專利名稱：從基材上去除有機電致發(fā)光殘留物的方法
技術領域：
本發(fā)明一般意義上涉及對制造有機發(fā)光二極管(OLED)的方法的改進。特別地，本發(fā)明通過使用干法刻蝕處理去除基材如蔭罩(shadow mask)表面上的有機電致發(fā)光殘留物，從而延長蔭罩的壽命并提高加工處理的效率。
背景技術：
如圖1所示的有機發(fā)光二極管(OLED)可以通過在基材上沉積并處理多層材料如有機材料來構建。當電流通過多層有機材料時發(fā)光。光的顏色取決于材料的類型。
在也被稱為單色OLED的單一顏色OLED裝置或顯示器中，這些有機層沒有進行圖案化，而是形成為連續(xù)層。
在多色OLED裝置或顯示器中、或者在全色OLED顯示器中，有機空穴注入和空穴傳輸層在第一電極之上和之間形成為連續(xù)層。然后在連續(xù)的空穴注入和空穴傳輸層上形成一個或多個側向相鄰的有機發(fā)光層的圖案。選擇該圖案以及用來形成圖案的有機材料，以便通過完成并工作的OLED顯示器響應施加在第一和第二電極之間的電壓信號而提供多色或全色光發(fā)射。
OLED顯示器的顏色像素化可以通過上述多種方法實現(xiàn)。目前最常用的顏色像素化的方法之一結合使用一個或多個所述氣源和相對于裝置的基材臨時固定的精密蔭罩。用來形成OLED發(fā)射層的有機發(fā)光材料，例如喹啉鋁化合物(Alq)，通常升華自一種源(或多種源)并通過對準的精密蔭罩的開口沉積在OLED的基材上。通過使用加熱的含有可氣化有機OLED材料的氣源，在真空中實現(xiàn)用于OLED生產(chǎn)的物理氣相沉積(PVD)。加熱氣源中的有機材料以獲得足夠的氣壓以使有機材料有效升華，產(chǎn)生流向并沉積在OLED基材上的有機材料氣流?？梢酝ㄟ^多次蔭罩-基材對齊和氣相沉積在期望的基材像素區(qū)或子像素區(qū)上沉積不同發(fā)光層的圖案，例如在OLED基材上形成紅色、綠色和藍色像素或子像素的期望圖案。然而，該方法有一個明顯的缺點，即不是所有出現(xiàn)在材料氣流中的氣化材料都會沉積在基材的期望區(qū)域上。相反地，大量的材料流沉積在了用來進行多次沉積的蔭罩上。沉積的殘留物通常很難去除，從而使蔭罩僅經(jīng)過中等數(shù)量的沉積次數(shù)以后就變得不可用了。因此生產(chǎn)需要花費額外的資源以獲得更多的蔭罩，這提高了生產(chǎn)運行的成本。
為了達到可以通過濕法刻蝕處理清除殘留物的程度，濕法刻蝕的化學品具有使操作人員暴露于有害流體的可能。濕法刻蝕處理還要求從生產(chǎn)線上移除和拆卸處理腔室、和/或使處理腔室及其制具暴露于液體化學溶液。這種溶液也會損害蔭罩并顯著地限制其使用壽命。因此，本技術領域需要一種干法刻蝕處理，可以用于原地(in situ)從基材如蔭罩上刻蝕有機電致發(fā)光殘留物，從而避免上述問題。

發(fā)明內容
本發(fā)明通過提供一種從基材的至少部分表面上去除有機電致發(fā)光殘留物的方法滿足了這一需求，該方法包括提供處理氣體，其包括含氟氣體、任選的含氧氣體和任選的添加氣體；使用至少一個能量源激活在遠處腔室(remotechamper)中的處理氣體以獲得活性反應組分(reactive species)；以及使該活性反應組分接觸基材的表面，以便從該表面上揮發(fā)和去除有機電致發(fā)光殘留物。
