專利名稱：：一次寫入多次讀取的光學(xué)記錄介質(zhì)及其濺射靶的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及一種一次寫入多次讀取(write-once-read-many,WORM)光學(xué)記錄介質(zhì)。更具體地，本發(fā)明涉及一種一次寫入多次讀取光學(xué)記錄介質(zhì)，其特別在藍(lán)色激光波長下能夠進(jìn)行高密度記錄。本發(fā)明還涉及'減射靶，其能夠用于形成氧化物層，該氧化物層為構(gòu)成該一次寫入多次讀取光學(xué)記錄介質(zhì)的層。
背景技術(shù)：
：與能夠在藍(lán)色或更短的激光波長下記錄和再現(xiàn)的一次寫入多次讀取光學(xué)記錄介質(zhì)相關(guān)，可以超高密度記錄的藍(lán)色激光得以迅速發(fā)展，并且促進(jìn)了對藍(lán)色激光波長敏感的一次寫入多次讀取光學(xué)記錄介質(zhì)的開發(fā)。在通常的一次寫入多次讀取光學(xué)記錄介質(zhì)中，激光束照射到包括有機(jī)材料的記錄層上以典型地由于有機(jī)材料的分解和退化改變折射率，且因而形成記錄凹坑(pit)。用在記錄層中的有機(jī)材料的光學(xué)常數(shù)和分解行為對形成滿意的記錄凹坑起到重要作用。為了用于對于藍(lán)色激光波長敏感的光學(xué)記錄介質(zhì)在一次寫入多次讀取的記錄層，有機(jī)材料必須相對于藍(lán)色激光波長的光具有合適的光學(xué)性質(zhì)和分解行為。更具體地，進(jìn)行記錄的波長設(shè)定在主吸收帶的較長-波長側(cè)的尾部以增加未記錄部分中的反射率并在充分增加當(dāng)激光照射時由有機(jī)材料的分解導(dǎo)致的折射率差，由此獲得較高的調(diào)制振幅。這是因為在這種有機(jī)材料的主吸收帶較長-波長側(cè)尾部的波長獲得適當(dāng)?shù)奈障禂?shù)和高的折射率。然而，還沒發(fā)現(xiàn)相對于藍(lán)色激光波長的光具有等同于通常材料的光學(xué)性質(zhì)的有機(jī)材料。為了制造這種具有鄰近藍(lán)色-激光波長吸收帶的有機(jī)材料，分子骨架必須減小或共軛體系必須縮短。然而，這引起降低的吸收系數(shù)和降低的折射率。更具體地，存在許多具有鄰近藍(lán)色-激光波長吸收帶的有機(jī)材料且可能控制它們的吸收系數(shù)，然而它們沒有足夠高的折射率且不能獲得較高的調(diào)制振幅程度。這樣，對于具有對藍(lán)色激光波長光敏感的光學(xué)性質(zhì)的材料，目前正在研究使用無機(jī)材料和有機(jī)材料的材料，以及僅僅使用無機(jī)材料的材料。作為使用氧化物的材料，專利文獻(xiàn)l公開了包括Bi、稀土、Ga、Fe、和O的記錄層，且該發(fā)明描述了能夠形成石榴石的組合物。專利文獻(xiàn)2公開了使用有機(jī)氧化物的光學(xué)記錄介質(zhì)。然而，這些通常的技術(shù)沒有研究應(yīng)該形成何種形狀的記錄標(biāo)記以有效地形成優(yōu)異的記錄標(biāo)記和獲得優(yōu)異的性能。當(dāng)然，這些技術(shù)沒有考慮當(dāng)與藍(lán)色-波長光一起使用時該記錄標(biāo)記的形狀以獲得較高的調(diào)制振幅，其在此作為一個問題提出。此外，對于使用金屬或半金屬的氧化物作為記錄層的一次寫入多次讀取的光學(xué)記錄介質(zhì)，具有高可靠性的TeOx-Pd記錄層已經(jīng)在專利文獻(xiàn)3和4中提出。在專利文獻(xiàn)3和4中，TeOx-Pd記錄層的組成比在該層的厚度方向上變化以提高可靠性如存儲穩(wěn)定性。此外，包括TeOx-Pd的記錄層也公開在非專利文獻(xiàn)1和2中，然而，它們僅僅具有作為改善可靠性的方法的關(guān)于控制其中氧化程度的描述。關(guān)于含有鉍氧化物的材料(雖然其類似于本發(fā)明)，它們分別在以下專利文獻(xiàn)中公開專利文獻(xiàn)5公開了由式Ax(MmOn)y(Fe203)z表示的無定形和鐵磁性的氧化物，其中定義了各種氧化物A,各種元素M的各自的比率，以及x、y和z;專利文獻(xiàn)6公開金屬氧化物及其制造方法，該金屬氧化物包括50%或更多的由式(Bi203)x(MmOn)y(Fe203)z表示的無定形相，其中定義了MmOn的m和n的各自比率，x、y和z的各自比率；專利文獻(xiàn)7公開具有由式(B203)x(Bi203)Lx表示的組成的無定形化合物，組成x的范圍，和淬火方法；且專利文獻(xiàn)8公開了具有組成為(Bi203)Ux(Fe203)x的鉍-鐵無定形化合物材料，然而，x表示為O.卯>0。然而，這些技術(shù)分別涉及光透射性且鐵磁性的無定形氧化物材料，并且它們典型地用于光電磁光學(xué)記錄介質(zhì)、用于通過磁性作用控制光的功能器件、光電磁傳感器、透明且導(dǎo)電膜、壓電膜等。此外，其它公司提供的這些技術(shù)基本上目的在于涉及材料和/或材料制造方法的專利，并沒有關(guān)于應(yīng)用于一次寫入多次讀取光學(xué)記錄介質(zhì)的描述。另一方面，作為制造光學(xué)記錄介質(zhì)用記錄層的方法之一，有濺射法。在本領(lǐng)域中濺射作為一種在氣相下形成薄層的方法已經(jīng)廣泛知悉且被用于制造工業(yè)用的薄層。在濺射法中，制備具有作為即將形成的層的相同組分的靶材料，典型地，輝光放電產(chǎn)生的氬氣離子與靶材料碰撞以擊打耙材料的構(gòu)成原子，且該原子沉積到基底上由此形成層。氧化物典型地具有高熔點，因而不適于通過蒸發(fā)法等形成，且通常使用其中施加高頻率波的高-頻率-波濺射方法。在其制造過程中濺射方法有許多成效，且濺射還在產(chǎn)出量上具有優(yōu)勢。然而，當(dāng)形成含有兩種或多種元素的混合材料的層時，會有靶的組成與層不相同的情況，因此，必須考慮靶的組成。進(jìn)一步，有許多其中層的結(jié)構(gòu)和特性依賴于構(gòu)成靶的化合物的構(gòu)成而變化的情形，因此必須考慮這點。作為本領(lǐng)域已知的技術(shù)，例如，專利文獻(xiàn)9公開了包括Bi氧化物的耙作為形成介電膜的濺射靶。然而，專利文獻(xiàn)9沒有提及包括Fe的把。因為當(dāng)組成元素類型變化時，該組成和構(gòu)成耙化合物之間的關(guān)系以及層的結(jié)構(gòu)和組成之間的關(guān)系變化。因此，靶結(jié)構(gòu)必須改變，并且專利文獻(xiàn)9中所公開的發(fā)現(xiàn)沒有起到對于本發(fā)明中提出的濺射靶的參考的作用。此外，專利文獻(xiàn)10公開了由Bi3FesO,2制成的用于制造薄層的耙，然而，該發(fā)明用于制造具有所謂石榴石結(jié)構(gòu)的薄層，其中得到高度的磁光效應(yīng)，且該發(fā)明采用Bi對Fe的比為3:5到3.5:4.5。因此其不同于本發(fā)明中提出的濺射靶。專利文獻(xiàn)l日本專利申請公開(JP-A)No.10-92027專利文獻(xiàn)2日本專利申請公開(JP-A)No.2003-48375專利文獻(xiàn)3日本專利申請公開(JP-A)No.06-150366專利文獻(xiàn)4日本專利申請公開(JP-A)No.06-93300專利文獻(xiàn)5曰本專利申請公開(JP-A)No.61-101450專利文獻(xiàn)6日本專利申請公開(JP-A)No,61-101448專利文獻(xiàn)7日本專利申請公開(JP-A)No.59-8618專利文獻(xiàn)8日本專利申請公開(JP-A)No.59-73438專利文獻(xiàn)9日本專利申請公開(JP-A)No.11-92922專利文獻(xiàn)IO日本專利申請公開(JP-A)No.02-42899非專利文獻(xiàn)1ProceedingsofThe14thSymposiumonPCOS2002，23-28頁非專利文獻(xiàn)2Vol.28，EijogakuGiho，5-8頁
發(fā)明內(nèi)容因此本發(fā)明目的在于提供一種一次寫入多次讀取光學(xué)記錄介質(zhì)，其能夠在500nm或更小波長下表現(xiàn)出優(yōu)異的記錄-再現(xiàn)性能和能夠特別地在鄰近405nm的波長下記錄和再現(xiàn)以及高密度記錄。進(jìn)一步，本發(fā)明另一目的是提供一種濺射靶，其可用于制造氧化物層，該氧化物層為構(gòu)成光學(xué)記錄介質(zhì)的層且適用于任意地形成具有穩(wěn)定組成和穩(wěn)定結(jié)構(gòu)的層，及提供其制造方法。本發(fā)明的第一方面是一種一次寫入多次讀取光學(xué)記錄介質(zhì)，其包括基底、記錄層、和反射層，其中該記錄層包括由BiOx((Kx〈1.5)表示的材料，并且其中記錄有信息的記錄標(biāo)記包括Bi晶體和/或Bi氧化物晶體。本發(fā)明的第二方面是根據(jù)第一方面的一次寫入多次讀取光學(xué)記錄介質(zhì)，其中該記錄標(biāo)記包括四價的Bi。本發(fā)明的第三方面是一次寫入多次讀取光學(xué)記錄介質(zhì)，其包括基底、記錄層、和反射層，其中該記錄層包括Bi、O、和M作為構(gòu)成元素，M表示選自Mg、Al、Cr、Mn、Co、Fe、Cu、Zn、Li、Si、Ge、Zr、Ti、Hf、Sn、Mo、V、Nb、Y、和Ta的至少一種元素，和其中記錄有信息的記錄標(biāo)記包括選自含在該記錄層中的一種或多種元素的晶體和該一種或多種元素的氧化物的晶體中的一種或多種晶體。本發(fā)明的第四方面是根據(jù)第三方面的一次寫入多次讀取光學(xué)記錄介質(zhì)，其中該記錄標(biāo)記包括四價的Bi。本發(fā)明的第五方面是根據(jù)第三方面的一次寫入多次讀取光學(xué)記錄介質(zhì)，其中元素M的總量對鉍的原子數(shù)目比為1.25或更小。本發(fā)明的第六方面是根據(jù)第三方面的一次寫入多次讀取光學(xué)記錄介質(zhì)，其中該一次寫入多次讀取光學(xué)記錄介質(zhì)具有以下的任意一個層狀結(jié)構(gòu)其中至少記錄層、上部涂層、和反射層按此順序布置在基底上的層狀結(jié)構(gòu)，和其中至少反射層、上部涂層、記錄層、和覆蓋層以此順序布置在基底上的層狀結(jié)構(gòu)。本發(fā)明的第七方面是根據(jù)第三方面的一次寫入多次讀取光學(xué)記錄介質(zhì)，其中該一次寫入多次讀取光學(xué)記錄介質(zhì)用包括選自BiFe03、Bi25Fe04()、和Bi36Fe205^々一種或多種的濺射靶制造。本發(fā)明的第八方面是一種一次寫入多次讀取光學(xué)記錄介質(zhì)，其包括基底、記錄層、和反射層，其中該記錄層包括Bi、O、和L作為構(gòu)成元素，且該記錄層包括Bi氧化物，和L表示選自B、P、Ga、As、Se、Tc、Pd、Ag、Sb、Te、W、Re、Os、Ir、Pt、Au、Hg、Tl、Po、At、和Cd的至少一種元素.本發(fā)明的第九方面是根據(jù)第八方面的一次寫入多次讀取光學(xué)記錄介質(zhì)，其中元素L表示選自B、P、Ga、Se、Pd、Ag、Sb、Te、W、Pt、和Au的至少一種元素。本發(fā)明的第十方面是根據(jù)第八方面的一次寫入多次讀取光學(xué)記錄介質(zhì)，其中元素L的總量對鉍的原子數(shù)目比為1.25或更小。