專(zhuān)利名稱(chēng)：制造系統(tǒng)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)于一種制程控制，特別是有關(guān)于一種利用原位厚度測(cè)量方法，調(diào)整化學(xué)機(jī)械研磨及鍍膜制程的制程參數(shù)的方法與系統(tǒng)。
背景技術(shù)：
隨著IC元件逐漸進(jìn)入小尺寸、高集成度的多層導(dǎo)線后，黃光制程對(duì)景深(Depth of Focus，DOF)有較高的限制，因此對(duì)平坦化技術(shù)的需求更顯得重要?；瘜W(xué)機(jī)械研磨(chemicalmechanical polishing，以下簡(jiǎn)稱(chēng)為CMP)制程是一種以化學(xué)反應(yīng)結(jié)合機(jī)械研磨的平坦化制程，其目的是將晶圓上凹凸起伏的介電層或金屬層加以平坦化，以利于后續(xù)薄膜沉積、高精確度的曝光、蝕刻停止層的控制等。
然而，晶片的預(yù)定研磨表面的高低起伏輪廓、臨界尺寸(critical dimension，CD)的變化、形成于晶片的邊緣處的無(wú)用途圖形而造成邊緣厚中央薄的情況等等，均會(huì)影響CMP制程的平坦化效果。為了提升CMP制程的平坦化效果，習(xí)知技術(shù)大多采用調(diào)整制程參數(shù)的方法，例如研磨頭所施加的壓力、研磨頭與研磨平臺(tái)的旋轉(zhuǎn)速度、研磨液的流動(dòng)速度、研磨液所包含的研磨顆粒的化學(xué)成份、制程溫度以及研磨墊的材料等參數(shù)。不過(guò)這些制程參數(shù)之間具有復(fù)雜的關(guān)聯(lián)性且被周?chē)难心キh(huán)境所左右，若要找出與機(jī)器硬件設(shè)定的直接關(guān)聯(lián)性，有其實(shí)驗(yàn)困難性與量測(cè)設(shè)備花費(fèi)昂貴之虞。雖然目前業(yè)界設(shè)計(jì)出各種形式的研磨頭搭配多區(qū)域研磨的控制，以盡量符合各種高低輪廓的研磨需求，不過(guò)新樣式的研磨頭仍無(wú)法達(dá)到預(yù)期效果，且多區(qū)域研磨不能控制各區(qū)域之間的平坦效果。
參見(jiàn)圖1A～圖1C，其顯示在傳統(tǒng)CMP制程進(jìn)行的各階段中，薄膜表面的狀態(tài)。如圖1A所示，在一基材15a上具有銅薄膜(如斜線部分11a所示)。再一多階段CMP制程中，大部分的銅于第一研磨階段中被移除，留下如圖1B所示的薄膜表面。在圖1B中，基材15b上具有銅薄膜11b。接著，執(zhí)行第二研磨階段，該第二研磨階段是在制程終點(diǎn)測(cè)試裝置偵測(cè)到一終點(diǎn)信號(hào)時(shí)停止。如圖1C所示，基材15c上的銅薄膜不均勻，其中薄膜111c部分仍有殘余的銅薄膜，而薄膜115c部分則被過(guò)度研磨而呈現(xiàn)碟狀凹陷表面。該第二研磨制程移除基材上殘留的銅，但其研磨量沒(méi)有依據(jù)第一研磨制程的結(jié)果來(lái)進(jìn)行調(diào)整。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，本發(fā)明的目的在于提供一種利用原位厚度測(cè)量方法，調(diào)整化學(xué)機(jī)械研磨及鍍膜制程的制程參數(shù)的方法與系統(tǒng)，以提高化學(xué)機(jī)械研磨制程的效果。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供一種制造系統(tǒng)。該制造系統(tǒng)包括研磨機(jī)臺(tái)、檢測(cè)機(jī)臺(tái)及控制裝置。該研磨機(jī)臺(tái)是通過(guò)機(jī)械方式移除一基材上的導(dǎo)電物質(zhì)。該檢測(cè)機(jī)臺(tái)是通過(guò)非破壞性測(cè)試方法，測(cè)量該導(dǎo)電物質(zhì)中引起的電磁信號(hào)。該控制裝置是與該研磨機(jī)臺(tái)及該檢測(cè)機(jī)臺(tái)耦接，用以在研磨制程進(jìn)行中，依據(jù)測(cè)量得到的該電磁信號(hào)，決定該導(dǎo)電物質(zhì)的殘余厚度及移除率，并據(jù)以調(diào)整該研磨機(jī)臺(tái)的第一制程參數(shù)。
