專(zhuān)利名稱(chēng)：清洗液配運(yùn)裝置的制作方法
清洗液配運(yùn)裝置
技水領(lǐng)域
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種用于清洗晶片的清洗液配運(yùn) 裝置。
背景技術(shù)：
化學(xué)機(jī)械拋光(Chemical Mechanical Polishing ，簡(jiǎn)稱(chēng)CMP)技術(shù)是機(jī)械削 磨和化學(xué)腐蝕的組合技術(shù)，化學(xué)機(jī)械拋光技術(shù)借助超微粒子的研磨作用以及
漿料的化學(xué)腐蝕作用在被研磨的介質(zhì)表面上形成光潔平坦平面，現(xiàn)己成為半 導(dǎo)體加工行業(yè)的主導(dǎo)技術(shù)?；瘜W(xué)機(jī)械拋光是集成電路(IC)向微細(xì)化、多層化、 薄型化及平坦化工藝發(fā)展的產(chǎn)物，也是晶片向200mm、 300mm乃至更大直徑 過(guò)渡、提高生產(chǎn)效率、降低制造成本及襯底全局化平坦化必備的工藝技術(shù)。 舉例來(lái)i兌，典型的邏輯器件包括七道內(nèi)介質(zhì)層CMP工序，七道金屬CMP工序 和一道淺溝槽隔離(STI)CMP工序。因此說(shuō)，CMP工藝已經(jīng)成為制備集成電 路的半導(dǎo)體工藝的中樞技術(shù)。
一個(gè)完整的CMP工藝主要由拋光、后清洗和計(jì)量測(cè)量等操作組成。其中 后清洗包括對(duì)晶片的清洗，也包括對(duì)化學(xué)機(jī)械拋光機(jī)各部件的清洗。后清洗 工藝的目的是把CMP中的殘留顆粒和沾污減少到可接受的水平。目前，CMP 工藝的后清洗工藝主要涉及CMP工藝后的晶片清洗，例如，公開(kāi)號(hào)為1604290 的中國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)公開(kāi)了 一種用于化學(xué)機(jī)械拋光設(shè)備的清洗液配運(yùn)裝置，該清 洗液配運(yùn)裝置可以在清洗時(shí)為化學(xué)機(jī)械拋光設(shè)備提供去離子水和化學(xué)試劑的 混合液作為清洗液，但是，化學(xué)試劑價(jià)格昂貴，而且在化學(xué)機(jī)械拋光工藝前， 晶片已經(jīng)采用清洗液進(jìn)行清洗過(guò)，而且晶片在后續(xù)的沉積薄膜工藝之前也會(huì) 采用清洗液進(jìn)行清洗，并且在形成薄膜之后進(jìn)行光刻工藝之前也會(huì)采用清洗 液進(jìn)行清洗，甚至在整個(gè)工藝之后會(huì)對(duì)晶片的非半導(dǎo)體器件的表面即背面進(jìn).行研磨，不需要對(duì)晶片的非半導(dǎo)體器件的表面即晶片的背面采用清洗液進(jìn)行 清洗。而現(xiàn)有技術(shù)中清洗液配運(yùn)裝置對(duì)晶片的半導(dǎo)體器件的表面和非半導(dǎo)體 器件的表面均采用清洗液進(jìn)4于清洗，造成清洗液的浪費(fèi)。下面參照附圖l加以
說(shuō)明，所述清洗液配運(yùn)裝置由化學(xué)試劑源IO、去離子水源20以及液體通路單 元100組成，虛線(xiàn)框中的部分為清洗液液體通路單元IOO,液體通路單元100具 有化學(xué)試劑輸入端27al、去離子水輸入端27a2、第一清洗液輸出端27bl和第一 二清洗液輸出端27b2。在液體通路單元100中，化學(xué)試劑輸入端27al通過(guò)液體 通路27經(jīng)由第 一可調(diào)節(jié)流量計(jì)11和第 一清洗液輸出端27bl相連接；所述去離 子水輸入端27a2通過(guò)液體通路27經(jīng)由第二可調(diào)節(jié)流量計(jì)21與第 一清洗液輸出 端27bl相連接，所述的化學(xué)試劑輸入端27al與去離子水輸入端27a2在分別經(jīng)由 所述第一可調(diào)節(jié)流量計(jì)11和第二可調(diào)節(jié)流量計(jì)21之后，還分別通過(guò)液體通路 經(jīng)由第一三通閥22的第一端和第二端對(duì)化學(xué)試劑和去離子水混合形成清洗 液，混合后形成的清洗液通過(guò)液體通路27經(jīng)由第一單向閥23之后與第二三通 閥24的第一端相連接，并且通過(guò)第二三通閥24進(jìn)行分流，分流后的清洗液的 一支通過(guò)第二三通閥24的第二端與第 一清洗液輸出端27b 1相連接，混合后形 成的清洗液的另一支通過(guò)第二三通閥24的第三端經(jīng)由第二控制閥32與第二清 洗液輸出端27b2相連接。