本發(fā)明的第十一方面是根據(jù)第八方面的一次寫入多次讀取光學(xué)記錄介質(zhì)，其中該一次寫入多次讀取光學(xué)記錄介質(zhì)進(jìn)一步包括上部涂層且具有其中記錄層、上部涂層、和反射層以此順序布置在基底上的層狀結(jié)構(gòu)。本發(fā)明的第十二方面是根據(jù)第十一方面的一次寫入多次讀取光學(xué)記錄介質(zhì)，其中該一次寫入多次讀取光學(xué)記錄介質(zhì)進(jìn)一步包括內(nèi)涂層且具有其中內(nèi)涂層、記錄層、上部涂層、和反射層以此順序布置在基底上的層狀結(jié)構(gòu)。本發(fā)明的第十三方面是根據(jù)第八方面的一次寫入多次讀取光學(xué)記錄介質(zhì)，其中該一次寫入多次讀取光學(xué)記錄介質(zhì)進(jìn)一步包括上部涂層和覆蓋層且具有其中反射層、上部涂層、記錄層、和覆蓋層以此順序布置在基底上的層狀結(jié)構(gòu)。本發(fā)明的第十四方面是根據(jù)第十三方面的一次寫入多次讀取光學(xué)記錄介質(zhì)，其中該一次寫入多次讀取光學(xué)記錄介質(zhì)進(jìn)一步包括內(nèi)涂層且具有其中反射層、上部涂層、記錄層、內(nèi)涂層、和覆蓋層以此順序布置在基底上的層狀結(jié)構(gòu)。本發(fā)明的第十五方面是根據(jù)第八方面的一次寫入多次讀取光學(xué)記錄介質(zhì)，其中該一次寫入多次讀取光學(xué)記錄介質(zhì)進(jìn)一步包括內(nèi)涂層和上部涂層的至少任一層，且內(nèi)涂層和上部涂層的至少任一層包括ZnS和/或Si02。本發(fā)明的第十六方面是根據(jù)第八方面的一次寫入多次讀取光學(xué)記錄介質(zhì)，其中該一次寫入多次讀取光學(xué)記錄介質(zhì)進(jìn)一步包括內(nèi)涂層和上部涂層，且內(nèi)涂層和上部涂層的至少任一層包括有機(jī)材料。本發(fā)明的第十七方面是根據(jù)第八方面的一次寫入多次讀取光學(xué)記錄介質(zhì)，其中用波長為680nm或更小的激光束實現(xiàn)記錄和再現(xiàn)。本發(fā)明的第十八方面是一種濺射靶，其包括Bi、Fe、和0。本發(fā)明的第十九方面是根據(jù)第十八方面的'減射靶，其中該濺射靶由Bi、Fe、和氧組成。本發(fā)明的第二十方面是根據(jù)第十八方面至第十九方面任一個的濺射靶，其中該濺射靶用于形成用于光學(xué)記錄介質(zhì)的記錄層，其中用在550nm或更小的波長下的激光束進(jìn)行記錄和再現(xiàn)。本發(fā)明的第二十一方面是根據(jù)第十八方面至第二十方面任一個的濺射靶，其中該濺射靶包括Bi氧化物和Fe氧化物，或包括Bi和Fe的復(fù)合氧化物。本發(fā)明的第二十二方面是根據(jù)第二十一方面的濺射靶，其中該濺射靶包括Bi和Fe的復(fù)合氧化物且進(jìn)一步包括選自Bi氧化物和Fe氧化物的一種或多種。本發(fā)明的第二十三方面是才艮據(jù)第十八方面的濺射靶，其中該'踐射靶包括選自Bi氧化物、Fe氧化物、和Bi和Fe的復(fù)合氧化物的一種或多種，且該氧化物為具有與化學(xué)計量組成相比較小量的氧的氧化物。本發(fā)明的第二十四方面是根據(jù)第十八方面到第二十三方面中任一個的濺射靶，其中該濺射靶包括選自BiFe03、Bi25Fe04()、和813662057的一種或多種。本發(fā)明的第二十五方面是根據(jù)第十八方面到第二十四方面中任一個的濺射靶，其中該濺射靶包括Bi20;5和/或Fe203。本發(fā)明的第二十六方面是根據(jù)第十八方面到第二十五方面中任一個的濺射靶，其中該濺射靶不包括BbFe409。本發(fā)明的第二十七方面是根據(jù)第十八方面到第二十六方面中任一個的濺射靶，其中Co、Ca、和Cr的含量少于感應(yīng)耦合等離子體發(fā)射光鐠測定法(inductivelycoupledplasmaemissionspectrometry)的4全測限。本發(fā)明的第二十八方面是根據(jù)第十八方面到第二十七方面中任一個的濺射靶，其中該濺射靶具有的填充密度(packingdensky)為65%-96%。本發(fā)明的第二十九方面是根據(jù)第十八方面到第二十八方面中任一個的濺射靶，其中Bi和Fe的原子比滿足Bi/Fe20.8的要求。本發(fā)明的第三十方面是濺射靶制造方法，其中煅燒Bi2Cb和Fe203粉末以制造根據(jù)第十八方面到第二十九方面中任一個的濺射靶。本發(fā)明的第三十一方面是光學(xué)記錄介質(zhì)，其包括基底、記錄層、和反射層，其中該記錄層用包括選自BiFe03、Bi25Fe04o、和813^62057的一種或多種的濺射靶形成。圖l是示出在未記錄部分和記錄部分中O(氧)原子附近的徑向分布函數(shù)(radialdistributionfUnction)的圖。圖2是示出根據(jù)FEFF計算測量的Bi氧化物的O(氧)原子附近的徑向分布函數(shù)的圖。圖3是示出實施例B-26的測量結(jié)果的圖。圖4是示出濺射靶l(wèi)的X-射線衍射圖樣的圖。圖5是示出通過使用濺射靶1制造的光學(xué)記錄介質(zhì)的記錄性能的圖。圖6是示出濺射靶2的X-射線衍射圖樣的圖。圖7是示出通過使用濺射靶2制造的光學(xué)記錄介質(zhì)的記錄性能的圖。圖8是示出濺射靶3的X-射線衍射圖樣的圖。圖9是示出濺射靶4的X-射線衍射圖樣的圖。圖10是示出通過使用具有不同Bi/Fe比的濺射耙制造的光學(xué)記錄介質(zhì)的記錄性能的圖。圖1l是示出濺射靶5的X-射線衍射圖樣的圖。圖12是示出濺射靶7的X-射線衍射圖樣的圖。具體實施方式下文中，將詳細(xì)描述本發(fā)明。為了得到能夠在藍(lán)色-激光波長或更短的波長下進(jìn)行優(yōu)異記錄的一次寫入多次讀取光學(xué)記錄介質(zhì)，提出了下列(l)-(3)項作為重要的問題(1)可形成小的記錄標(biāo)記(2)在記錄標(biāo)記之間較少干涉(3)在記錄標(biāo)記中的高度穩(wěn)定性當(dāng)使用藍(lán)色-激光時，必須選擇在藍(lán)色-波長可以通過其優(yōu)異地進(jìn)行記錄的情形。因為Bi氧化物容易吸收在藍(lán)色-波長的光，可期望優(yōu)異的記錄。根據(jù)本發(fā)明的一次寫入多次讀取光學(xué)記錄介質(zhì)的第一方面包括基底、記錄層、和反射層，其中由BiOx(0〈x〈1.5)表示的材料用于記錄層，和其中記錄有信息的記錄標(biāo)記包括Bi晶體和/或Bi氧化物晶體。為了產(chǎn)生較高的調(diào)制振幅，要求在記錄標(biāo)記和未記錄部分之間的折射率差大。當(dāng)由BiOx((Xx〈1.5)表示的材料用于記錄層從而在記錄標(biāo)記中形成Bi晶體和/或Bi氧化物晶體時，折射率的變化變大，且可實現(xiàn)較高的調(diào)制振幅。例如，當(dāng)未記錄部分為無定形和記錄標(biāo)記包括結(jié)晶部分時，可獲得較高的調(diào)制振幅。當(dāng)未記錄部分包括Bi氧化物時，通過在記錄標(biāo)記中形成Bi-金屬單質(zhì)，而非氧化物的沉淀，折射率差大得更多，且可獲得高得更多的調(diào)制振幅。迄今為止已使用通過使無定形部分結(jié)晶形成記錄標(biāo)記的方法，然而，在本發(fā)明中，當(dāng)在氧化物中進(jìn)行記錄時，通過使用以下現(xiàn)象可期望更高的效果，其中記錄的部分變成除氧化物以外的物質(zhì)且該記錄的部分結(jié)晶。包括具有兩種或多種不同晶體-結(jié)構(gòu)的晶體的記錄標(biāo)記可抑制晶體生長和擴(kuò)展并且能夠形成小的記錄標(biāo)記，因為各自具有不同晶體結(jié)構(gòu)的混合晶體可抑制晶體生長。將進(jìn)一步描述由記錄引起的記錄層的改變。由BiOx((Xx〈I.5)表示的材料為難以在正常狀態(tài)下存在的亞穩(wěn)態(tài)，然而，這種狀態(tài)可通過濺射形成記錄層在光學(xué)記錄介質(zhì)中實現(xiàn)。當(dāng)激光束照射到在亞穩(wěn)態(tài)BiOx(0<x<1.5)下的記錄層以增加溫度時，容易分離成Bi和Bi氧化物，因為BiOx試圖回復(fù)到更穩(wěn)定狀態(tài)。此時在這一點上，據(jù)信一些Bi氧化物從氧中分離不再成為氧化物而成為Bi的狀態(tài)。因為更穩(wěn)定的狀態(tài)是晶體狀態(tài)，因此形成Bi晶體和Bi氧化物晶體，且從而記錄標(biāo)記變?yōu)槠渲邪˙i晶體和/或Bi氧化物晶體的狀態(tài)。根據(jù)本發(fā)明的一次寫入多次讀取光學(xué)記錄介質(zhì)的一方面包括基底、記錄層、和反射層，其中記錄層包括Bi、O、和M作為構(gòu)成元素，其中M表示選自Mg、Al、Cr、Mn、Co、Fe、Cu、Zn、Li、Si、Ge、Zr、Ti、Hf、Sn、Mo、V、Nb、Y、和Ta的至少一種元素，且其中記錄有信息的記錄標(biāo)記包括一種或多種晶體，該一種或多種晶體選自含在該記錄層中的一種或多種元素的晶體和該一種或多種元素的氧化物的晶體。一次寫入多次讀取光學(xué)記錄介質(zhì)的另一方面包括基底、記錄層、和反射層，其中該記錄層包括Bi、O、和L作為構(gòu)成元素，且該記錄層包括Bi氧化物，和L表示選自B、P、Ga、As、Se、Tc、Pd、Ag、Sb、Te、W、Re、Os、Ir、Pt、Au、Hg、Tl、Po、At、和Cd的至少一種元素?？梢匀魏我环N狀態(tài)包含敘，如金屬敘、鉍合金、鉍氧化物、鉍硫化物、鉍氮化物、鉍氟化物，然而，該記錄層優(yōu)選包括一種鉍氧化物。因為含有鉍氧化物的記錄層能夠降低記錄層的熱導(dǎo)率，獲得高-靈敏度和較低的抖動值(jittervalue),且使得折射復(fù)合指數(shù)(complexindex)的虛部更小，該記錄層具有優(yōu)異的透明度，且容易形成多層記錄層。優(yōu)選地，考慮到改善穩(wěn)定性和熱導(dǎo)率，鉍和選自Mg、Al、Cr、Mn、Co、Fe、Cu、Zn、Li、Si、Ge、Zr、Ti、Hf、Sn、Mo、V、Nb、Y、Ta、B、P、Ga、As、Se、Te、Pd、Ag、Sb、Te、W、Re、Os、Ir、Pt、Au、Hg、Tl、Po、At、和Cd的一種或多種元素在記錄層中以氧化狀態(tài)存在，然而，它們不必完全氧化。換言之，當(dāng)本發(fā)明記錄層包括鉍、氧、和一種元素(如Mg)的三種元素時，其可包括鉍、鉍氧化物、元素(如Mg)、和該元素(如Mg)的氧化物。用于制造混合在記錄層中的鉍或金屬鉍和Bi氧化物的方法，即用于形成其中鉍元素以不同狀態(tài)存在的記錄層的方法的實例，包括下列方法(A)-(C)。(A)使用鉍-氧化物靶濺射記錄層(B)使用鉍粑和鉍-氧化物靶濺射記錄層(C)使用鉍靶濺射記錄層同時引入氧到記錄層或共濺射法當(dāng)采用方法(A)時，在靶中的鉍完全氧化，該方法使用取決于濺射條件如真空度和濺射功率氧可能缺乏的現(xiàn)象。首先，下面描述其中該記錄層包括Bi、M和氧作為構(gòu)成元素的一次寫入多次讀取記錄介質(zhì)的一個方面。注意元素M表示選自Mg、Al、Cr、Mn、Co、Fe、Cu、Zn、Li、Si、Ge、Zr、Ti、Hf、Sn、Mo、V、Nb、Y、和Ta的至少一種元素。