本發(fā)明提供的制造系統(tǒng)，該研磨機(jī)臺(tái)是執(zhí)行多區(qū)域研磨制程，其能夠在不同研磨區(qū)域施加不等的下壓力。
本發(fā)明提供的制造系統(tǒng)，該檢測(cè)機(jī)臺(tái)執(zhí)行渦電流檢測(cè)，使用一電壓表來(lái)測(cè)量該電磁信號(hào)。
本發(fā)明提供的制造系統(tǒng)，該檢測(cè)機(jī)臺(tái)執(zhí)行渦電流檢測(cè)，使用一電流表來(lái)測(cè)量該電磁信號(hào)。
本發(fā)明提供的制造系統(tǒng)，該檢測(cè)機(jī)臺(tái)包括至少2個(gè)分離的檢測(cè)探針，其分別置于不同的研磨區(qū)域。
本發(fā)明提供的制造系統(tǒng)，該檢測(cè)機(jī)臺(tái)包括設(shè)置于研磨表面中心區(qū)域的第一檢測(cè)探針，以及設(shè)置于研磨表面邊緣區(qū)域的第二檢測(cè)探針。
本發(fā)明提供的制造系統(tǒng)，該控制裝置進(jìn)一步依據(jù)預(yù)設(shè)的回歸模式來(lái)決定該導(dǎo)電物質(zhì)的殘余厚度，其中該回歸模式界定該導(dǎo)電物質(zhì)的殘留厚度和對(duì)應(yīng)的檢測(cè)探針測(cè)得電壓的關(guān)系。
本發(fā)明提供的制造系統(tǒng)，該控制裝置進(jìn)一步依據(jù)預(yù)設(shè)的回歸模式來(lái)決定該導(dǎo)電物質(zhì)的移除率，其中該回歸模式界定該導(dǎo)電物質(zhì)的移除率和對(duì)應(yīng)的檢測(cè)探針測(cè)得電壓變化率的關(guān)系。
本發(fā)明提供的制造系統(tǒng)，進(jìn)一步包括一鍍膜機(jī)臺(tái)，其是與該控制裝置連結(jié)，用以在該基材上形成一金屬層。
本發(fā)明提供的制造系統(tǒng)，該控制裝置利用該測(cè)得的該導(dǎo)電物質(zhì)的殘余厚度和該移除率，據(jù)以調(diào)整該鍍膜機(jī)臺(tái)的第二制程參數(shù)。
本發(fā)明還提供一種制造方法，其提供基材，其上覆蓋導(dǎo)電物質(zhì)層。并執(zhí)行第一研磨步驟，其是依據(jù)第一制程參數(shù)進(jìn)行，通過(guò)機(jī)械方式移除該導(dǎo)電物質(zhì)層。然后，測(cè)量該導(dǎo)電物質(zhì)中引起的電磁信號(hào)，其是通過(guò)非破壞性測(cè)試方法進(jìn)行。再在研磨制程進(jìn)行中，依據(jù)測(cè)量得到的該電磁信號(hào)，決定該導(dǎo)電物質(zhì)的殘余厚度及移除率。并依據(jù)該殘余厚度及移除率，調(diào)整該研磨機(jī)臺(tái)的第一制程參數(shù)。
上述制程控制方法是可以通過(guò)將儲(chǔ)存于計(jì)算機(jī)可讀取儲(chǔ)存介質(zhì)的計(jì)算機(jī)程序載入計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中而實(shí)現(xiàn)。
本發(fā)明提供的制造系統(tǒng)，可使后一研磨制程過(guò)程的研磨量依據(jù)前一研磨制程過(guò)程的結(jié)果來(lái)進(jìn)行調(diào)整，從而提高化學(xué)機(jī)械研磨的平坦化效果。


圖1A～1C是在傳統(tǒng)CMP制程進(jìn)行的各階段中，薄膜表面的狀態(tài)。
圖2是依據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的制造系統(tǒng)的示意圖。
圖3是本發(fā)明制造方法的流程圖。
圖4A～4B是依據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的CMP制程進(jìn)行的各階段中，薄膜表面的狀態(tài)。
圖5A～5B是依據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的回歸模型的示意圖。
圖6是依據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的示意圖。
具體實(shí)施例方式
