專利名稱：銻摻雜氧化錫薄膜載體材料的制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種銻摻雜氧化錫薄膜載體材料的制備方法，尤其是一種 適于無標(biāo)記電學(xué)檢測(cè)技術(shù)的基因芯片用銻摻雜氧化錫薄膜載體材料的制備 方法。
背景技術(shù)：
以基因芯片為代表的生物芯片技術(shù),由于能夠?qū)?xì)胞、蛋白質(zhì)、核酸以 及其它生物分子等進(jìn)行準(zhǔn)確、快速、高通量的檢測(cè)，因而在疾病的快速診 斷與治療，新藥的篩選及藥物基因組學(xué)，基因突變檢測(cè)，農(nóng)作物的優(yōu)育優(yōu) 選，司法鑒定、環(huán)境檢測(cè)和國(guó)防等許多領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。然而盡管基 因芯片技術(shù)經(jīng)歷了十多年的飛速發(fā)展，但在臨床醫(yī)療和實(shí)驗(yàn)研究方面，仍 然無法成為可以普遍采用的技術(shù)，其面臨著許多亟待解決的關(guān)鍵性問題。目前在基因芯片中應(yīng)用最為成熟和廣泛的檢測(cè)技術(shù)是熒光標(biāo)記法，該 方法存在的不足是待檢測(cè)的靶標(biāo)樣品需要進(jìn)行熒光素標(biāo)記，其過程復(fù)雜 且技術(shù)成本較高；生物信號(hào)的檢測(cè)設(shè)備(基因芯片掃描儀)價(jià)格昂貴而且 體積尺寸比較大，難以實(shí)現(xiàn)便攜化和微型化；生物信號(hào)檢測(cè)靈敏度及芯片 穩(wěn)定性差等等。這使得基因芯片技術(shù)無法在臨床和實(shí)驗(yàn)研究上得到普遍應(yīng) 用。除此之外，還有基因芯片的無標(biāo)記電學(xué)檢測(cè)技術(shù)，它是利用DNA的雜 交反應(yīng)會(huì)給生物分子載體材料界面的電位、電勢(shì)或電導(dǎo)帶來變化的這一原 理實(shí)現(xiàn)檢測(cè)的，僅用現(xiàn)有的電學(xué)(電化學(xué))檢測(cè)儀器就可輕易地檢測(cè)和分 析生物信號(hào)，與熒光標(biāo)記法相比，電學(xué)檢測(cè)技術(shù)不需要對(duì)待測(cè)樣品進(jìn)行標(biāo) 記，檢測(cè)過程簡(jiǎn)單，檢測(cè)靈敏度和特異性也比較高，特別是檢測(cè)設(shè)備成本 遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于用于熒光檢測(cè)分析的基因芯片掃描儀，可以真正實(shí)現(xiàn)基因芯片低 成本，小型化和便攜化的目的。因此，基于DNA雜交的無標(biāo)記電學(xué)檢測(cè)技 術(shù)，是獲得高靈敏度、高通量、高可靠性、強(qiáng)特異性、檢測(cè)過程簡(jiǎn)單、微 型便攜化及成本低廉的基因芯片的重要途徑之一。傳統(tǒng)的基因芯片的載體材料(或稱為基片、襯底)， 一般是用表面功能 化后的玻片、硅片、塑料等。但是在采用無標(biāo)記電學(xué)檢測(cè)技術(shù)中的基因芯片中，DNA雜交反應(yīng)所產(chǎn)生的電信號(hào)需要通過載體材料來傳遞，因而載體 材料必須具有優(yōu)異的電學(xué)性及良好的化學(xué)穩(wěn)定性等物理化學(xué)特性，并且載 體表面要求易于實(shí)現(xiàn)化學(xué)修飾功能化，以便于探針分子能夠穩(wěn)定的固定在 載體表面。顯然，傳統(tǒng)的載體材料并不適用于無標(biāo)記電學(xué)檢測(cè)技術(shù)的基因 芯片。