通過使用包括Bi、M、和氧的材料用于記錄層，可對于在藍(lán)色-波長下的光優(yōu)異地進(jìn)行記錄。在本發(fā)明的一次寫入多次讀取光學(xué)記錄介質(zhì)的一個方面，其中記錄層包括M,通過形成在其中混合兩種或多種類型的氧化物晶體狀態(tài)下的記錄標(biāo)記，在記錄標(biāo)記和未記錄部分之間的折射率差更大，且可獲得更高的調(diào)制振幅。進(jìn)一步，通過使不僅各自氧化物的晶體而且元素單質(zhì)的晶體存在于記錄層中，可獲得更大的效果。因為通過使不同元素的晶體或各自具有不同晶體結(jié)構(gòu)的晶體混合可抑制晶體的生長，包括兩種或多種不同元素和/或晶體-結(jié)構(gòu)的晶體的記錄標(biāo)記可限制晶體生長和擴(kuò)展而使得能夠形成'J、6勺"^己^才示i己。記錄標(biāo)記優(yōu)選包括四價的Bi。典型地，關(guān)于Bi的價態(tài)，三價Bi為最穩(wěn)定狀態(tài)，然而為獲得更高的調(diào)制振幅，使用四價的Bi。根據(jù)圍繞Bi原子的氧的條件可使得Bi的價態(tài)成為四價。因為通過改變Bi的價態(tài)改變物理性能，可獲得更高的調(diào)制振幅。四價的Bi化合物實例包括Bi02。典型地，具有結(jié)構(gòu)為Bi203的Bi-氧化物為穩(wěn)定狀態(tài)。然而，依賴于條件，Bi-氧化物可采取如Bi02的結(jié)構(gòu)。通過使記錄層具有不典型地使用的晶體結(jié)構(gòu)，可獲得更高的調(diào)制振幅。本發(fā)明的一次寫入多次讀取光學(xué)記錄介質(zhì)的還一方面現(xiàn)將描述如下。在該一次寫入多次讀取光學(xué)記錄介質(zhì)中，記錄層包括Bi、L、氧、和Bi氧化物作為構(gòu)成元素。注意元素L表示選自B、P、Ga、As、Se、Tc、Pd、Ag、Sb、Te、W、Re、Os、Ir、Pt、Au、Hg、Tl、Po、At、和Cd的至少一種元素。該記錄層包括鉍作為主要成分。作為將添加到包括Bi和O作為構(gòu)成元素的記錄層的元素，可指定元素M。然而，關(guān)于可添加到構(gòu)成元素的構(gòu)成元素的基礎(chǔ)性能的研究表明也可指定元素L。元素L能作為組成元素增添到包括鉍作為主要成分且包括Bi氧化物的記錄層的一個原因是為了降低熱導(dǎo)率以有利于形成小的記錄標(biāo)記。因為熱導(dǎo)率是可歸因于光子散射的存在的值，當(dāng)粒徑和晶體尺寸減小時、當(dāng)有多個構(gòu)成材料的原子時、和當(dāng)組成原子的原子量差大時等，熱導(dǎo)率可降低。因此，通過將元素L作為組成元素加入包括鉍作為主要成分且包括Bi氧化物的記錄層中，可控制熱導(dǎo)率和改善高密度記錄性能。進(jìn)一步，在包括鉍作為主要成分且進(jìn)一步包括鉍氧化物的記錄層中，鉍氧化物和鉍通過記錄信息而結(jié)晶，然而可通過元素L控制晶體和結(jié)晶顆粒的尺寸。因此，元素L能夠控制記錄部分中的晶體和結(jié)晶顆粒的尺寸和大大改善記錄和再現(xiàn)性能如抖動。這是向記錄層添加元素L作為組成元素的另一原因?？紤]到熱導(dǎo)率，可作為組成元素添加到記錄層中的元素L所要承擔(dān)的要求4艮少，除了簡單要求如原料的穩(wěn)定性和制造的困難程度外。然而，本發(fā)明的發(fā)明人發(fā)現(xiàn)記錄層的可靠性，即再現(xiàn)穩(wěn)定性和存儲穩(wěn)定性基本上取決于所選擇的元素L而變化，并且對于可靠性明確地存在由元素L承擔(dān)的要求。即，作為對將作為組成元素添加到記錄層的元素L的要求的大量檢測的結(jié)果，本發(fā)明的發(fā)明人發(fā)現(xiàn)下列要求(I)或(II)是有效的(I)具有鮑林電負(fù)性值(Pauling，selectronegativityvalue)為1，80或更大的元素。(II)具有鮑林電負(fù)性值為1.65或更大且氧化物的標(biāo)準(zhǔn)生成焓AHfG為-1000(kJ/mol)或更大的元素，不包括過渡金屬。通過使用滿足(I)或(II)的元素L，能夠獲得具有優(yōu)異的記錄和再現(xiàn)性能(如抖動)和高可靠性的一次寫入多次讀取光學(xué)記錄介質(zhì)。下文中，將詳細(xì)解釋要求(I)和(II)。包括鉍作為構(gòu)成元素的主要成分且包括鉍氧化物的記錄層的可靠性降級主要是由氧化的進(jìn)行、或氧化狀態(tài)的改變?nèi)鐑r態(tài)的改變等引起的。鮑林電負(fù)性值和氧化物的標(biāo)準(zhǔn)生成焓"AH,，作為元素L的物理性能的值是確實重要的，因為氧化的進(jìn)行和氧化狀態(tài)的改變易于引起可靠性的降級。為了充分提高光學(xué)記錄介質(zhì)的可靠性，首先，優(yōu)選選擇具有鮑林電負(fù)性值為1.80或更大的元素作為元素L。這是因為氧化不太可能在具有高的鮑林電負(fù)性值的元素上進(jìn)行，且為了確保滿意的可靠性，具有鮑林電負(fù)性值為1.80或更大的元素是有效的。氧化物的標(biāo)準(zhǔn)生成焓"AHfG，，可以取任何值，條件是鮑林電負(fù)性值為1.80或更大。具有電負(fù)性為1.80或更大的元素L的實例包括B、Si、P、Fe、Co、Ni、Cu、Ga、Ge、As、Se、Mo、Tc、Ru、Rh、Pd、Ag、Sn、Sb、Te、W、Re、Os、Ir、Pt、Au、Hg、Tl、Pb、Po、和At。此處，將簡述電負(fù)性。電負(fù)性是表示存在于分子中的原子可吸引電子的強(qiáng)弱的標(biāo)度。確定電負(fù)性值的方式包括鮑林電負(fù)性、馬利肯電負(fù)性(Mulliken，selectronegativity)、和Allred-Rochow電負(fù)性。本發(fā)明中，通過使用鮑林電負(fù)性確定元素L的適當(dāng)性。鮑林電負(fù)性定義了分子A和B的結(jié)合能E(AB)大于分子AA和分子BB[分別為E(AA)和E(BB)]的結(jié)合能的平均值，且其之間的差是在各個原子電負(fù)性(XA，Xs)之間的差的平方。即，其由下式表示<formula>formulaseeoriginaldocumentpage13</formula>在鮑林電負(fù)性中，該等式包括轉(zhuǎn)換系數(shù)96.48(leV-96.48kJmor1)，因為電負(fù)性值使用電子伏確定。因為電負(fù)性依賴于預(yù)定的元素以何種價態(tài)？1入分子而變化，當(dāng)在本發(fā)明中確定電負(fù)性時使用以下定義。即，如下所示，當(dāng)以下各族元素分別采用以下價態(tài)時該值定義為元素的鮑林電負(fù)性值l族中的元素采用單價；2族中的元素采用二價；3族中的元素采用三價；4族到10族中元素采用二價；ll族中的元素采用單價；12族中的元素采用二價；13族中的元素采用三價；14族中的元素采用四價；15族中的元素采用三價；16族中的元素采用二價；17族中的元素采用單價；18族中的元素采用零價。對于上述提及的各自具有電負(fù)性1.80或更大的元素，在本發(fā)明定義的各自的鮑林電負(fù)性值為B(2.04)、Si(1.90)、P(2.19)、Fe(1.83)、Co(1.88)、Ni(1.91)、Cu(1.90)、Ga(1.81)、Ge(2.01)、As(2.18)、Se(2.55)、Mo(2.16)、Tc(1.90)、Ru(2.20)、Rh(2.28)、Pd(2,20)、Ag(1.93)、Sn(1.96)、Sb(2.05)、Te(2.10)、W(2.36)、Re(l.卯)、Os(2,20)、Ir(2.20)、Pt(2.28)、Au(2.54)、Hg(2.00)、Tl(2.04)、Pb(2.33)、Po(2.00)、和At(2.20)。這些元素能以兩種或多種的組合作為構(gòu)成元素加入到記錄層。進(jìn)一步，本發(fā)明的發(fā)明人發(fā)現(xiàn)即使鮑林電負(fù)性值小于1.80，具有鮑林電負(fù)性值1.65或更大且該元素的氧化物的標(biāo)準(zhǔn)生成焓AHfG為-1000(kJ/mol)或更大的元素能夠確保滿意的可靠性。該要求有效的原因是因為當(dāng)元素具有大的氧化物標(biāo)準(zhǔn)生成焓AH^值時，即使鮑林電負(fù)性值在某種程度上小該元素也難以形成其氧化物。本發(fā)明中，當(dāng)確定鮑林電負(fù)性值時，用固定到每個族元素的各個價態(tài)來確定，且在當(dāng)確定標(biāo)準(zhǔn)生成焓AHfG時應(yīng)用相同的定義。即，當(dāng)氧化物用以下各族元素的各自價態(tài)構(gòu)成時該值定義為元素的標(biāo)準(zhǔn)生成焓AHfG。即，l族中的元素采用單價；2族中的元素采用二價；3族中的元素采用三價；4族到10族中元素采用二價；ll族中的元素采用單價；12族中的元素采用二價；13族中的元素采用三價；14族中的元素采用四價；15族中的元素采用三價；16族中的元素釆用二價；17族中的元素釆用單價；18族中的元素采用零價。然而，在過渡金屬的情形下，不可能容易地確定其氧化物的標(biāo)準(zhǔn)生成焓AHf因為其以各種價態(tài)形成氧化物。典型地，形成其氧化物的元素的價態(tài)越高，該氧化物的標(biāo)準(zhǔn)生成焓AH,越低。換言之，據(jù)認(rèn)為在過渡金屬的情況下，容易地形成其氧化物或多種氧化物，因為會形成具有各種價態(tài)的氧化物，且因此本發(fā)明中過渡金屬并不優(yōu)選用作元素L。例如，因為V(釩)采用二價，V(釩)氧化物的標(biāo)準(zhǔn)生成焓AHfG采用的值為VO的標(biāo)準(zhǔn)生成焓AHf^-431(kJmor1)，且其落入本發(fā)明中對元素L的要求(II)中。然而，V(釩)也容易形成氧化物如V2CM三價)、V204(四價)、V20s(五價)。這些氧化物的AH，值分別為V203(-l,218kJmor1)、V204(-l，424kJmor1)、V205(-l,550kJmor1),且這些值沒有落入本發(fā)明中對元素L的要求(II)中。即，假定V形成幾乎僅僅為二價的氧化物，V(釩)落入本發(fā)明的要求(I)和(II),然而V(釩)容易形成二價氧化物以外的氧化物，且該氧化物易于被氧化，即成為更穩(wěn)定的狀態(tài)。因此，這些氧化物被排除出本發(fā)明優(yōu)選的元素L。該排除的說明清楚地以"不包括過渡金屬，，描述在本發(fā)明中對元素L的要求中。此處，將簡述標(biāo)準(zhǔn)生成焓AHfO。典型地，化學(xué)反應(yīng)由以下化學(xué)等式(2)表示H2(氣)+(1/2)02(氣)=H20(液)….(2)化學(xué)等式左側(cè)稱作起始體系，其右側(cè)稱作產(chǎn)物。附在分子前的系數(shù)稱作化學(xué)計量系數(shù)。恒定溫度下與該體系的化學(xué)反應(yīng)相關(guān)的進(jìn)出的熱稱為反應(yīng)熱，在恒壓下的反應(yīng)熱稱為恒壓反應(yīng)熱。很多情形下，在典型的實驗室條件下，反應(yīng)熱在恒壓下測量，因此，典型地使用恒壓反應(yīng)熱。恒壓反應(yīng)熱等于在產(chǎn)物和起始體系之間的焓的差"AH"。