為了讓本發(fā)明的目的、特征、及優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉較佳實(shí)施例，并配合附圖2至附圖6，做詳細(xì)的說(shuō)明。本發(fā)明說(shuō)明書(shū)提供不同的實(shí)施例來(lái)說(shuō)明本發(fā)明不同實(shí)施方式的技術(shù)特征。其中，實(shí)施例中的各元件的配置是為說(shuō)明之用，并非用以限制本發(fā)明。且實(shí)施例中附圖標(biāo)記部分重復(fù)，是為了簡(jiǎn)化說(shuō)明，并非意指不同實(shí)施例之間的關(guān)聯(lián)性。
本發(fā)明是以移除銅薄膜的CMP制程為實(shí)施例，然本發(fā)明的應(yīng)用并不以此為限，其他金屬薄膜移除的制程，在處理過(guò)程中以面朝下(face-down)方式執(zhí)行研磨制程者，皆可適用。
圖2顯示依據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的制造系統(tǒng)的示意圖。本發(fā)明制造系統(tǒng)200是為半導(dǎo)體制造系統(tǒng)，用以在半導(dǎo)體晶圓執(zhí)行金屬鍍膜和CMP制程。
制造系統(tǒng)200包括研磨機(jī)臺(tái)21、鍍膜機(jī)臺(tái)22、檢測(cè)機(jī)臺(tái)23以及控制裝置25。
鍍膜機(jī)臺(tái)22在半導(dǎo)體晶圓的基材上形成一薄膜，其中該薄膜由導(dǎo)電性物質(zhì)形成，例如銅薄膜。
研磨機(jī)臺(tái)21是通過(guò)機(jī)械方式移除基材上的導(dǎo)電物質(zhì)，例如化學(xué)機(jī)械研磨(CMP)制程，其可以執(zhí)行多區(qū)域研磨制程，其能夠在不同研磨區(qū)域施加不等的下壓力，使得不同研磨區(qū)域具有不同的移除速率。
檢測(cè)機(jī)臺(tái)23是通過(guò)非破壞性測(cè)試方法，測(cè)量該導(dǎo)電物質(zhì)中引起的電磁信號(hào)。檢測(cè)機(jī)臺(tái)23可以執(zhí)行渦電流檢測(cè)(eddycurrent testing)，使用一電壓表及/或電流表來(lái)測(cè)量該電磁信號(hào)。檢測(cè)機(jī)臺(tái)23包括兩個(gè)檢測(cè)探針231和233，用以測(cè)量不同研磨區(qū)域中銅薄膜的厚度。其中，檢測(cè)探針231設(shè)置于研磨表面中心區(qū)域，而檢測(cè)探針233則設(shè)置于研磨表面邊緣區(qū)域。上述研磨機(jī)臺(tái)21、鍍膜機(jī)臺(tái)22及檢測(cè)機(jī)臺(tái)23分別與控制裝置25耦接。其中，研磨機(jī)臺(tái)21及檢測(cè)機(jī)臺(tái)23是協(xié)同運(yùn)作，但未必直接耦接。
控制裝置25是用以在研磨制程進(jìn)行中，依據(jù)測(cè)量得到的該電磁信號(hào)，決定該導(dǎo)電物質(zhì)的殘余厚度及移除率，并據(jù)以調(diào)整該研磨機(jī)臺(tái)的第一制程參數(shù)?？刂蒲b置25依據(jù)預(yù)設(shè)的回歸模式來(lái)決定該導(dǎo)電物質(zhì)的殘余厚度，其中該回歸模式界定該導(dǎo)電物質(zhì)的殘留厚度和移除率和對(duì)應(yīng)的檢測(cè)探針測(cè)得電壓和電流的關(guān)系，并據(jù)以調(diào)整研磨機(jī)臺(tái)21和鍍膜機(jī)臺(tái)22的制程參數(shù)。上述預(yù)設(shè)的回歸模式可以儲(chǔ)存在與控制裝置25連結(jié)的數(shù)據(jù)庫(kù)27。
參見(jiàn)圖3，其顯示本發(fā)明制造方法的流程圖。首先，提供基材，其上覆蓋導(dǎo)電物質(zhì)層(步驟S31)。其中該導(dǎo)電物質(zhì)可以為半導(dǎo)體制造過(guò)程中在基材上形成的任何金屬薄膜，例如銅薄膜。
