專利名稱：噴淋頭以及使用這種噴淋頭的成膜裝置的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種為了使薄膜堆積在半導體晶片等被處理體的表面而向處理容器內(nèi)供給氣體的噴淋頭以及使用這種噴淋頭的成膜裝置。
背景技術：
一般情況下，為了制造半導體集成電路，需要在半導體晶片等被處理體上反復進行成膜處理、蝕刻處理、熱處理、改質(zhì)處理、結晶化處理等各種單片處理，從而形成所期望的集成電路。在進行這些處理時，根據(jù)處理的類型向處理容器中導入需要的處理氣體。在成膜處理中，從設置在能夠抽真空的處理容器頂部的噴淋頭向處理容器中供給原料氣體、氧化氣體或者還原氣體等支援氣體。這樣，就使薄膜堆積于在處理容器中被加熱的半導體晶片等的表面(日本特開平10-321613號公報)。
如果使用蒸氣壓較低而活性化能量較高的氣體作為原料氣體，那么，在原料氣體的傳輸過程中，如果混合支援氣體，那么就會發(fā)生成膜反應。因此，為了防止出現(xiàn)這種情況，采用以下這種噴射方式，即，當原料氣體通過噴淋頭向處理容器內(nèi)噴射時，首次與支援氣體接觸。這種噴射方式也可稱為所謂的后混合方式。在這種后混合方式中，為了防止原料氣體與支援氣體在噴淋頭內(nèi)相互混合，使它們分別流經(jīng)不同的流路。因此，這樣不僅能夠防止引起顆粒等的多余膜堆積在噴淋頭內(nèi)，還能夠主要使需要的薄膜堆積在晶片的表面。
但是，在反復對晶片進行成膜處理的過程中，有時在面對處理容器內(nèi)的噴淋頭的氣體噴射面中，以原料氣體的噴射口為中心，多余的薄膜按照直徑為數(shù)mm～數(shù)cm的大小堆積。如果對附著在氣體噴射面上的多余薄膜置之不理，那么它就會剝落而導致顆粒產(chǎn)生，因此，必須非常頻繁地進行清洗處理以除去這種顆粒。在這種情況下，無需取下噴淋頭，只要進行所謂的干洗處理，注入清洗氣體即可除去多余的薄膜。但是，如果使用包含某種高熔點金屬，如含Hf(鉿)的有機金屬材料氣體作為原料，那么，由于不存在有效的清洗氣體，因此，必須將噴淋頭從成膜裝置主體上取下，使用清洗液對其進行清洗，即進行所謂的濕洗。因此，這樣就會出現(xiàn)需要很多時間對其進行維護的問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是針對上述這些問題，而有效地解決它們的發(fā)明。本發(fā)明的目的在于提供一種能夠防止多余的薄膜堆積在氣體噴射面的原料氣體噴射口附近的噴淋頭以及使用這種噴淋頭的成膜裝置。
為了達到這個目的，本發(fā)明提供一種噴淋頭，其特征在于其是在處理容器內(nèi)為了使薄膜堆積在被處理體的表面而向所述處理容器內(nèi)的真空環(huán)境中供給原料氣體與支援氣體的噴淋頭，其包括具有面向所述處理容器內(nèi)的氣體噴射面的噴淋頭主體；形成于所述噴淋頭主體內(nèi)，接受所述原料氣體并使其擴散的第一擴散室；形成于所述噴淋頭主體內(nèi)，接受所述支援氣體并且使其擴散的第二擴散室；與所述第一擴散室連通并且形成于所述氣體噴射面上的多個原料氣體噴射口；和與所述第二擴散室連通并且形成于所述氣體噴射面上的多個第一支援氣體噴射口，其中，各個第一支援氣體噴射口分別形成為接近并環(huán)繞所述原料氣體噴射口的環(huán)狀。
