部分上的阻擋層金屬薄膜的厚度分布，并在圖6(b)中表示為覆蓋度值(側(cè)覆蓋度和階覆蓋度)。
比較實施例1除應(yīng)用固定至200W的RF基片偏壓功率外，以如實施例1相同的方法形成阻擋層金屬薄膜。薄膜厚度分布表示為圖6(b)中的覆蓋度數(shù)值。
從實施例1和比較實施例1中，可知通過控制上述基片偏壓功率，可以大大降低覆蓋度的分散度。因此，由于可以使形成在接觸孔的側(cè)壁部分和底部部分上的覆膜厚度沿整個晶片均勻，可以改進布線的掩蔽穩(wěn)定性和布線材料的防擴散作用。
實施例2測量在與實施例1相同的條件下形成的由Ta單體金屬構(gòu)成的阻擋層金屬薄膜在側(cè)壁部分高度方向(從接觸孔底部至開口附近)的厚度，并且獲得如圖7所示的結(jié)果。
比較實施例2測量當(dāng)不應(yīng)用RF基片偏壓功率(RF 0W)條件下執(zhí)行常規(guī)濺射薄膜成形時，和當(dāng)RF基片偏壓功率被固定至300W(RF 300W)時形成的Ta阻擋層金屬薄膜在側(cè)壁部分高度方向的厚度，并且獲得如圖7所示的結(jié)果。
當(dāng)對比實施例2與比較實施例2時，當(dāng)RF功率為0W時未觀測到底部方向的覆蓋度整體不足或覆蓋度的損壞，當(dāng)RF功率為300W時也未觀測到在接近開口部分的范圍內(nèi)的懸突增長，并且可知可以使側(cè)壁部分的涂層的厚度均勻。
按照本發(fā)明的偏壓濺射薄膜成形方法，如從上述說明中明顯可知的那樣，由于基片偏壓功率被增加或降低，以消除在側(cè)壁部分的高度方向或在凹入部分底部表面上產(chǎn)生的覆膜厚度差，當(dāng)使用偏壓濺射薄膜成形方法在基片的不規(guī)則部分的側(cè)壁部分或底部表面上形成覆膜時，可以形成具有均勻厚度的覆膜。因此，可以形成具有良好薄膜厚度分布的覆膜，并且當(dāng)這種覆膜被用作電鍍阻擋層或籽晶層時，可以改進產(chǎn)品質(zhì)量。
權(quán)利要求
1.一種偏壓濺射薄膜成形方法，用來通過應(yīng)用陰極電壓與基片偏壓的雙電壓形成薄膜，其中在其上僅應(yīng)用所述雙電壓中的陰極電壓的狀態(tài)下形成不規(guī)則部分的基片上形成薄膜，并在改變所述基片偏壓的同時執(zhí)行濺射薄膜成形，以使形成在所述不規(guī)則部分側(cè)壁與底部表面上的所述薄膜厚度實質(zhì)上均勻。
2.如權(quán)利要求1的偏壓濺射薄膜成形方法，其中在執(zhí)行所述偏壓濺射薄膜成形中改變所述基片偏壓的同時，也改變所述陰極電壓。
3.如權(quán)利要求1或2的偏壓濺射薄膜成形方法，其中來自靶材的濺射顆粒實質(zhì)上垂直進入所述基片。
4.如權(quán)利要求1至3任一項的偏壓濺射薄膜成形方法，其中所述薄膜被用作阻擋層或電解電鍍的籽晶層。
5.一種偏壓濺射薄膜成形設(shè)備，包括與基片電極相對的可變輸出的AC電源或DC電源和控制系統(tǒng)，其中所述控制系統(tǒng)首先使陰極電壓設(shè)定為預(yù)定電壓，當(dāng)基片與靶材被分開預(yù)定距離時的基片偏壓值和對應(yīng)于所述基片偏壓值的各所述表面上薄膜的厚度分布儲存為參考數(shù)據(jù)儲存，并且當(dāng)形成各所述表面時，通過從所述參考數(shù)據(jù)中選擇使所述薄膜厚度實質(zhì)上均勻的基片偏壓值產(chǎn)生的偏壓函數(shù)，控制所述電源的輸出。
6.如權(quán)利要求5的偏壓濺射薄膜成形設(shè)備，其中所述設(shè)備還包括與所述陰極相對的可變輸出的電源，其中在通過根據(jù)所述偏壓函數(shù)控制所述基片電源輸出執(zhí)行的所述偏壓濺射薄膜成形中，所述控制系統(tǒng)也通過控制所述陰極電源的輸出改變陰極電壓。
全文摘要
本發(fā)明提供一種可以在接觸孔、通孔和布線槽之類復(fù)雜形狀的細小涂層表面中，特別是對于其側(cè)壁部分形成具有良好厚度分布的覆膜的偏壓濺射薄膜成形方法及薄膜成形設(shè)備。在含有濺射氣體入口3和真空排氣口2的真空室1中，用于基片臺5的可變輸出電源9與控制系統(tǒng)10連接至提供有分別固定彼此相對的靶材6和基片7的濺射陰極4和基片臺5的偏壓濺射薄膜成形設(shè)備。當(dāng)陰極電壓被首先設(shè)定為預(yù)定電壓和基片與靶材被分開預(yù)定距離時的基片偏壓值；和對應(yīng)于此基片偏壓值的各表面上薄膜的厚度分布被作為參考數(shù)據(jù)儲存在控制系統(tǒng)10中。從參考數(shù)據(jù)中選擇在各表面薄膜成形中使薄膜厚度實質(zhì)上均勻的基片偏壓值，以構(gòu)成使用其作為變量的偏壓函數(shù)，并通過此函數(shù)控制電源的輸出。
文檔編號C23C14/35GK1514471SQ0315814
公開日2004年7月21日 申請日期2003年9月12日 優(yōu)先權(quán)日2002年9月13日
發(fā)明者李命久, 岡村吉宏, 富澤和之, 豐田聰, 五戶成史, 之, 史, 宏 申請人:愛發(fā)科股份有限公司