專利名稱：可在連接狀態(tài)下進行質量流控制器檢查的半導體制造裝置的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及通過控制蝕刻器、CVD(化學氣相淀積)等的氣體流量來進行半導體制造的半導體制造裝置，特別是涉及進行流量控制儀器、流量指示儀器等的自動檢查和自動轉換的半導體制造裝置。
背景技術：
近年來，半導體器件正在進入到各種各樣的裝置中，其消耗量在不斷增長。這種半導體器件的制造裝置包括蝕刻機、CVD等使用各種氣體來進行處理的裝置。通常，在用各種氣體進行處理的制造裝置中，使用了控制氣體流量的質量流控制器(MFC)，指示氣體流量的檢查用質量流計(MFM)等。
作為涉及這樣的半導體制造裝置的技術，有公告在特開平6-53103號公報和特開平5-108167號公報上的發(fā)明。
公告在特開平6-53103號公報上的半導體制造裝置中，為了自動地校正質量流控制器的的流量特性，設置了一個或多個校正用質量流控制器，并有串聯(lián)連接測量用質量流控制器和校正用質量流控制器的配管系統(tǒng)，讓反應性弱的氣體流過。
另外，在公告于特開平5-108167號公報上的控制裝置中，順序控制器是從質量流控制器的的控制開始，通過監(jiān)視一定時間的工作變動狀態(tài)來檢測質量流控制器的異常的裝置。
公告于上述的特開平6-53103號公報上的半導體制造裝置中，由于有串聯(lián)連接測量用質量流控制器和校正用質量流控制器的配管系統(tǒng)，可以對作為被檢對象的測量用質量流控制器進行校正。但是，用校正用質量流控制器進行氣體的流量控制，由于該氣體流到作為被檢對象的測試用質量流控制器中，存在著僅只能進行測量用質量流控制器的流量傳感器部位的檢查，而不能確認測量用質量流控制器的流量控制性能這樣的問題。
另外，由于檢查用的氣體經(jīng)過別的的路徑流入校正用質量流控制器，配管系統(tǒng)會變得復雜，同時還需要零件、配管等的費用，因此存在著半導體制造裝置成本增加的問題。
還有，在公告于特開平5-108167號公報的控制裝置中，順序控制器是檢測質量流控制器異常的裝置。但是，在檢測出質量流控制器的異常的情況下，要停止半導體制造裝置的運轉并拆卸配管，在更換質量流控制器之后，必須進行泄漏檢測、過程檢測等檢查。因而，存在著半導體裝置停工時間長的問題。

發(fā)明內容
本發(fā)明的目的是提供可在連接有質量流控制器的狀態(tài)下進行質量流控制器的檢查的半導體制造裝置。
本發(fā)明的半導體制造裝置是用多種氣體來進行處理的半導體制造裝置，其中設有流入多種氣體的氣體室；對應于多種氣體而設置的多個質量流控制器；測量多種氣體的流量的質量流計；控制多種氣體的流動的多個閥門；以及用以在半導體制造裝置工作時控制多個閥門的開閉使多種氣體直接流入氣體室，在質量流控制器的檢查時控制多個閥門的開閉使多種氣體中的任意一種流入質量流計的控制部分。
依據(jù)本發(fā)明的半導體制造裝置，在質量流控制器的檢查時，由于控制部分控制多個閥門的開閉，使多種氣體中的任意一種流入質量流計，因此可以在連接質量流控制器的狀態(tài)下進行質量流控制器的檢查。
依據(jù)本發(fā)明的另一形態(tài)，半導體制造裝置是用多種氣體進行處理的半導體制造裝置，其中設有流入多種氣體的氣體室；對應于多種氣體而設置的多個質量流控制器；控制多種氣體流動的多個閥；以及用以在半導體制造裝置工作時控制多個閥門的開閉使多種氣體直接流入氣體室，在第一質量流控制器的檢查時控制多個閥門的開閉使第一種氣體經(jīng)由第二質量流控制器流入第一質量流控制器的控制部分。
由于在第一質量流控制器的檢查時控制部分控制多個閥的開閉，使第一種氣體經(jīng)由第二質量流控制器流入第一質量流控制器，所以，在連接有第一和第二質量流控制器的狀態(tài)下，可以進行對第一質量流控制器的檢查。