表示為AH>O的反應(yīng)稱作吸熱反應(yīng)，表示為AH〈O的反應(yīng)稱作放熱反應(yīng)。由化合物的化學(xué)元素形成化合物的反應(yīng)產(chǎn)生的反應(yīng)熱的稱為生成熱或生成焓。在標(biāo)準(zhǔn)條件下從該化合物的化學(xué)元素形成一摩爾的化合物的反應(yīng)產(chǎn)生的反應(yīng)熱稱為標(biāo)準(zhǔn)生成焓。在標(biāo)準(zhǔn)條件下，標(biāo)準(zhǔn)生成焓標(biāo)記有指定的溫度(典型地為298K)，在0.1MPa或近似于l大氣壓的壓強(qiáng)下，且標(biāo)準(zhǔn)生成焓由符號AHfQ表示。在標(biāo)準(zhǔn)條件下，規(guī)定各個化學(xué)元素的焓為零。因此，可以說元素的氧化物的標(biāo)準(zhǔn)生成焓值越小或該標(biāo)準(zhǔn)生成焓的負(fù)值越大，該氧化物越穩(wěn)定和該元素容易被氧化。標(biāo)準(zhǔn)生成給具體的值記錄在，例如，在"ElectrochemistryHandbookVol.5"(Denki-kagakuBinran)中，其由TheElectrochemistrySocietyofJapan,Maruzen編輯)。因為標(biāo)準(zhǔn)生成焓AHfG依賴于預(yù)定的元素以何種價態(tài)引入分子以形成其氧化物而變化，當(dāng)本發(fā)明中確定的各個元素的氧化物的標(biāo)準(zhǔn)生成焓時，使用上述要求。具有鮑林電負(fù)性值1.65或更大且其氧化物標(biāo)準(zhǔn)生成焓Altf為-l，000(kJ/mol")或更大的元素的實例包括Zn、Cd、和In。對于根據(jù)本發(fā)明定義的鮑林電負(fù)性值，這些元素分別確定為如下Zn(1.65)、Cd(1.69)、和ln(1.78)。對于根據(jù)本發(fā)明定義的標(biāo)準(zhǔn)生成焓AHf0，它們分別確定為如下Zn(畫348kJm。r1)、Cd(陽258kJmol陽1)、和In(-925kJm。r1)。元素L的總量對鉍的原子數(shù)量比優(yōu)選為1.25或更小。因為本發(fā)明的記錄層基于這樣的假定其包括鉍作為記錄層的主要成分且還包括Bi氧化物，當(dāng)元素L的總量對鉍的原子數(shù)目比大于L25時，無法獲得固有的記錄和再現(xiàn)性能。進(jìn)一步，考慮到改善記錄層的存儲穩(wěn)定性，優(yōu)選向記錄層中加入B、P、Ga、Se、Pd、Ag、Sb、Te、W、Pt、和Au作為元素L。存儲穩(wěn)定性的改善很可能由以下事實導(dǎo)致通過加強(qiáng)在原子之間的結(jié)合力難以打破一次形成的晶體結(jié)構(gòu)或當(dāng)不同尺寸的原子并肩(side-by-side)存在時，因為較小尺寸的原子可存在于較大尺寸原子的晶格中而使晶體結(jié)構(gòu)穩(wěn)定。特別地，元素如B和Pd結(jié)合到氧，且當(dāng)Bi和O共存時有效地穩(wěn)定無定形結(jié)構(gòu)?？梢虼朔€(wěn)定晶體的結(jié)構(gòu)，這導(dǎo)致該一次寫入多次讀取記錄介質(zhì)的存儲穩(wěn)定性的改善。在本發(fā)明的一次寫入多次讀取光學(xué)記錄介質(zhì)中，優(yōu)選通過使用波長為680nm或更小的激光束進(jìn)行信息的記錄和再現(xiàn)。不同于染料，本發(fā)明的記錄層在寬波長范圍下具有適當(dāng)?shù)奈障禂?shù)且具有高的折射率，因此可用在680nm或更小的紅激光波長下的激光束進(jìn)行記錄和再現(xiàn)以及獲得優(yōu)異的記錄和再現(xiàn)性能和高可靠性。其中，最優(yōu)選的優(yōu)勢是用波長450nm或更小的激光束進(jìn)行記錄和再現(xiàn)。這是因為具有鉍作為主要成分且具有Bi氧化物的記錄層的復(fù)合折射率特別地適合于與波長450nm或更小的激光束使用的一次寫入多次讀取光學(xué)記錄介質(zhì)。根據(jù)本發(fā)明的一次寫入多次讀取光學(xué)記錄介質(zhì)優(yōu)選具有以下構(gòu)造，然而它們不特別地限制于該構(gòu)造。(A)基底、記錄層、上部涂層、和反射層(B)基底、內(nèi)涂層、記錄層、上部涂層、和反射層(C)基底、反射層、上部涂層、記錄層、和覆蓋層(D)基底、反射層、上部涂層、記錄層、內(nèi)涂層、和覆蓋層.進(jìn)一步，基于上述構(gòu)造，可以多層結(jié)構(gòu)形成層的結(jié)構(gòu)。例如，當(dāng)基于構(gòu)造(A)以雙層形成時，可具有如下構(gòu)造基底、記錄層、上部涂層、反射層或半透明層、粘合劑層、記錄層、上部涂層、反射層、和基底。對于內(nèi)涂層和上部涂層，可使用以下氧化物和非氧化物氧化物的實例包括簡單氧化物如B205、Sm203、Ce203、A1203、MgO、BeO、Zr02、U02、和Th02;硅酸鹽如Si02、2MgO*Si02、MgOSi02、CaOSi03、Zr02Si02、3Al203'2Si02、2MgO2Al203'5Si02、Li2OAl203'4Si02;雙(double)氧化物如Al2TiOs、MgAl204、Ca10(P04)6(OH)2、BaTi03、LiNb03、PZT[Pb(Zr,Ti)03]、PLZT[(Pb，La)(Zr，Ti)03]，和鐵酸鹽。非氧化物實例包括氮化物如Si;iN4、A1N、BN、和TiN;碳化物如SiC、B4C、TiC、和WC;硼化物如LaB。TiB2、和ZrB2;硫化物如ZnS、CdS、和MoS2;硅化物如MoSi2;和碳如無定形碳、石墨、和金剛石。有機(jī)材料如染料和樹脂也可用于內(nèi)涂層和上部涂層。染料實例包括多次曱基(polymethine)染料、萘菁(naphthalocyanine)染料、酞菁染料、方酸(squarylium)染料、chroconium染料、吡喃錯染料、萘醌染料、蒽醌(陰丹士林)染料、氧雜蒽染料、三苯基曱烷染料、奧染料、四氫膽堿(tetrahydrocholine)染料、菲染料、三吩噻嗪染料、偶氮染料、曱臘染料、和這些化合物的金屬配合物。樹脂的實例包括聚乙烯醇、聚乙烯吡咯烷酮、硝酸纖維素、醋酸纖維素、酮樹脂、丙烯酸類樹脂、聚苯乙烯樹脂、聚氨酯樹脂、聚乙烯醇縮丁醛、聚碳酸酯、和聚烯烴。各種這些樹脂可單獨使用或兩種或多種組合使用。包括有機(jī)材料的層可通過典型使用的氣相沉積、濺射、CVD(即化學(xué)氣相沉積)、溶劑涂布等方式形成。當(dāng)使用涂布方法時，上述有機(jī)材料等溶解在有機(jī)溶劑中且該溶劑通過通常使用的涂布方法如噴霧、輥涂、浸涂、和旋涂進(jìn)行涂布。待使用的典型的有機(jī)溶劑實例包括醇如曱醇、乙醇、和異丙醇；酮如丙酮、曱乙酮、和環(huán)己酮；酰胺如N，N-二甲基乙酰胺、和N，N-二曱基曱酰胺；亞砜如二曱亞砜；醚類如四氫呋喃、二^惡烷、乙醚、和乙二醇單曱醚；酯如醋酸曱酯、和醋酸乙酯；脂肪族卣代烴如氯仿、二氯曱烷、二氯乙烷、四氯化碳和三氯乙烷；芳香族類如苯、二曱苯、單氯苯、和二氯苯；溶纖劑如曱氧基乙醇、和乙氧基乙醇；和烴類如己烷、戊烷、環(huán)己烷和曱基環(huán)己烷。關(guān)于反射層，使用對激光束具有高反射性的光反射材料。光反射材料的實例包括金屬如A1、Al-Ti、Al-In、Al-Nb、Au、Ag、和Cu，半金屬，及其合金。這些材料各自可以單獨使用或兩種或多種組合使用。當(dāng)反射層用合金形成時，可通過使用合金作為靶材料和通過濺射制備反射層。此外，反射層還可由靶上尖端(tip-on-target)法(例如，Cu尖端置于Ag耙材料上形成反射層)、和通過共濺射(例如，使用Ag靶和Cu靶)形成。還可交替堆疊低折射率層和高-折射率層并形成多層結(jié)構(gòu)來將其用作反射層。例如，可通過'減射、離子鍍、化學(xué)氣相沉積、和真空沉積形成反射層。該反射層優(yōu)選具有厚度5nm-300nm。用于基底的材料沒有特別限定，只要它們具有優(yōu)異的熱和機(jī)械性能，且當(dāng)記錄和再現(xiàn)從基底側(cè)和通過基底進(jìn)行時，它們還具有優(yōu)異的光透射性能。具體地，其實例包括聚碳酸酯、聚曱基丙烯酸曱酯、無定形聚烯烴、醋酸纖維素、聚對苯二曱酸乙二醇酯，其中優(yōu)選聚碳酸酯和無定形聚烯烴。基底的厚度取決于應(yīng)用而變化且不特別限定。用于形成于反射層、光學(xué)透明層等之上的保護(hù)層的材料沒有具體限制，只要該材料可保護(hù)反射層、光學(xué)透明層等不受外力即可。有機(jī)材料的實例包括熱塑性樹脂、熱固性樹脂、電子束固化樹脂、和紫外線固化樹脂。無機(jī)材料實例包括Si02、Si3N4、MgF2、和Sn02。在反射層和/或光學(xué)透明層等上，可使用熱塑性樹脂和/或熱固性樹脂形成保護(hù)層。首先，熱塑性樹脂和/或熱固性樹脂溶解在合適的溶劑中制備涂布溶液。接著，該涂布溶液涂布到反射層和/或光學(xué)透明層上并干燥由此形成保護(hù)層。使用紫外線固化樹脂的保護(hù)層可通過直接涂布紫外線固化樹脂到反射層和/或光學(xué)透明層上或?qū)⒆贤饩€固化樹脂溶于合適的溶劑中以制備涂布溶液并將該涂布溶液涂布到反射層和/或^學(xué)透明層上，接著對涂布溶液照射紫外線以使其硬化而形成。對于紫外線固化樹脂，可使用例如，丙烯酸酯樹脂如聚氨酯丙烯酸酯、環(huán)氧丙烯酸酯、和聚酯丙烯酸酯。這些材料各自可單獨使用或兩種或多種組合使用，且可不僅以單層而且以多層結(jié)構(gòu)形成。對于形成保護(hù)層的方法，使用涂布方法如旋涂和鑄模(casting)、濺射、化學(xué)氣相沉積等，其中優(yōu)選旋涂。本發(fā)明中保護(hù)層厚度典型地為0.1pm-10(Vm,然而優(yōu)選3^m-30pm。進(jìn)一步，基底可布置在反射層或光學(xué)透明層表面上。反射層和光學(xué)透明層可布置成相互面對。在布置反射層和光學(xué)透明層相互面對后，可層壓兩片光學(xué)記錄介質(zhì)。此外，紫外線固化樹脂層、無機(jī)樹脂層等可形成在基底的鏡面?zhèn)纫员Ｗo(hù)表面和/或防止灰塵附著其上。當(dāng)具有高數(shù)值孔徑的透鏡用于較高記錄密度時，應(yīng)該形成光學(xué)透明層或覆蓋層。隨著數(shù)值孔徑增加，再現(xiàn)光通過的部分必須具有降低的厚度。這是因為當(dāng)介質(zhì)表面的垂直方向偏離光學(xué)拾波器的光軸時可發(fā)生象差(aberration),該偏移角即所謂的傾角隨著數(shù)值孔徑增加而降低。該傾角與光源波長的倒數(shù)乘以物鏡數(shù)值孔徑的乘積的平方成比例且對于由基底厚度？I起的象差敏感。為了減小由基底厚度引起的象差，減小基底厚度。為此，提出一些光學(xué)記錄介質(zhì)，例如，其中基底、形成在基底上具有凹凸部或不規(guī)則的記錄層、反射層、和光學(xué)透明層或作為透光層的覆蓋層以此順序以層狀結(jié)構(gòu)布置的光學(xué)記錄介質(zhì)，其中該再現(xiàn)光從光學(xué)透明層照射以再現(xiàn)記錄層中的信息。另一實施例為其中反射層、記錄層、和光學(xué)透明層或具有光透明性的覆蓋層以此順序布置在基底上的光學(xué)記錄介質(zhì)，其中再現(xiàn)光從光學(xué)透明層照射以再現(xiàn)記錄層中的信息。