在對(duì)晶片26的半導(dǎo)體器件的表面26a和非半導(dǎo)體器件 的表面26b進(jìn)行清洗時(shí)候，第 一 可調(diào)節(jié)流量閥11控制的化學(xué)試劑的流量為 2ml/s，第二可調(diào)節(jié)流量閥21控制去離子水的流量為40ml/s,在第一三通閥22 處進(jìn)行混合后的清洗液的體積比為l: 20，經(jīng)由第一清洗液輸出端27bl和第一 噴管25a輸出的清洗液的總的流量為21ml/s,同時(shí)，經(jīng)由第二清洗液輸出端Wb2 和第二噴管25b輸出的清洗液的流量為21ml/s,當(dāng)不需要對(duì)晶片26的非半導(dǎo)體 器件的表面26b采用清洗液進(jìn)行清洗，或者換句話(huà)說(shuō)，當(dāng)僅需要對(duì)晶片26的非 半導(dǎo)體器件的表面26b采用去離子水進(jìn)行清洗的時(shí)候，采用現(xiàn)有的清洗液配運(yùn) 裝置無(wú)法實(shí)現(xiàn)，且化學(xué)試劑的流量為2ml/s,消耗比較大，造成工藝成本增加。.

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明解決的問(wèn)題是現(xiàn)有的清洗液配運(yùn)裝置的成對(duì)清洗液輸出端，每對(duì) 清洗液輸出端無(wú)法實(shí)現(xiàn)一個(gè)清洗液輸出端輸出清洗液，同時(shí)另 一個(gè)清洗液輸 出端輸出去離子水，造成清洗液的浪費(fèi)。
為解決上述問(wèn)題，本發(fā)明提供了一種清洗液配運(yùn)裝置，包括去離子水 源；化學(xué)試劑源；清洗液液體通路單元，所述清洗液液體通路單元具有至 少一個(gè)去離子水輸入端，與去離子水源相連接；至少一個(gè)化學(xué)試劑輸入端， 與化學(xué)試劑源相連接；和一對(duì)或多對(duì)清洗液輸出端，所述去離子水輸入端與 化學(xué)試劑輸入端通過(guò)液體通路與每對(duì)清洗液輸出端的第 一清洗液輸出端均相 連接；所述去離子水輸入端通過(guò)液體通路單元中的液體通路與每對(duì)清洗液輸 出端的第二清洗液輸出端直接相連接。
所述的化學(xué)試劑輸入端通過(guò)液體通路經(jīng)由至少一個(gè)可調(diào)節(jié)流量計(jì)分別與 每個(gè)清洗液輸出端相連接，所述去離子水輸入端通過(guò)液體通路單元，經(jīng)由至 少一個(gè)可調(diào)節(jié)流量計(jì)分別與每個(gè)清洗液輸出端相連接。
所述液體通路單元中，所述的化學(xué)試劑輸入端在經(jīng)由所述的可調(diào)節(jié)流量 計(jì)之后，還經(jīng)由至少 一個(gè)單向閥與每對(duì)清洗液輸出端的第 一清洗液輸出端相 連接。
所述液體通路單元中，所述的化學(xué)試劑輸入端與去離子水輸入端在分別 經(jīng)由所述可調(diào)節(jié)流量計(jì)之后，還通過(guò)液體通路經(jīng)由第 一三通閥的第 一端和第 二端對(duì)化學(xué)試劑和去離子水混合形成清洗液，所述第一三通閥的第三端經(jīng)由 單向閥與每對(duì)清洗液輸出端的第 一清洗液輸出端相連接。
所述液體通路單元中，所述第 一三通閥的第三端通過(guò)液體通路經(jīng)由單向 閥與第二三通閥的第 一端相連接，所述第二三通閥的第二端通過(guò)液體通路與
每對(duì)清洗液輸出端的第一清洗液輸出端相連接；所述第二三通閥的第三端通過(guò)液體通路經(jīng)由至少 一個(gè)控制閥與每對(duì)清洗液輸出端的第二清洗液輸出端相 連接。