在研磨步驟執(zhí)行之前，需先提供第一回歸模型，用以界定測(cè)量得到的電磁信號(hào)和殘留銅薄膜厚度之間的關(guān)系(步驟S321)。另外，也提供第二回歸模型，用以界定測(cè)量得到的電磁信號(hào)改變率和銅薄膜移除速率之間的關(guān)系(步驟S323)。依據(jù)本實(shí)施例，該電磁信號(hào)為電壓計(jì)測(cè)量得到的電壓信號(hào)，而該第一和第二回歸模型為線性回歸模型。該第一和第二回歸模型是通過(guò)針對(duì)一晶圓空片所進(jìn)行的實(shí)驗(yàn)而決定。參見(jiàn)圖5A，其顯示依據(jù)本發(fā)明實(shí)施例中第一回歸模型的回歸線和數(shù)據(jù)點(diǎn)的示意圖。依據(jù)第一回歸模型，研磨表面邊緣設(shè)置的檢測(cè)探針?biāo)鶞y(cè)得的電壓和殘留銅薄膜厚度的關(guān)系如下式y(tǒng)＝0.4638x-175.17 (1.1式)R2＝0.7411依據(jù)第一回歸模型，研磨表面中央設(shè)置的檢測(cè)探針?biāo)鶞y(cè)得的電壓和殘留銅薄膜厚度的關(guān)系如下式y(tǒng)＝0.436x-76.99(1.2式)R2＝0.8434上述1.1式和1.2式中的x為殘留銅薄膜厚度()，而y為電壓測(cè)量值(mV)。
參見(jiàn)圖5B，其顯示依據(jù)本發(fā)明實(shí)施例中第二回歸模型的回歸線和數(shù)據(jù)點(diǎn)的示意圖。依據(jù)第二回歸模型，研磨表面邊緣設(shè)置的檢測(cè)探針?biāo)鶞y(cè)得的電壓和殘留銅薄膜厚度的關(guān)系如下式y(tǒng)＝-0.0063x+16.303(2.1式)R2＝0.6926依據(jù)第二回歸模型，研磨表面中央設(shè)置的檢測(cè)探針?biāo)鶞y(cè)得的電壓和殘留銅薄膜厚度的關(guān)系如下式y(tǒng)＝-0.0087x+2.851(2.2式)R2＝0.7724上述2.1式和2.2式中的x為移除率(/min)，而y為電壓測(cè)量值的變化率(mV/sec)。
然后，執(zhí)行第一研磨步驟(步驟S33)，其是依據(jù)第一制程參數(shù)進(jìn)行，通過(guò)機(jī)械方式移除該導(dǎo)電物質(zhì)層。第一研磨步驟可以執(zhí)行CMP制程步驟，以移除部分銅薄膜并使其表面平坦化。第一研磨步驟移除基材上大部(bulk)的銅，經(jīng)過(guò)第一研磨制程后，該晶圓的表面呈現(xiàn)如圖4A所示的略微凹陷的狀況。在圖4A中，基材40a上的銅薄膜43a的表面略成碟狀凹陷。上述碟狀凹陷的產(chǎn)生是由于晶圓中央和邊緣的薄膜移除速率不一致所致。一般來(lái)說(shuō)，晶圓中央的移除率會(huì)較邊緣部分高，因此晶圓中央的薄膜被移除較多，而呈現(xiàn)中央凹陷的表面。
然后，利用渦電流檢測(cè)(eddy current testing)裝置，測(cè)量上述晶圓中央部分和邊緣部分的銅薄膜厚度。上述晶圓中央部分和邊緣部分的銅薄膜厚度分別由渦電流檢測(cè)裝置的中央檢測(cè)探針和邊緣檢測(cè)探針來(lái)測(cè)量。
步驟S35，分別由渦電流檢測(cè)裝置的中央檢測(cè)探針和邊緣檢測(cè)探針來(lái)測(cè)量該銅薄膜中引起的電磁信號(hào)。依據(jù)本發(fā)明實(shí)施例，該電磁信號(hào)是通過(guò)電壓計(jì)來(lái)測(cè)量。
在研磨制程進(jìn)行中，依據(jù)測(cè)量得到的該電磁信號(hào)及該第一回歸模型，決定該銅薄膜的殘余厚度(步驟S37)。將邊緣檢測(cè)探針測(cè)量得到的該電壓值代入第一回歸模型的1.1式中的y，即可運(yùn)算得到相對(duì)應(yīng)的銅薄膜厚度x。相同地，將中央檢測(cè)探針測(cè)量得到的該電壓值代入第一回歸模型的1.2式中的y，即可運(yùn)算得到相對(duì)應(yīng)的銅薄膜厚度x。
然后，可以依據(jù)該電壓測(cè)量值的改變率及該第二回歸模型，運(yùn)算得到該銅薄膜的移除率(步驟S39)。將邊緣檢測(cè)探針測(cè)量得到的該電壓值改變率代入第二回歸模型的2.1式中的y，即可運(yùn)算得到相對(duì)應(yīng)的銅薄膜移除率x。相同地，將中央檢測(cè)探針測(cè)量得到的該電壓值改變率代入第二回歸模型的2.2式中的y，即可運(yùn)算得到相對(duì)應(yīng)的銅薄膜移除率x。
