一種除繞鍍膜的方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明屬于光伏設(shè)備制造技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種除繞鍍膜的方法。
【背景技術(shù)】
[0002]光伏行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)激烈，為了增強(qiáng)企業(yè)競(jìng)爭(zhēng)力，需要不斷提高單個(gè)電池片的光電轉(zhuǎn)換效率，從而提高整體組件的效率。其中，可以對(duì)制絨后的電池背面進(jìn)行拋光，以降低背面對(duì)少數(shù)載流子的復(fù)合，從而提高少子壽命，達(dá)到提升效率的目的。為了在對(duì)電池背面進(jìn)行拋光時(shí)，使電池片正面的絨面不受影響，需要對(duì)其進(jìn)行鍍膜(SiNx)保護(hù)。但是在鍍膜過(guò)程中，常常出現(xiàn)繞鍍現(xiàn)象，也就是說(shuō)一部分膜繞到電池片的背面邊緣，形成不必要的繞鍍膜，這就使得拋光過(guò)程中，位于背面邊緣的繞鍍部分沒(méi)有被拋光掉，形成新的界面，從而降低少子壽命，降低電池片的效率。
[0003]現(xiàn)在解決上述繞鍍問(wèn)題的方法，通常是將電池片浸泡在一定濃度氫氟酸溶液中，控制浸泡一定時(shí)間，由于繞鍍膜和正面鍍膜厚度不同，在不影響或較少影響正面鍍膜前提下，除掉厚度較小的繞鍍膜，但這種方法過(guò)程難以做到精準(zhǔn)控制，不同的膜厚對(duì)去除的效果影響較大，還有一種除繞鍍膜的設(shè)備是使硅片正面向上飄浮在溶液上，但是這種設(shè)備價(jià)格昂貴，成本過(guò)高。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]為解決上述問(wèn)題，本發(fā)明提供了一種除繞鍍膜的方法，能夠在低成本的前提下，提高去除繞鍍膜的效率，使背面拋光更均勻，同時(shí)不影響正面絨面，從而提高電池片效率。
[0005]本發(fā)明提供的一種除繞鍍膜的方法，包括:
[0006]在硅片正面的氮化硅膜表面形成水膜；
[0007]將具有水膜的所述硅片放入氫氟酸溶液中，調(diào)整所述氫氟酸溶液的高度不高于所述硅片；
[0008]在所述水膜對(duì)所述硅片正面的氮化硅膜形成保護(hù)的基礎(chǔ)上，利用所述氫氟酸溶液去除位于所述硅片背面的繞鍍膜；
[0009]噴水清除殘留在所述硅片上的所述氫氟酸溶液。
[0010]優(yōu)選的，在上述除繞鍍膜的方法中，在所述噴水清除殘留在所述硅片上的所述氫氟酸溶液之后，還包括:
[0011]利用質(zhì)量比為0.1%至0.5%的氫氧化鉀溶液繼續(xù)清除殘留在所述硅片上的氫氟酸溶液，持續(xù)時(shí)間為1分鐘至2分鐘。
[0012]優(yōu)選的，在上述除繞鍍膜的方法中，在所述利用質(zhì)量比為0.1%至0.5%的氫氧化鉀溶液繼續(xù)清除殘留在所述硅片上的氫氟酸溶液之后，還包括:
[0013]將所述硅片放入第一水槽中，利用清水清除殘留在所述硅片上的氫氧化鉀溶液。
[0014]優(yōu)選的，在上述除繞鍍膜的方法中，在所述利用清水清除殘留在所述硅片上的氫氧化鉀溶液之后，還包括:
[0015]利用質(zhì)量比為10%至20 %的氫氧化鉀溶液對(duì)所述硅片的背面進(jìn)行拋光，持續(xù)時(shí)間為250秒至400秒。
[0016]優(yōu)選的，在上述除繞鍍膜的方法中，在所述利用質(zhì)量比為10%至20%的氫氧化鉀溶液對(duì)所述硅片的背面進(jìn)行拋光之后，還包括:
[0017]利用體積比為15 %至20 %的氫氟酸溶液浸泡所述硅片400秒至500秒，去除所述硅片的正面的氮化硅膜。
[0018]優(yōu)選的，在上述除繞鍍膜的方法中，在所述去除所述硅片的正面的所述氮化硅膜之后，還包括:
[0019]將所述硅片放入第二水槽中，利用清水清除殘留的氫氟酸溶液并進(jìn)行風(fēng)干。
[0020]優(yōu)選的，在上述除繞鍍膜的方法中，所述在硅片正面的氮化硅膜表面形成水膜為:
[0021]利用懸掛的噴管緩慢噴出水膜，在硅片正面的氮化硅膜表面形成水膜。
[0022]優(yōu)選的，在上述除繞鍍膜的方法中，所述將具有水膜的所述硅片放入氫氟酸溶液中為:
[0023]將具有水膜的所述硅片放入體積比為1%至2%的氫氟酸溶液中。
[0024]優(yōu)選的，在上述除繞鍍膜的方法中，所述利用所述氫氟酸溶液去除位于所述硅片背面的繞鍍膜為:
[0025]利用所述氫氟酸溶液去除位于所述硅片背面的繞鍍膜，持續(xù)時(shí)間為3分鐘至4分鐘。
[0026]優(yōu)選的，在上述除繞鍍膜的方法中，所述噴水清除殘留在所述硅片上的所述氫氟酸溶液為:
[0027]將所述硅片放置于第三水槽中，利用所述噴管對(duì)所述硅片噴水，清除殘留在所述硅片上的所述氫氟酸溶液，持續(xù)時(shí)間為1分鐘至2分鐘。
[0028]通過(guò)上述描述可知，本發(fā)明提供的上述除繞鍍膜的方法，首先在硅片正面的氮化硅膜表面形成水膜，再將具有水膜的所述硅片放入氫氟酸溶液中，調(diào)整所述氫氟酸溶液的高度不高于所述硅片，然后在所述水膜對(duì)所述硅片正面的氮化硅膜形成保護(hù)的基礎(chǔ)上，利用所述氫氟酸溶液去除位于所述硅片背面的繞鍍膜，最后噴水清除殘留在所述硅片上的所述氫氟酸溶液，由于氮化硅膜具有親水特性，因此水膜會(huì)靜止的均勻分布，而且由于正面具有水膜，當(dāng)因毛細(xì)現(xiàn)象氫氟酸溶液被吸附到正面時(shí)，氫氟酸會(huì)被正面的水膜稀釋后濃度更低，因此降低氫氟酸對(duì)正面氮化硅膜的腐蝕，從而能夠在低成本的前提下，提高去除繞鍍膜的效率，使背面拋光更均勻，同時(shí)不影響正面絨面，提高電池片效率。
【附圖說(shuō)明】
[0029]為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)提供的附圖獲得其他的附圖。
[0030]圖1為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的第一種除繞鍍膜的方法的示意圖；
[0031]圖2為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的第二種除繞鍍膜的方法的示意圖；
[0032]圖3為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的第三種除繞鍍膜的方法的示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0033]本發(fā)明的核心思想在于提供一種除繞鍍膜的方法，能夠在低成本的前提下，提高去除繞鍍膜的效率，使背面拋光更均勻，同時(shí)不影響正面絨面，從而提高電池片效率。
[0034]下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0035]本申請(qǐng)實(shí)施例提供的第一種除繞鍍膜的方法如圖1所示，圖1為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的第一種除繞鍍膜的方法的示意圖。該方法包括如下步驟:
[0036]S1:在硅片正面的氮化硅膜表面形成水膜；
[0037]S2:將具有水膜的所述硅片放入氫氟酸溶液中，調(diào)整所述氫氟酸溶液的高度不高于所述硅片；
[0038]S3:在所述水膜對(duì)所述硅片正面的氮化硅膜形成保護(hù)的基礎(chǔ)上，利用所述氫氟酸溶液去除位于所述硅片背面的繞鍍膜；
[0039]S4:噴水清除殘留在所述硅片上的所述氫氟酸溶液。
[0040]上述第一種除繞鍍膜的方法既可以應(yīng)用在對(duì)單晶硅片除繞鍍膜，也可以應(yīng)用在對(duì)多晶硅片除繞鍍膜，只是工藝中的具體參數(shù)會(huì)有所不同。