經(jīng)對(duì)現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)的檢索發(fā)現(xiàn)，能夠應(yīng)用于無標(biāo)記電學(xué)檢測(cè)技術(shù)的 基因芯片載體材料有硅系材料(Si/Si(V薄膜、單晶Si基片、Si納米線等)、 導(dǎo)電金屬(Au、 Pt等)、碳材料(石墨、碳納米管等)及導(dǎo)電樹脂等等，但 這些材料并不能完全滿足對(duì)載體材料必須具有優(yōu)異的導(dǎo)電性和良好的化學(xué) 穩(wěn)定性的要求。而以銻摻雜氧化錫(Antimony Tin Oxide，簡(jiǎn)稱ATO)為代 表的透明導(dǎo)電金屬氧化物，由于其具有電阻率非常低(可達(dá)10_3 10'4Q，cm)、對(duì)可見光幾乎透明、化學(xué)穩(wěn)定性好、與基底的附著性能優(yōu)異等 特性，能夠很容易的利用化學(xué)氣相沉積或物理氣相沉積方法直接沉積在不 同基底上，因此成為基因芯片載體材料的理想選擇。 發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的在于提供一種銻摻雜氧化錫薄膜載體材料的制備方法， 利用該方法制備的載體材料可以用于無標(biāo)記電學(xué)檢測(cè)技術(shù)的基因芯片。本發(fā)明是通過以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的 一種銻摻雜氧化錫薄膜載體材料 的制備方法，其特征在于經(jīng)過下列工藝步驟(1) 將預(yù)先制備的銻摻雜氧化錫濺射靶材打磨后，用分析純丙酮和去 離子水清洗，然后在120 16(TC保溫2 3小時(shí)，以去除表面油污等雜質(zhì)；(2) 采用普通載玻片作為薄膜基底材料，在濺射前先用分析純丙酮和 去離子水清洗，之后在80 90'C保溫1 2小時(shí)，以去除表面油污等雜質(zhì)；(3) 將經(jīng)步驟(1)和(2)預(yù)處理過的靶材及玻片放入磁控濺射儀中， 先對(duì)靶材預(yù)濺射5min，去除表面雜質(zhì)后，再對(duì)靶材進(jìn)行濺射，即得銻摻雜 氧化錫薄膜；(4) 將(3)步驟所得薄膜放入熱處理爐中，在溫度為300 45(TC， 保溫0.5 3小時(shí)的條件下進(jìn)行熱處理，之后將樣品冷卻至室溫；(5) 將(4)步驟所得薄膜樣品放入濃度為2 4M的NaOH溶液中浸 泡2 3小時(shí)，然后用無水乙醇清洗，并在40 60。C溫度下烘干，保溫2 3小時(shí)；(6) 將(5)步驟所得薄膜樣品再放入濃度為0.5 1 M的3-氨丙基-三乙氧基硅垸(APTES)中浸泡12 24小時(shí)，用無水乙醇和去離子水清洗 后，在100 15(TC保溫3 4小時(shí)，使樣品干燥并冷卻至室溫；(7) 將(6)步驟所得薄膜樣品在質(zhì)量濃度為8 12%的戊二醛溶液中 浸泡1 2小時(shí)，然后用去離子水清洗，40 6(TC烘干，保溫2 3小時(shí)后 冷卻至室溫，即得醛基修飾的基因芯片用銻摻雜氧化錫薄膜載體材料。所述步驟(1)中，銻摻雜氧化錫濺射靶材的制備將純度為99.99% 的氧化銻(Sb203)和氧化錫(Sn02)粉末壓制成坯后，經(jīng)1300 1400'C燒 結(jié)而成，靶材中Sb203的質(zhì)量百分含量(wt /。)控制在4 10 %，余量為Sn02。所述步驟(3)中的薄膜濺射工藝條件為濺射室本底真空度為lx10—4 Pa，濺射功率100 400W，濺射過程中，控制濺射室內(nèi)氬氣壓力為0.4 1 Pa，氧氣分壓為0.5 1.5Pa，襯底溫度20 100°C ，濺射時(shí)間15 50 min。所述步驟(4)中的熱處理氣氛為空氣或真空。所述步驟(5)中使用的2 4M的NaOH溶液，采用濃度為95%的乙 醇配制而成。