所述液體通路單元中，所述去離子水輸入端通過(guò)液體通路經(jīng)由至少 一個(gè) 可調(diào)流量計(jì)和控制閥與每對(duì)清洗液輸出端的第二清洗液輸出端直接相連接。
所述液體通路單元中，所述去離子水輸入端通過(guò)液體通路經(jīng)由至少 一個(gè) 可調(diào)流量計(jì)與每對(duì)清洗液輸出端的第二清洗液輸出端直接相連接。
所述的化學(xué)試劑為檸檬酸。
與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下優(yōu)點(diǎn)
1、 本發(fā)明提供一種清洗液配運(yùn)裝置，所述清洗液配運(yùn)裝置具有成對(duì)輸出
端，在每對(duì)清洗液輸出端中，可以實(shí)現(xiàn)同時(shí)一個(gè)清洗液輸出端輸出清洗液和
另一個(gè)清洗液輸出端輸出去離子水，即在對(duì)晶片的非半導(dǎo)體器件的表面表面
要求不高的時(shí)候，可以對(duì)晶片的半導(dǎo)體器件的表面采用清洗液清洗，同時(shí)對(duì) 晶片的非半導(dǎo)體器件的表面采用去離子水清洗，可以將化學(xué)試劑的劑量降低
一半，降低了工藝成本。
2、 本發(fā)明還提供一種采用上述的清洗液配運(yùn)裝置的晶片的清洗方法，通 過(guò)每對(duì)清洗液輸出端中的一個(gè)輸出去清洗液至晶片的半導(dǎo)體器件的表面進(jìn)行 清洗，每對(duì)清洗液輸出端中的另 一個(gè)輸出去離子水至晶片的非半導(dǎo)體器件的 表面進(jìn)行清洗，可以將化學(xué)試劑的劑量降低一半，降低了工藝成本。


圖l是現(xiàn)有的清洗液配運(yùn)裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。 圖2是本發(fā)明的清洗液配運(yùn)裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。 圖3是本發(fā)明的清洗液配運(yùn)裝置的另一結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
本發(fā)明的實(shí)質(zhì)在于提供一種用于化學(xué)機(jī)械拋光設(shè)備的清洗液配運(yùn)裝置， 所述去離子水輸入端與化學(xué)試劑輸入端通過(guò)液體通路與每對(duì)清洗液輸出端的 第 一清洗液輸出端均相連接，所述均相連接含義為所述去離子水與化學(xué)試劑 可以分別輸出至清洗液輸出端進(jìn)行混合輸出，或者在液體通路單元內(nèi)部進(jìn)行
混合再輸出或者其他變換方式，在此不應(yīng)過(guò)多限制本發(fā)明保護(hù)范圍；所述去 離子水輸入端通過(guò)液體通路單元中的液體通路與每對(duì)清洗液輸出端的第二清 洗液輸出端直接相連接，所述直接相連接的含義為在第二清洗液輸出端僅輸 出去離子水，去離子水輸入端可以通過(guò)可調(diào)節(jié)流量計(jì)或者控制閥進(jìn)行與第二 清洗液輸出端直接相連接，化學(xué)試劑輸入端可以通過(guò)可調(diào)節(jié)流量計(jì)和控制閥 與第二清洗液輸出端相連接，在此不應(yīng)過(guò)多限制本發(fā)明的保護(hù)范圍。
下面結(jié)合附圖以及具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施方式
做一詳細(xì)的描述。
本發(fā)明首先提供一種用于化學(xué)機(jī)械拋光設(shè)備的清洗液配運(yùn)裝置的第一實(shí) 施例，包括去離子水源；化學(xué)試劑源；清洗液液體通路單元，所述清洗液 液體通路單元具有至少一個(gè)去離子水輸入端，與去離子水源相連接；至少 一個(gè)化學(xué)試劑輸入端，與化學(xué)試劑源相連接；和一對(duì)或多對(duì)清洗液輸出端， 所述去離子水輸入端與化學(xué)試劑輸入端通過(guò)液體通路與每對(duì)清洗液輸出端的 第一清洗液輸出端均相連接；所述去離子水輸入端通過(guò)液體通路單元中的液 體通路與每對(duì)清洗液輸出端的第二清洗液輸出端直接相連接。
