專利名稱：包含疏水區(qū)及終點(diǎn)檢測口的拋光墊的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及包含終點(diǎn)檢測口及與其鄰接的疏水區(qū)的化學(xué)機(jī)械拋光墊。
背景技術(shù)：
化學(xué)機(jī)械拋光(″CMP″)法用于微電子裝置的制造以在半導(dǎo)體晶片、場致發(fā)射顯示器及許多其它微電子基材上形成平坦表面。例如，半導(dǎo)體裝置的制造通常包括形成各種加工層(process layer)、選擇性的除去或圖案化這些層的部分、及在半導(dǎo)體基材表面上沉積額外的加工層以形成半導(dǎo)體晶片。加工層可包括，例如，絕緣層、柵氧化層、導(dǎo)電層及金屬或玻璃層等。通常希望在晶片加工的特定步驟中，加工層的最上表面為平面，即平坦的，用于后續(xù)層的沉積。CMP用以平面化加工層，其中沉積的材料如導(dǎo)電或絕緣材料被拋光以平面化晶片，用于后續(xù)加工步驟。
在典型CMP法中，晶片倒轉(zhuǎn)安裝在CMP工具的托架(carrier)上。力量推動(dòng)托架和晶片向下朝向拋光墊。托架與晶片在CMP工具拋光臺(tái)上的旋轉(zhuǎn)拋光墊上方旋轉(zhuǎn)。拋光組合物(亦稱為拋光漿料)通常在拋光過程時(shí)導(dǎo)入在旋轉(zhuǎn)晶片與旋轉(zhuǎn)拋光墊之間。拋光組合物通常包含與最上晶片層的部分互相作用或使其溶解的化學(xué)物及以物理方式移除部份層的研磨材料。晶片與拋光墊可以相同方向或相反方向旋轉(zhuǎn)，其任何一個(gè)對(duì)于進(jìn)行的特定拋光過程都是期望的。托架亦可跨越拋光臺(tái)上的拋光墊振蕩。
在拋光晶片的表面時(shí)，通常有利的是原位監(jiān)控拋光過程。原位監(jiān)控拋光過程的一種方法涉及使用具有孔或窗的拋光墊。孔或窗提供光線可通過的入口以便在拋光過程中檢查晶片表面。具有孔及窗的拋光墊為已知的并用以拋光基材，例如，半導(dǎo)體裝置的表面。例如，美國專利5,605,760提供一種由不具吸收或輸送漿料的固有能力的固態(tài)均勻聚合物形成的具有透明窗的墊。美國專利5,433,651公開了一種拋光墊，其中移除一部份墊以提供可通過光的孔。美國專利5,893,796及5,964,643公開了移除一部份拋光墊以提供孔且放置透明聚氨酯或石英栓塞于孔內(nèi)以提供透明窗，或移除一部份拋光墊的背襯以提供在墊中的半透明度。美國專利6,171,181及6,387,312公開了一種在快速冷卻速率下由固化可流動(dòng)材料(例如，聚氨酯)形成的具有透明區(qū)的拋光墊。
在化學(xué)機(jī)械拋光時(shí)通常遭遇的一個(gè)問題為來自拋光組合物的研磨顆粒趨向于粘附或刮擦拋光墊窗的表面。在拋光墊上刮痕或拋光組合物的存在會(huì)妨礙光線透射過窗，因而降低光學(xué)終點(diǎn)檢測法的靈敏度。使窗從拋光墊表面凹陷可減少窗的刮痕量。然而，此凹陷還提供拋光組合物可流入并被捕獲的空腔。美國專利6,254,459建議用疏漿料性材料涂布窗的第一表面。同樣，美國專利6,395,130建議使用疏水光管及窗以抗拒拋光組合物堆積其上。美國專利申請(qǐng)公開2003/0129931 A1類似建議在防污樹脂如含有聚硅氧烷片段的基于氟的聚合物中涂布拋光墊窗。