所述步驟(6)中使用的0.5 1 M的3-氨丙基-三乙氧基硅烷溶液，采 用濃度為95%的乙醇配制而成。所述步驟(7)中使用的質(zhì)量濃度為8 12%的戊二醛溶液，采用去離 子水配制而成。本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于克服了現(xiàn)有技術(shù)中無標(biāo)記電學(xué)檢測(cè)技術(shù)所用的基 因芯片載體材料不能滿足既有優(yōu)異的導(dǎo)電性又具有良好的化學(xué)穩(wěn)定性的缺 點(diǎn)和局限性，充分利用銻摻雜氧化錫(ATO)薄膜具有優(yōu)異的導(dǎo)電性、表 面親水性及化學(xué)穩(wěn)定性等物化特性，以及薄膜表面易于實(shí)現(xiàn)化學(xué)修飾功能 化等特點(diǎn)，實(shí)現(xiàn)了生物信號(hào)的高靈敏度和強(qiáng)特異性無標(biāo)記電學(xué)檢測(cè)。本發(fā) 明方法制備的銻摻雜氧化錫薄膜基因芯片載體材料，具有表面平坦致密， 厚度均勻，活性基團(tuán)密度高，親水性能好，化學(xué)穩(wěn)定性高，電阻率低等特性，同時(shí)本發(fā)明方法工藝簡(jiǎn)單、易行，成本低廉，易于實(shí)現(xiàn)工業(yè)化生產(chǎn)。


圖l為銻摻雜氧化錫薄膜載體材料的制備工藝流程圖。
具體實(shí)施方式
以下結(jié)合實(shí)施例對(duì)本發(fā)明的技術(shù)方案作進(jìn)一步描述。 實(shí)施例1(1) 將純度為99.99%的氧化銻(Sb203)和氧化錫(Sn02)粉末壓制 成坯后，經(jīng)130(TC燒結(jié)成銻摻雜氧化錫濺射靶材，靶材中Sb203的質(zhì)量百 分含量(wt。/。)為4 %， Sn02的質(zhì)量百分含量(wt。/。)為96 %;靶材的尺寸為 直徑60mm、厚度6mm，濺射前將靶材表面用砂紙打磨，再用分析純丙酮 和去離子水清洗，然后置入烘箱中，在12(TC保溫3h，去除表面油污等雜 質(zhì)；(2) 采用普通載玻片作為薄膜基底材料，在濺射前用分析純丙酮和去 離子水充分清洗，然后放入烘箱中，在80。C保溫2小時(shí)；(3) 將(1)和(2)步驟預(yù)處理過的靶材及玻片安裝、放入磁控濺射 儀中，先對(duì)靶材預(yù)濺射5min，去除表面雜質(zhì)后，再對(duì)靶材濺射50min，從 而制備成薄膜，濺射條件為濺射室本底真空度為lxlO—4Pa，濺射功率IOO W，濺射過程中，控制濺射室內(nèi)氬氣壓為1Pa，氧氣分壓為1.5Pa，襯底溫度畫。C;(4) 將(3)步驟制成的薄膜放入熱處理爐中進(jìn)行熱處理，熱處理氣 氛為空氣，溫度45(TC，保溫時(shí)間3小時(shí)，熱處理后的樣品冷卻至室溫；(5) 采用濃度為95%的乙醇作為溶劑配制濃度為4 M的NaOH溶液， 再將(4)步驟制成的薄膜樣品放入溶液中浸泡2小時(shí)，然后用無水乙醇充 分清洗后，放入烘箱中在6(TC保溫2小時(shí)；(6) 采用濃度為95%的乙醇作為溶劑配制濃度為0.5 M的3-氨丙基-三乙氧基硅烷(APTES)，再將清洗烘干后的薄膜樣品放入溶液中浸泡24 小時(shí)，用無水乙醇和去離子水充分清洗后，在15(TC保溫3小時(shí)使樣品干燥， 然后冷卻至室溫；(7) 將干燥后的薄膜樣品在質(zhì)量濃度為12%的戊二醛水溶液中浸泡1.5小時(shí)，然后取出樣品用去離子水充分清洗，放入烘箱中在6(TC保溫2小時(shí)， 冷卻至室溫，即得醛基修飾的基因芯片用銻摻雜氧化錫薄膜載體材料。 實(shí)施例2(1) 將純度為99.99°/。的氧化銻(Sb203)和氧化錫(Sn02)粉末壓制 成坯后，經(jīng)130(TC燒結(jié)成銻摻雜氧化錫濺射靶材，靶材中Sb2Cb的質(zhì)量百 分含量(wt。/。)