參照?qǐng)D2所示，所述清洗液配運(yùn)裝置由化學(xué)試劑源10、去離子水源20以 及液體通路單元200組成，虛線(xiàn)框中的部分為清洗液液體通5^單元200,根據(jù) 本實(shí)施例，清洗液液體通路單元200具有化學(xué)試劑輸入端27al、去離子水輸 入端27a2、清洗液輸出端27bl和清洗液輸出端27b2。在清洗液體通路單元 中，化學(xué)試劑輸入端27al通過(guò)液體通路27經(jīng)由第 一可調(diào)節(jié)流量計(jì)11和第一 清洗液輸出端27bl相連"^妄；所述去離子水輸入端27a2通過(guò)液體通路27經(jīng)由
第二可調(diào)節(jié)流量計(jì)21與第一清洗液輸出端27bl相連接，所述的化學(xué)試劑輸 入端27al與去離子水輸入端27a2在分別經(jīng)由所述第一可調(diào)節(jié)流量計(jì)11和第 二可調(diào)節(jié)流量計(jì)21之后，還分別通過(guò)液體通^各經(jīng)由第一三通閥22的第一端 和第二端對(duì)化學(xué)試劑和去離子水混合形成清洗液，混合后形成的清洗液通過(guò) 液體通路27經(jīng)由第一單向閥23之后與第二三通閥24的第一端相連接，并且 通過(guò)第二三通閥24進(jìn)行分流，分流后的清洗液的一支通過(guò)第二三通閥24的 第二端與第一清洗液輸出端27bl相連接，混合后形成的清洗液的另一支通過(guò) 第二三通閥24的第三端經(jīng)由第二控制閥32與第二清洗液輸出端27b2相連接。 同時(shí)，所述去離子水輸入端27a2且通過(guò)液體通路27依次經(jīng)由第三可調(diào)節(jié)流 量計(jì)28和第一控制閥31與第二清洗液輸出端27b2相連接，所述第二控制閥 32、第一控制閥31及第二清洗液輸出端27b2通過(guò)第四三通閥30相連接。
所述液體通路27為本技術(shù)領(lǐng)域人員公知的金屬液體管道和塑料液體管 道。所述第一控制閥31、第二控制閥32可以是電》茲控制閥或者氣動(dòng)手動(dòng)閥。 所述去離子水輸入端27a2與去離子水源20相連接，所述化學(xué)試劑輸入端27al 與化學(xué)試劑源10相連接，應(yīng)該注意的是，本發(fā)明的去離子水輸入端27a2和 化學(xué)試劑輸入端27al可以由用于和去離子水源20或者化學(xué)試劑源10相連接 的液體管道等形成。同樣，第一清洗液輸出端27bl、第二清洗液輸出端271 2 也可以是向外輸出清洗液的液體管道等形成，且清洗液輸出端的數(shù)目沒(méi)有特 別的限制，可以根據(jù)需要進(jìn)行合理的選擇。所述第一單向閥23的作用為防止 混合液回流導(dǎo)致污染去化學(xué)試劑源IO和離子水源20。
根據(jù)本實(shí)施例的清洗液液體通路單元200，當(dāng)需要向外輸出清洗液時(shí)，首 先，第一控制閥31、第二控制閥32呈關(guān)閉狀態(tài)，調(diào)節(jié)第一可調(diào)流量計(jì)11控 制化學(xué)試劑的流量；調(diào)節(jié)第二可調(diào)流量計(jì)21控制去離子水的流量，在第一三 通閥22處化學(xué)試劑與去離子水進(jìn)行混合；經(jīng)由第一單向閥第二三通閥 24到達(dá)第一清洗液輸出端27bl和第一噴管25a;然后由第一噴管25a噴向晶
片26的半導(dǎo)體器件的表面26a。同時(shí)，開(kāi)啟第一控制閥31，去離子水輸入端 27a2依次經(jīng)由第三可調(diào)節(jié)流量計(jì)28、第 一控制閥31第四三通閥30到達(dá)第二 清洗液輸出端27b2和第二噴管25b;然后由第二噴管25b噴向晶片26的非半 導(dǎo)體器件的表面26b。
當(dāng)把第一控制閥31關(guān)閉、第二控制閥32打開(kāi)時(shí)即為現(xiàn)有技術(shù)的清洗裝 置，因此可以根據(jù)實(shí)際需要，對(duì)晶片的背面是否采用化學(xué)試劑與去離子水的 混合液靈活地進(jìn)行清洗。