雖然若干上述拋光墊適于其預(yù)期的目的，但仍需其它提供與有效光學(xué)終點(diǎn)檢測結(jié)合的有效平面化的拋光墊，特別在基材的化學(xué)機(jī)械拋光中。此外，還需要具有令人滿意特性如拋光效率、跨越拋光墊和在拋光墊內(nèi)的漿料流動(dòng)、對(duì)腐蝕性蝕刻劑的抗性和/或拋光均勻性的拋光墊。最后，需要可使用相對(duì)低成本方法制造且在使用前需要很少調(diào)節(jié)或不用調(diào)節(jié)的拋光墊。
本發(fā)明提供這種拋光墊。本發(fā)明的這些及其它優(yōu)點(diǎn)以及附加的本發(fā)明特性由本文提供的本發(fā)明說明當(dāng)可更加明白。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種包含拋光層的化學(xué)機(jī)械拋光墊，該拋光層包含疏水區(qū)、親水區(qū)及終點(diǎn)檢測口，其中疏水區(qū)實(shí)質(zhì)上鄰接終點(diǎn)檢測口，且其中疏水區(qū)包含具有表面能為34mN/m或更小的聚合材料及親水區(qū)包含具有表面能超過34mN/m的聚合材料。本發(fā)明進(jìn)一步提供一種拋光基材的方法，其包括(i)提供欲拋光的工件，(ii)將工件接觸包含本發(fā)明拋光墊基材的化學(xué)機(jī)械拋光系統(tǒng)，及(iii)用拋光系統(tǒng)研磨至少一部分工件的表面以拋光工件。


圖1為俯視圖，說明具有拋光層(10)、終點(diǎn)檢測口(20)、疏水區(qū)(30)及親水區(qū)(40)的本發(fā)明拋光墊。
圖2為俯視圖，說明具有拋光層(10)、終點(diǎn)檢測口(20)、疏水區(qū)(30)及親水區(qū)(40)的本發(fā)明拋光墊。
圖3為俯視圖，說明具有拋光層(10)、終點(diǎn)檢測口(20)、多個(gè)同心疏水區(qū)(30)及親水區(qū)(40)的本發(fā)明拋光墊。
圖4為俯視圖，說明具有拋光層(10)、終點(diǎn)檢測口(20)、多個(gè)同心疏水區(qū)(30)及親水區(qū)(40)的本發(fā)明拋光墊。
具體實(shí)施例方式
本發(fā)明涉及一種包含拋光層的化學(xué)機(jī)械拋光墊，該拋光層包含疏水區(qū)、親水區(qū)及終點(diǎn)檢測口。疏水區(qū)實(shí)質(zhì)上鄰接終點(diǎn)檢測口。期望地，疏水區(qū)完全圍繞終點(diǎn)檢測口。雖然不受任何理論所限制，據(jù)信疏水區(qū)鄰接或圍繞終點(diǎn)檢測口的存在可降低殘留在終點(diǎn)檢測口上或之內(nèi)的拋光組合物的量。
疏水區(qū)可具有任何適當(dāng)形狀。例如，疏水區(qū)可具有選自直線、弧形、圓形、環(huán)形、方形、橢圓形、半圓形、三角形、交叉影線及其組合的形狀。疏水區(qū)的尺寸可為任何適當(dāng)尺寸。通常，疏水區(qū)由拋光層表面的50％或更小(例如，40％或更小或30％或更小)組成。
圖1說明本發(fā)明的拋光墊，其包含拋光層(10)、終點(diǎn)檢測窗(20)、由在拋光層(10)周邊周圍的環(huán)所組成的疏水區(qū)(30)及配置在疏水區(qū)(30)內(nèi)的親水區(qū)(40)。圖2說明本發(fā)明的拋光墊，其包含拋光層(10)、終點(diǎn)檢測口(20)及完全圍繞終點(diǎn)檢測口(20)的疏水區(qū)(30)。