為4 %， Sn02的質(zhì)量百分含量(wt。/。)為96 %;靶材的尺寸為 直徑60mm、厚度6mm，濺射前將靶材表面用砂紙打磨，再用分析純丙酮 和去離子水清洗，然后置入烘箱中，在12(TC保溫3h，去除表面油污等雜 質(zhì)；(2) 采用普通載玻片作為薄膜基底材料，在濺射前用分析純丙酮和去 離子水充分清洗，然后放入烘箱中，在8(TC保溫2小時(shí)；(3) 將(1)和(2)步驟預(yù)處理過的靶材及玻片安裝、放入磁控濺射 儀中，先對(duì)靶材預(yù)濺射5min，去除表面雜質(zhì)后，再對(duì)靶材濺射50min，從 而制備成薄膜，濺射條件為濺射室本底真空度為lxl(T4Pa，濺射功率100 W，濺射過程中，控制濺射室內(nèi)氬氣壓為1Pa，氧氣分壓為1.5Pa，襯底溫度畫。C;(4) 將(3)步驟制成的薄膜放入熱處理爐中進(jìn)行熱處理，熱處理氣 氛為空氣，溫度45(TC，保溫時(shí)間3小時(shí)，熱處理后的樣品冷卻至室溫；(5) 采用濃度為95%的乙醇作為溶劑配制濃度為2M的NaOH溶液， 再將(4)步驟制成的薄膜樣品放入溶液中浸泡3小時(shí)，然后用無水乙醇充 分清洗后，放入烘箱中在40'C保溫3小時(shí)；(6) 采用濃度為95%的乙醇作為溶劑配制濃度為1 M的3-氨丙基-三 乙氧基硅烷(APTES)，再將清洗烘干后的薄膜樣品放入溶液中浸泡12小 時(shí)，用無水乙醇和去離子水充分清洗后，在100。C保溫4小時(shí)使樣品干燥， 然后冷卻至室溫；(7) 將干燥后的薄膜樣品在質(zhì)量濃度為8%的戊二醛水溶液中浸泡2 小時(shí)，然后取出樣品用去離子水充分清洗，放入烘箱中在6(TC保溫2小時(shí)， 冷卻至室溫，即得醛基修飾的基因芯片用銻摻雜氧化錫薄膜載體材料。實(shí)施例3(1) 將純度為99.99%的氧化銻(Sb203)和氧化錫(Sn02)粉末壓制 成坯后，經(jīng)140(TC燒結(jié)成銻摻雜氧化錫濺射靶材，靶材中Sb203的質(zhì)量百 分含量(wtQ/。)為10%， Sn02的質(zhì)量百分含量(wtG/。)為9(T/。；靶材的尺寸為 直徑60mm、厚度6mm，濺射前將靶材表面用砂紙打磨，再用分析純丙酮 和去離子水清洗，然后置入烘箱中，在120'C保溫3h，去除表面油污等雜 質(zhì)；(2) 采用普通載玻片作為薄膜基底材料，在濺射前用分析純丙酮和去 離子水充分清洗，然后放入烘箱中，在8(TC保溫2小時(shí)；(3) 將(1)和(2)步驟預(yù)處理過的靶材及玻片安裝、放入磁控濺射 儀中，先對(duì)靶材預(yù)濺射5min，去除表面雜質(zhì)后，再對(duì)靶材濺射15min，從 而制備成薄膜，濺射條件為濺射室本底真空度為lxl0—4Pa，濺射功率400 W，濺射過程中，控制濺射室內(nèi)氬氣壓為0.4Pa，氧氣分壓為0.5Pa，襯底 溫度100°C;(4) 將(3)步驟制成的薄膜放入熱處理爐中進(jìn)行熱處理，熱處理氣 氛為空氣，溫度350'C，保溫時(shí)間3小時(shí)，熱處理后的樣品冷卻至室溫；(5) 采用濃度為95%的乙醇作為溶劑配制濃度為4M的NaOH溶液， 再將(4)步驟制成的薄膜樣品放入溶液中浸泡2小時(shí)，然后用無水乙醇充 分清洗后，放入烘箱中在6(TC保溫2小時(shí)；(6) 采用濃度為95%的乙醇作為溶劑配制濃度為0.5 M的3-氨丙基-三乙氧基硅烷(APTES)，再將清洗烘干后的薄膜樣品放入溶液中浸泡24 小時(shí)，用無水乙醇和去離子水充分清洗后，在15(TC保溫3小時(shí)使樣品干燥， 然后冷卻至室溫；(7) 將干燥后的薄膜樣品在質(zhì)量濃度為12%的戊二醛水溶液中浸泡1.5 小時(shí)，然后取出樣品用去離子水充分清洗，放入烘箱中在6(TC保溫2小時(shí)， 冷卻至室溫，即得醛基修飾的基因芯片用銻摻雜氧化錫薄膜載體材料。