作為本實(shí)施例的一個(gè)實(shí)施方式，當(dāng)采用本發(fā)明的清洗液配運(yùn)裝置進(jìn)行配 運(yùn)清洗液時(shí)候，關(guān)閉第二控制閥32，第一可調(diào)節(jié)流量閥ll控制的化學(xué)試劑的 流量為lml/s,第二可調(diào)節(jié)流量閥21控制去離子水的流量為20ml/s，在第一 三通閥22處進(jìn)行混合后的清洗液的體積比為1: 20，經(jīng)由第一清洗液輸出端 27bl和第一噴管25a輸出的清洗液的總的流量為21ml/s,同時(shí)，第三可調(diào)節(jié) 流量閥28控制去離子水的流量為20ml/s,開(kāi)啟第一控制閥31，經(jīng)過(guò)第四三通 閥30和第二清洗液輸出端27b2到達(dá)第二噴管25b的去離子水流量為20ml/s, 可見(jiàn)，由第一噴管25a和第二噴管25b噴出的清洗液和去離子水(如圖3中 虛線(xiàn)所示)的流量?jī)H相差lml/s,其流量差不會(huì)造成晶片26脫離放置晶片的 滾輪，因此可以忽略不計(jì)，而且與現(xiàn)有技術(shù)相比，化學(xué)試劑的流量由現(xiàn)有技 術(shù)的2ml/s降低為lml/s，降低了一半。
參照?qǐng)D3給出本發(fā)明的第二實(shí)施例，虛線(xiàn)框中的部分為清洗液液體通路 單元300，與液體通if各單元200相比，在清洗液液體通^各單元300中，化學(xué)試 劑和去離子水在第一三通閥22進(jìn)行混合形成混合液即清洗液；混合后形成的 清洗液通過(guò)液體通路27經(jīng)由第一單向閥23之后直接與第一清洗液輸出端 27M相連接。同時(shí)，所述去離子水輸入端27a2且通過(guò)液體通路27經(jīng)由第三 可調(diào)節(jié)流量計(jì)28直接與第二清洗液輸出端27b2相連接，減少了第一控制閥 31、第二控制閥32、第二三通閥24及第四三通閥30。除此之外，與第一實(shí)
施例沒(méi)有其他的不同，在此不再贅述。
沖艮據(jù)本實(shí)施例的清洗液液體通路單元300,當(dāng)需要向外輸出清洗液進(jìn)行清 洗晶片時(shí)，首先，調(diào)節(jié)第一可調(diào)流量計(jì)ll控制化學(xué)試劑的流量；調(diào)節(jié)第二可 調(diào)流量計(jì)21控制去離子水的流量，在第一三通閥22處化學(xué)試劑與去離子水 進(jìn)行混合；經(jīng)由第一單向閥23到達(dá)第一清洗液輸出端27bl和第一噴管25a。 同時(shí)，去離子水輸入端27a2經(jīng)由第三可調(diào)節(jié)流量計(jì)28到達(dá)第二清洗液輸出 端27b2和第二噴管25b。
本發(fā)明的清洗液配運(yùn)裝置還可以在每個(gè)液體通路中設(shè)置不同的控制閥進(jìn) 行液體通路的打開(kāi)、閉合控制，在此沒(méi)有超出本發(fā)明保護(hù)的范圍。
本發(fā)明還給出 一種采用第 一 實(shí)施例的清洗液配運(yùn)裝置的晶片的清洗方 法，包括提供去離子水源；提供化學(xué)試劑源；提供清洗液液體通路單元， 所述清洗液液體通路單元具有至少一個(gè)去離子水輸入端，與去離子水源相 連接；至少一個(gè)化學(xué)試劑輸入端，與化學(xué)試劑源相連接；和一對(duì)或多對(duì)清洗 液輸出端；從去離子水輸入端輸入的去離子水，從化學(xué)試劑輸入端輸入化學(xué) 試劑；每對(duì)清洗液輸出端中的一個(gè)同時(shí)輸出去離子水和化學(xué)試劑至晶片的具 有半導(dǎo)體器件的表面，每對(duì)清洗液輸出端中的另 一個(gè)輸出去離子水至晶片的 非半導(dǎo)體器件的表面。
