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      濺鍍式鍍膜裝置及鍍膜方法

      文檔序號(hào):3246126閱讀:109來(lái)源:國(guó)知局
      專(zhuān)利名稱(chēng):濺鍍式鍍膜裝置及鍍膜方法
      技術(shù)領(lǐng)域
      本發(fā)明涉及一種鍍膜裝置及鍍膜方法,尤其涉及一種濺鍍式鍍膜裝置及采用該濺鍍式鍍 膜裝置的鍍膜方法。
      背景技術(shù)
      濺鍍是利用等離子體產(chǎn)生的離子去撞擊陰極靶材,將靶材內(nèi)的原子撞出而沉積在基材表 面上堆積成膜層。由于濺鍍可以達(dá)成較佳的沉積效率、精確的成份控制,以及較低的制造成 本,因此在工業(yè)上被廣泛應(yīng)用。
      當(dāng)前手機(jī)數(shù)碼相機(jī)鏡頭的應(yīng)用已日漸普及,因此有必要提升其關(guān)鍵零部件的制造技術(shù), 以有效地降低其制造成本及提升其良率。作為相機(jī)鏡頭關(guān)鍵零部件之一的鏡頭模組通常包括 鏡座、鏡筒以及收容在鏡筒內(nèi)的鏡片、墊片(Spacer)、光圈、紅外截止濾光片(IR-cut Filter)等元件。鏡片的設(shè)計(jì)方法請(qǐng)參閱Chao等人在2000年IEEE系統(tǒng)、超聲波會(huì)議(2000 IEEE Ultrasonics Symposium)上發(fā)表的論文Aspheric lens design。
      在鏡頭模組組裝過(guò)程中,通常需將所述鏡片、墊片、光圈、紅外截止濾光片等元件通過(guò) 一定順序裝入鏡筒,再將鏡筒旋入鏡座以組裝成一個(gè)完整的鏡頭模組。如圖1所示,為了降 低所述鏡頭模組受電磁干擾的程度,在對(duì)所述鏡頭模組進(jìn)行組裝前, 一般需于鏡座2a的外圓 周面20a上濺鍍上一層防電磁干擾(Electromagnetic Interference, EMI)膜層,以提升組裝 后鏡頭模組抗電磁干擾的能力。鍍膜后的產(chǎn)品需要做多項(xiàng)環(huán)境測(cè)試,比如高溫高壓測(cè)試、熱 沖擊測(cè)試、腐蝕測(cè)試等,如果鍍上的膜層不均勻,其容易脫落,且膜層薄的區(qū)域電阻值較高 ,防電磁干擾(EMI)的效果不佳,因此,膜層厚度的均勻性非常重要。
      現(xiàn)有技術(shù)以濺鍍法來(lái)制備所述鏡座2a外圓周面20a的膜層時(shí),該鏡座2a在靶材下方保持 一定速度朝下方延伸方向行進(jìn),在行進(jìn)過(guò)程中,對(duì)于鏡座2a外圓周面來(lái)講,不同部位20b、 20c相對(duì)于靶材的幾何位置不一致,且鍍?cè)谄渖系陌惺鴏b、 lc射程也不一致,因此,容易造 成鍍膜時(shí)膜層厚度不均勻,為了提高所述膜層厚度的均勻度, 一般靶材要比鏡座大很多,且 靶材射束分散,因此,靶材消耗較多,且一定程度上鍍膜均勻度不理想。
      有鑒于此,有必要提供一種相較于現(xiàn)有技術(shù),能進(jìn)一步提高膜層均勻度,且能夠提高靶 材利用率的濺鍍式鍍膜裝置及鍍膜方法。

      發(fā)明內(nèi)容
      下面將以實(shí)施例說(shuō)明一種提高膜層均勻度,且能夠提高靶材利用率的濺鍍式鍍膜裝置及 鍍膜方法。