本發(fā)明的上述和其它的目的、特征、形態(tài)和優(yōu)點，從參照附圖理解的本發(fā)明的以下的詳細說明中可以清晰了解。


圖1是說明蝕刻器、CVD等一般的半導體制造裝置的氣流的示圖。
圖2是表示本發(fā)明的第一實施例中的半導體制造裝置的概略結構的框圖。
圖3是說明在本發(fā)明的第一實施例中的半導體制造裝置的MFM1～3的檢查時的氣流的示圖。
圖4是表示在本發(fā)明的第一實施例中檢查半導體制造裝置的計算機的結構例的框5是說明在本發(fā)明的第一實施例中的半導體制造裝置的檢查時，計算機的處理步驟的流程圖。
圖6是表示一例MFC選擇畫面的示圖。
圖7是表示一例檢查項目設定畫面的示圖。
圖8是表示一例檢查結果顯示畫面的示圖。
圖9是更詳細說明示于圖5的步驟S105的處理的流程圖。
圖10是為了詳細說明示于圖5的步驟S110(MFC自動轉換處理)的流程圖。
圖11是表示本發(fā)明的第二實施例中的半導體制造裝置的概略結構的框圖。
圖12是說明本發(fā)明的第二實施例中的半導體制造裝置的處理步驟的流程圖。
圖13是表示在本發(fā)明的第三實施例中的半導體制造裝置的概略結構的框圖。
圖14A和圖14B是表示一例改造已設的半導體制造裝置并設置圖13所示的旁路管線的情況的示圖。
圖15是表示本發(fā)明的第四實施例中的半導體制造裝置的概略結構的框圖。
具體實施例方式
(第一實施例)圖1是說明蝕刻器、CVD等一般的半導體制造裝置的氣流的示圖。該半導體制造裝置設有質量流控制器(MFC)1～4(101～104)；氣體室105；止回閥106～108；氣動閥(以下僅稱為閥)109～120。
在該結構中，例如在MFC2(102)上發(fā)生異常時，由于不能檢查它，需要關閉閥111～113之后，卸下MFC2(102)單獨進行檢查。
圖2是表示本發(fā)明的第一實施例中的半導體制造裝置的概略結構的框圖。該圖表示在質量流控制器(MFC2’)檢查時的氣流。該半導體制造裝置設有MFC1～4(101～104)；MFC2’～4’(102’～104’)；氣體室105；止回閥106～108；閥121～147；質量流計(MFM)1～6(151～156)。另外，半導體制造裝置的各構成部分可用后述的計算機加以控制。
MFC2’～4’(102’～104’)是分別與MFC2～4(102～104)相同一品種的質量流控制器，在MFC2～4(102～104)上發(fā)生異常時，被換上來進行氣體流量的控制。例如，在圖2中示出MFC2(102)被替換成MFC2’(102’)后的狀態(tài)，在關閉閥124和125并停止MFC2(102)的工作的同時，打開閥127和128讓MFC2’(102’)開始工作。于是，在MFC2(102)被判斷為異常時轉換到MFC2’(102’)，可以不使半導體制造裝置停止運轉而向氣體室105流入氣體A。
另外，MFM1～6(151～156)分別是流量范圍不同的質量流計。質量流計等流量指示儀器由于流量的滿量程不同，流量精度也各異。例如，如果用大流量的流量測定量小流量的氣體，則測量誤差會變大。因而，測量小流量的氣體時，要用適于該流量值的質量流計。再者，MFM的流量范圍和數(shù)量可以根據(jù)MFC的流量范圍任意選擇。
圖2示出進行MFC2’(102’)檢查的情況，打開閥142、144和147，來自MFC2’(102’)的氣體經(jīng)MFM1～MFM3(151～153)流入氣體室105。這時，閥141、143、145和146關閉。另外，在檢查其它MFC時，對適當?shù)拈y進行開閉控制。