依據(jù)該殘余厚度及移除率，調(diào)整該研磨機(jī)臺(tái)的第一制程參數(shù)(步驟S391)。然后，晶圓中央?yún)^(qū)域和邊緣區(qū)域的研磨下壓力依據(jù)上述制程參數(shù)而調(diào)整，以使得中央?yún)^(qū)域和邊緣區(qū)域的移除率可以調(diào)整而彌補(bǔ)第一研磨步驟所造成的碟狀凹陷表面(步驟S395)。經(jīng)過(guò)步驟S395處理后的表面，如圖4B所示，其中基材40b上的銅薄膜43b的厚度均勻，并無(wú)呈現(xiàn)如圖4A中的碟狀凹陷表面。
上述處理方法可以通過(guò)將儲(chǔ)存于計(jì)算機(jī)可讀取儲(chǔ)存介質(zhì)的計(jì)算機(jī)程序載入計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中而實(shí)現(xiàn)。
如圖6所示，上述制程參數(shù)調(diào)整方法能通過(guò)計(jì)算機(jī)程序，存于儲(chǔ)存介質(zhì)中，且當(dāng)計(jì)算機(jī)程序載入計(jì)算機(jī)系統(tǒng)執(zhí)行時(shí)，可以實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的制程控制的方法。該方法適用于金屬薄膜移除的制程，在處理過(guò)程中以面朝下(face-down)方式執(zhí)行研磨制程者，皆可適用。上述計(jì)算機(jī)程序包括電磁信號(hào)接收模組61、殘余厚度及移除率決定模組63、制程參數(shù)調(diào)整模組65以及制程命令產(chǎn)生模組67。
電磁信號(hào)接收模組61接收該導(dǎo)電物質(zhì)中引起的電磁信號(hào)的測(cè)量值，其是在第一研磨步驟執(zhí)行過(guò)程中，通過(guò)非破壞性測(cè)試方法測(cè)量而得。殘余厚度及移除率決定模組63依據(jù)該電磁信號(hào)測(cè)量值，決定該第一研磨步驟中該導(dǎo)電物質(zhì)的殘余厚度及移除率。制程參數(shù)調(diào)整模組65依據(jù)該殘余厚度及移除率，調(diào)整該研磨機(jī)臺(tái)的第一制程參數(shù)。制程命令產(chǎn)生模組67發(fā)出一制程命令，使得執(zhí)行第二研磨步驟，其是依據(jù)該調(diào)整后的制程參數(shù)進(jìn)行。
雖然本發(fā)明已通過(guò)較佳實(shí)施例說(shuō)明如上，但該較佳實(shí)施例并非用以限定本發(fā)明。本領(lǐng)域的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，應(yīng)有能力對(duì)該較佳實(shí)施例做出各種更改和補(bǔ)充，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍以權(quán)利要求書(shū)的范圍為準(zhǔn)。
附圖中符號(hào)的簡(jiǎn)單說(shuō)明如下15a基材 231檢測(cè)探針11a銅薄膜233檢測(cè)探針15b基材 40a基材11b銅薄膜43a銅薄膜15c基材 40b基材11c銅薄膜43b銅薄膜200制造系統(tǒng) 61電磁信號(hào)接收模組21研磨機(jī)臺(tái) 63殘余厚度及移除率決定模22鍍膜機(jī)臺(tái) 組23檢測(cè)機(jī)臺(tái) 65制程參數(shù)調(diào)整模組25控制裝置 67制程命令產(chǎn)生模組
權(quán)利要求
1.一種制造系統(tǒng)，其特征在于該制造系統(tǒng)包括研磨機(jī)臺(tái)，其是通過(guò)機(jī)械方式移除一基材上的導(dǎo)電物質(zhì)；檢測(cè)機(jī)臺(tái)，其是通過(guò)非破壞性測(cè)試方法，測(cè)量該導(dǎo)電物質(zhì)中引起的電磁信號(hào)；以及控制裝置，其是與該研磨機(jī)臺(tái)及該檢測(cè)機(jī)臺(tái)耦接，用以在研磨制程進(jìn)行中，依據(jù)測(cè)量得到的該電磁信號(hào)，決定該導(dǎo)電物質(zhì)的殘余厚度及移除率，并據(jù)以調(diào)整該研磨機(jī)臺(tái)的第一制程參數(shù)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造系統(tǒng)，其特征在于該研磨機(jī)臺(tái)是執(zhí)行多區(qū)域研磨制程，其能夠在不同研磨區(qū)域施加不等的下壓力。