      本發(fā)明提供一種濺鍍式鍍膜裝置,其包括一個(gè)鍍膜工作室;至少一靶材,其設(shè)置在所述 鍍膜工作室內(nèi),用于對(duì)所述工件進(jìn)行鍍膜; 一個(gè)運(yùn)載裝置,其可沿所述鍍膜工作室的底部的 延伸方向做線性運(yùn)動(dòng),該運(yùn)載裝置包括一個(gè)固定架及至少一個(gè)承載軸,該固定架用于固定該 至少一個(gè)承載軸,所述至少一個(gè)承載軸,用于承載工件,并且?guī)?dòng)所述工件繞該至少一個(gè)承 載軸旋轉(zhuǎn)。所述濺鍍式鍍膜裝置,還可以進(jìn)一步包括一個(gè)獨(dú)立控制的輔助旋轉(zhuǎn)裝置,所述輔 助旋轉(zhuǎn)裝置可以相對(duì)于傳輸方向移動(dòng),從而協(xié)助所述至少一個(gè)承載軸繞其中心軸旋轉(zhuǎn)。 以及, 一種采用上述濺鍍式鍍膜裝置的濺鍍式鍍膜方法,其包括以下步驟 (1)提供一種如權(quán)利要求l所述的濺鍍式鍍膜裝置;(2)所述至少一個(gè)承載軸沿接近于所 述至少一靶材的方向作線性運(yùn)動(dòng);同時(shí),所述輔助旋轉(zhuǎn)單元協(xié)助所述至少一個(gè)承載軸繞其中
      心軸旋轉(zhuǎn)。(3)所述工件隨該至少一個(gè)承載軸一起,沿接近于所述至少一靶材的方向作線性 運(yùn)動(dòng),并同時(shí),繞該至少一個(gè)承載軸旋轉(zhuǎn);(4)所述至少一靶材對(duì)所述工件進(jìn)行鍍膜。
      相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù),所述濺鍍式鍍膜裝置及鍍膜方法經(jīng)由設(shè)置一個(gè)可沿鍍膜工作室作線性 運(yùn)動(dòng)的運(yùn)載裝置,并將該運(yùn)載裝置的至少一個(gè)承載軸設(shè)置為可繞其中心軸旋轉(zhuǎn), 一方面,可 經(jīng)由所述運(yùn)載裝置帶動(dòng)至少一個(gè)承載軸上承載的工件依次進(jìn)行鍍膜,從而可實(shí)現(xiàn)鍍膜的連續(xù) 作業(yè);另一方面,至少一個(gè)承載軸帶動(dòng)工件一起繞其軸旋轉(zhuǎn),提高膜層厚度的均勻度,進(jìn)而 提高良率。


      圖l是現(xiàn)有采用濺渡法對(duì)鏡座進(jìn)行鍍膜的示意圖。
      圖2是本發(fā)明第一實(shí)施例提供的濺鍍式鍍膜裝置的示意圖。
      圖3是鏡座的結(jié)構(gòu)示意圖。
      圖4是圖2所示濺鍍式鍍膜裝置的運(yùn)載裝置立體放大示意圖。 圖5是圖2所示的濺鍍式鍍膜裝置對(duì)鏡座的外圓周面進(jìn)行鍍膜的示意圖。 圖6是本發(fā)明第二實(shí)施例所示的濺鍍式鍍膜裝置的示意圖。
      具體實(shí)施例方式
      下面將結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步的詳細(xì)說(shuō)明。
      請(qǐng)參閱圖2,本發(fā)明第一實(shí)施例提供的一種濺鍍式鍍膜裝置20,所述濺鍍式鍍膜裝置20 包括一個(gè)鍍膜工作室21, 一個(gè)運(yùn)載裝置22以及一個(gè)靶材23。
      所述鍍膜工作室21用以提供一真空濺鍍環(huán)境。通常,該鍍膜工作室21包括一個(gè)與該鍍膜
      工作室21相連通的氣體入口(圖未示)及一氣體出口(未標(biāo)示)。其中,氣體入口用于向鍍膜工 作室21內(nèi)導(dǎo)入放電氣體,例如氬氣、氮?dú)獾?,氣體出口用于使鍍膜工作室21在工作時(shí)保持一 定的真空度。該氣體出口通常與一個(gè)抽真空裝置24相連,該抽真空裝置24可為分子泵、洛茨 真空泵或干式機(jī)械真空泵等。
      所述靶材23設(shè)置在所述鍍膜工作室21內(nèi),本實(shí)施例中,該靶材23為銅靶材,其數(shù)目可設(shè) 置為三個(gè),且該三個(gè)靶材沿圖2中箭頭方向分布。另外,該三個(gè)靶材23分別可裝載于三個(gè)靶 電極230,且該三個(gè)靶電極230可為板狀電極,其在濺鍍過(guò)程通常充當(dāng)陰極且其開(kāi)關(guān)狀態(tài)可分 別獨(dú)立控制。通過(guò)轟擊靶材23可以對(duì)如圖3所示的鏡座30的待鍍膜表面300b進(jìn)行鍍膜。所述 鏡座30通常包括一個(gè)底座30a及從該底座30a上延伸出來(lái)的一個(gè)圓筒形結(jié)構(gòu)30b,所述防電磁 干擾膜層形成于該圓筒形結(jié)構(gòu)30b的外圓周面300b上。