在一個(gè)實(shí)施方式中，疏水區(qū)及親水區(qū)呈現(xiàn)交替同心形狀的形式。優(yōu)選地，拋光層包含多個(gè)交替的疏水與親水同心形狀。同心形狀可具有任何適當(dāng)形狀。例如，同心形狀可選自圓形、橢圓形、方形、矩形、三角形、弧形、及其組成。優(yōu)選地，同心形狀可選自圓形、橢圓形、弧形、及其組合。
圖3說明本發(fā)明的拋光墊，其包括拋光層(10)、終點(diǎn)檢測口(20)、及交替疏水(30)及親水(40)同心圓。期望地，交替的疏水及親水同心形狀完全圍繞終點(diǎn)檢測口。圖4說明本發(fā)明的拋光墊，其包括拋光層(10)及被疏水材料(30)及親水材料(40)的交替弧形圍繞的終點(diǎn)檢測口(20)。
疏水區(qū)包含具有表面能為34mN/m或更小的聚合材料。通常，疏水聚合材料選自聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯、含氟聚合物、聚苯乙烯、聚丙烯、聚硅氧烷、硅橡膠、聚碳酸酯、聚丁二烯、聚乙烯、丙烯腈丁二烯苯乙烯共聚物、碳氟化合物、聚四氟乙烯及其組合。優(yōu)選地，疏水聚合材料選自聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯或其組合。
親水區(qū)包含具有表面能超過34mN/m的聚合材料。通常，親水聚合材料選自熱塑性聚合物、熱固性聚合物及其組合。優(yōu)選地，親水聚合材料為熱塑性聚合物或熱固性聚合物，其選自聚氨酯、聚乙烯醇、聚醋酸乙烯酯、聚氯乙烯、聚偏二氯乙烯、聚碳酸酯、聚丙烯酸、聚丙烯酰胺、尼龍、聚酯、聚醚、聚酰胺、聚酰亞胺、聚醚醚酮、其共聚物及其混合物。更優(yōu)選地，親水聚合材料為聚氨酯。
終點(diǎn)檢測口的存在使得拋光墊能與原位CMP加工監(jiān)控技術(shù)結(jié)合使用。終點(diǎn)檢測口可包含孔、光學(xué)透射材料或其組合。優(yōu)選地，終點(diǎn)檢測口包含光學(xué)透射材料。通常，光學(xué)透射材料在190nm至10,000nm(例如，190nm至3500nm，200nm至1000nm或200nm至780nm)的一個(gè)或多個(gè)波長下具有透光率為10％或更大(例如，20％或更大，或30％或更大，或40％或更大)。
光學(xué)透射材料可為任何適當(dāng)材料，其中許多為本領(lǐng)域已知的。例如，光學(xué)透射材料可由插入拋光墊的孔的玻璃或基于聚合物的栓塞組成或可包含用于拋光墊的其余部分的相同聚合材料。光學(xué)透射材料可通過任何適當(dāng)?shù)姆绞焦潭ㄖ翏伖鈮|。例如，光學(xué)透射材料可不使用粘合劑而固定至拋光層，例如通過焊接。
光學(xué)透射材料任選地進(jìn)一步包含染料，其使拋光材料能選擇性透射特定波長的光線。染料用以過濾出不希望波長的光(例如，背景光線)，并因而改善檢測的信號(hào)噪聲比。光學(xué)透射材料可包含任何適當(dāng)染料或可包含染料的組合。適當(dāng)染料包括聚甲川染料、二-及三-芳基次甲基染料、二芳基次甲基染料的氮雜類似物、氮雜(18)輪烯染料、天然染料、硝基染料、亞硝基染料、偶氮染料、蒽醌染料、硫染料等。期望地，染料的透射譜與用于原位終點(diǎn)檢測的光波長匹配或重疊。例如，當(dāng)用于終點(diǎn)檢測(EPD)系統(tǒng)的光源為HeNe激光器(其產(chǎn)生具有波長為633nm的可見光)時(shí)，染料優(yōu)選為紅色染料，其可透射具有波長為633nm的光。