這些光學(xué)記錄介質(zhì)可允許通過減小光學(xué)透明層的厚度使用具有高的數(shù)值孔徑的物鏡。即，通過在具有薄光學(xué)透明層的介質(zhì)上記錄和/或再現(xiàn)信息，可進(jìn)行較高密度的記錄，其中再現(xiàn)光從光學(xué)透明層上照射。覆蓋層可典型地包括聚碳酸酯片材或紫外線固化樹脂。此處使用的覆蓋層可包括粘合劑層以粘合覆蓋層到相鄰的層。下文中，將詳細(xì)公開適合用于本發(fā)明的具有包括Bi、Fe、和氧的記錄層的光學(xué)記錄介質(zhì)的濺射靶，及其制造方法。根據(jù)本發(fā)明的濺射靶包括Bi、Fe、和0。該濺射靶合適地用于形成光學(xué)記錄介質(zhì)的記錄層，其用在550nm或更小的波長下的激光束進(jìn)行記錄和再現(xiàn)。檢測消光系數(shù)k(其為光學(xué)常數(shù)之一且為表示光吸收程度的系數(shù))與光波長之間的關(guān)系。當(dāng)k值為零時，它表示沒有光的吸收，且隨著k值增加，光吸收增加。^使用本發(fā)明的包括Bi、Fe、和O的濺射靶形成的記錄層在600nm或更大的波長下具有接近于零的吸收光，和約為零的k值，因此，難以記錄信息。然而，在小于550nm的波長下k值突然變大和能夠優(yōu)異地記錄。特別地，在400nm的波長附近，光吸收基本上變得更大，作為光學(xué)記錄介質(zhì)的記錄層展現(xiàn)出相當(dāng)優(yōu)異的性能。本發(fā)明的濺射靶優(yōu)選地包括Bi氧化物和Fe氧化物或Bi和Fe的復(fù)合氧化物。該濺射靶可包括Bi和Fe的復(fù)合氧化物且進(jìn)一步包括選自Bi氧化物和Fe氧化物的一種或多種?？捎羞@樣的情況其中取決于組成，Bi氧化物或Fe氧化物保持在濺射靶中而不使Bi和Fe的復(fù)合物處于良好平衡的狀態(tài)。濺射靶的一方面包括Bi氧化物和Fe氧化物，或者賊射靶的另一方面包括Bi和Fe的復(fù)合氧化物，或在'戚射靶的還一方面包括Bi和Fe的復(fù)合氧化物且進(jìn)一步包括選自Bi氧化物和Fe氧化物的一種或多種。在上述任何方面，使用以上所述'減射靶制造的光學(xué)記錄介質(zhì)展現(xiàn)優(yōu)異的性能。特別地，通過包括Bi氧化物作為記錄層的組分，制造的記錄層可包括Bi氧化物。因為記錄標(biāo)記可通過沉淀Bi金屬優(yōu)異地記錄，使用包括Bi氧化物的濺射靶是顯著有效的。本發(fā)明的濺射靶優(yōu)選地包括選自Bi氧化物、Fe氧化物、和Bi和Fe的復(fù)合氧化物的一種或多種，且該氧化物優(yōu)選具有與化學(xué)計量組成相比較少量氧的氧化物。作為Bi氧化物、Fe氧化物、或Bi和Fe的復(fù)合氧化物且具有與化學(xué)計量組成相比較少量氧的氧化物的實例包括BiOx(x<1.5)、FeOx(x<1.5)、BiFeOx(x<3)、Bi25FeOx(x<40)、:fpBi36Fe20x(x<57)。通過減少氧的量而提高金屬性能，通過使用直流電源(DC電源)實現(xiàn)濺射。DC濺射的優(yōu)勢在于RF賊射的設(shè)備更加小型化。當(dāng)通過DC濺射形成層時，層中氧的量可通過外部引入氧來控制。通過采用DC濺射，易于控制記錄性能。在Bi金屬和Fe203混合后煅燒具有與化學(xué)計量組成相比較少量氧的濺射耙。也可通過如控制溫度而減少存在于靶中氧的量的方法制造具有少量氧的靶。本發(fā)明的濺射把優(yōu)選地包括選自BiFe03、Bi25Fe04o、和Bi36Fe20"的一種或多種作為主要成分。如上述，使用包括Bi、Fe、和氧的記錄層的光學(xué)記錄介質(zhì)展現(xiàn)優(yōu)異的記錄性能。已經(jīng)有含有Bi、Fe、和氧用于^茲光記錄且具有石榴石結(jié)構(gòu)的濺射靶，然而，考慮到用于形成石榴石結(jié)構(gòu)的組成，所述的濺射乾不包括本發(fā)明中使用的化合物作為主要成分。迄今還沒有使用包括Bi、Fe、和氧三種元素的濺射把，因為不可能僅用這三種元素形成石榴石結(jié)構(gòu)。此外，本發(fā)明不涉及磁光記錄介質(zhì)，且本發(fā)明涉及用于形成主要包括Bi、Fe、和氧的層(其在下文中稱作BiFeO層)的濺射靶，該層用于不使用磁的光學(xué)記錄介質(zhì)，特別地用于能高密度記錄的一次寫入多次讀取光學(xué)記錄介質(zhì)。該濺射靶優(yōu)選由三種元素Bi、Fe、和氧組成。在該情形下，濺射靶可包括除這三種元素外的雜質(zhì)元素，然而，優(yōu)選不包括會削弱層性能的微量元素。本發(fā)明的濺射靶通過混合和煅燒原料氧化物的粉末制造?？墒褂肂i氧化物的煅燒粉末和Fe氧化物粉末制造濺射靶。也可通過制備主要包括Bi、Fe、和氧三種元素的化合物粉末且接著煅燒該粉末制造濺射靶。作為煅燒方法，可使用壓-熱煅燒方法如熱壓、熱均衡加壓或HIP。對于煅燒溫度，優(yōu)選更高的溫度來增強(qiáng)濺射靶強(qiáng)度，然而，在包括Bi、Fe、和氧三種元素的化合物的情形下，在約800。C或更高的溫度下發(fā)生相分離和/或熔化，且難以均勾地煅燒。那么，必須控制該煅燒溫度使其不大于約750。C。特別地，其中使用包括選自BiFe03、Bi25FeO40、和813662057的一種或多種作為主要成分的濺射靶形成BiFeO層作為記錄層的光學(xué)記錄介質(zhì)展現(xiàn)優(yōu)異的性能。BiFe03、Bi25Fe04o、和Bi36Fe20"的存在可通過X射線衍射的方式檢查。對于輻射源，使用Cu以X射線衍射儀的2e角為5。-60。來測量。術(shù)語主要成分是指在化合物中含有最高含量或最高質(zhì)量％。典型地，作為X射線衍射分析的結(jié)果展現(xiàn)最高衍射峰的材料可確定為主要成分，然而，該含量可以不與衍射峰標(biāo)度成比例。濺射靶包括選自BiFe03、Bi25Fe04()、和813662057的兩種或多種元素作為主要成分的情形是指這些兩種或多種化合物的各自含量相同和這些兩種或多種化合物含量高于其它的組分的含量。'減射把優(yōu)選包括Bi203和/或Fe203。具有使用包括這些化合物的濺射靶形成BiFeO層作為記錄層的光學(xué)記錄介質(zhì)展現(xiàn)優(yōu)異的性能。Bi203和/或Fe203的存在可通過X射線衍射的方式檢測。對于輻射源，使用Cu在2e角為5。-60。下測量。在用于確定BiFe03、Bi25Fe04o、Bi36Fe2057、和Bb03、和Fe203的組成的x射線衍射分析中，當(dāng)期望待檢測到衍射峰的2e角定義為ei時，實際上在ei士l度范圍內(nèi)具有衍射峰的物質(zhì)確定為包括在上述化合物中。在x射線衍射分析中，晶格常數(shù)變化，和在取決于原因如測量溫度、層的內(nèi)應(yīng)力、測量的x射線波長誤差、和組成偏移的出現(xiàn)衍射峰的角度處發(fā)生偏差。對于公知的物質(zhì)，在什么角度檢測到衍射峰可通過使用ASTM(AmericanSocietyforTestingandMaterial)卡和JCPDS檢索知道。當(dāng)分析樣品以鑒定組分時，廣泛使用ASTM卡和JCPDS卡的圖表。術(shù)語JCPDS代表JointCommitteeonPowderDiffractionStandards,且其為由名為InternationalCenterforDiffractionData的組織提供的X-射線衍射圖樣的圖，并且存儲了許多標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)衍射圖樣的圖表用于檢索。具有未知組分的樣品的X-射線衍射圖樣圖與標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)的圖表比較，并且確定X-射線衍射圖樣圖與何種標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)對應(yīng)或緊密相關(guān)。通過這種比較，鑒定樣品物質(zhì)。使用JCPDS卡圖的鑒定方法是在世界上廣泛使用的方法，如X-rayDiffractionAnalysisRules、和日本工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)(JIS)中X-rayDiffractionAnalysisRules的描述以及在由TokyoInstituteofTechnology編輯的X-rayDiffractionAnalysisCeramicsBasicStructure3中所示出的。在測量中，檢查具有未知組分物質(zhì)的X-射線衍射圖樣與何種標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)的圖對應(yīng)或緊密相關(guān)，然后確定該物質(zhì)。ni=2dsin9在上述等式中，n表示正整數(shù)，x表示波長，d表示晶面的距離，和e表示掠射角或入射角的補(bǔ)角。因為適用Bragg法則，衍射峰還出現(xiàn)在26的較高角側(cè)n表示的整數(shù)倍的位置上。通過在分析基于2e的衍射峰的同時分析由整數(shù)倍表示的峰位置能夠鑒定物質(zhì)。如上述，在X射線衍射分析中，晶格常數(shù)變化，和在由于測量溫度、層的內(nèi)應(yīng)力、測量的X射線波長誤差、和組成偏移等出現(xiàn)衍射峰的角度處發(fā)生偏差，因此，當(dāng)物質(zhì)具有的峰在已知物質(zhì)衍射峰出現(xiàn)的角附近時，可確定該物質(zhì)對應(yīng)于具有該衍射峰的已知物質(zhì)。對于衍射峰偏差，例如，研究81603標(biāo)準(zhǔn)圖(參考碼20-0169)找到的20=22.491度的峰。分別觀測以相同方式和在相同條件下制造的四個濺射靶的測量結(jié)果。BiFe03的標(biāo)準(zhǔn)數(shù)據(jù)的26度數(shù)為22.491。。另一方面，這些靶分別示出了輕微的偏差為22.380。、22.500°、22.420。、和22.420°。當(dāng)重復(fù)測量時，研究顯示約土l度的偏差在測量的誤差范圍內(nèi)。因此，即使觀察到在士l度衍射峰的角度內(nèi)的偏差，也可確定為已知峰。例如，當(dāng)物質(zhì)具有從22.491。士l度偏差的峰時，可確定為本發(fā)明中描述的BiFe03包括在該物質(zhì)中。包括Bi、Fe、和0且具有在22.380^2e^22.500處的衍射峰的濺射靶在記錄性能上特別地有效。類似地，根據(jù)Bi36Fe20"的標(biāo)準(zhǔn)數(shù)據(jù)，813^62057具有峰20=27.681度。測量上述四個耙，發(fā)現(xiàn)它們的峰在27.65。、27.64。、27.76°、和27.67。。根據(jù)Bi2sFe04o的標(biāo)準(zhǔn)數(shù)據(jù)，其峰在20=27.683度。測量這四個靶，發(fā)現(xiàn)它們的峰分別在27.66。、27.64°、27.76。、和27.68°。因為在重復(fù)測量中引起約士l度的偏差，認(rèn)為在任何這些物質(zhì)的2e中士i度偏差落入測量誤差范圍內(nèi)。優(yōu)選地，濺射耙不進(jìn)一步包括Bi2Fe409。