另一方面，本發(fā)明提供了一種從蔭罩的表面上去除有機電致發(fā)光殘留物的方法，該方法包括提供蔭罩，其中蔭罩具有至少部分覆蓋有機電致發(fā)光殘留物的表面；提供處理氣體，其包括含氟氣體、任選的含氧氣體和任選的添加氣體；使用至少一個能量源激活在遠處腔室中的處理氣體以形成活性反應組分；使用活性反應組分接觸殘留物以形成至少一種揮發(fā)產(chǎn)物；以及從蔭罩上去除該至少一種揮發(fā)產(chǎn)物。


圖1是現(xiàn)有技術中典型的有機發(fā)光二極管(OLED)示圖。
圖2是以秒表示的時間和以攝氏度表示的溫度之間的曲線圖，它比較了原地等離子體激活的含C2F6和O2的處理氣體與遠處等離子體激活的含NF3的處理氣體。
圖3是以攝氏度表示的溫度和以納米(nm)每分鐘(分)表示的刻蝕速率的曲線圖，分別對應于遠處等離子體激活的含NF3的處理氣體和遠處等離子體激活的含O2的處理氣體。
圖4提供了含有有機電致發(fā)光殘留物的未刻蝕基材的元素分析(EDX)譜，顯示其含有C、N、O和Al或喹啉鋁殘留(與下面的硅基材一起)。
圖5提供了在使用遠處等離子體激活的含NF3的處理氣體在50℃下刻蝕100秒之后基材的EDX譜，顯示其含有C、N、O、Al和F以及Si?？涛g速率為9nm/min。
圖6提供了在使用遠處等離子體激活的含NF3的處理氣體在150℃下刻蝕30秒之后基材的EDX譜，顯示不含有C、N、O和Al，而只含有Si。刻蝕速率為494nm/min。
具體實施例方式
本發(fā)明提供了一種從基材的至少部分表面上去除有機電致發(fā)光殘留物的方法，該方法包括提供處理氣體，其包括含氟氣體、任選的含氧氣體和任選的添加氣體；使用至少一個能量源激活在遠處腔室中的處理氣體以提供活性反應組分；以及使活性反應組分接觸基材的表面，以便從表面上揮發(fā)和去除有機電致發(fā)光殘留物。
本發(fā)明的方法對于從基材如蔭罩的至少部分表面上去除有機電致發(fā)光殘留物是有用的。除了刻蝕蔭罩以外，在此所公開的方法也可用于清除處理腔室內部和包含于其中的各種制具表面上的有機電致發(fā)光殘留物，例如但又不局限于流體輸入和輸出管、噴頭、工件平臺等，同時最小化對它們的傷害。典型的處理腔室包括PVD或者其它用于在基材的表面上沉積有機電致發(fā)光材料的汽化沉積室。腔室和包含于其中的制具的表面可以由各種不同的材料構成，包括金屬，如鈦、鋁、不銹鋼、鎳或包含它們的合金，和/或絕緣材料，如陶瓷，例如石英或Al2O3。
有待從被清除的表面去除的材料由固態(tài)非揮發(fā)性材料轉變?yōu)橐子谕ㄟ^處理腔室中的真空泵或其它設備去除的揮發(fā)性產(chǎn)物。在此使用的術語“揮發(fā)性產(chǎn)物”涉及有機電致發(fā)光殘留物與通過激活包括含氟氣體和任選的氧氣和/或添加氣體的處理氣體之間的反應產(chǎn)生的反應產(chǎn)物和副產(chǎn)物。不同于機械、濕法刻蝕和/或其它清除方法，在此所公開的方法不需要將處理腔室從生產(chǎn)線上移出和/或將處理腔室及其制具暴露于液體化學溶液中。