此外，本發(fā)明提供一種噴淋頭，其特征在于其是在處理容器內(nèi)為了使薄膜堆積在被處理體的表面而向所述處理容器內(nèi)的真空環(huán)境中供給原料氣體與支援氣體的噴淋頭，其包括具有面向所述處理容器內(nèi)的氣體噴射面的噴淋頭主體；形成于所述噴淋頭主體內(nèi)，接受所述原料氣體并使其擴散的第一擴散室；形成于所述噴淋頭主體內(nèi)，接受所述支援氣體并且使其擴散的第二擴散室；與所述第一擴散室連通并且形成于所述氣體噴射面上的多個原料氣體噴射口；和與所述第二擴散室連通并且形成于所述氣體噴射面上的多個第一支援氣體噴射口，其中，各個原料氣體噴射口分別與多個所述第一支援氣體噴射口接近并被它們所環(huán)繞。
根據(jù)這些噴淋頭，從原料氣體噴射口向處理容器內(nèi)噴射之后的原料氣體，在其周圍被從第一支援氣體噴射口噴射的支援氣體暫時包圍的狀態(tài)下流向下方。這樣，活性化的原料氣體就不會滯留在原料氣體噴射口的附近。因此，這樣就能夠防止多余的膜堆積在以原料氣體噴射口為中心的氣體噴射面上。因此，可以增大清洗處理的時間間隔而減少進行清洗處理的頻度，從而能夠提高成膜裝置的工作效率。
在本發(fā)明的噴淋頭中還包括與所述第二擴散室連通并且形成于所述氣體噴射面上的多個第二支援氣體噴射口，各個第二支援氣體噴射口優(yōu)選分別配置在相鄰的兩個所述原料氣體噴射口之間。
例如，所述原料氣體是包含高熔點金屬的氣體，尤其是包含高熔點金屬的有機金屬材料氣體。
此外，本發(fā)明的目的在于提供一種成膜裝置，其特征在于其是使薄膜堆積在被處理體表面上的成膜裝置，其包括處理容器；對所述處理容器內(nèi)進行真空排氣的排氣裝置；設置在所述處理容器內(nèi)，并且用來放置所述被處理體的放置臺；對所述放置臺上的被處理體進行加熱的加熱裝置；和設置在所述處理容器頂部的上述噴淋頭。


圖1是本發(fā)明的第一實施方式所涉及的成膜裝置的截面結構圖。
圖2是圖1所示的噴淋頭的氣體噴射面的部分平面圖。
圖3是圖2中A1-A1線的截面圖。
圖4是圖3所示的噴淋頭的組裝工藝的部分示意圖。
圖5是至氣體噴射口中心的距離以及噴淋頭表面的成膜率兩者關系的曲線圖。
圖6是本發(fā)明第二實施方式所涉及的噴淋頭的氣體噴射面的部分平面圖。
圖7是圖6中的A2-A2線的截面圖。
具體實施例方式
下面，參照附圖對本發(fā)明所涉及的噴淋頭以及使用這種噴淋頭的成膜裝置的實施方式進行詳細的說明。
(第一實施方式)
首先，參照圖1～圖4，對本發(fā)明的第一實施方式進行說明。
圖1所示的成膜裝置2具有例如鋁制的圓筒形處理容器4。在該處理容器4內(nèi)的頂部設置有用來導入成膜用的原料氣體與支援氣體的噴淋頭6。噴淋頭6從設置在其氣體噴射面8上的多個氣體噴射口10朝著處理容器4內(nèi)的處理空間S噴射氣體。將在后面對該噴淋頭6進行詳細的說明。
此外，在處理容器4的側壁設置有將作為被處理體的半導體晶片W搬入搬出該處理容器4內(nèi)的搬入搬出口12。在該搬入搬出口12上設置有能夠氣密式開關的閘閥14。
在處理容器4的下面形成有排氣室18。該排氣室18被圓筒形的側壁22與底壁24所劃分，通過形成于處理容器4的底部16的中央位置的開口20與處理容器4內(nèi)連通。由石英玻璃等制成的圓筒形的支柱26，從底壁24上向著上方而延伸至處理容器4內(nèi)。放置臺28被焊接固定在該支柱26的上端部。此外，支柱26和放置臺28也可以使用AlN等陶瓷材料形成。