圖3是說明檢查本發(fā)明實施例中的半導體制造裝置的質量流計(MFM1～3)時的氣流示圖。在MFM檢查用端口上連接有用以檢查MFM1～6(151～156)的薄膜流量計等的外部檢查儀器。打開閥121、122、142、144和146，其它的閥全部關閉，N2(氮)氣通過MFM檢查用端口流入外部的檢查儀器。于是，可以不開放氣體室進行MFM1～3(151～153)的精度確認。再有，進行MFM4～6(154～156)的精度確認時，閥121、122、143、145和146被打開，其它的閥全部關閉。
圖4是表示檢查本發(fā)明第一實施例中的半導體制造裝置的計算機結構例的框圖。該計算機包括計算機主機201、顯示裝置202、裝有FD(軟盤)204的FD驅動器、鍵盤205、鼠標206、裝有CD-ROM(光盤只讀存儲器)208的CD-ROM裝置207和儀器控制用接口209。
檢查半導體制造裝置的程序(以下稱檢查程序)由FD204或CD-ROM208等記錄媒體供給。通過用計算機主機201執(zhí)行檢查程序，進行對半導體制造裝置的檢查。
計算機主機201設有CPU(中央處理器)210、ROM(只讀存儲器)211、RAM(隨機存取存儲器)212和硬盤213。CPU210一邊與顯示裝置202、FD驅動器203、鍵盤205、鼠標206、CD-ROM裝置207、儀器控制用接口209、ROM211、RAM212或硬盤213進行數(shù)據(jù)的輸入輸出，一邊進行處理。記錄在FD204或CD-ROM208中的檢查程序用CPU210經(jīng)由FD驅動器203或CD-ROM裝置207暫時存儲到硬盤213上。CPU210將適當?shù)臋z查程序從硬盤213裝載到RAM212上并加以執(zhí)行，進行對半導體制造裝置的檢查。
圖5是說明本發(fā)明第一實施例中的半導體制造裝置檢查時的計算機處理步驟的流程圖。首先，計算機將用以選擇作為檢查對象的MFC的畫面(以下稱為MFC選擇畫面)在顯示裝置202上顯示，讓操作者選擇進行檢查的MFC(S101)。
圖6是表示一例MFC選擇畫面的示圖。在該MFC選擇畫面上表示了半導體制造裝置的整體結構，由操作者反像顯示所選擇的(用鼠標206點擊)MFC。在圖6中示出了由操作者選擇的MFC2’(102’)的地方。另外，可以選擇多個MFC作為檢查對象。
接著，計算機將用以對所選擇的MFC設定檢查項目的畫面(以下稱為檢查項目設定畫面。)顯示在顯示裝置202上，讓操作者設定檢查項目(S102)。
圖7是一例表示檢查項目設定畫面的示圖。在該檢查項目設定畫面上顯示了作為檢查項目的流量精度檢查、重復精度檢查與線性檢查。操作者可以從顯示在檢查項目設定畫面上的檢查項目中選擇多個檢查頂目。
在選擇流量精度檢查時，設定對MFC的流量范圍的檢查范圍(％)和該時刻的檢查間隔(％)。在圖7中，檢查范圍設定為0-100％，檢查間隔設定為10％。
另外，在選擇重復精度檢查時，設定其重復次數(shù)。在圖7中，重復次數(shù)設定為5次。對于線性檢查，沒有供操作者設定的頂目。
然后，計算機參照在MFC選擇畫面和檢查項目設定畫面中所設定的MFC的個數(shù)和檢查項目，計算檢查需要的時間并在示于圖7的檢查項目設定畫面上顯示檢查所需時間(S103)。在圖7中，檢查所需時間顯示為1小時15分鐘。
操作者確認顯示在檢查項目設定畫面上的各項目，如用鼠標點擊顯示在檢查項目設定畫面上的「檢查開始」，就根據(jù)已設定的檢查項目開始半導體制造裝置的檢查(S104)。
計算機從由操作者選擇的MFC和檢查項目中選擇對該檢查最適當?shù)腗FM(S105)。然后，對所選擇的MFC實施所設定的檢查項目的檢查并進行判定(S106)。如果檢查對象的MFC是合格的(S106，OK)，則在用以顯示檢查結果的畫面(以下稱檢查結果顯示畫面)上顯示檢查合格(S107)，半導體制造裝置繼續(xù)進行半導體器件的生產(chǎn)(S108)。