本發(fā)明的方法包括提供包括含氟氣體、任選的氧氣和任選的添加氣體的處理氣體的步驟。如下所述處理氣體一旦被激活，則提供與有機電致發(fā)光殘留物反應并對其進行刻蝕的反應活性組分。優(yōu)選的含氟氣體包括HF(氫氟酸)、F2(氟)、NF3(三氟化氮)、ClF3(三氟化氯)、SF6(六氟化硫)、FNO(亞硝酰氟)、C3F3N3(氰尿酰氟)、C2F2O2(乙二酰氟)、全氟化碳如CF4、C2F6、C3F8、C4F8等、氫氟化碳如CHF3和C3F7H等、氧氟化碳(oxyfluorocarbon)如C4F8O(全氟四氫呋喃)等、氧化的氫氟化碳如氫氟醚(hydrofluoroether)(例如、甲基三氟甲基醚(CH3OCF3)、次氟酸酯(hypofluorite)如CF3-OF(氟氧三氟甲烷(FTM))和FO-CF2-OF(雙-二氟氧-二氟甲烷(BDM))等、氟過氧化物(fluoroperoxide)如CF3-O-O-CF3(雙-三氟甲基-過氧化物(BTMP))、F-O-O-F等、氟三氧化物(fluorotrioxide)如CF3-O-O-O-CF3等、氟胺(fluoroamine)如CF5N(全氟甲胺)、氟腈(fluoronitrile)如C2F3N(全氟乙腈)、C3F6N(全氟丙腈)、和CF3NO(三氟亞硝?；淄?、COF2(羰基氟化物)以及它們的混合物。基于處理氣體的總體積，處理氣體中存在的含氟氣體的量的范圍以體積計從大約10％至大約100％，大約10％至大約95％，或者大約10％至大約75％，或者大約10％至大約50％。
在含氟氣體中含有碳元素的實施方式中，例如當含氟氣體是選自C3F3N3、全氟化碳、氫氟化碳、氫氟醚、次氟酸酯、氟三氧化物、氟胺和氟腈中的至少一種時，處理氣體中優(yōu)選地還包括含氧氣體。含氧氣體用來提供氧源，以便與反應過程中形成的任何碳成分反應。根據(jù)本發(fā)明，適合使用的含氧氣體的實例包括但不限于氧(O2)、臭氧(O3)、一氧化碳(CO)、二氧化碳(CO2)、二氧化氮(NO2)、一氧化二氮(N2O)、一氧化氮(NO)、水(H2O)以及它們的混合物。基于處理氣體的總體積，在處理氣體中存在的含氧氣體的量的范圍以體積計是0％至95％。
在本發(fā)明的某些實施方式中，例如當處理氣體包括選自次氟酸酯、氟過氧化物、氟三氧化物及其混合物的至少一種時，該至少一種含氧氣體和含氟氣體是同一種化合物。在這種實施方式中，這些化合物在處理氣體混合物中表現(xiàn)出雙重功能，并被用于例如除單獨的含氧氣體化合物之外或代替單獨的含氧氣體化合物。適合的含氟氣體同時也含有相對較高的氧成分并可用于這些實施方式中的實例包括氟氧三氟甲烷、雙-二氟氧-二氟甲烷和雙-三氟-甲基-過氧化物。
處理氣體還任選地包括至少一種添加氣體。在某些實施方式中，處理氣體中可以加入一種或多種添加氣體。添加氣體的功能是用來修改等離子體特性并使清除工藝更適合某些特殊應用。添加氣體也有助于將含氧氣體和/或含氟氣體輸送至基材或處理腔室。根據(jù)本發(fā)明，適合使用的添加氣體的實例包括氫、氮、氦、氖、氬、氪和氙。在這些實施方式中，處理氣體中存在的添加氣體的量相對于處理氣體的總體積，體積比的范圍從0％至大約99％，大約25％至大約75％，大約45％至大約55％。在優(yōu)選實施方式中，處理氣體中存在的添加氣體的量大約為50％。