處理容器底部16的開口20的直徑比放置臺28的直徑小。流經(jīng)放置臺28的周邊部外側的處理氣體，繞過放置臺28的下方而流入開口20中。在側壁22的下部形成有與真空排氣系統(tǒng)32的排氣管34連接的排氣口30。真空排氣系統(tǒng)32具有附設在排氣管34中的真空泵(圖中未示)，通過排氣管34而能夠?qū)μ幚砣萜?內(nèi)以及排其室18中的環(huán)境進行真空排氣。此外，真空排氣系統(tǒng)32具有在排氣管34的中途附設的壓力調(diào)整閥(圖中未示)，通過調(diào)整該閥的開度，而能夠?qū)⑻幚砣萜?內(nèi)的壓力保持在一定的壓力值，或者使其迅速變化為期望的壓力。
此外，例如碳素鋼絲等電阻加熱器(加熱裝置)36被嵌入設置在放置臺28中。通過該加熱器36而可以對放置在放置臺28的上面的半導體晶片(被處理體)W進行加熱。通過設置在支柱26內(nèi)的供電線38而可以將已被控制的電力供給至加熱器36。
在放置臺28上形成有上下貫通的多個(例如三個)銷插通孔40(在圖1中僅表示兩個)。上推銷42可以上下移動而插入各個銷插通孔40中。各個上推銷42的下端以非固定的方式而被例如由氧化鋁這樣的陶瓷制成的上升環(huán)44所支承。從該上升環(huán)44延伸的臂部46與貫穿容器底部16而設的出沒桿48連結。該出沒口48形成為通過致動器50而能夠升降。這樣，當移交晶片W時，各個上推銷42就從銷插通孔40朝著上方出沒。此外，還附設可伸縮的波紋管(bellows)52，以確保出沒桿48在保持處理容器內(nèi)的氣密性的同時還可以升降。
下面，對噴淋頭6進行詳細的說明。
該噴淋頭6具有有底的圓筒形的噴淋頭主體56，其與封閉處理容器4的上端部的頂板54的下面接合在一起。在頂板54的周邊部與處理容器4的上端部之間，設置有用來保持處理容器4內(nèi)的氣密性的例如O形環(huán)等密封部件58。該噴淋頭6可以使用鎳、XASTELLOY(ハステロイ)(注冊商標)等鎳合金、鋁或者鋁合金制成。
然后，將噴淋頭主體56內(nèi)部劃分為接受原料氣體并使其擴散的第一擴散室60和接受支援氣體并使其擴散的第二擴散室62。在圖示例子中，通過水平配置在噴淋頭主體56內(nèi)的劃分板64而上下劃分為第一擴散室60與第二擴散室62。第一擴散室60與用來導入原料氣體而設置在頂板54上的原料氣體導入口66A連通。第二擴散室62與用來導入支援氣體而設置在頂板54上的支援氣體導入口66B連通。
在作為噴淋頭主體56的下面的氣體噴射面8上，按照圖2所示的點陣狀設置有多個氣體噴射口10。具體地說，氣體噴射口10包括用來噴射原料氣體的原料氣體噴射口10A、和用來噴射支援氣體的第一以及第二支援氣體噴射口10B、10C。各個第一支援氣體噴射口10B分別形成為接近并且環(huán)繞原料氣體噴射口10A的環(huán)形。此外，各個第二支援氣體噴射口10C被配置在分別相鄰的兩個原料氣體噴射口10A(以及第一支援氣體噴射口10B)的中間位置。此外，如果從第一支援氣體噴射口10B噴射的支援氣體的供給量充足，或者原料氣體噴射口10A的設置密度超過一定程度，那么也可以不設置第二支援氣體噴射口10C。