終點(diǎn)檢測口可具有任何適當(dāng)?shù)某叨?即，長度、寬度及厚度)及任何適當(dāng)形狀(圓形、橢圓形、方形、矩形、三角形等)。終點(diǎn)檢測口可與排放通道組合使用，該排放通道用于最小化或消除拋光表面的過量拋光組合物。光學(xué)終點(diǎn)檢測口可與拋光墊的拋光表面對(duì)齊或可自拋光墊的拋光表面凹陷。優(yōu)選地，光學(xué)終點(diǎn)檢測口自拋光墊的表面凹陷。
拋光墊任選地包含引入拋光層內(nèi)的顆粒。優(yōu)選地，顆粒分散在整個(gè)拋光層中。顆粒通常選自研磨顆粒、聚合物顆粒、復(fù)合顆粒(例如，包膠(encapsulated)顆粒)、有機(jī)顆粒、無機(jī)顆粒、澄清(clarifying)顆粒及其混合物。
研磨顆?？删哂腥魏芜m當(dāng)材料。例如，研磨顆粒可包含金屬氧化物，如選自氧化硅、氧化鋁、氧化鈰、氧化鋯、氧化鉻、氧化鈦、氧化鍺、氧化鎂、氧化鐵、其共形成產(chǎn)物及其組合的金屬氧化物，或碳化硅、氮化硼、鉆石、石榴石或陶瓷研磨材料。研磨顆?？蔀榻饘傺趸锱c陶瓷的混雜物或無機(jī)與有機(jī)材料的混雜物。顆粒亦可為聚合物顆粒，其許多敘述于美國專利5,314,512中，例如聚苯乙烯顆粒、聚甲基丙烯酸甲酯顆粒、液晶聚合物(LCP，例如，得自Ciba Geigy的Vectra聚合物)、聚醚醚酮(PEEK’s)、粒狀熱塑性聚合物(例如，粒狀熱塑性聚氨酯)、粒狀交聯(lián)聚合物(例如，粒狀交聯(lián)聚氨酯或聚環(huán)氧化物)或其組合。期望地，聚合物顆粒具有的熔點(diǎn)高于親水和/或疏水區(qū)的聚合物樹脂的熔點(diǎn)。復(fù)合顆?？蔀榘思巴鈱拥娜我膺m當(dāng)?shù)念w粒。例如，復(fù)合顆?？砂腆w核(例如，金屬氧化物、金屬、陶瓷或聚合物)及聚合殼(例如，聚氨酯、尼龍或聚乙烯)。澄清顆?？蔀轫摴杷猁}(例如，云母如氟化云母及粘土如滑石、高嶺石、蒙脫石、鋰蒙脫石)、玻璃纖維、玻璃珠、鉆石顆粒、碳纖維等。
拋光墊任選地包含引入墊主體的可溶性顆粒。當(dāng)存在時(shí)，可溶性顆粒優(yōu)選分散在整個(gè)拋光墊中。該可溶性顆粒在化學(xué)機(jī)械拋光期間部分或完全溶解于拋光組合物的液態(tài)載體內(nèi)。通常，可溶性顆粒為水溶性顆粒。例如，可溶性顆?？蔀槿魏芜m當(dāng)水溶性顆粒，例如選自糊精、環(huán)糊精、甘露醇、乳糖、羥丙基纖維素、甲基纖維素、淀粉、蛋白質(zhì)、無定形非交聯(lián)聚乙烯醇、無定形非交聯(lián)聚乙烯吡咯烷酮、聚丙烯酸、聚環(huán)氧乙烷、水溶性感光樹脂、磺化聚異戊二烯、和磺化聚異戊二烯共聚物的有機(jī)水溶性顆粒?？扇苄灶w粒也可為選自醋酸鉀、硝酸鉀、碳酸鉀、碳酸氫鉀、氯化鉀、溴化鉀、磷酸鉀、硝酸鎂、碳酸鈣及苯甲酸鈉無機(jī)水溶性顆粒材料。當(dāng)可溶性顆粒溶解時(shí)，拋光墊可留有對(duì)應(yīng)可溶性顆粒尺寸的開孔。