在本發(fā)明的某些實施方式中，處理氣體還包括含氯氣體。優(yōu)選的含氯氣體的實例包括BCl3、COCl2、HCl、Cl2、NFxCl3-x(其中x為0至2的整數(shù))、氯碳化物(chlorocarbons)和含氯烴(chlorohydrocarbons)(例如CxHyClz，其中x為1至6，y為0至13，z為1至14)。處理氣體中存在的含氯氣體的量相對于處理氣體的總體積，體積比的范圍從10％至95％，或10％至75％，或10％至50％。
處理氣體中的含氟氣體、含氧氣體、含氯氣體和添加氣體組分可以通過多種裝置提供，即引入到例如物理氣相沉積裝置中，這些裝置舉例來說但不局限于傳統(tǒng)氣瓶、安全輸送系統(tǒng)、真空輸送系統(tǒng)、和/或固態(tài)或液態(tài)基發(fā)生器以便在使用處生成含氟氣體。
本發(fā)明的方法還包括使用至少一個能量源激活在遠處腔室中的處理氣體以提供活性反應組分的步驟?；钚苑磻M分通常通過上述處理氣體的激活形成。在本發(fā)明的優(yōu)選實施方式中，使用等離子體激活處理氣體以提供與至少一部分基材表面上的有機電致發(fā)光殘留物反應并使之揮發(fā)的活性反應組分。然而，在刻蝕過程中等離子體會加熱基材，并導致顯著的溫度升高。蔭罩的溫度應當保持在100℃以下，否則會損壞蔭罩。
作為一個實例，圖2顯示出CVD腔室中基座溫度在提供原地C2F6/O2-基等離子體的過程中持續(xù)上升。即使腔室在等離子體刻蝕模式(即，基座接地從而很少有離子流)運行，溫度也會上升。由于在刻蝕過程中存在自偏壓，加電電極(即，RIE模式)的溫度預料會相當?shù)母摺Ａ硗庖粋€顧慮是在刻蝕過程中蔭罩會被熱隔離。因此，由于蔭罩不能散熱，溫度的上升甚至比圖2所顯示的更高。
因此，在本發(fā)明的更優(yōu)選實施方式中，使用遠處等離子體提供激活的組分從而不會產(chǎn)生任何溫度上升。在這種實施方式中，等離子體流體在與作為沉積裝置的典型部件的濺射反應器相遠離的一個較小反應器中生成。如上所述的處理氣體被引入到遠處腔室，以持續(xù)提供微波或RF等離子體。遠處腔室的流出物包括活性氟原子和惰性組分，它們被引入到沉積室，其中活性氟原子將有機電致發(fā)光殘留物轉變?yōu)閾]發(fā)性化合物，并從反應器中排出。在規(guī)定的時間之后或者在流出物中檢測到的所形成的揮發(fā)性化合物的濃度低于可接受水平之后，停止向遠處等離子體室提供源氣體。然后重新開始供應沉積氣體流，恢復CVD沉積過程。
最優(yōu)的清除條件是與工藝相關的，但是可以包括例如使用反應清除氣體的濃度偏差、或者同時或分步驟地使用多種清除氣體。此外，最優(yōu)的清除氣體濃度和反應器駐留時間可以要求一部分流經(jīng)系統(tǒng)的清除氣體不發(fā)生反應。由于可以選擇任何適宜的清除溫度，本發(fā)明的一個優(yōu)點是腔室和蔭罩可以在150℃以下的溫度進行清潔。圖2證實了在遠處等離子體刻蝕期間沒有觀察到溫度上升。
除了優(yōu)選的等離子體之外，處理氣體可以通過一個或多個能量源遠處激活以形成活性反應組分，例如但不局限于熱/催化激活、電子附著和光激活。這些源可以單獨使用，或者例如一前一后結合使用。
熱或等離子體激活和/或增強可以顯著地影響有機電致發(fā)光殘留物的刻蝕和清除效率。在加熱激活中，處理腔室和置于其中的制具(fixture)通過電阻加熱器或強光燈加熱。處理氣體熱分解為活性基團和原子，并隨后使有機電致發(fā)光殘留物揮發(fā)。升高的溫度也可以提供用來克服反應激活勢能的能量，從而提高反應速率。對于熱激活，基材可以被加熱到至少100℃。壓力的范圍從10毫托至760托，或從1托至760托。