參照?qǐng)D2，在進(jìn)行清洗之前，所有控制閥包括第一控制閥31、第二控制 閥32呈關(guān)閉狀態(tài)，調(diào)節(jié)第一可調(diào)流量計(jì)11控制化學(xué)試劑的流量；調(diào)節(jié)第二 可調(diào)流量計(jì)21控制去離子水的流量，化學(xué)試劑與去離子水在第一三通閥22 處進(jìn)行混合；混合液經(jīng)由第一單向閥23、第二三通閥24到達(dá)第一清洗液輸出 端27bl和第一噴管25a;然后由第一噴管25a噴向晶片26的半導(dǎo)體器件的表 面26a。同時(shí)，開(kāi)啟第 一控制閥31,去離子水輸入端27a2依次經(jīng)由第三可調(diào) 節(jié)流量計(jì)28、第一控制閥31第四三通閥30到達(dá)第二清洗液輸出端27b2和第二噴管25b;然后由第二噴管25b噴向晶片26的非半導(dǎo)體器件的表面26b。 所述晶片設(shè)置于裝載晶片的滾輪上，在由清洗液即化學(xué)試劑和去離子水清洗 晶片的半導(dǎo)體器件的表面26a及去離子水清洗晶片26的非半導(dǎo)體器件的表面 26b即晶片26的背面時(shí)候，所述滾輪進(jìn)行旋轉(zhuǎn)，帶動(dòng)晶片進(jìn)行旋轉(zhuǎn)，所述滾 輪旋轉(zhuǎn)的速率為30至70rpm，所述清洗時(shí)間為60至100s,清洗后，去除了
曰曰
片26的半導(dǎo)體器件的表面26a及非半導(dǎo)體器件的表面26b的化學(xué)機(jī)械拋.
漿料殘余。
作為本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式，所述滾輪旋轉(zhuǎn)的速率為50 rpm，所述清洗 時(shí)間為80s。
本發(fā)明還給出 一種采用第二實(shí)施例的清洗液配運(yùn)裝置的晶片的清洗方 法，參照?qǐng)D3，調(diào)節(jié)第一可調(diào)流量計(jì)11控制化學(xué)試劑的流量；調(diào)節(jié)第二可調(diào) 流量計(jì)21控制去離子水的流量，化學(xué)試劑與去離子水在第一三通閥22處進(jìn) 行混合；經(jīng)由第一單向閥23到達(dá)第一清洗液輸出端27bl和第一噴管25a,然 后由第一噴管25a噴向晶片26的半導(dǎo)體器件的表面26a。同時(shí)，去離子水輸 入端27a2經(jīng)由第三可調(diào)節(jié)流量計(jì)28到達(dá)第二清洗液輸出端27b2和第二噴管 25b，然后由第二噴管25b噴向晶片26的非半導(dǎo)體器件的表面26b。所述晶片 設(shè)置于裝栽晶片的滾輪上，在由清洗液即化學(xué)試劑和去離子水清洗晶片的半 導(dǎo)體器件的表面26a及去離子水清洗晶片26的非半導(dǎo)體器件的表面26b即晶 片26的背面時(shí)候，所述滾輪進(jìn)行旋轉(zhuǎn)，帶動(dòng)晶片進(jìn)行旋轉(zhuǎn)，所述滾輪旋轉(zhuǎn)的 速率為30至70 rpm,所述清洗時(shí)間為60至100 s，清洗后，去除了晶片26 的半導(dǎo)體器件的表面26a及非半導(dǎo)體器件的表面26b的化學(xué)機(jī)械拋光漿料殘 余。
雖然本發(fā)明己以較佳實(shí)施例披露如上，但本發(fā)明并非限定于此。任何本 領(lǐng)域技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，均可作各種更動(dòng)與修改， 因此本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)當(dāng)以權(quán)利要求所限定的范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1. 一種清洗液配運(yùn)裝置，包括去離子水源；化學(xué)試劑源；清洗液液體通路單元，所述清洗液液體通路單元具有至少一個(gè)去離子水輸入端，與去離子水源相連接；至少一個(gè)化學(xué)試劑輸入端，與化學(xué)試劑源相連接；和一對(duì)或多對(duì)清洗液輸出端，其特征在于，所述去離子水輸入端與化學(xué)試劑輸入端通過(guò)液體通路與每對(duì)清洗液輸出端的第一清洗液輸出端均相連接；所述去離子水輸入端通過(guò)液體通路單元中的液體通路與每對(duì)清洗液輸出端的第二清洗液輸出端直接相連接。