而如果檢查對象的MFC不合格(S106，NG)，則在檢查結果顯示畫面上顯示檢查不合格(S109)，執(zhí)行MFC自動轉換處理(S110)。
圖8是表示一例檢查結果顯示畫面的示圖。在該檢查結果顯示畫面的流量精度檢查結果中，顯示了MFC的設定值、由MFM產(chǎn)生的實測值、判定標準、誤差和判定結果。在圖7所示的檢查項目設定畫面中，作為流量精度檢查的檢查范圍設定在0～100％，檢查間隔設定在10％，所以，對MFC設定0％，10％，20％，...，100％，根據(jù)該時刻MFM測定的流量被作為實測值顯示。在該流量精度檢查結果中，相對設定值的實測值的誤差達到作為全部判定標準的±3％以下，因而，被判定為合格。
另外，在重復精度檢查結果中，顯示了MFC的設定值、MFM測得的實測值的平均值、判定標準、標準偏差和判定結果。在示于圖7的檢查項目設定畫面中，由于作為重復精度檢查的重復次數(shù)設定為5次，所以在FMC上設定0％、10％％、20％...100％的流量各5次，根據(jù)那時的MFM測量的5次流量的平均值作為實測平均被顯示，計算并顯示那時的標準偏差。在這個重復精度檢查結果中，由于相對于設定值的標準偏差達到作為全部判定基準的±0.33％以下，所以，判定為合格。
在線性檢查結果中，表示了用最小二乘法計算的MFC的設定值(X)和由MFM產(chǎn)生的實測值(Y)的線性式。在所計算的系數(shù)a比0.99大，系數(shù)b比0.01小的情況下，線性檢查判定為合格。在圖9中，由于a＝0.9994、b＝0.0003，被判定為合格。另外，MFC的設定值和由MFM得到的實測值的關系在圖中用曲線表示。
圖9是更詳細地說明示于圖5的步驟S105的處理的流程圖。首先，計算機計算由MFC產(chǎn)生的氣體的實際流量(S111)。由MFC產(chǎn)生的氣體的實際流量按下式計算(MFC的設定流量)×〔實際流過氣體的CF(轉換系數(shù))〕/(被校正后的MFC的CF)。
作為一例，在SiH4氣體用的MFC〔滿量程為1SLM(標準升/分)〕中流過N2氣體500SCCM(標準毫升/分)，就從100SCCM、1SLM、10SLM的3個MFM中選出最佳的MFM滿量程的情況進行說明。如實際流過氣體的CF取為1，將校正后的MFC的CF取為0.596，則N2氣體的實際流量為500×1/0.596＝838.9SCCM。
接著，計算機判定氣體的實際流量是否在90SCCM以下(S112)。如果氣體的流量在90SCCM以下(S112，OK)，則選擇100SCCM的MFM(S113)。另外，如果氣體的實際流量比90SCCM大(S112，NG)，則計算機判定氣體的實際流量是否在900SCCM以下(S114)。
如果氣體的流量在900SCCM以下(S114，OK)，則選擇1SLM的MFM(S115)。另外，如果氣體的實際流量比900SCCM大(S112，NG)，則選擇10SLM的MFM(S116)。在上述的SiH4氣體用的MFC的情況下，可選擇1SLM的MFM。
圖10是詳細說明圖5所示的步驟S110(MFC自動轉換處理)的流程圖。首先，計算機選擇作為被檢對象的正在工作的MFC中的任意一個(S121)。這時，就選擇MFC2’(102’)作為被檢對象的情況進行說明。
接著，操作者選擇對被檢對象的MFC2’(102’)檢查項目(S122)。這時，顯示與圖7所示的檢查項目設定畫面同樣的畫面，讓操作者設定檢查項目。
接著，計算機對作為被檢對象的MFC2’(102’)執(zhí)行由操作者所設定的檢查項目的檢查，判定檢查結果合格與否(S123)。如果MFC2’(102’)的檢查結果合格(S123，OK)，則將表示檢查結果合格的畫面在顯示裝置202上顯示并結束處理(S124)。這時，顯示與圖8所示的檢查結果顯示畫面同樣的畫面，向操作者示出檢查結果合格。