在使用原地激活例如原地RF等離子體激活處理氣體的實施方式中，包含在處理氣體中的氧和氟氣體分子可以通過放電打破以形成活性反應組分如活性離子和基團。含氟離子和基團以及含氧離子和基團與有機電致發(fā)光殘留物反應，形成可以通過真空泵從處理腔室中排出的揮發(fā)性成分。
在使用遠處熱激活的實施方式中，處理氣體首先流經(jīng)處理腔室外部的加熱區(qū)域。氣體通過接觸位于待清潔的室外部的管道中的高溫而分解?？蛇x的方法包括使用遠處催化轉換器分解處理氣體，或者結合使用加熱和催化裂化以激活處理氣體中含有的氧和氟氣體。
在本發(fā)明的某些實施方式中，通過加熱反應器可以激活/增強遠處等離子體生成的活性反應組分與有機電致發(fā)光殘留物之間的反應。通過將反應器加熱到足以分解處理氣體中含有的氧和氟氣體的溫度，可以激活和/或增強遠處等離子體生成的活性反應組分與有機電致發(fā)光殘留物之間的反應。用來激活與有待去除的基材的清除反應的特定溫度取決于處理氣體的成分。
在本發(fā)明的一個實施方式中，結合使用遠處等離子體和原地等離子體作為激活處理氣體以形成活性反應組分的能量源。在該實施方式中，處理氣體的第一部分在處理腔室外部的區(qū)域中激活，并在激活后引入到處理腔室中。處理氣體的第二部分與第一激活氣體的活性反應組分中任何可能已經(jīng)重新結合的部分一起在處理腔室中激活。
在本發(fā)明的另一實施方式中，處理氣體成分的分子可以通過強光曝光來分解以形成活性反應組分。例如，紫外線、深紫外線和真空紫外線輻照能夠幫助打破有機電致發(fā)光殘留物中的強化學鍵并分解處理氣體中含有的氧和氟氣體，從而提高有機電致發(fā)光殘留物的清除率。也可以采用在此所描述的清除處理的其它激活和強化手段。例如，可以使用光子誘發(fā)的化學反應以生成活性反應組分并強化刻蝕/清除反應。
在本發(fā)明的另外實施方式中，處理腔室在清除操作期間和在沉積操作期間可以維持在基本上相似的工作條件下(壓力和溫度)。例如，在處理腔室用于PVD的實施方式中，沉積氣體流停止供應并從反應器和輸送管線中排空。如有必要，反應器的溫度可以改變?yōu)樽顑?yōu)值；然而，在優(yōu)選實施方式中，處理腔室溫度保持為沉積處理的條件。
本發(fā)明的方法還包括使基材表面接觸活性反應組分的步驟，以便從表面上揮發(fā)和去除有機電致發(fā)光殘留物。處理氣體流入處理腔室并被激活以提供活性反應組分。隨后活性反應組分流入腔室，接觸蔭罩上的有機電致發(fā)光殘留物并將有機電致發(fā)光殘留物轉化為可以從腔室中排出的揮發(fā)性產(chǎn)物。
結合以下實施例將更詳細地說明本方法，但是應當理解在此所描述的方法并不局限于此。
實施例以下是使用比較方法和在此描述的方法從處理腔室中去除有機電致發(fā)光殘留物的實驗性實施例。在所有以下實驗中，通過在硅晶片上沉積喹啉鋁產(chǎn)生在硅晶片的表面上涂敷的機電致發(fā)光殘留物。使用三醌醇合鋁(aluminum trischinolitato)復合物沉積該膜層。測量每個膜層的厚度，約為250nm。