為了檢測(cè)采用本發(fā)明所制備的醛基修飾的銻摻雜氧化錫薄膜載體材料 能否用于無標(biāo)記檢測(cè)技術(shù)的基因芯片，將具有標(biāo)準(zhǔn)序列的并與待測(cè)耙標(biāo)樣 品互補(bǔ)的寡核苷酸探針(5'-NH2-TTTTTGAT AAACCC ACTCTA-3')，和 為了確定雜交特異性而選擇的非互補(bǔ)探針(5'-NH2-TTT TTT TTT CCAAGAAAGGACCCG-3')固定在醛基修飾后的薄膜表面。待測(cè)靶標(biāo)樣品采 用與探針互補(bǔ)的序列，樣品序列為5'-NH2-CATAGAGTGGGTTTATCCA-3'。雜交反應(yīng)在自制的生物信號(hào)電化學(xué)實(shí)驗(yàn)裝置上進(jìn)行，采用電化學(xué)綜合測(cè) 量?jī)x檢測(cè)雜交前后電導(dǎo)性質(zhì)的變化規(guī)律，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)對(duì)生物信號(hào)的檢測(cè)、識(shí) 別和分析。上述實(shí)施例考察了銻摻雜氧化錫薄膜的表面形貌、微觀結(jié)構(gòu)、電學(xué)性 能；并對(duì)化學(xué)修飾后的薄膜用作基因芯片載體材料進(jìn)行了研究。實(shí)施例1 和2中薄膜厚度采用表面輪廓儀進(jìn)行測(cè)量，制得的薄膜厚度約為120 nm; 通過原子力顯微鏡測(cè)量可得薄膜的表面粗糙度(RMS)約為5nm;薄膜的 電阻率為3xl0^^cm左右。實(shí)施例3中制得的薄膜厚度約為90 nm，薄膜 的表面粗糙度(RMS)約為4nm，電阻率為4.3xl(T3Qxm左右。這說明所 制備的薄膜表面平坦致密、具有優(yōu)異的導(dǎo)電性能。雜交反應(yīng)前后電導(dǎo)性質(zhì) 的變化規(guī)律采用電化學(xué)阻抗譜方法進(jìn)行檢測(cè)。結(jié)果發(fā)現(xiàn)與雜交前相比，雜 交反應(yīng)后的阻抗值的實(shí)部在很寬的頻率范圍內(nèi)(10 105Hz)發(fā)生了顯著的 變化，增大了 160%以上，這表明銻摻雜氧化錫薄膜載體材料作為工作電極 對(duì)生物信號(hào)具有很高的檢測(cè)靈敏度和特異性，非常適用于作為無標(biāo)記電學(xué) 檢測(cè)技術(shù)的基因芯片載體材料。上述結(jié)果表明，利用本發(fā)明制備的銻摻雜氧化錫薄膜載體材料具有表 面平坦致密、厚度均勻、活性基團(tuán)密度高、親水性能好、化學(xué)穩(wěn)定性高、 電阻率低等特性，可以實(shí)現(xiàn)對(duì)生物信號(hào)的高靈敏度、高可靠性和強(qiáng)特異性 無標(biāo)記電學(xué)檢測(cè)、識(shí)別與分析，非常適用于作為無標(biāo)記電學(xué)檢測(cè)技術(shù)的基 因芯片載體材料。本發(fā)明還具有制備工藝簡(jiǎn)單易行，成本低廉，易于實(shí)現(xiàn) 工業(yè)化生產(chǎn)的特點(diǎn)。
權(quán)利要求
1、一種銻摻雜氧化錫薄膜載體材料的制各方法，其特征在于經(jīng)過下列工藝步驟(1)將預(yù)先制備的銻摻雜氧化錫濺射靶材經(jīng)打磨后，用分析純丙酮和去離子水清洗，然后在120～160℃保溫2～3小時(shí)，以去除表面油污等雜質(zhì)；(2)采用普通載玻片作為薄膜基底材料，在濺射前先用分析純丙酮和去離子水清洗，之后在80～90℃保溫1～2小時(shí)，以去除表面油污等雜質(zhì)；(3)將經(jīng)步驟(1)和(2)預(yù)處理過的靶材及玻片放入磁控濺射儀中，濺射前先對(duì)靶材預(yù)濺射5min，去除表面雜質(zhì)后，再對(duì)靶材進(