另外，如果檢查結果不合格(S123，NG)，則將表示檢查結果不合格的畫面在顯示裝置202上(S125)顯示，進行閥的開閉控制并將被檢對象從MFC2’(102’)變更成MFC2(102)(S126)。
接著，計算機對作為被檢對象的MFC2(102)執(zhí)行檢查，判斷檢查結果合格與否(S127)。如果MFC(102)的檢查結果合格(S127，OK)，則將表示檢查結果合格的畫面顯示在顯示裝置202上(S129)，將加工過程用MFC轉換成MFC2(102)，繼續(xù)用半導體制造裝置進行半導體器件的生產(chǎn)。
另外，如果檢查結果不合格(S127，NG)，則停止半導體制造裝置的運轉，由操作者將MFC2’(102’)和MFC2(102)更換成合格品。然后，返回步驟121，重復同樣的處理。
如上所述，依據(jù)本實施例中的半導體制造裝置，由于設置了多個同一品種的MFC作為各氣體用的MFC，MFC發(fā)生異常時，只需對閥的關閉加以控制而轉換到另一MFC，從而不需要進行MFC的更換、工藝過程確認等作業(yè)，可以繼續(xù)半導體制造裝置的運轉。
并且，在半導體制造裝置內設置多個MFM，通過對閥的開閉的控制使來自MFC的氣體流入MFM，因此，可以在連接到氣體室、CVD等的半導體制造裝置的狀態(tài)下進行對MFC的檢查。
另外，由于設置了MFM檢查用端口，可以連接外部的檢查儀器，可以容易地進行半導體制造裝置內的MFM的精度確認。
(第二實施例)圖11是表示本發(fā)明的第二實施例中的半導體制造裝置的概略結構的框圖。該半導體制造裝置設有真空室161；閥162和163；真空表VG1(164)和VG1’(165)。另外，半導體制造裝置的各構成部分可由圖4所示的計算機控制。本實施例中就真空表的情況作了說明，但是，所作說明當然也能適用于各種傳感器。
圖11中，閥162打開，閥163關閉，用VG1(164)測量真空室161內的真空度。并且，若閥162關閉，閥163打開，則可以用VG1’(165)測量真空室161內的真空度。
圖12是說明本發(fā)明第二實施例中的半導體制造裝置的處理步驟的流程圖。首先，計算機選擇作為被檢對象的正在工作的真空表中的任意一個(S131)。這時，就選擇VG1(164)作為被檢對象的情況進行說明。
接著，操作者選擇對被檢對象的VG1(164)檢查項目(真空精度等)(S132)。這時，顯示與圖7所示的檢查項目設定畫面同樣的畫面，讓操作者設定檢查項目。
接著，計算機對作為被檢對象的VG1(164)執(zhí)行由操作者設定的檢查項目的檢查，判定檢查結果合格與否(S133)。如果VG1(164)的檢查結果合格(S133，OK)，則將表示檢查結果合格的畫面顯示在顯示裝置202上并結束處理(S134)。這時，顯示與圖8所示的檢查結果表示畫面同樣的畫面，向操作者示出檢查合格。
另外，如果檢查結果不合格(S133，NG)，則將表示檢查結果不合格的畫面顯示在顯示裝置202上(S135)，進行閥的開閉控制并將閥從VG1(164)轉換至VG1’(165)(S136)，然后用半導體制造裝置繼續(xù)進行半導體器件的生產(chǎn)。
如上所述，依據(jù)本實施例中的半導體制造裝置，由于設置了多個同樣的真空表，當工作中的真空表發(fā)生異常時，可以對閥的開閉加以控制而轉換成另外的真空表，從而不需要進行真空表的更換等作業(yè)，可以繼續(xù)用半導體制造裝置進行半導體器件的生產(chǎn)。
(第三實施例)圖13是表示本發(fā)明第三實施例中的半導體制造裝置的概略結構的框圖。與圖1所示的半導體制造裝置的概略結構相比，本例的不同點在于在MFC1(101)和閥110之間設有閥301，再就是設置閥302作為旁路管線(校正用管線)。