使用具有遠處等離子體源(MKS Astron，MKS Instruments of Wilmington，MA提供)的處理腔室完成這些實施例。處理腔室包括基材支架、用來流入處理氣體的進氣管和連接到真空泵的出氣管。處理腔室的壁和內部接地并維持在高達150℃的溫度。在將樣品放入處理腔室之后，樣品暴露于遠處等離子體激活氣體。
對于使用原地等離子體清除成分的實施例，腔室穩(wěn)定在1.5至3.0托的腔室壓力下，并將處理氣體引入室中。然后在頂部電極上施加13.56 MHz的RF電源。處理氣體通過進氣管進入腔室，并使用真空泵從腔室中排出反應的揮發(fā)性產(chǎn)物和反應氣體。
使用具有MKS公司(Wilmington，MA)提供的Astron遠處等離子體源的處理腔室進行遠處等離子體清除實驗。放入樣品后，排空反應器并將處理氣體引入到Astron遠處等離子體發(fā)生器。然后穩(wěn)定腔室壓力并打開遠處的源。相信強等離子體會打破處理氣體的分子，通過連接的金屬管向下流入腔室并與腔室表面上的有機電致發(fā)光殘留物反應?；钚苑磻M分和殘留物之間反應形成的揮發(fā)性化合物通過真空端口從反應器中去除。
OLED中廣泛使用的有機電致發(fā)光材料是三-(8-羥基喹啉)鋁(Alq)。我們研究了O2基和NF3基等離子體是否可以刻蝕Alq。表1總結了所使用的等離子體處理工藝。此外，表2總結了基于等離子體動能模型計算出來的工藝條件的范圍。在表2中，NF3的流率是示意性的，這是因為實際的流率依賴于腔室的尺寸和形狀。
硅基材上Alq薄膜距等離子體源(MKS Astron)1英尺放置，并暴露于遠處O2或遠處NF3/Ar等離子體(表1)。反應器溫度控制在50℃到150℃之間。然后通過反射計測量膜厚的改變以確定刻蝕速率。
圖3顯示出O2等離子體即使在150℃的溫度下也不能刻蝕Alq膜(圖3)。換句話說，暴露于O2等離子體之后樣品的膜厚沒有變化。
在50℃暴露100秒之后使用NF3等離子體的刻蝕速率也很低(9nm/min)。相信Alq的鋁成分會保留非揮發(fā)性的AlF3或Al2O3。圖4中未刻蝕樣品的元素分析(EDX)證實了它的成分C、N、O、和Al(下面的Si基材在EDX譜中也是可見的)。然而，在50℃下刻蝕之后，如圖5所示在EDX譜中也觀察到了氟。該EDX分析似乎顯示已經(jīng)形成了防止NF3等離子體刻蝕的鈍化AlF3層。
使用NF3等離子體的刻蝕速率似乎隨著溫度的升高而增大。隨著溫度從50℃升高到150℃，Alq刻蝕速率從9nm/mm增加到494nm/min(圖3)。在150℃下的刻蝕也可以去除所有的Alq材料。樣品在150℃下暴露30秒后的EDX譜(圖6)顯示沒有Alq特征(C、N、O、Al)。EDX譜中僅有的特征屬于來自硅基材的Si。令人驚奇的是，NF3等離子體沒有留下任何Al的殘留。
表1遠處激活的等離子體工藝

表2刻蝕速率與工藝參數(shù)關系的實施例

優(yōu)選實施方式的上述實施例和描述作為說明目的，而不是要限制通過權利要求所限定的本發(fā)明。在不脫離權利要求所限定的本發(fā)明的前提下，可以使用上述特征的不同變化和結合。這種變化不被認為是脫離本發(fā)明的精神和范圍，并且所有這些變化都傾向于包括在所附權利要求的范圍內。
權利要求
1.一種從基材的至少部分表面上去除有機電致發(fā)光殘留物的方法，該方法包括提供處理氣體，其包括含氟氣體、任選的含氧氣體和任選的添加氣體；使用至少一個能量源激活在遠處腔室中的處理氣體以提供活性反應組分；以及使該活性反應組分接觸基材的表面，以便從該表面上揮發(fā)和去除有機電致發(fā)光殘留物。