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造系統(tǒng)，其特征在于該檢測(cè)機(jī)臺(tái)執(zhí)行渦電流檢測(cè)，使用一電壓表來(lái)測(cè)量該電磁信號(hào)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造系統(tǒng)，其特征在于該檢測(cè)機(jī)臺(tái)執(zhí)行渦電流檢測(cè)，使用一電流表來(lái)測(cè)量該電磁信號(hào)。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制造系統(tǒng)，其特征在于該檢測(cè)機(jī)臺(tái)包括至少2個(gè)分離的檢測(cè)探針，其分別置于不同的研磨區(qū)域。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制造系統(tǒng)，其特征在于該檢測(cè)機(jī)臺(tái)包括設(shè)置于研磨表面中心區(qū)域的第一檢測(cè)探針，以及設(shè)置于研磨表面邊緣區(qū)域的第二檢測(cè)探針。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制造系統(tǒng)，其特征在于該控制裝置進(jìn)一步依據(jù)預(yù)設(shè)的回歸模式來(lái)決定該導(dǎo)電物質(zhì)的殘余厚度，其中該回歸模式界定該導(dǎo)電物質(zhì)的殘留厚度和對(duì)應(yīng)的檢測(cè)探針測(cè)得電壓的關(guān)系。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造系統(tǒng)，其特征在于該控制裝置進(jìn)一步依據(jù)預(yù)設(shè)的回歸模式來(lái)決定該導(dǎo)電物質(zhì)的移除率，其中該回歸模式界定該導(dǎo)電物質(zhì)的移除率和對(duì)應(yīng)的檢測(cè)探針測(cè)得電壓變化率的關(guān)系。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造系統(tǒng)，其特征在于進(jìn)一步包括一鍍膜機(jī)臺(tái)，其是與該控制裝置連結(jié)，用以在該基材上形成一金屬層。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的制造系統(tǒng)，其特征在于該控制裝置利用該測(cè)得的該導(dǎo)電物質(zhì)的殘余厚度和該移除率，據(jù)以調(diào)整該鍍膜機(jī)臺(tái)的第二制程參數(shù)。
全文摘要
本發(fā)明提供一種制造系統(tǒng)，包括研磨機(jī)臺(tái)、檢測(cè)機(jī)臺(tái)及控制裝置。該研磨機(jī)臺(tái)是通過(guò)機(jī)械方式移除一基材上的導(dǎo)電物質(zhì)。該檢測(cè)機(jī)臺(tái)是通過(guò)非破壞性測(cè)試方法，測(cè)量該導(dǎo)電物質(zhì)中引起的電磁信號(hào)。該控制裝置是與該研磨機(jī)臺(tái)及該檢測(cè)機(jī)臺(tái)耦接，用以在研磨制程進(jìn)行中，依據(jù)測(cè)量得到的該電磁信號(hào)，決定該導(dǎo)電物質(zhì)的殘余厚度及移除率，并據(jù)以調(diào)整該研磨機(jī)臺(tái)的第一制程參數(shù)。使用本發(fā)明提供的制造系統(tǒng)，可使后一研磨制程的研磨量依據(jù)前一研磨制程的結(jié)果來(lái)進(jìn)行調(diào)整，從而提高化學(xué)機(jī)械研磨的平坦化效果。
文檔編號(hào)B24B37/04GK1744285SQ20051005121
公開(kāi)日2006年3月8日 申請(qǐng)日期2005年3月2日 優(yōu)先權(quán)日2004年9月2日
發(fā)明者李良倫, 陳承先, 黃雅儀, 陳其賢 申請(qǐng)人:臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司