在圖13中示出，將MFC1(101)作為檢查用MFC，檢查MFC2(102)時的氣流，閥109、111、113、120和301打開，除此以外的閥全部關閉。于是，通過比較設定在MFC1(101)上的N2氣的流量與用MFC2(102)測量得到的流量，對MFC2(102)進行校正。其前提是MFC1(101)的流量控制能正確執(zhí)行。
再有，可以通過閥111和113的關閉，以及閥114和116的打開，進行MFC3(103)的校正。同樣，也可以通過閥111和113的關閉，閥117和119的打開，進行MFC4(104)的校正。還有，閥的開閉控制和MFC的控制等與第一實施例一樣，用圖4所示的計算機等來執(zhí)行。
圖14A和圖14B是表示一例改造原先設置的半導體制造裝置，設置圖13所示的旁路管線的情況的示圖。圖14A表示圖1所示的原先設置的半導體制造裝置的MFC1(101)和其前后的閥109和110。如圖14B所示，僅將閥109和110置換成阻塞閥303和304，配管布局不作大規(guī)模的變更，就可以增加旁路管線。另外，在阻塞閥303和304之間的旁路管線上連接與止回閥106、107和108相連的配管。
如上所述，依據(jù)本實施例中的半導體制造裝置，由于增加閥301和302并設置旁路管線，指定MFC1(101)作為檢查用的MFC進行其它的MFC2～4(102～104)的校正，所以，可以在與氣體室、CVD等的半導體制造裝置相連接的狀態(tài)下進行MFC的檢查。
另外，由于可以僅將已經(jīng)設置的閥置換成阻塞閥并設置旁路管線，所以容易地將已經(jīng)設置的半導體制造裝置改造為可檢查的半導體制造裝置。
(第四實施例)圖15是表示本發(fā)明的第四實施例中的半導體制造裝置的概略結構的框圖。與圖1所示的半導體制造裝置的概略結構相比，本例的不同點在于，增加了閥302和MFC5(305)作為校正管線。
圖15中，MFC5(305)設為檢查用MFC，圖中示出了檢查MFC2(102)時的氣流，閥111、113、120和302打開，除此以外的閥全部關閉。于是，通過比較設定在MFC5(305)上的N2氣流量和用MFC2(102)測得的流量，對MFC2(102)進行校正。其前提是MFC5(305)的流量控制能正確執(zhí)行。
還有，可以通過閥111和113的關閉，以及閥114和116的打開，進行對MFC3(103)的校正。同樣，可以通過閥111和113的關閉，以及閥117和119的打開，進行對MFC4(104)的校正。并且，閥的開閉控制和MFC的控制等與第一實施例一樣，可用圖4所示的計算機等來進行。
如上所述，依據(jù)本實施例中的半導體制造裝置，由于增加閥302和MFC5(305)來設置校正管線，將MFC5(305)作為檢查用MFC，進行對MFC2～4(102～104)的校正，因而，可以在與氣體室、CVD等與半導體制造裝置連接的狀態(tài)下進行對MFC的檢查。
并且，由于在吹掃和校正以外的通常操作中沒有氣體流入MFC5(305)，與第三實施例相比，檢查用MFC(MFC5)的可靠性能夠得到提高。
上面詳細地說明并描述了本發(fā)明，但應當明白，上述內容僅是例示，并不對本發(fā)明構成限制，本發(fā)明的精神和范圍僅由所附的權利要求范圍加以規(guī)定。權利要求
權利要求
1.使用多種氣體進行處理的半導體制造裝置，其中設有所述多種氣體流入的氣體室；對應于所述多種氣體設置的多個質量流控制器；測定所述多種氣體的流量的質量流計；控制所述多種氣體的流動的多個閥；以及在所述半導體制造裝置工作時控制所述多個閥的開閉，使所述多種氣體直接流入所述氣體室，并在質量流控制器檢查時控制所述多個閥的開閉，使所述多種氣體中的任意一種流入所述質量流計的控制部分。