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的清洗液配運(yùn)裝置，其特征在于所述的化學(xué)試劑輸入端通過(guò)液體通路經(jīng)由至少一個(gè)可調(diào)節(jié)流量計(jì)分別與每個(gè)清洗液輸出端相連接，所述去離子水輸入端通過(guò)液體通路單元，經(jīng)由至少一個(gè)可調(diào)節(jié)流量計(jì)分別與每個(gè)清洗液輸出端相連接。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的清洗液配運(yùn)裝置，其特征在于所述液體通路單元中，所述的化學(xué)試劑輸入端在經(jīng)由所述的可調(diào)節(jié)流量計(jì)之后，還經(jīng)由至少一個(gè)單向閥與每對(duì)清洗液輸出端的第 一 清洗液輸出端相連接。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的清洗液配運(yùn)裝置，其特征在于所述液體通路單元中，所述的化學(xué)試劑輸入端與去離子水輸入端在分別經(jīng)由所述可調(diào)節(jié)流量計(jì)之后，還通過(guò)液體通路經(jīng)由第一三通閥的第一端和第二端對(duì)化學(xué)試劑和去離子水混合形成清洗液，所述第一三通閥的第三端經(jīng)由單向閥與每對(duì)清 洗液輸出端的第 一 清洗液輸出端相連接。
5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的清洗液配運(yùn)裝置，其特征在于所述液體通路單元 中，所述第 一三通閥的第三端通過(guò)液體通路經(jīng)由單向閥與第二三通閥的第 一端相連接，所述第二三通閥的第二端通過(guò)液體通路與每對(duì)清洗液輸出端的第一清洗液輸出端相連接；所述第二三通閥的第三端通過(guò)液體通路經(jīng)由至少 一個(gè)控制閥與每對(duì)清洗液輸出端的第二清洗液輸出端相連接。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的清洗液配運(yùn)裝置，其特征在于所述液體通路單元 中，所述去離子水輸入端通過(guò)液體通路經(jīng)由至少一個(gè)可調(diào)流量計(jì)和控制閥 與每對(duì)清洗液輸出端的第二清洗液輸出端直接相連接。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的清洗液配運(yùn)裝置，其特征在于所述液體通路單元 中，所述去離子水輸入端通過(guò)液體通路經(jīng)由至少一個(gè)可調(diào)流量計(jì)與每對(duì)清 洗液輸出端的第二清洗液輸出端直接相連接。
8. 根據(jù)權(quán)利要求1至7中任一個(gè)所述的清洗液配運(yùn)裝置，其特征在于所述 的化學(xué)試劑為檸檬酸。
全文摘要
一種清洗液配運(yùn)裝置，包括去離子水源；化學(xué)試劑源；清洗液液體通路單元，所述清洗液液體通路單元具有至少一個(gè)去離子水輸入端，與去離子水源相連接；至少一個(gè)化學(xué)試劑輸入端，與化學(xué)試劑源相連接；和一對(duì)或多對(duì)清洗液輸出端，從所述的去離子水輸入端輸入的去離子水和從所述的化學(xué)試劑輸入端輸入的化學(xué)溶液可以從每對(duì)清洗液輸出端中的一個(gè)同時(shí)輸出，且可以從所述每對(duì)清洗液輸出端中的另一個(gè)單獨(dú)輸出去離子水。本發(fā)明還提供一種采用上述的清洗液配運(yùn)裝置的晶片的清洗方法，可以將化學(xué)試劑的劑量降低一半，降低了工藝成本。
文檔編號(hào)B24B55/00GK101204792SQ20061014780
公開(kāi)日2008年6月25日 申請(qǐng)日期2006年12月22日 優(yōu)先權(quán)日2006年12月22日
發(fā)明者琛 陸 申請(qǐng)人:中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司