      請(qǐng)參閱圖4,所述運(yùn)載裝置22包括一個(gè)傳輸裝置221、 一個(gè)固定架222、至少一個(gè)承載軸 223,以及一個(gè)獨(dú)立控制的輔助旋轉(zhuǎn)單元224。所述傳輸裝置221設(shè)置于所述鍍膜工作室21的 底部并可沿該底部的延伸方向(如圖2中箭頭所示方向)做線性運(yùn)動(dòng)。優(yōu)選地,該傳輸裝置 221可為一傳輸帶。所述固定架222設(shè)置于所述傳輸裝置221上,由傳輸裝置221帶動(dòng)其移動(dòng), 所述至少一個(gè)承載軸223設(shè)置于該固定架221上并可繞其中心軸旋轉(zhuǎn)。
      具體地,該至少一個(gè)承載軸223兩端套設(shè)在該固定架222的兩個(gè)固定環(huán)222a、 221b內(nèi),該 至少一個(gè)承載軸223隨固定架222—起由傳輸裝置221帶動(dòng)運(yùn)動(dòng)。該至少一個(gè)承載軸223在隨固 定架222運(yùn)動(dòng)同時(shí),可以繞其中心軸旋轉(zhuǎn)。具體地,該至少一個(gè)承載軸223可通過(guò)一個(gè)輔助旋 轉(zhuǎn)單元224帶動(dòng)旋轉(zhuǎn),優(yōu)選地,該輔助旋轉(zhuǎn)單元224包括兩件板條224a、 224b,其中板條 224a、 224b分別具有一齒狀接觸面,該板條224a、 224b的一齒狀接觸面分別與該至少一個(gè)承 載軸的兩端齒狀部分223a、 223b機(jī)械嚙合,該輔助旋轉(zhuǎn)單元224可以相對(duì)于傳輸裝置221移動(dòng) ,帶動(dòng)所述至少一個(gè)承載軸223繞其中心軸旋轉(zhuǎn),具體地,該板條224a、 224b由位置40向位 置41移動(dòng),帶動(dòng)所述至少一個(gè)承載軸223繞其中心軸旋轉(zhuǎn)。當(dāng)然該輔助旋轉(zhuǎn)單元224也可以只 包括一件板條,如設(shè)置于所述承載軸223—端的板條224a,其相對(duì)于傳輸裝置221移動(dòng),也可 以帶動(dòng)223繞其中心軸旋轉(zhuǎn)。
      所述至少一個(gè)承載軸223用于承載鏡座30,其兩端穿過(guò)設(shè)置于所述固定架222上的兩個(gè)固 定環(huán)222a、 222b,隨固定架222如所述向接近于靶材的方向做線性運(yùn)動(dòng),具體地,該至少一 個(gè)承載軸223可由導(dǎo)電材料,如鐵、鋁等金屬制成,其在濺鍍過(guò)程中充當(dāng)陽(yáng)極。
      請(qǐng)進(jìn)一步參閱圖2、圖4和圖5,下面將簡(jiǎn)要描述一種利用本發(fā)明第一實(shí)施例所提供的濺 鍍式鍍膜裝置20于鏡座30的外圓周面300b上制作具有防電磁干擾膜層的濺鍍式鍍膜方法,其
      包括以下步驟
      (1) 將待鍍膜工件30裝載在所述至少一個(gè)承載軸223上。
      如圖4所示,將所述鏡座30固定在所述至少一個(gè)承載軸223上,且與該至少一個(gè)承載軸共 軸,并能夠被至少一個(gè)承載軸223帶動(dòng)繞自身中心軸旋轉(zhuǎn)。
      (2) 所述至少一個(gè)承載軸223沿接近于所述至少一靶材23的方向作線性運(yùn)動(dòng),并同時(shí)繞其 中心軸旋轉(zhuǎn)。