jìn)行濺射，即得銻摻雜氧化錫薄膜；(4)將(3)步驟所得薄膜放入熱處理爐中，在溫度為300～450℃，保溫0.5～3小時(shí)的條件下進(jìn)行熱處理，之后將樣品冷卻至室溫；(5)將(4)步驟所得薄膜樣品放入濃度為2～4M的NaOH溶液中浸泡2～3小時(shí)，然后用無水乙醇清洗，并在40～60℃烘干，保溫2～3小時(shí)；(6)將(5)步驟所得薄膜樣品放入濃度為0.5～1M的3-氨丙基-三乙氧基硅烷APTES中浸泡12～24小時(shí)，用無水乙醇和去離子水清洗，在100～150℃保溫3～4小時(shí)后冷卻至室溫；(7)將(6)步驟所得薄膜樣品在質(zhì)量濃度為8～12％的戊二醛溶液中浸泡1～2小時(shí)，然后用去離子水清洗，40～60℃烘干，保溫時(shí)間2～3小時(shí)，冷卻至室溫，即得醛基修飾的基因芯片用銻摻雜氧化錫薄膜載體材料。
2、 按權(quán)利要求1所述的銻摻雜氧化錫薄膜載體材料的制備方法，其特 征在于所述步驟(l)中銻摻雜氧化錫濺射靶材的制備是將純度為99.99% 的氧化銻Sb203和氧化錫SnO2粉末壓制成坯后，經(jīng)1300 140(TC燒結(jié)而成， 靶材中Sb203的質(zhì)量百分含量為4 10 %，其余為Sn02。
3、 按權(quán)利要求1所述的銻摻雜氧化錫薄膜載體材料的制備方法，其特 征在于所述步驟(3)中的薄膜濺射工藝條件是濺射室本底真空度為lxl0—4 Pa，濺射功率100 400 W,濺射過程中，控制濺射室內(nèi)氬氣壓為0.4 1 Pa， 氧氣分壓為0.5 1.5Pa，襯底溫度20 100。C，濺射時(shí)間15 50 min。
4、 按權(quán)利要求1所述的銻摻雜氧化錫薄膜載體材料的制備方法，其特 征在于所述步驟(4)中的熱處理氣氛為空氣或真空。
5、 按權(quán)利要求1所述的銻慘雜氧化錫薄膜載體材料的制備方法，其特 征在于所述步驟(5)中的2 4M的NaOH溶液采用濃度為95M的乙醇配 制而成。
6、 按權(quán)利要求1所述的銻摻雜氧化錫薄膜載體材料的制備方法，其特 征在于所述步驟(6)中的0.5 1 M的3-氨丙基-三乙氧基硅烷溶液采用濃 度為95%的乙醇配制而成。
7、 按權(quán)利要求1所述的銻摻雜氧化錫薄膜載體材料的制備方法，其特 征在于所述步驟(7)中的質(zhì)量濃度為8 12%的戊二醛溶液采用去離子水 配制而成。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種銻摻雜氧化錫薄膜載體材料的制備方法，所得載體材料適于無標(biāo)記電學(xué)檢測(cè)技術(shù)的基因芯片。通過使用銻摻雜氧化錫濺射靶材，利用磁控濺射法在普通玻片上制備出銻摻雜氧化錫薄膜，然后對(duì)薄膜進(jìn)行羥基化、氨基硅烷化、醛基化修飾，制得醛基修飾的基因芯片用銻摻雜氧化錫薄膜載體材料。采用本發(fā)明制備的載體材料具有表面平坦致密、厚度均勻、活性基團(tuán)密度高、親水性能好、化學(xué)穩(wěn)定性高、電阻率低等特性，可以實(shí)現(xiàn)對(duì)生物信號(hào)的高靈敏度、高可靠性和強(qiáng)特異性無標(biāo)記電學(xué)檢測(cè)、識(shí)別與分析，非常適用于作為無標(biāo)記電學(xué)檢測(cè)技術(shù)的基因芯片載體材料。本發(fā)明還具有制備工藝簡(jiǎn)單易行，成本低廉，易于實(shí)現(xiàn)工業(yè)化生產(chǎn)的特點(diǎn)。
文檔編號(hào)C23C14/54GK101235480SQ20081005815
公開日2008年8月6日 申請(qǐng)日期2008年3月6日 優(yōu)先權(quán)日2008年3月6日
發(fā)明者榮 周, 張玉勤, 蔣業(yè)華 申請(qǐng)人:昆明理工大學(xué)