2.權利要求1的方法，其中所述接觸步驟在150℃或更低的溫度下進行。
3.權利要求1的方法，其中所述接觸步驟在100℃或更低的溫度下進行。
4.權利要求1的方法，其中所述基材是蔭罩。
5.權利要求1的方法，其中所述處理氣體通過等離子體能量源從遠處激活。
6.權利要求1的方法，其中所述含氟氣體包括選自F2、HF、NF3、ClF3、SF6、COF2、NOF、C2F2O2、氧氟化碳、氟過氧化物、氧化的氫氟化碳以及它們的混合物中的至少一種。
7.權利要求6的方法，其中該含氟氣體是NF3。
8.權利要求1的方法，其中該含氟氣體包括選自C3F3N3、全氟化碳、氫氟化碳、氫氟醚、次氟酸酯、氟三氧化物、氟胺、氟腈以及它們的混合物中的至少一種。
9.權利要求8的方法，其中提供含氧氣體，并且該含氧氣體包括選自氧、臭氧、一氧化氮、一氧化二氮、二氧化氮、一氧化碳、二氧化碳、水以及它們的混合物中的至少一種。
10.權利要求1的方法，其中該含氟氣體和含氧氣體是相同的化合物。
11.權利要求10的方法，其中該相同的化合物是選自次氟酸酯、氟過氧化物、氟三氧化物以及它們的混合物中的至少一種。
12.權利要求1的方法，其中該處理氣體還包括含氯氣體。
13.權利要求12的方法，其中該含氯氣體包括選自BCl3、COCl2、HCl、Cl2、NFxCl3-x、氯碳化物、含氯烴以及它們的混合物中的至少一種，其中x為0至2的整數(shù)。
14.權利要求1的方法，其中該處理氣體包括添加氣體。
15.權利要求14的方法，其中該添加氣體是選自H2、N2、He、Ne、Kr、Xe、Ar以及它們的混合物中的一種。
16.一種從蔭罩的表面上去除有機電致發(fā)光殘留物的方法，該方法包括提供蔭罩，其中該蔭罩具有至少部分覆蓋有機電致發(fā)光殘留物的表面；提供處理氣體，其包括含氟氣體、任選的含氧氣體和任選的添加氣體；使用至少一個能量源激活在遠處腔室中的處理氣體以形成活性反應組分；使活性反應組分接觸殘留物以形成至少一種揮發(fā)產(chǎn)物；以及從該蔭罩上去除該至少一種揮發(fā)產(chǎn)物。
17.權利要求16的方法，其中該含氟氣體包括選自F2、HF、NF3、ClF3、SF6、COF2、NOF、C2F2O2、氧氟化碳、氟過氧化物、氧化的氫氟化碳以及它們的混合物中的至少一種。
18.權利要求17的方法，其中該含氟氣體是NF3。
19.權利要求16的方法，其中該接觸步驟在150℃或更低的溫度下進行。
20.權利要求16的方法，其中該處理氣體通過等離子體能量源從遠處激活。
全文摘要
在此描述了一種從基材上去除有機電致發(fā)光殘留物的方法。該方法包括以下步驟提供包括含氟氣體、任選的含氧氣體和任選的添加氣體的處理氣體；使用至少一個能量源激活在遠處腔室中的處理氣體以獲得活性反應組分；以及使該活性反應組分接觸基材的表面，以便從該表面上揮發(fā)和去除有機電致發(fā)光殘留物。
文檔編號C23C14/00GK1937280SQ20061014275
公開日2007年3月28日 申請日期2006年9月20日 優(yōu)先權日2005年9月20日
發(fā)明者A·D·約翰遜, P·J·馬羅利斯, M·I·斯斯特恩, M·J·普利什卡 申請人:氣體產(chǎn)品與化學公司