顆粒優(yōu)選在形成發(fā)泡拋光基材前與聚合物樹脂共混。引入拋光墊內(nèi)的顆?？删哂腥魏芜m當(dāng)?shù)某叨?例如，直徑、長度或?qū)挾?或形狀(例如，球形、橢圓形)并可以任何適當(dāng)量引入拋光墊內(nèi)。例如，顆?？删哂蓄w粒尺度(例如，直徑、長度或?qū)挾?為1nm或更大和/或2mm或更小(例如，0.5μm至2mm直徑)。優(yōu)選地，顆粒具有尺度為10nm或更大和/或500μm或更小(例如，100nm至10μm直徑)。顆粒還可共價(jià)地鍵合至聚合材料。
拋光墊任選地包含引入墊主體的固體催化劑。當(dāng)存在時(shí)，固體催化劑優(yōu)選分散在整個(gè)聚合材料中。催化劑可為金屬、非金屬、或其組合。優(yōu)選地，催化劑選自具有多重氧化狀態(tài)的金屬化合物，例如，但不限于包含Ag、Co、Ce、Cr、Cu、Fe、Mo、Mn、Nb、Os、Pd、Ru、Sn、Ti及V的金屬化合物。
拋光墊可具有任何適當(dāng)?shù)某叨?。通常，拋光墊為圓形(如用于旋轉(zhuǎn)拋光工具中)或產(chǎn)生為成環(huán)線型帶(如用于線性拋光工具)。
拋光墊包括拋光表面，其任選地進(jìn)一步包含凹槽、通道和/或穿孔，這有利于拋光組合物的橫向輸送穿過拋光墊的表面。該凹槽、通道或穿孔可呈現(xiàn)任何適當(dāng)圖案并可具有任何適當(dāng)深度及寬度。拋光墊可具有二種或多種不同凹槽圖案，例如，如美國專利5,489,233所述的大凹槽與小凹槽的組合。凹槽可為傾斜凹槽、同心凹槽、螺旋或圓形凹槽、XY交叉影線圖案的形式，并可連續(xù)或非連續(xù)的連通。優(yōu)選地，拋光墊至少包含由標(biāo)準(zhǔn)墊調(diào)節(jié)法產(chǎn)生的小凹槽。
拋光墊可單獨(dú)使用或任選地可用作多層堆疊的拋光墊的一層。例如，拋光墊可與實(shí)質(zhì)上與拋光層共同擴(kuò)張的副墊(subpad)層結(jié)合使用。副墊可為任何適當(dāng)副墊。適當(dāng)副墊包括聚氨酯泡沫副墊(例如，軟交聯(lián)聚氨酯副墊)、浸漬氈副墊、多微孔聚氨酯副墊或燒結(jié)氨基甲酸酯副墊。副墊通常比本發(fā)明的拋光墊軟，且因而比本發(fā)明的拋光墊更可壓縮并具有更低的肖氏(Shore)硬度值。例如，副墊可具有肖氏A硬度為35至50。在一些實(shí)施方式中，副墊比拋光墊硬、可壓縮性小并具有更高的肖氏硬度。副墊任選地包含凹槽、通道、中空段、窗、孔等。當(dāng)本發(fā)明的拋光墊與副墊組合使用時(shí)，通常有中間襯里層，例如，聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯膜，其與拋光墊及副墊共同擴(kuò)張并在其之間?；蛘撸瑨伖鈮|可用作與傳統(tǒng)拋光墊一起的副墊。
在一些實(shí)施方式中，副墊層包括光學(xué)終點(diǎn)檢測口，其基本上與拋光層的光學(xué)終點(diǎn)檢測口對(duì)齊。當(dāng)有副墊層時(shí)，拋光層的光學(xué)終點(diǎn)檢測口期望包含光學(xué)透射材料，而副墊層的光學(xué)終點(diǎn)檢測口包含孔?；蛘?，拋光層的光學(xué)終點(diǎn)檢測口可包含孔，而副墊層的光學(xué)終點(diǎn)檢測口包含光學(xué)透射材料。