隨著Bi含量增加，Bi2Fe409的含量傾向于降低。可通過X射線衍射方式檢測Bi2Fe409的存在。對于輻射源，使用Cu以X射線衍射儀的20角為5°-60°測量。發(fā)現(xiàn)使用其中通過X射線衍射方式識別有Bi2Fe409存在的濺射靶形成BiFeO層用于記錄層的光學(xué)記錄介質(zhì)沒有滿意地展現(xiàn)記錄性能且不適合高密度記錄。濺射靶優(yōu)選具有的Co、Ca和Cr含量小于檢測限。當(dāng)使用包括雜質(zhì)的濺射靶時，形成的層也包括雜質(zhì)元素。在光學(xué)記錄中，通過吸收照射到記錄層上的激光束來增加記錄層溫度并引起物理或化學(xué)變化進(jìn)行記錄。術(shù)語物理或化學(xué)變化是指變化如結(jié)晶等。因為在結(jié)晶時結(jié)晶溫度的變化和晶體尺寸不同，不優(yōu)選使用含有雜質(zhì)的用于記錄層的層。對于雜質(zhì)的檢測，通過感應(yīng)耦合等離子體發(fā)射光譜測定法的方式定量地分析組成。當(dāng)分析少量元素時，該分析是合適的，且即使當(dāng)使用該分析時，賊射把優(yōu)選具有Co、Ca和Cr含量小于該檢測限。濺射靶優(yōu)選具有填充密度為65%-96%。濺射靶填充密度越高，靶強(qiáng)度越高且因為其高密度的元素形成層的時間趨于縮短，同時，在靶和形成的層之間的組成差異傾向于增加?？捎羞@樣的情況其中通過減少靶密度靶的組成可與層的組成相近，然而，密度減少的輩巴不僅導(dǎo)致延遲的層形成速度的問題，還導(dǎo)致當(dāng)形成層時靶本身脆性而破碎的問題。此處，術(shù)語填充密度表示通過將實際制造的靶重量與當(dāng)靶重量由指定物質(zhì)以100%支配時計算的靶重量比較獲得的作為密度的值。表l示出了靶的填充密度、在形成層期間或形成后的靶狀態(tài)、和當(dāng)使用直徑76.2mm和厚度4mm的Bi,()Fe50x靶時其中形成有層的記錄介質(zhì)的記錄性能。當(dāng)填充密度為50%或更小時，即使在煅燒后也不能形成作為濺射靶的靶。填充密度為61%,能夠形成靶，然而，其在施加100W的電功率后易于立即破碎。填充密度為98%，該密度太高且該靶很硬以致于易于破碎。填充密度65%-96%,靶能夠毫無問題地形成，且展現(xiàn)優(yōu)異的記錄性能。即使是填充密度為61%和98%，通過在形成層時確保沒有發(fā)生靶碎裂的條件下形成層獲得優(yōu)異的記錄性能。從上述結(jié)果可見，濺射靶的填充密度優(yōu)選65%-96%。表l<table>tableseeoriginaldocumentpage24</column></row><table>賊射靶優(yōu)選具有的Bi對Fe的原子比滿足關(guān)系Bi/Fe20.8。具有使用該耙形成的BiFeO-層的光學(xué)記錄介質(zhì)展現(xiàn)優(yōu)異的性能且特別適于高-密度記錄。在理論上，基于假定使用包括Bi25Fe04o作為主要成分的濺射靶，Bi/Fe比率的上限為25,然而，事實上，其為15左右。本發(fā)明濺射耙制造方法涉及通過煅燒Bi203和Fe203粉末制造本發(fā)明的BiFeO靶的方法。Bb03以Bi的氧化物天然地存在，F(xiàn)e203以Fe的氧化物存在。通過千法或濕法粉碎這些粉末且接著分級為均勻的顆粒直徑。然后，將該粉末混合、加熱、和擠壓以成形接著在保持溫度為750。C下在大氣中煅燒。通過重復(fù)進(jìn)行再粉碎煅燒的靶以及通過加熱和擠壓成形的方法能改善該賊射靶的強(qiáng)度。通過金屬焊接或樹脂粘合的方式，將上述煅燒的靶結(jié)合到由無氧銅制成的背襯板上可獲得濺射靶。本發(fā)明還提出包括使用本發(fā)明濺射靶形成的BiFeO層的光學(xué)記錄介質(zhì)。該光學(xué)記錄介質(zhì)中，在包括聚碳酸酯等的樹脂基底上形成必要的層?？稍跇渲咨闲纬砂疾酆桶伎觼砜刂茝桔E(tracking)等。通過施加射頻功率同時在真空中引入氬氣形成BiFeO-層。此外，用于改善性能的金屬層和保護(hù)層可布置作為反射層。上述段落中集中在光學(xué)記錄介質(zhì)上描述了本發(fā)明的濺射靶，本發(fā)明的濺射靶的應(yīng)用不限于光學(xué)記錄介質(zhì)且可用于其它目的，只要該層的性能滿足要求。例如，濺射靶能用于形成由磁性材料制成的薄層、用于形成制造光控制用絕緣體的薄層、和用于形成光開關(guān)用薄層。對于形成該濺射靶的粗略生產(chǎn)線，可采取如下程序步驟對原料稱重、通過干法球磨混合、熱壓、成形、和粘合。還可使用的是采取如下的程序步驟原料稱重、通過干法球磨混合、噴霧干燥、熱壓、成形、和粘合。根據(jù)本發(fā)明，可提供一次寫入多次讀取記錄介質(zhì)，其能在較高程度的調(diào)制振幅下穩(wěn)定地記錄小的記錄標(biāo)記。使用迄今為止還沒有發(fā)現(xiàn)的另外元素，可提供具有優(yōu)異的記錄和再現(xiàn)性能和可靠性的一次寫入多次讀取光學(xué)記錄介質(zhì)。進(jìn)一步，本發(fā)明可提供濺射靶，其適用于任意形成的具有穩(wěn)定組成和結(jié)構(gòu)的層，提供其制造方法，和還可提供使用該靶的高-密度光學(xué)記錄介質(zhì)。下文中，參考具體實施例將基于光學(xué)記錄介質(zhì)和一次寫入多次讀取光學(xué)記錄介質(zhì)詳細(xì)描述本發(fā)明，該光學(xué)記錄介質(zhì)包括其中使用由BiOx((Xx〈1.5)表示的本發(fā)明材料的記錄層和該一次寫入多次讀取光學(xué)記錄介質(zhì)包括Bi、M和氧作為記錄層構(gòu)成元素，然而，本發(fā)明并不限于公開的實施例。實施例A-1在其上形成有凹槽深度為21nm的導(dǎo)槽(guidegroove)的聚碳酸S旨-基底上，通過濺射形成具有由BiOx(0<x<1.5)表示的組成和厚度10nm的層以獲得本發(fā)明的一次寫入多次讀取光學(xué)記錄介質(zhì)。在射頻功率為100W和Ar氣流速率為40sccm下，使用具有Bi203組成且直徑為76.2mm的濺射靶形成該層。在以下條件下在405nm波長下使用由PULSTECINDUSTRIALCO.,LTD.制造的透鏡數(shù)值孔徑為0.65的光盤評價系統(tǒng)DDU-1000對該光學(xué)記錄介質(zhì)進(jìn)行記錄。調(diào)制模式l-7調(diào)制記錄線密度最短標(biāo)記長度(2T)-0.231pm記錄線速度6.0m/s波形均衡正態(tài)(normal)均衡器結(jié)果，在記錄功率為5.2mW下在連續(xù)記錄部分中獲得9.9。/。的優(yōu)異抖動(jitter)值，和實現(xiàn)了調(diào)制振幅為55。/。的優(yōu)異的二進(jìn)制(binary)記錄性能。實施例A-2在其上形成有凹槽深度為21nm的導(dǎo)槽的聚碳酸酯-基底上，通過濺射具有Fe和O且厚度10nm的層以獲得本發(fā)明的一次寫入多次讀取光學(xué)記錄介質(zhì)。在射頻功率為100W和Ar氣流速率為40sccm下，使用具有Bi，oFesOx組成且直徑為76.2mm的濺射靶形成該層。該靶通過弁i燒比率為2:1的81203和？6203混合物制備。理論上其應(yīng)為BiH)Fes022.5,然而，因為在煅燒方法中泄漏的氧，氧的量不能精確測量，并因此將氧表示為Ox。在以下條件下在405nm波長下使用由PULSTECINDUSTRIALCO.,LTD.制造的透鏡數(shù)值孔徑為0.65的光盤評價系統(tǒng)DDU-1000對該光學(xué)記錄介質(zhì)進(jìn)行記錄。調(diào)制模式l-7調(diào)制記錄線密度最短標(biāo)記長度(2T)-0.231pm記錄線速度6.0m/s波形均^":正態(tài)均衡器結(jié)果，在記錄功率為5.8mW下在連續(xù)記錄部分中獲得8.9。/。的優(yōu)異抖動值，和實現(xiàn)了調(diào)制振幅為52%的優(yōu)異的二進(jìn)制記錄性能。實施例A-3使用在實施例A-1中制造和用于記錄的一次寫入多次讀取光學(xué)記錄介質(zhì)進(jìn)行反射EELS測量。改進(jìn)由Perkin-Elmer制造的掃描俄歇(Auger)電子能譜儀PHI4300用于測量。EELS代表電子能量損失能譜法(ElectronEnergyLossSpectroscopy),且是其中電子照射到樣品上以測量通過與樣品外表面相互作用而散射的電子的能量分布光鐠學(xué)體系。當(dāng)一定能量的初級電子激發(fā)待測原子的內(nèi)殼層時，釋放一定能量的電子，導(dǎo)致初級電子的散射。該過程中，通過與鄰近原子的相互作用損失了一些能量。因此，通過檢查電子散射的方式，可獲得如鄰近原子的徑向分布函數(shù)的信息?；谕ㄟ^EELS測量獲得的EELS能語，測量氧原子附近的徑向分布函數(shù)。徑向分布函數(shù)表示在原子附近電子存在的幾率且能夠計算和推測原子的價態(tài)和結(jié)構(gòu)。在基于光電子多次散射理論的分析軟件包中，廣泛使用由WashingtonUniversity出版的FEFF軟件。通過^f吏用這種分析軟件和將計算值相對實際測量值參照，可推測價態(tài)數(shù)和結(jié)構(gòu)。圖l示出了通過上述方法測量的徑向分布函數(shù)的值。圖2示出了使用FEFF計算的徑向分布函數(shù)。該圖示出的徑向分布函數(shù)分別為采用Bi的Bi-三價的情形；Bi-三價然而采用的結(jié)構(gòu)為I3-Bi203的情形；和Bi-四價的Bi02的情形。比較這些徑向分布函數(shù)，突出地示出了在記錄部分中6埃附近的峰1011和1012。當(dāng)比較該兩個圖時，峰1011和1012相互匹配。這證明了Bi02，即四價Bi的Bi02存在于記錄部分中。具有該記錄標(biāo)記的一次寫入多次讀取光學(xué)記錄介質(zhì)能夠進(jìn)行具有較高調(diào)制振幅的優(yōu)異的記錄且實現(xiàn)高-密度記錄。下文中，參照實施例和比較例，將基于使用本發(fā)明中使用的元素L作為另外元素的一次寫入多次讀取光學(xué)記錄介質(zhì)進(jìn)一步詳細(xì)描述本發(fā)明，然而，本發(fā)明不限于這些公開的實施例。(實施例B-1到B-18)通過采用如下結(jié)構(gòu)制造一次寫入多次讀取光學(xué)記錄介質(zhì)其中聚烯烴-基底(由NIPPONZEONCO.,LTD.制造的ZEONOR);包括鉍作為構(gòu)成記錄層元素的主要成分和Bi氧化物的記錄層；絕熱層；和反射層以層狀結(jié)構(gòu)形成，且使用以下材料分別用于這些層。使用原料制造濺射靶，該原料中Bi203和在表2中示出的元素的氧化物以比率2:l到5:l混合，接著使用該濺射靶形成記錄層以致具有厚度為約7nm。表2顯示了添加到各個記錄層的各元素L的得到的各自鮑林電負(fù)性值，和元素L的氧化物的標(biāo)準(zhǔn)生成焓值A(chǔ)HfG，然而，這些值基于本發(fā)明的定義。當(dāng)鮑林電負(fù)性值為1.80或更大時，元素L的氧化物的標(biāo)準(zhǔn)生成焓值A(chǔ)HfG不重要，且因此表2的一些元素沒有它們的AH值。如上述，本發(fā)明中，以固定到各元素族的各價態(tài)獲得元素L的鮑林電負(fù)性值和氧化物生成的標(biāo)準(zhǔn)焓值?