如圖3所示，原料氣體噴射口10A通過在從劃分板64朝著下方延伸的噴嘴68內(nèi)形成的氣體流路68A而與第一擴散室60連通。噴嘴68的頂端部是直徑縮小的階梯狀。此外，第一支援氣體噴射口10B通過貫穿噴淋頭主體56的底板70的氣體流路72而與第二擴散室62連通。
當形成上述這種構造時，如圖4所示，在底板70上預先形成與各個噴嘴68對應并且比其頂端部大一圈的階梯狀的開口74。只要將劃分板64與底部70接合固定即可，使得將對應的噴嘴68的頂端部以不接觸的狀態(tài)容納在各個開口部74中。其中，第二支援氣體噴射口10C通過貫穿底板70的氣體流路76而與第二擴散室62連通。
例如，在與300mm的晶片對應的噴淋頭6中，原料氣體噴射口10A的數(shù)量為300～400個左右。此外，各個氣體噴射口10的尺寸分別是原料氣體噴射口10A的內(nèi)徑L1(圖3)為1mm左右，第一支援氣體噴射口10B的內(nèi)徑L2(圖3)為2mm左右，外徑L3(圖2以及圖3)為2.4mm左右。此外，第二支援氣體噴射口10C的內(nèi)徑L4(圖3)為0.5mm左右。
下面，對采用上述構造的成膜裝置的操作情況進行說明。
此處，作為處理氣體而使用原料氣體與支援氣體。下面對使用作為原料氣體的含Hf(鉿)的有機金屬材料氣體與作為支援氣體的氧氣(O2)，使氧化鉿物(HfO2)的薄膜堆積的方式進行說明。此外，將在常溫下為液體或者固體的有機金屬材料溶于溶劑(例如辛烷)中，然后在氧化器中使其氧化，通過這種方法制成有機金屬材料氣體。
首先，利用圖中未示的搬運臂，通過使閘閥14處于打開狀態(tài)的搬入搬出口12，將未處理的半導體晶片W搬入到處理容器4內(nèi)，并轉移到上升的上推銷42上。然后，使上推銷42下降就可以將晶片W放置在放置臺28的上面。
接著，一邊對它們的流量進行控制，一邊將作為原料氣體的有機金屬材料氣體與作支援氣體的氧氣供給至噴淋頭6。這些氣體通過噴淋頭6的氣體噴射口10A～10C而被分別噴向處理空間S。另一方面，在排氣系統(tǒng)32中，繼續(xù)驅(qū)動真空泵，同時調(diào)整壓力調(diào)整閥的開度，以此將處理空間S內(nèi)的氣體保持在規(guī)定的工藝壓力。此時，晶片W被設置在放置臺28內(nèi)的加熱器36加熱，從而被保持在規(guī)定的工藝溫度。
此時，有機金屬材料氣體的活性非常高，因此，一旦導入處理空間S內(nèi)就可在較短的時間內(nèi)分解。而且有機金屬材料本身包含氧原子。因此，主要是含氧原子與鉿原子化合，利用CVD法(化學氣相沉積Chemical Vapor Deposition)而在晶片W的表面堆積氧化鉿膜。此外，作為支援氣體的氧氣支援這種反應。
此處，原料氣體噴射口與支援氣體噴射口以十幾毫米(mm)以上的間隔而分別設置在原有的噴淋頭上。因此，熱分解而活性化的有機金屬材料氣體在一定的時間內(nèi)滯留在原料氣體噴射口附近的氣體噴射面的正下方。因此，這樣就會發(fā)生上述的現(xiàn)象，即多余的附著膜(氧化鉿)堆積在以原料氣體噴射口為中心的噴射面上。
但是，在本發(fā)明的噴淋頭6上設置第一支援氣體噴射口10B，以環(huán)繞各個原料氣體噴射口10A的周圍。因此，從原料氣體噴射口10A朝著下方排放的含鉿(Hf)有機金屬材料氣體在其周圍被從第一支援氣體噴射口10B朝著下方排放的氧氣暫時包圍的狀態(tài)下，流向處理空間S的下方。因此，即使排放到處理空間S中的原料氣體活性化并且分解，活性種或鉿原子也不會接觸氣體噴射面8。這樣就能夠防止多余的附著膜(氧化鉿)堆積在氣體噴射面8上。而且，由于能夠防止多余附著膜的堆積，因此，可以減少進行清洗處理的頻度，從而能夠提高成膜裝置的工作效率。