      所述至少一個(gè)承載軸223兩端套在固定架222的固定環(huán)222上,且可以隨意繞其中心軸轉(zhuǎn) 動(dòng),其將與固定架222—起,隨傳輸裝置221沿該傳輸裝置221的運(yùn)動(dòng)方向(如圖5中水平箭頭 所示方向)運(yùn)動(dòng)并接近所述靶材23。同時(shí),該輔助旋轉(zhuǎn)單元224帶動(dòng)該至少一個(gè)承載軸223繞 其中心軸旋轉(zhuǎn),使得套在該至少一個(gè)承載軸223上的工件30也繞自身中心軸旋轉(zhuǎn)。具體地, 該輔助旋轉(zhuǎn)單元224的兩塊板條224a、 224b,可以相對(duì)于傳輸裝置221移動(dòng),其中,板條 224a、 224b分別具有一齒狀接觸面,該板條224a、 224b的一齒狀接觸面分別與至少一個(gè)承載 軸223兩端齒狀部分223a、 223b機(jī)械嚙合,該輔助旋轉(zhuǎn)單元224如所述相對(duì)于傳輸裝置221移 動(dòng),帶動(dòng)至少一個(gè)承載軸223旋轉(zhuǎn)。
      可以理解的是,當(dāng)所述固定架222在所述傳輸裝置221的帶動(dòng)下進(jìn)入所述鍍膜工作室21時(shí) ,可經(jīng)由與鍍膜工作室21相連通的抽真空裝置24對(duì)鍍膜工作室21抽真空至預(yù)定壓力的真空狀 態(tài),并經(jīng)由與鍍膜工作室21相連通的氣體入口向鍍膜工作室21通入放電氣體,如氬氣等。
      (3) 所述至少一耙材23對(duì)所述工件30進(jìn)行鍍膜。
      所述至少一靶材23可以根據(jù)需要設(shè)置,例如, 一般鍍防電磁輻射膜,所需要的靶材分為 兩區(qū),第一區(qū)為銅靶,第二區(qū)為不銹鋼靶,每一區(qū)可由3個(gè)靶材組成,控制靶材數(shù)量可鍍不 同的厚度,如,先鍍一層銅(銅膜層厚度約2um以?xún)?nèi)),鍍完后再將所述鏡座30送入第二區(qū), 進(jìn)一步在所述鏡座30的外圓周面300b的銅膜層上濺鍍上一層不銹鋼膜層(不銹鋼膜層厚度約 0. 5y m以?xún)?nèi))。
      如圖5所示,當(dāng)所述鏡座30運(yùn)動(dòng)至至少一靶材23正下方時(shí),可由外部電源(圖未示)向所 述耙電極230施加負(fù)電壓,同時(shí)至少一個(gè)承載軸223接地(圖未示),使得所述銅耙材23表面上 的放電氣體電離并產(chǎn)生等離子,通過(guò)該等離子的離子在銅靶材23上撞擊出原子或原子團(tuán),并 將該原子團(tuán)沉積在所述待鍍膜的外圓周面300b,可在該外圓周面300b上形成一膜層。
      可以理解的是,當(dāng)所述鏡座30運(yùn)動(dòng)至與所述銅靶材23相對(duì)時(shí),鏡座30繞自身中心軸旋轉(zhuǎn) ,鏡座30的外圓周面300b上任意部位相對(duì)于銅耙材23幾何位置一致,因此在該外圓周面 300b上形成的膜層厚度均勻??刂菩D(zhuǎn)速度可以獲得適當(dāng)?shù)哪ず瘛6?,?duì)于本發(fā)明的濺鍍
      式鍍膜裝置,由于不需要設(shè)置較大的靶材,且靶束不需要分散,因此,可以提高靶材利用率 ,達(dá)到降低成本的功效。
      請(qǐng)參閱圖6,本發(fā)明第二實(shí)施例提供的一種濺鍍式鍍膜裝置60,其與本發(fā)明第一實(shí)施例 提供的濺鍍式鍍膜裝置20結(jié)構(gòu)基本相同,其區(qū)別在于所述濺鍍式鍍膜裝置60還進(jìn)一步包括 一個(gè)裝載室62、 一個(gè)卸載室63、 一個(gè)加熱室64及一個(gè)清洗室65,所述傳輸裝置221分別設(shè)置 于該裝載室62、加熱室64、清洗室65、鍍膜工作室21及卸載室63的底部210,所述抽真空裝 置24分別通過(guò)一抽氣管與所述裝載室62、加熱室64、清洗室65及卸載室63相連通。