；诒景l(fā)明定義的各個元素的各自的價態(tài)也在表2中寫出。在表2中，術(shù)語類型A表示落入本發(fā)明定義(I)的元素L，術(shù)語類型B表示落入本發(fā)明定義(II)的元素L。材料ZnS-Si02以比率85:15(摩爾％)用于絕熱層且形成的厚度為15nm。對于反射層，使用Ag合金且形成厚度為100nm。聚烯烴基底的道間距為0.437pm且厚度為0.6mm。在以下條件下在405nm波長下使用由PULSTECINDUSTRIALCO,,LTD.制造的透鏡數(shù)值孔徑為0.65的光盤評價系統(tǒng)DDU-1000對這些光學(xué)記錄介質(zhì)進(jìn)行記錄。結(jié)果，獲得極其優(yōu)異的記錄和再現(xiàn)性能，即在表2示出的抖動值。<記錄和再現(xiàn)條件>調(diào)制模式1-7調(diào)制記錄線密度最短標(biāo)記長度(2T)=0.204pm記錄線速度6.6m/s波形均衡受限(limit)均纟軒器再現(xiàn)功率0.5mW然后，這些一次寫入多次讀取光學(xué)記錄介質(zhì)放置在溫度80。C和相對濕度85%的條件下100小時以測量抖動值的變化量。該抖動值的變化量計算如下(存儲測試后的抖動值)-(初始抖動值)表2示出了該結(jié)果。從表2中清楚看到，用于本發(fā)明的元素L的滿足定義(I)的元素分別展示了優(yōu)異的初始抖動值和遭受存儲測試的小程度的抖動值惡化。還展示了只要滿足定義(I)，氧化物的標(biāo)準(zhǔn)生成焓"AHfG"可取任意值。而且，用于本發(fā)明的元素L滿足定義(II)的元素分別展示了優(yōu)異的初始抖動值和遭受存儲測試的小程度的抖動值惡化。表2<table>tableseeoriginaldocumentpage29</column></row><table>上述實施例中，用于記錄和再現(xiàn)的波長設(shè)定在405nm，然而，對于波長660nm的激光束通過從15nm到120nm調(diào)節(jié)絕熱層厚度，以抖動值為9%或更d、優(yōu)異地進(jìn)行記錄。在測試中，基底的道間距為0.74pm，且記錄和再現(xiàn)條件基于DVD+R的那些條件。在與上述實施例相同的存儲測試中獲得的增加的抖動值量給出基本上類似于在表2中示出的那些的結(jié)果。(比較例B-1)按照在實施例B-1中相同的方式制造一次寫入多次讀取光學(xué)記錄介質(zhì)，只要主要成分為鉍，和使用通過用金屬鉍耙濺射形成的記錄層代替含有Bi氧化物的記錄層。接著評價光學(xué)記錄介質(zhì)。通過X射線光電子能譜法的分析顯示沒有在記錄層中檢測到鉍氧化物，除了在基底和記錄層之間的界面中和在記錄層和ZnS-Si02之間的界面中。因此，證明了比較例B-l中制造的記錄層不包括Bi氧化物。作為記錄和再現(xiàn)性能的測量結(jié)果，該初始抖動值超過15%，且其在存儲測試后不能測量抖動。從該結(jié)果中，確認(rèn)了不僅包括鉍作為主要成分而且包括Bi氧化物的記錄層的重要性。(實施例B-19)在其上形成有凹槽深度為50nm和道間距為0.40^im的導(dǎo)槽的聚碳酸酯基底上，厚度為65nm的ZnS-Si02層即內(nèi)涂層和厚度為15nm的BiPdO層即記錄層以此順序通過賊射以層狀結(jié)構(gòu)布置。Bi對Pd的原子數(shù)目比，或Bi:Pd為約3:l。然后，在該記錄層上，通過旋涂形成包括由以下化學(xué)式l表示的顏料或染料的有機(jī)材料層即上部涂層以具有平均厚度為約30nm。在該有機(jī)材料層上，通過濺射配置包括Ag厚度為150nm的反射層，和接著通過旋涂在反射層上進(jìn)一步配置由紫外固化樹脂制成的厚度為5iim的保護(hù)層以由此獲得本發(fā)明的一次寫入多次讀取記錄介質(zhì)。由化學(xué)式1表示的顏料或染料典型地用于通常的DVD士R的材料，且該材料分別在藍(lán)色-激光波長下具有小的吸收。在與HD和DVD-R相一致的記錄和再現(xiàn)條件下對該光學(xué)記錄介質(zhì)進(jìn)行記錄以在405nm波長使用由PULSTECINDUSTRIALCO.，LTD.制造的數(shù)值孔徑為0.65的光盤評價系統(tǒng)DDU-10對其評價。該光學(xué)記錄介質(zhì)的測量產(chǎn)生在記錄功率5.8mW下優(yōu)異的值PRSNR22，并實現(xiàn)了優(yōu)異的記錄和再現(xiàn)性能。(實施例B-20)在其上形成有凹槽深度為20nm和道間距為0.32jmi的導(dǎo)槽的聚碳酸酯基底上，厚度為100nm的由Ag制成的反射層、厚度為16nm的ZnS-Si02層即上部涂層和厚度為7nm的BiPdO層或者記錄層以此順序通過濺射以層狀結(jié)構(gòu)布置。Bi對Pd的原子數(shù)目比，或Bi:Pd為約3:1。然后，由樹脂制成的厚度為O,lmm的覆蓋層層壓在記錄層上以獲得本發(fā)明的一次寫入多次讀取記錄介質(zhì)。在按照BD-R的記錄和再現(xiàn)條件下對該光學(xué)記錄介質(zhì)進(jìn)行記錄和再現(xiàn)以在405nm波長下使用由PULSTECINDUSTRIALCO.,LTD.制造的具有數(shù)值孔徑為0.85的光盤評價系統(tǒng)對其評價。該光學(xué)記錄介質(zhì)的測量產(chǎn)生在記錄功率7.0mW下的優(yōu)異的抖動值6.0。/0，和實現(xiàn)了優(yōu)異的記錄和再現(xiàn)性能。(實施例B-21)按照與實施例B-19相同的方式制造一次寫入多次讀取光學(xué)記錄介質(zhì)，條件是BiBO層用于記錄層。接著評價該一次寫入多次讀取光學(xué)記錄介質(zhì)，Bi對B的原子數(shù)目比，或者Bi:B為約2:1。該光學(xué)記錄介質(zhì)的測量產(chǎn)生在記錄功率5.6mW下優(yōu)異的值PRSNR23，和例證了可用該光學(xué)記錄介質(zhì)實現(xiàn)優(yōu)異的記錄和再現(xiàn)性能。(實施例B-22)按照與實施例B-20相同的方式制造一次寫入多次讀取光學(xué)記錄介質(zhì)，條件是BiBO層用于記錄層。接著評價該一次寫入多次讀取許多光學(xué)記錄介質(zhì)。Bi對B的原子數(shù)目比，或者Bi:B為約2:1。該光學(xué)記錄介質(zhì)的測量產(chǎn)生在記錄功率6.7mW下的優(yōu)異的抖動值5.9。/c),和實現(xiàn)了優(yōu)異的記錄和再現(xiàn)性能。(實施例B-23)在其上形成有凹槽深度為50nm和道間距為0.32pm的導(dǎo)槽的聚碳酸酯基底上，通過濺射形成厚度為100nm的由Ag制成的反射層，通過旋涂形成包括由化學(xué)式l表示的顏料或染料的有機(jī)材料層即上部涂層以具有平均厚度為約30nm,接著厚度為15nm的BiB0層即記錄層、和ZnS-Si02層即內(nèi)涂層以此順序通過'減射以層狀結(jié)構(gòu)布置。Bi對B的原子數(shù)目比，或Bi:B為約2:1。然后，將由透明樹脂制成的厚度為100nm的覆蓋層層壓在記錄層上，由此獲得本發(fā)明的一次寫入多次讀取的記錄介質(zhì)。在按照BD-R的記錄和再現(xiàn)條件下對該光學(xué)記錄介質(zhì)進(jìn)行記錄和再現(xiàn)以在405nm波長下使用由PULSTECINDUSTRIALCO.，LTD.制造的具有數(shù)值孔徑為0.85的光盤評價系統(tǒng)對其評價。該光學(xué)記錄介質(zhì)的測量產(chǎn)生在記錄功率4.8mW下的優(yōu)異的抖動值6.50/0，和實現(xiàn)了優(yōu)異的記錄和再現(xiàn)性能。(實施例B-24)在其上形成有凹槽深度為40nm和道間距為0.74^im的導(dǎo)槽的聚碳酸酯基底上，厚度為15nm的BiBO層即記錄層和厚度為40nm的ZnS-SiO2層即上部涂層以此順序通過賊射以層狀結(jié)構(gòu)布置。Bi對B的原子數(shù)目比，或者Bi:B為約2:1。然后，在記錄層上，布置由Ag制成的厚度為100nm的反射層和由紫外線固化樹脂制成的厚度為約5pm的保護(hù)層，由此獲得本發(fā)明的一次寫入多次讀取的記錄介質(zhì)。在按照DVD+R的記錄和再現(xiàn)條件下對該光學(xué)記錄介質(zhì)進(jìn)行記錄和再現(xiàn)以在660nm波長下使用由PULSTECINDUSTRIALCO.，LTD.制造的具有數(shù)值孔徑為0.65的光盤評價系統(tǒng)DDU-1OOO對其評價。該光學(xué)記錄介質(zhì)的測量產(chǎn)生在記錄功率12.0mW下的抖動值7.2%,和實現(xiàn)了優(yōu)異的記錄和再現(xiàn)性能。(實施例B-25)按照與實施例B-24相同的方式制造一次寫入多次讀取光學(xué)記錄介質(zhì)，條件是Sb添加到記錄層的材料中。接著評價一次寫入多次讀取光學(xué)記錄介質(zhì)，Bi對Sb的原子數(shù)目比，或者Bi:Sb為約4:1。該光學(xué)記錄介質(zhì)的測量產(chǎn)生在記錄功率10.0mW下的抖動值7.6。/。，和實現(xiàn)了優(yōu)異的記錄和再現(xiàn)性能。(實施例B-26)在其上形成有凹槽深度為20nm和道間距為0.437jmi的導(dǎo)槽的聚碳酸酯基底上，將具有厚度為5nm的BiPdO層即記錄層和具有厚度為15nm的ZnS-Si02層即上部涂層以此順序通過濺射以層狀結(jié)構(gòu)布置。在ZnS-Si02層上，通過濺射設(shè)置具有厚度為100nm的含有Ag的反射層，且通過旋涂進(jìn)一步設(shè)置具有厚度為約5pm的含有紫外線固化樹脂的保護(hù)層，由此獲得本發(fā)明的一次寫入多次讀取光學(xué)記錄介質(zhì)。在實施例B-26中，在記錄層中改變Pd總量對Bi的原子數(shù)目比，以評價抖動值。記錄和再現(xiàn)條件與實施例B-1到B18中相同.如圖3所示的光學(xué)記錄介質(zhì)的測量，例證了在Pd總量相對于Bi的原子數(shù)目比為1.25或更小的范圍內(nèi)可獲得優(yōu)異的抖動值。在圖3中，該值1.25由虛線似的趨勢。然后，將參照實施例和比較例具體描述本發(fā)明涉及的濺射靶，然而，本發(fā)明并不限于公開的實例。實施例C-1混合Bi203和Fe203粉末以得到Bi對Fe的原子比為6:5，接著在球磨機(jī)中通過干法混合l小時。通過在100MPa-200MPa下壓制形成混合粉末，接著在750。C下在大氣中煅燒5小時以獲得濺射靶。靶的直徑為152.4cp和厚度為4mm，該靶通過金屬焊接結(jié)合到由無氧銅制成的背襯板上獲得濺射靶l(wèi)。該濺射靶的填充密度為75%。測量'減射耙的X-射線衍射圖樣。測量條件如表3所示。圖4表示測量結(jié)果。為了確定測量中獲得的衍射峰位置，針對已知物質(zhì)的衍射峰位置搜索和檢測該衍射峰位置。在圖4頂部標(biāo)記有(a)的圖表示靶l(wèi)的衍射圖樣。標(biāo)記有(b)的圖表示基于已知數(shù)據(jù)的BiFe03衍射峰的位置。在X射線衍射分析中，物質(zhì)的衍射線位置和強(qiáng)度的數(shù)據(jù)已經(jīng)匯集在來自于過去測量的X射線衍射數(shù)據(jù)源的數(shù)據(jù)庫中。