拋光墊特別適合與化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)裝置組合使用。通常，該裝置包含當(dāng)使用時(shí)運(yùn)動(dòng)并具有由軌道、線性或圓周運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生的速度的臺(tái)板，當(dāng)運(yùn)動(dòng)時(shí)與臺(tái)板接觸并與臺(tái)板一起運(yùn)動(dòng)的本發(fā)明的拋光墊，和通過相對(duì)于用于接觸欲拋光的基材的拋光墊表面接觸并運(yùn)動(dòng)而保持欲拋光的基材的托架?；牡膾伖馔ㄟ^放置基材接觸拋光墊，然后拋光墊相對(duì)于基材移動(dòng)，通常在其之間具有拋光組合物，以研磨至少一部分基材來拋光基材而進(jìn)行。CMP裝置可為任何適當(dāng)CMP裝置，其中許多為本領(lǐng)域已知的。拋光墊也可與線性拋光工具一起使用。
期望地，CMP裝置進(jìn)一步包含原位拋光終點(diǎn)檢測系統(tǒng)，其中許多為本領(lǐng)域已知的。通過分析從工件表面反射的光線或其它輻射檢查并監(jiān)控拋光過程的技術(shù)為本領(lǐng)域已知的。這種方法敘述于，例如，美國專利5,196,353、美國專利5,433,651、美國專利5,609,511、美國專利5,643,046、美國專利5,658,183、美國專利5,730,642、美國專利5,838,447、美國專利5,872,633、美國專利5,893,796、美國專利5,949,927及美國專利5,964,643中。期望地，對(duì)欲拋光的工件的拋光過程的進(jìn)展的檢查或監(jiān)控使得能確定拋光終點(diǎn)，即，對(duì)特定工件確定終止拋光過程的時(shí)間。
拋光墊適用于拋光許多類型的基材和基底材料。例如，拋光墊可用以拋光各種基材，包括記憶儲(chǔ)存裝置、半導(dǎo)體基材及玻璃基材。用拋光墊拋光的適當(dāng)基材包括存儲(chǔ)磁盤、硬磁盤、磁頭、MEMS裝置、半導(dǎo)體晶片、場致發(fā)射顯示器及其它微電子基材，尤其是包含絕緣層(例如，二氧化硅、氮化硅或低介電質(zhì)材料)和/或含金屬層(例如，銅、鉭、鎢、鋁、鎳、鈦、鉑、釕、銠、銥或其它貴金屬)的基材。
權(quán)利要求
1.一種包含拋光層的化學(xué)機(jī)械拋光墊，該拋光層包括疏水區(qū)、親水區(qū)及終點(diǎn)檢測口，其中該疏水區(qū)實(shí)質(zhì)上鄰接終點(diǎn)檢測口，且其中該疏水區(qū)包含具有表面能為34mN/m或更小的聚合材料及該親水區(qū)包含具有表面能超過34mN/m的聚合材料。
2.權(quán)利要求1的拋光墊，其中該疏水區(qū)由在拋光墊周邊周圍的的環(huán)組成。
3.權(quán)利要求1的拋光墊，其中該疏水區(qū)與該親水區(qū)為交替的同心形狀的形式。
4.權(quán)利要求1的拋光墊，其中該拋光層包含多個(gè)交替的疏水及親水同心形狀。
5.權(quán)利要求4的拋光墊，其中該交替的疏水及親水同心形狀完全圍繞終點(diǎn)檢測口。
6.權(quán)利要求1的拋光墊，其中該疏水區(qū)完全圍繞終點(diǎn)檢測口。
7.權(quán)利要求1的拋光墊，其中該疏水區(qū)包括選自聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯、含氟聚合物、聚苯乙烯、聚丙烯、聚硅氧烷、硅橡膠、聚碳酸酯、聚丁二烯、聚乙烯、丙烯腈丁二烯苯乙烯共聚物、碳氟化合物、聚四氟乙烯及其組合的聚合材料。