此外，在本實施方式中，在相鄰的原料氣體噴射口10A之間也設置有噴射支援氣體的第二支援氣體噴射口10C，從該第二支援氣體噴射口10C也噴射作為支援氣體的氧氣。這樣也可以防止多余的附著膜(氧化鉿)附著在氣體噴射面8上。此處，支援氣體具有抑制噴射在處理空間S中的原料氣體急劇惰性化的作用。
例如，在與300mm的晶片尺寸對應的噴淋頭6中，原料氣體噴射口10A的數(shù)量為340個左右，總面積為267mm2左右。第一支援氣體噴射口10B的總面積為470mm2左右。而第二支援氣體噴射口10C的數(shù)量為340個左右，總面積為70mm2左右。此外，處理空間S的間隙(氣體噴射面8與放置臺28的上面之間的距離)為40mm左右。此外，相鄰的原料氣體噴射口10A之間的距離為17mm左右。例如，原料氣體的流量為1500sccm左右，氧氣的流量為1500sccm左右，工藝壓力為40Pa左右，工藝溫度為500℃左右。
此處，對作為支援氣體的氧氣的流量與附著在噴淋頭的氣體噴射面上的多余薄膜的成膜率之間的關系進行模擬評估。下面，參照圖5對其評估結果進行說明。圖5是與噴淋頭的氣體噴射面中的氣體噴射口中心的距離和成膜率之間關系的曲線圖。在圖5中，橫坐標的距離0mm表示某一個原料氣體噴射口10A的中心位置。縱坐標表示任意的單位(arb.unitarbitrary unit)。氧氣的流量在0～1500sccm的范圍內(nèi)變化。
由圖5所示的曲線圖可知，如果采用現(xiàn)有技術(氧氣流量為0sccm)，那么，在從原料氣體噴射口的中心至10mm左右的距離范圍內(nèi)，氣體噴射面的成膜率很高。而且，若與原料氣體噴射口中心的距離越遠，則氣體噴射面的成膜率就越低。實際上，對一定枚數(shù)的晶片實施成膜處理之后，通過目測即可確認以原料氣體噴射口為中心直徑為數(shù)cm左右的多余堆積膜。
與此相反，在本發(fā)明的噴淋頭中，隨著氧氣的供給量從500sccm增加至1500sccm，氣體噴射面的成膜率的峰值依次陡減。通過該成膜率的減少可知，氧氣的流量在1000～1500sccm的范圍之內(nèi)大致飽和。
(第二實施方式)下面參照圖6以及圖7，對本發(fā)明的第二實施方式進行說明。
如圖6以及圖7所示，本實施方式中取代各個環(huán)形的第一支援氣體噴射口10B，而形成接近并且環(huán)繞各個原料氣體噴射口10A的多個圓形第一支援氣體噴射口10D。
在圖6所示的例子中，與各個原料氣體噴射口10A相對，以原料氣體噴射口10A為中心并且按照90度的間隔分別配置四個第一支援氣體噴射口10D。通過組合使用一個原料氣體噴射口10A與四個第一支援氣體噴射口10D，從而分別形成一個噴射口裝置80。與各個原料氣體噴射口10A相對的第一支援氣體噴射口10D的數(shù)量并非局限于4個，為了用支援氣體包圍從原料氣體噴射口10A噴射的原料氣體的周圍，優(yōu)選按照相等間隔設置兩個以上。例如，第一支援氣體噴射口10D的內(nèi)徑L5(圖7)為0.5mm左右，在原料氣體噴射口10A的兩側相對配置的兩個第一支援氣體噴射口10D之間的距離(外徑)L6(圖7)為5.5mm左右。