      具體地,所述裝載室62、加熱室64、清洗室65、鍍膜工作室21及卸載室63依次相鄰設(shè)置 。其中,所述裝載室62用于收容待鍍膜的鏡座30,所述卸載室63用于收容已鍍膜的鏡座30。
      所述加熱室64用于在將所述待鍍膜的鏡座30送入所述清洗室65進(jìn)行等離子清洗前,收容 并加熱該鏡座30,以對(duì)該鏡座30進(jìn)行干燥,并提升該鏡座30在所述鍍膜工作室21進(jìn)行鍍膜時(shí) 的鍍膜品質(zhì)。
      所述清洗室65用于在將所述鏡座30送入鍍膜工作室21進(jìn)行鍍膜前,對(duì)該鏡座30的待鍍膜 外圓周面300b進(jìn)行等離子體清洗(plasma cleaning),以使所述鏡座30的待鍍膜外圓周面 300b保持潔凈,從而于所述鍍膜工作室21內(nèi)獲得較佳的鍍膜效果。
      所述傳輸裝置221設(shè)置于所述裝載室62、加熱室64、清洗室65、鍍膜工作室21及卸載室 63的底部,從而可帶動(dòng)所述鏡座30在依次分別在該裝載室62、加熱室64、清洗室65、鍍膜工 作室21及卸載室63作線性運(yùn)動(dòng)。
      另外,所述抽真空裝置24可分別獨(dú)立地對(duì)所述裝載室62、加熱室64、清洗室65、鍍膜工 作室21及卸載室63抽真空,使該裝載室62、加熱室64、清洗室65、鍍膜工作室21及卸載室 63的真空度可根據(jù)作業(yè)需要進(jìn)行調(diào)整。
      本發(fā)明第一實(shí)施例及第二實(shí)施例分別所提供的濺鍍式鍍膜裝置20、 60,其經(jīng)由設(shè)置一個(gè) 可沿鍍膜工作室21作線性運(yùn)動(dòng)的運(yùn)載裝置22、并將該運(yùn)載裝置22的至少一個(gè)承載軸223設(shè)置 為可繞其中心軸旋轉(zhuǎn),可經(jīng)由所述運(yùn)載裝置22帶動(dòng)所述至少一個(gè)承載軸223及其上承載的鏡 座30依次進(jìn)行鍍膜,從而可實(shí)現(xiàn)鍍膜的連續(xù)作業(yè);并同時(shí)經(jīng)由一獨(dú)立控制的輔助旋轉(zhuǎn)單元帶 動(dòng)所述至少一個(gè)承載軸223及其上承載的鏡座30繞其中心軸旋轉(zhuǎn),從而實(shí)現(xiàn)鏡座30需鍍膜的 外圓周面300b獲得均勻膜層。
      可以理解的是,對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō),可以根據(jù)本發(fā)明的技術(shù)構(gòu)思做出其它 各種相應(yīng)的改變與變形,而所有這些改變與變形都應(yīng)屬于本發(fā)明權(quán)利要求的保護(hù)范圍。
      權(quán)利要求
      權(quán)利要求1一種濺鍍式鍍膜裝置,其包括一個(gè)鍍膜工作室;一個(gè)運(yùn)載裝置,該運(yùn)載裝置包括一個(gè)傳輸裝置、一個(gè)固定架及至少一個(gè)承載軸,所述傳輸裝置設(shè)置于所述工作室的底部,并可沿該工作室的底部的延伸方向做線性運(yùn)動(dòng),所述固定架設(shè)置于所述傳輸裝置上,并由所述傳輸裝置帶動(dòng)沿所述鍍膜工作室的底部的延伸方向做線性運(yùn)動(dòng),該至少一個(gè)承載軸設(shè)置于該固定架之上,且用于承載工件,并且?guī)?dòng)所述工件繞其旋轉(zhuǎn);以及至少一靶材,其設(shè)置在所述鍍膜工作室內(nèi),用于對(duì)所述工件進(jìn)行鍍膜。
      2.如權(quán)利要求l所述的濺鍍式鍍膜裝置,其特征在于,所述運(yùn)載裝置 進(jìn)一步包括一輔助旋轉(zhuǎn)單元,該輔助旋轉(zhuǎn)裝置耦接該至少一個(gè)承載軸,使該至少一個(gè)承載軸 繞其中心軸旋轉(zhuǎn)。