2.如權利要求1所述的半導體制造裝置，其特征在于所述半導體制造裝置包含多個質量流計；所述控制部分根據(jù)檢查對象即質量流控制器的流量范圍，從所述多個質量流計中選擇流量范圍最合適的質量流計。
3.如權利要求2所述的半導體制造裝置，其特征在于所述控制部分基于設定在所述檢查對象即質量流控制器上設定的流量和轉換系數(shù)計算氣體的實際流量，并從所述多個質量流計中選擇流量范圍最合適的質量流計。
4.如權利要求1所述的半導體制造裝置，其特征在于所述控制部分按照操作者的指示，選擇所述多個質量流控制器中任意的質量流控制器作為檢查對象。
5.如權利要求4所述的半導體制造裝置，其特征在于所述控制部分按照操作者設定的質量流控制器的檢查范圍和檢查間隔，檢查作為所述檢查對象選擇的質量流控制器。
6.如權利要求5所述的半導體制造裝置，其特征在于所述控制部分把滿量程內的任意值設定在該質量流控制器上，作為所述質量流控制器的檢查范圍。
7.如權利要求1所述的半導體制造裝置，其特征在于所述控制部分根據(jù)預先確定的基準值判定檢查對象即質量流控制器合格與否；所述半導體制造裝置還設有將所述控制部分所判定的“合格與否”加以顯示的顯示部分。
8.如權利要求1所述的半導體制造裝置，其特征在于所述半導體制造裝置還設有與所述多個質量流控制器中的第一質量流控制器并列配置的、與所述第一質量流控制器同一品種的第二質量流控制器；所述控制部分在檢測出所述第一質量流控制器的異常時，控制所述多個閥的開閉，使所述第二質量流控制器工作。
9.如權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于所述半導體制造裝置還設有與外部檢查儀器相連接的外部端口；所述控制部分控制所述多個閥的開閉，使所述多種氣體中的任意一種經(jīng)由所述質量流計和所述外部端口流入所述外部的檢查儀器。
10.使用多種氣體進行處理的半導體制造裝置，其中設有所述多種氣體流入的氣體室；測定所述氣體室內的狀態(tài)的第一傳感器；與所述第一傳感器并列設置的、與所述第一傳感器同一品種的第二傳感器；設置在所述氣體室和所述第一傳感器之間的第一閥；設置在所述氣體室和所述第二傳感器之間的第二閥；以及在檢測出所述第一傳感器的異常時，控制所述第一閥和所述第二閥的開閉，使所述第二傳感器工作的控制部分。
11.使用多種氣體進行處理的半導體制造裝置，其中設有所述多種氣體流入的氣體室；對應所述多種氣體而設置的多個質量流控制器；控制所述多種氣體的流動的多個閥；以及在所述半導體制造裝置工作時控制所述多個閥的開閉，使所述多種氣體直接流入所述氣體室，在第一質量流控制器檢查時控制所述多個閥的開閉，使第一氣體經(jīng)由第二質量流控制器流入所述第一質量流控制器的控制部分。
12.如權利要求11所述的半導體制造裝置，其特征在于在所述半導體制造裝置工作時，所述第一氣體流入所述第二質量流控制器。
13.如權利要求11所述的半導體制造裝置，其特征在于通過在所述第二質量流控制器的前后設置阻塞閥，構成所述第一氣體經(jīng)由所述第二質量流控制器流入所述第一質量流控制器的旁路管線。
14.如權利要求11所述的半導體制造裝置，其特征在于在所述半導體制造裝置工作時，所述多種氣體中的任一種均不流入所述第二質量流控制器。
全文摘要
在半導體制造裝置工作時，控制多個閥(121～147)的開閉，使多種氣體直接流入氣體室(105)中，在質量流控制器(MFC2’)(102’)檢查時，控制多個閥(121～147)的開閉，使氣體A流入質量流計(MFM1～3)(151～153)。因而，可以在連接質量流控制器(MFM2’)(102’)狀態(tài)下進行檢查。
文檔編號C23C16/455GK1501440SQ20031011647
公開日2004年6月2日 申請日期2003年11月17日 優(yōu)先權日2002年11月15日
發(fā)明者石田勝士 申請人:株式會社瑞薩科技