此外，在相鄰的噴射口裝置80的中間位置分別設置有第二支援氣體噴射口10C，但是也可以采用與上述第一實施方式相同的方法而省去它們。
在該第二實施方式中也是如此，由于從原料氣體噴射口10A所噴射的原料氣體被從多個第一支援氣體噴射口10D所噴射的支援氣體包圍，因此，這樣就與第一實施方式相同，能夠防止多余的附著膜堆積在氣體噴射面8上。
在以上各個實施方式中，作為支援氣體而使用了氧氣，但并非局限于此，也可以使用氮氣、氦氣、氬氣等惰性氣體。
此外，作為原料氣體而使用了包含高熔點金屬鉿有機金屬材料氣體，但是，只要是有可能使多余的附著膜堆積在噴淋頭的氣體噴射面上的氣體，那么，使用任何原料氣體都可以適用于本發(fā)明。因此，例如除了使用包括鉿以外的高熔點金屬W(鎢)、Ti(鈦)、Ta(鉭)等的有機金屬材料氣體或者不包括高熔點金屬的有機金屬材料氣體，還可以使用有機金屬材料氣體以外的氣體來作為原料氣體。
此外，以使用電阻加熱器作為成膜裝置的加熱裝置的方式為例進行了說明，除此之外，也可以使用加熱燈來取代加熱器。
此外，作為被處理體，以半導體晶片為例進行了說明，但也并非局限于此，當然也可以使用能夠適用于LCD基板、玻璃基板等的基板。
權利要求
1.一種噴淋頭，其特征在于其是在處理容器內(nèi)為了使薄膜堆積在被處理體的表面而向所述處理容器內(nèi)的真空環(huán)境中供給原料氣體與支援氣體的噴淋頭，其包括具有面向所述處理容器內(nèi)的氣體噴射面的噴淋頭主體；形成于所述噴淋頭主體內(nèi)，接受所述原料氣體并使其擴散的第一擴散室；形成于所述噴淋頭主體內(nèi)，接受所述支援氣體并使其擴散的第二擴散室；與所述第一擴散室連通并且形成于所述氣體噴射面上的多個原料氣體噴射口；和與所述第二擴散室連通并且形成于所述氣體噴射面上的多個第一支援氣體噴射口，其中，各個第一支援氣體噴射口分別接近所述原料氣體噴射口而形成為將其環(huán)繞的環(huán)形。
2.如權利要求1所述的噴淋頭，其特征在于還包括與所述第二擴散室連通并且形成于所述氣體噴射面上的多個第二支援氣體噴射口，各個第二支援氣體噴射口被分別配置在相鄰的兩個所述原料氣體噴射口之間。
3.如權利要求1所述的噴淋頭，其特征在于所述原料氣體包含高熔點金屬。
4.如權利要求3所述的噴淋頭，其特征在于所述原料氣體是有機金屬材料氣體。
5.一種噴淋頭，其特征在于其是在處理容器內(nèi)為了使薄膜堆積在被處理體的表面而向所述處理容器內(nèi)的真空環(huán)境中供給原料氣體與支援氣體的噴淋頭，其包括具有面向所述處理容器內(nèi)的氣體噴射面的噴淋頭主體；形成于所述噴淋頭主體內(nèi)，接受所述原料氣體并使其擴散的第一擴散室；形成于所述噴淋頭主體內(nèi)，接受所述支援氣體并使其擴散的第二擴散室；與所述第一擴散室連通并且形成于所述氣體噴射面上的多個原料氣體噴射口；和與所述第二擴散室連通并且形成于所述氣體噴射面上的多個第一支援氣體噴射口，其中，各個原料氣體噴射口分別與多個所述第一支援氣體噴射口接近并且被它們所環(huán)繞。
6.如權利要求5所述的噴淋頭，其特征在于還包括與所述第二擴散室連通并且形成于所述氣體噴射面上的多個第二支援氣體噴射口，各個第二支援氣體噴射口被分別配置在相鄰的兩個所述原料氣體噴射口之間。