      3.如權(quán)利要求2所述的濺鍍式鍍膜裝置,其特征在于,所述至少一個(gè) 承載軸一端具有一齒輪,所述一輔助旋轉(zhuǎn)單元包含至少一個(gè)板件,其具有一鋸齒面,該鋸齒 面與所述至少一個(gè)承載軸一端的齒輪機(jī)械嚙合,當(dāng)該至少一個(gè)板件相對(duì)于所述固定架移動(dòng), 使所述至少一個(gè)承載軸可以繞其中心軸旋轉(zhuǎn)。
      4.如權(quán)利要求l所述的濺鍍式鍍膜裝置,其特征在于,所述傳輸裝置為傳輸帶。
      5.如權(quán)利要求l所述的濺鍍式鍍膜裝置,其特征在于,所述濺鍍式鍍 膜裝置進(jìn)一步包括一個(gè)清洗室,所述清洗室與所述鍍膜工作室相鄰設(shè)置,用于收容并清洗所 述工件。
      6.如權(quán)利要求5所述的濺鍍式鍍膜裝置,其特征在于,所述濺鍍式鍍 膜裝置進(jìn)一步包括一個(gè)加熱室,所述加熱室與所述清洗室相鄰設(shè)置,用于收容并對(duì)所述工件 進(jìn)行干燥。
      7.如權(quán)利要求6所述的濺鍍式鍍膜裝置,其特征在于,所述濺鍍式鍍 膜裝置進(jìn)一步包括一個(gè)裝載室及一個(gè)卸載室,所述裝載室與所述加熱室相鄰設(shè)置,所述卸載 室與所述鍍膜工作室相鄰設(shè)置,所述裝載室用于收容待鍍膜的工件,所述卸載室用于收容已 鍍膜的工件。
      8.如權(quán)利要求7所述的濺鍍式鍍膜裝置,其特征在于,所述濺鍍式鍍 膜裝置進(jìn)一步包括一個(gè)抽真空裝置,所述抽真空裝置通過(guò)一抽氣管分別與所述裝載室、所述 加熱室、所述清洗室、所述鍍膜工作室及所述卸載室相連通,以分別獨(dú)立地對(duì)該裝載室、加 熱室、清洗室、鍍膜工作室及卸載室抽真空。
      9.如權(quán)利要求l所述的濺鍍式鍍膜裝置,其特征在于,所述濺鍍式鍍 膜裝置進(jìn)一步包括設(shè)置在所述工作室內(nèi)的至少一耙電極,所述每一耙電極分別對(duì)應(yīng)裝載每一 靶材。
      10. 一種濺鍍式鍍膜方法,其包括以下步驟(1) 提供一種如權(quán)利要求l所述的濺鍍式鍍膜裝置;(2) 所述至少一個(gè)承載軸上套設(shè)至少一工件,所述傳輸裝置帶動(dòng)該至少一個(gè)承載軸沿接 近于所述至少一靶材的方向作線性運(yùn)動(dòng);同時(shí),所述至少一個(gè)承載軸繞其中心軸旋轉(zhuǎn)。(3) 轟擊所述至少一靶材對(duì)所述至少一工件進(jìn)行鍍膜。
      全文摘要
      本發(fā)明涉及一種濺鍍式鍍膜裝置,其包括一個(gè)鍍膜工作室;至少一靶材,其設(shè)置在所述鍍膜工作室內(nèi),用于對(duì)工件進(jìn)行鍍膜;一個(gè)運(yùn)載裝置,其沿所述鍍膜工作室的底部的延伸方向運(yùn)載所述工件,該運(yùn)載裝置包括一個(gè)承載架和至少一個(gè)承載軸,所述至少一個(gè)承載軸用來(lái)承載所述工件,并帶動(dòng)所述工件一起繞至少一個(gè)承載軸中心軸旋轉(zhuǎn);以及一輔助旋轉(zhuǎn)單元,該輔助旋轉(zhuǎn)單元用于協(xié)助所述至少一個(gè)承載軸做所述繞中心軸旋轉(zhuǎn)。所述濺鍍式鍍膜裝置及鍍膜方法可對(duì)工件的表面進(jìn)行鍍膜,達(dá)到該表面膜層均勻的效果。
      文檔編號(hào)C23C14/34GK101376964SQ20071020155
      公開(kāi)日2009年3月4日 申請(qǐng)日期2007年8月31日 優(yōu)先權(quán)日2007年8月31日
      發(fā)明者顏士杰 申請(qǐng)人:鴻富錦精密工業(yè)(深圳)有限公司;鴻海精密工業(yè)股份有限公司
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