技術編號：3408005
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及一種利用偏壓濺射方法的薄膜成形方法及薄膜成形設備，更具體地說，涉及一種薄膜成形方法，這種方法用來在形成于半導體基片表面上的接觸孔、通孔和布線槽的側壁和底部上形成具有基本上均勻厚度的阻擋層、或在電解電鍍薄膜成形中使用的籽晶層(seed layer)。背景技術 在半導體工業(yè)中，按比例縮小正在進行，而形成在基片上的孔或布線槽的長寬比(深度/孔直徑或槽寬度)趨向于越來越大。一般說來，在利用銅的半導體布線中，需要在這種孔或槽的內表面(側壁或底部)上形成厚度...
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