7.如權利要求5所述的噴淋頭，其特征在于所述原料氣體包含高熔點金屬。
8.如權利要求7所述的噴淋頭，其特征在于所述原料氣體是有機金屬材料氣體。
9.一種成膜裝置，其特征在于其是在利用原料氣體與支援氣體而使薄膜堆積在被處理體表面上的成膜裝置，其包括處理容器；對所述處理容器內(nèi)進行真空排氣的排氣裝置；設置在所述處理容器內(nèi)，并且用來放置所述被處理體的放置臺；對所述放置臺上的被處理體進行加熱的加熱裝置；和設置在所述處理容器的頂部的噴淋頭，其中，所述噴淋頭包括具有面向所述處理容器內(nèi)的氣體噴射面的噴淋頭主體；形成于所述噴淋頭主體內(nèi)，接受所述原料氣體并使其擴散的第一擴散室；形成于所述噴淋頭主體內(nèi)，接受所述支援氣體并使其擴散的第二擴散室；與所述第一擴散室連通并且形成于所述氣體噴射面上的多個原料氣體噴射口；和與所述第二擴散室連通并且形成于所述氣體噴射面上的多個第一支援氣體噴射口，其中，各個第一支援氣體噴射口分別接近所述原料氣體噴射口而形成為將其包圍的環(huán)形。
10.如權利要求9所述的成膜裝置，其特征在于所述噴淋頭還包括與所述第二擴散室連通并且形成于所述氣體噴射面上的多個第二支援氣體噴射口，各個第二支援氣體噴射口分別被配置在相鄰的兩個所述原料氣體噴射口之間。
11.一種成膜裝置，其特征在于其是利用原料氣體與支援氣體而使薄膜堆積在被處理體表面上的成膜裝置，其包括處理容器；對所述處理容器內(nèi)進行真空排氣的排氣裝置；設置在所述處理容器內(nèi)，并且用來放置所述被處理體的放置臺；對所述放置臺上的被處理體進行加熱的加熱裝置；和設置在所述處理容器的頂部的噴淋頭，其中，所述噴淋頭包括具有面向所述處理容器內(nèi)的氣體噴射面的噴淋頭主體；形成于所述噴淋頭主體內(nèi)，接受所述原料氣體并使其擴散的第一擴散室；形成于所述噴淋頭主體內(nèi)，接受所述支援氣體并使其擴散的第二擴散室；與所述第一擴散室連通并且形成于所述氣體噴射面上的多個原料氣體噴射口；和與所述第二擴散室連通并且形成于所述氣體噴射面上的多個第一支援氣體噴射口，其中，各個原料氣體噴射口分別與多個所述第一支援氣體噴射口接近并且被它們所環(huán)繞。
12.如權利要求11所述的成膜裝置，其特征在于所述噴淋頭還包括與所述第二擴散室連通并且形成于所述氣體噴射面上的多個第二支援氣體噴射口，各個第二支援氣體噴射口分別被配置在相鄰的兩個所述原料氣體噴射口之間。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種向成膜裝置的處理容器內(nèi)供給成膜用的原料氣體與支援氣體的噴淋頭。它具備具有氣體噴射面(8)的主體。在噴淋頭主體內(nèi)形成接受原料氣體并使其擴散的第一擴散室(60)、接受支援氣體并且使其擴散的第二擴散室(62)。在氣體噴射面上形成與第一擴散室連通的原料氣體噴射口(10A)、與第二擴散室連通的第一支援氣體噴射口(10B)。各個第一支援氣體噴射口(10B)形成分別接近原料氣體噴射口(10A)并且環(huán)繞它們的環(huán)形。
文檔編號C23C16/455GK1871694SQ20048003141
公開日2006年11月29日 申請日期2004年10月22日 優(yōu)先權日2003年10月23日
發(fā)明者綱倉學, 巖田輝夫 申請人:東京毅力科創(chuàng)株式會社