8.權(quán)利要求1的拋光墊，其中該親水區(qū)包括選自熱塑性聚合物、熱固性聚合物及其組合的聚合材料。
9.權(quán)利要求8的拋光墊，其中該熱塑性聚合物或該熱固性聚合物選自聚氨酯、聚乙烯醇、聚醋酸乙烯酯、聚氯乙烯、聚偏二氯乙烯、聚碳酸酯、聚丙烯酸、聚丙烯酰胺、尼龍、聚酯、聚醚、聚酰胺、聚酰亞胺、聚醚醚酮、其共聚物及其混合物。
10.權(quán)利要求8的拋光墊，其中該聚合物為聚氨酯。
11.權(quán)利要求1的拋光墊，其中該終點(diǎn)檢測口包括孔。
12.權(quán)利要求1的拋光墊，其中該終點(diǎn)檢測口包括光學(xué)透射材料。
13.權(quán)利要求12的拋光墊，其中該光學(xué)透射材料在190nm至3500nm的一個(gè)或多個(gè)波長處具有透光率為至少10％。
14.權(quán)利要求12的拋光墊，其中該光學(xué)透射材料不用粘合劑而固定至拋光層。
15.權(quán)利要求1的拋光墊，其中該拋光層進(jìn)一步包含研磨顆粒。
16.權(quán)利要求15的拋光墊，其中該研磨顆粒包括選自氧化鋁、氧化硅、氧化鈦、氧化鈰、氧化鋯、氧化鍺、氧化鎂、其共形成產(chǎn)物及其組合的金屬氧化物。
17.權(quán)利要求1的拋光墊，其中該拋光層進(jìn)一步包含具有凹槽的拋光表面。
18.權(quán)利要求1的拋光墊，其進(jìn)一步包含副墊層，該副墊層實(shí)質(zhì)上與該拋光層共同擴(kuò)張，其中該副墊層包括基本上與該拋光層的光學(xué)終點(diǎn)檢測口對(duì)齊的光學(xué)終點(diǎn)檢測口。
19.權(quán)利要求18的拋光墊，其中該拋光層的光學(xué)終點(diǎn)檢測口包括光學(xué)透射材料，而該副墊層的光學(xué)終點(diǎn)檢測口包括孔。
20.權(quán)利要求18的拋光墊，其中該拋光層的光學(xué)終點(diǎn)檢測口包括孔，而該副墊層的光學(xué)終點(diǎn)檢測口包括光學(xué)透射材料。
21.權(quán)利要求20的拋光墊，其中該拋光層的光學(xué)終點(diǎn)檢測口包括圍繞孔的疏水材料的環(huán)。
22.一種拋光基材的方法，包括(i)提供欲拋光的工件，(ii)將該工件接觸包括權(quán)利要求1的拋光墊的化學(xué)機(jī)械拋光系統(tǒng)，及(iii)用該拋光系統(tǒng)研磨至少一部分該工件的表面以拋光該工件。
23.權(quán)利要求22的方法，其中該方法進(jìn)一步包括原位檢測拋光終點(diǎn)。
全文摘要
本發(fā)明提供一種包含拋光層(10)的化學(xué)機(jī)械拋光墊，該拋光層(10)包含疏水區(qū)(30)、親水區(qū)(40)及終點(diǎn)檢測口(20)。該疏水區(qū)實(shí)質(zhì)上與該終點(diǎn)檢測口(80)相鄰。該疏水區(qū)(30)包含具有表面能為34mN/m或更小的聚合材料及具有表面能超過34mN/m的聚合材料。本發(fā)明進(jìn)一步提供一種拋光基材的方法，包括使用該拋光墊。
文檔編號(hào)B24D13/14GK1933939SQ200580008353
公開日2007年3月21日 申請(qǐng)日期2005年3月14日 優(yōu)先權(quán)日2004年3月25日
發(fā)明者阿巴尼什沃·普拉薩德 申請(qǐng)人:卡伯特微電子公司