[0041]通過(guò)上述描述可知，本申請(qǐng)實(shí)施例提供的上述除繞鍍膜的方法，首先在硅片正面的氮化硅膜表面形成水膜，再將具有水膜的所述硅片放入氫氟酸溶液中，調(diào)整所述氫氟酸溶液的高度不高于所述硅片，然后在所述水膜對(duì)所述硅片正面的氮化硅膜形成保護(hù)的基礎(chǔ)上，利用所述氫氟酸溶液去除位于所述硅片背面的繞鍍膜，最后噴水清除殘留在所述硅片上的所述氫氟酸溶液，由于氮化硅膜具有親水特性，因此水膜會(huì)靜止的均勻分布，而且由于正面具有水膜，當(dāng)氫氟酸溶液因毛細(xì)作用被吸附到正面時(shí)，氫氟酸會(huì)被正面的水膜稀釋后濃度更低，因此降低氫氟酸對(duì)正面氮化硅膜的腐蝕，從而能夠在低成本的前提下，提高去除繞鍍膜的效率，使背面拋光更均勻，同時(shí)不影響正面絨面，提高電池片效率。
[0042]作為另一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例，在上述步驟S4之后，還可以包括如下步驟:
[0043]S5:利用質(zhì)量比為0.1 %至0.5%的氫氧化鉀溶液繼續(xù)清除殘留在所述硅片上的氫氟酸溶液，持續(xù)時(shí)間為1分鐘至2分鐘。這里利用的是酸堿中和的原理去清除殘留的氫氟酸溶液，在經(jīng)過(guò)多次試驗(yàn)后得到的該氫氧化鉀溶液的質(zhì)量比的范圍，利用該種質(zhì)量比的氫氧化鉀溶液能夠?qū)埩舻臍浞崆宄母鼜氐?，效果更好，需要說(shuō)明的是，該步驟僅僅是上述第一種除繞鍍膜的方法的一個(gè)優(yōu)選方案，而并不是其必須的步驟，實(shí)際上，如果沒(méi)有此步驟，也并不會(huì)妨礙上述第一種除繞鍍膜的方法的實(shí)現(xiàn)。
[0044]在上述步驟S5之后，硅片上可能殘留有少量的氫氧化鉀溶液，因此在一些情況下可以添加對(duì)其進(jìn)行去除的步驟，可選的，在步驟S5之后，可以包括以下步驟:
[0045]S6:將所述硅片放入第一水槽中，利用清水清除殘留在所述硅片上的氫氧化鉀溶液。
[0046]在該步驟中，利用清水能夠有效去除殘留的氫氧化鉀溶液，且最終硅片上既沒(méi)有酸也沒(méi)有堿，不會(huì)對(duì)后續(xù)步驟產(chǎn)生任何不良影響，此處需要注意的是，該步驟僅僅是對(duì)上述第一種除繞鍍膜的方法的又一個(gè)優(yōu)選步驟，利用該優(yōu)選步驟能夠使硅片的后續(xù)處理不會(huì)受到不良影響，具有有益效果，但是如果沒(méi)有該步驟，也并不影響上述方法的實(shí)現(xiàn)。
[0047]另外，在上述步驟S6之后，還可以包括如下步驟:
[0048]S7:利用質(zhì)量比為10%至20%的氫氧化鉀溶液對(duì)所述硅片的背面進(jìn)行拋光，持續(xù)時(shí)間為250秒至400秒。
[0049]在這個(gè)對(duì)硅片背面進(jìn)行拋光的過(guò)程中，所用的氫氧化鉀的質(zhì)量比選取為10%至20 %，這是經(jīng)過(guò)多次試驗(yàn)獲得的優(yōu)選參數(shù)，能夠使拋光效果更好，而且拋光持續(xù)時(shí)間的范圍也是經(jīng)過(guò)多次試驗(yàn)證實(shí)的優(yōu)選時(shí)間。另外，該步驟也是能夠使上述第一種除繞鍍膜的方法所取得更好效果的一個(gè)步驟，實(shí)際上，如果沒(méi)有此步驟也并不影響上述方法的實(shí)現(xiàn)。
[0050]在上述步驟S7之后，還可以包括如下步驟:
[0051 ] S8:利用體積比為15 %至20 %的氫氟酸溶液浸泡所述娃片400秒至500秒，去除所述硅片的正面的氮化硅膜。
[0052]由于步驟S7已經(jīng)對(duì)硅片背面進(jìn)行了拋光，因此硅片正面的起保護(hù)作用的氮化硅膜也就不再發(fā)揮作用，可以對(duì)其進(jìn)行去除，而經(jīng)過(guò)多次試驗(yàn)得出15%至20%的氫氟酸溶液對(duì)正面氮化硅膜去除效果更佳。另外，該步驟也只是上述第一種除繞鍍膜方法的優(yōu)選步驟，如果沒(méi)有此步驟也并不會(huì)影響上述方法的實(shí)現(xiàn)。
[0053]在上述步驟S8之后，也可以包括如下步驟:
[0054]S9:將所述硅片放入第二水槽中，利用清水清除殘留的氫氟酸溶液并進(jìn)行風(fēng)干。
[0055]為了使最終得到的硅片具有中性的潔凈表面，可以設(shè)置該優(yōu)選步驟，而該步驟也