因此，測量的物質(zhì)可通過比較測量衍射結(jié)果與以前的數(shù)據(jù)來鑒定。作為在比較標(biāo)記有(b)的BiFe03數(shù)據(jù)與標(biāo)記有(a)的測量數(shù)據(jù)后搜索的結(jié)果，發(fā)現(xiàn)帶有標(biāo)記"°"的衍射峰為BiFeCb的衍射峰。類似地，標(biāo)記有(c)的圖為Fe203的已知彰:據(jù)，和標(biāo)記有(d)的圖為Bi203的已知萄:據(jù)。類似地，鑒定Bi203和Fe203的衍射峰。最大峰為對應(yīng)于BiFe203的衍射峰，這表明該化合物為主要組分。進(jìn)一步，對濺射靶進(jìn)行ICP分析，即感應(yīng)耦合等離子體發(fā)射光射靶溶解在王水中作為樣品，接著用超純水稀釋用于分析。對于該溶液，分別分析元素Co、Ca、和Cr。分析結(jié)果為各個元素的含量小于檢測限。表3<table>tableseeoriginaldocumentpage34</column></row><table>實施例C-2使用實施例C-1中制備的濺射靶來制造光學(xué)記錄介質(zhì)。在其上形成有凹槽深度為50nm和道間距為0.44pm的導(dǎo)槽的聚碳酸酯基底上，通過濺射形成具有厚度為15nm的BiFeO層，在BiFeO層上通過旋涂形成含有由化學(xué)式l表示的顏料或染料的有機(jī)材料層以具有平均厚度為約30nm，將由Ag制備的厚度為150nm的反射層通過濺射布置在該有機(jī)材料層上，且將由紫外線固化樹脂制成的厚度為約5pm的保護(hù)層通過旋涂進(jìn)一步布置在反射層上，由此獲得本發(fā)明的一次寫入多次讀取記錄介質(zhì)。由化學(xué)式l表示的顏料或染料典型地用于通常的DVD士R材料，且這種材料分別在藍(lán)色-激光波長中具有小的吸收。Ma化學(xué)式l在以下條件下在405nm波長下使用由PULSTECINDUSTRIALCO.,LTD.制造的具有數(shù)值孔徑為0.65的光盤評價系統(tǒng)DDU-1000對該光學(xué)記錄介質(zhì)進(jìn)行二進(jìn)制記錄。<記錄條件〉調(diào)制才莫式8-16調(diào)制記錄線密度IT=0.0917pm最短標(biāo)記長度(3T)=0.275(im記錄線速度6.0m/s波形均衡正態(tài)均衡器結(jié)果，如圖5所示，在記錄功率6.1mW下獲得優(yōu)異的抖動值10.2。/。，且實現(xiàn)了優(yōu)異的記錄和再現(xiàn)性能。實施例C-3按照實施例C-1相同的方式制備濺射靶2，條件是混合Bi203和Fe203粉末使得Bi對Fe原子比為35:5。該濺射靶的填充密度為67%。測量該濺射靶的X-射線衍射圖樣。測量條件如表3所示，圖6表示測量的結(jié)果。為確定在測量中獲得的衍射峰位置，將衍射峰位置與已知物質(zhì)對照。如圖6所示，衍射圖樣的大部分(如果不是全部)峰與Bi2sFe04o的峰相匹配。當(dāng)然，最高峰為Bi25Fe04o的峰，這證明該化合物為主要成分。實施例C-4使用在實施例C-3中制備的濺射靶制造光學(xué)記錄介質(zhì)。在其上形成有凹槽深度50nm和道間距0.44(im的導(dǎo)槽的聚碳酸酯基底上，厚度為50nm的ZnS-SiO2層和厚度15nm的BiFeO層通過濺射以此順序以層狀結(jié)構(gòu)布置，含有由以下化學(xué)式l表示的顏料或染料的有機(jī)材料層通過旋涂形成在BiFeO層上以使得平均厚度為約30nm，厚度為150nm的包括Ag的反射層通過賊射布置在該有機(jī)材料層上，接著進(jìn)一步通過旋涂將厚度約5pm的由紫外線固化樹脂制成的保護(hù)層布置在反射層上，由此獲得一次寫入多次讀取記錄介質(zhì)。由化學(xué)式l表示的顏料或染料典型地用于通常DVDiR的材料，且該材料分別具有在藍(lán)色-激光波長中小的吸收。在以下條件下在波長405nm下使用由PULSTECINDUSTRIALCO.，LTD.制造的數(shù)值孔徑為0.65的光盤評價系統(tǒng)DDU-1000對該光學(xué)記錄介質(zhì)進(jìn)行二進(jìn)制記錄。<記錄條件>調(diào)制4莫式8-16調(diào)制記錄線密度lT=0.0917|am最短標(biāo)記長度(3T)=0.275pm記錄線速度6.0m/s波形均衡正態(tài)均衡器結(jié)果，如圖7所示，在記錄功率7.0mW下獲得優(yōu)異的抖動值8.6。/。，且實現(xiàn)優(yōu)異的記錄性育b。即使在當(dāng)記錄功率超出最佳記錄功率時，也能實現(xiàn)具有高的調(diào)制振幅和寬范圍記錄功率余量(margin)的一次寫入多次讀取光學(xué)記錄介質(zhì)，而記錄部分的信號水平或RF水平的再現(xiàn)沒有大的改變。實施例C-5以與實施例C-1相同的方式制備濺射靶3，條件是混合Bi203和Fe203粉末使得Bi對Fe的原子比為l:5。該靶的填充密度為67%。測量該濺射靶的X-射線衍射圖樣。測量條件如表3中所示。圖8示出了測量結(jié)果。為確定在測量中獲得的衍射峰位置，該衍射峰位置已經(jīng)相對已知物質(zhì)的衍射峰進(jìn)行了搜索和檢查。結(jié)果，發(fā)現(xiàn)濺射靶具有相應(yīng)于Bi2Fe409、Bi203、和Fe203的衍射峰，然而，該濺射耙的其他衍射峰不與已知物質(zhì)的那些峰匹配。最大峰為對應(yīng)于Fe203的峰，這顯示出該化合物為主要成分。實施例C-6使用在實施例C-5中制備的濺射靶制造光學(xué)記錄介質(zhì)。在其上形成有凹槽深度50nm和道間距0.44^m的導(dǎo)槽的聚碳酸酯基底上，通過濺射以此順序以層狀結(jié)構(gòu)布置厚度為50nm的ZnS-SiO2層和厚度10nm的BiFeO層，通過旋涂在BiFeO層上形成含有由化學(xué)式l表示的顏料或染料的有機(jī)材料層以使得平均厚度為約30nm，通過濺射在該有機(jī)材料層上布置厚度為150nm的由Ag制成的反射層，接著通過旋涂進(jìn)一步在反射層上布置厚度約5pm的包括紫外線固化樹脂的保護(hù)層，由此獲得一次寫入多次讀取記錄介質(zhì)。由化學(xué)式1表示的顏料或染料典型地用于通常DVD土R的材料，且該材料分別具有在藍(lán)色-激光波長中小的吸收。在以下條件下在波長405nm下使用由PULSTECINDUSTRIALCO.，LTD.制造的數(shù)值孔徑為0.65的光盤評價系統(tǒng)DDU-1000對該光學(xué)記錄介質(zhì)進(jìn)行二進(jìn)制記錄。<記錄條件>調(diào)制模式8-16調(diào)制記錄線密度lT=0.0917pm最短標(biāo)記長度(3T)=0.275pm記錄線速度6.0m/s波形均衡正態(tài)均衡器該記錄產(chǎn)生在記錄功率為8.1mW下降級的抖動值22.60/0。進(jìn)一步，BiFeO層的厚度分別改變?yōu)?5nm和20nm,然而，產(chǎn)生的抖動值進(jìn)一步惡化，且無法測量。實施例C-7以與實施例C-1相同的方式獲得濺射靶4，條件是混合Bi203和Fe203粉末使得Bi對Fe的原子比為4:5。濺射靶4的填充密度為77%。測量該濺射靶的X-射線衍射圖樣。測量條件如表3中所示。圖9示出了測量結(jié)果。測量中獲得的衍射圖樣示出于圖9中(a)處。將該濺射靶的衍射峰位置與已知物質(zhì)(b)BiFe03和(c)Bi2Fe409的衍射峰對照。檢索結(jié)果顯示該濺射靶僅具有對應(yīng)于BiFe03和Bi2Fe409的衍射峰。最大峰為對應(yīng)于BiFe203的峰，這顯示出該化合物為主要成分。實施例C-8使用在實施例C-7中制備的濺射靶制造光學(xué)記錄介質(zhì)。在其上形成有凹槽深度50nm和道間距0.44pm的導(dǎo)槽的聚碳酸酯基底上，厚度為50nm的ZnS-SiO2層和厚度10nm的BiFeO層通過濺射以此順序以層狀結(jié)構(gòu)布置，含有由化學(xué)式l表示的顏料或染料的有機(jī)材料層通過旋涂形成在BiFeO層上以使得平均厚度為約30nm，厚度為150nm的由Ag制成的反射層通過濺射布置在該有機(jī)材料層上，接著厚度約5nm的由紫外線固化樹脂制成的保護(hù)層進(jìn)一步通過旋涂布置在反射層上，由此獲得一次寫入多次讀取記錄介質(zhì)。由化學(xué)式1表示的顏料或染料典型地用于通常DVD士R的材料，且該材料分別具有在藍(lán)色-激光波長中小的吸收。在以下條件下在波長405nm下使用由PULSTECINDUSTRIALCO.,LTD.制造的具有數(shù)值孔徑為0.65的光盤評價系統(tǒng)DDU-1000對該光學(xué)記錄介質(zhì)進(jìn)行二進(jìn)制記錄。最短標(biāo)記長度設(shè)定在0.205jim以檢測高密度記錄的能力。<記錄條件>調(diào)制模式1-7調(diào)制記錄線密度最短標(biāo)記長度(2T)-0.205pm記錄線速度6.0m/s波形均衡正態(tài)均衡器圖10示出了結(jié)果。實施例C-9使用與實施例C-7相同的方式制備的濺射靶，以與實施例C-8相同的方式制造光學(xué)記錄介質(zhì)，條件為改變Bi對Fe的原子比來制備該濺射靶。在如該實施例的相同的記錄條件下測量該光學(xué)記錄。圖10示出了測量結(jié)果。如圖10所示，使用具有由Bi/Fe20.8表示的原子比的濺射靶，即圖10中具有原子比為Bi/(Bi+Fe)^4/9的濺射靶的光學(xué)記錄介質(zhì)，顯示抖動值為約14%，且證明即使在高密度記錄下也能獲得優(yōu)異的抖動值。即使使用具有由Bi/(Bi+Fe)23/8表示的原子比的濺射靶的光學(xué)記錄介質(zhì)，也實質(zhì)上改善了抖動值，和其原來是有效的。實施例C-IO以與實施例C-1與相同的方式制備濺射靶5，條件是混合Bi203和Fe203粉末使得Bi對Fe的原子比為10:5。該靶的填充密度為85%。測量該濺射耙的X-射線衍射圖樣。測量條件如表3中所示。圖ll示出了測量結(jié)果。為確定在測量中獲得的衍射圖樣(a)的衍射峰位置，將該衍射峰位置與已知物質(zhì)(b)-(e)的衍射峰位置對照。結(jié)果，有對應(yīng)于Bi2sFe04。、BiFe03、Bi203、和Fe203的衍射峰，然而，該濺射靶的其它衍射峰不與其它物質(zhì)的衍射峰匹配。最大峰為對應(yīng)于Bi25Fe04。的峰，這表明這是主要成分。對賊射耙進(jìn)行ICP分析，即感應(yīng)耦合等離子體原子發(fā)射光鐠測定法。將部分濺射靶溶解在王水中作為樣品，接著用超純水稀釋用于分析。對該溶液分別分析元素Co、Ca、和Cr。分析結(jié)果為各個元素的含量小于檢測限。此外，以與上述相同的方式制備濺射靶6，其中作為雜質(zhì)已經(jīng)檢測出0.003質(zhì)量。/o的Al和0.001質(zhì)量。/。的Co。實施例C-ll分別使用在實施例C-10中制備的濺射靶5和6制造光學(xué)記錄介質(zhì)。在其上形成有凹槽深度50nm和道間距0.44^mi的導(dǎo)槽的聚碳酸酯基底上，厚度為50nm的ZnS-SiO2層和厚度15nm的BiFeO層通過濺射以此順序以層狀結(jié)構(gòu)布置，含有由化學(xué)式l表示的顏料或染料的有機(jī)材料層通過旋涂形成在BiFeO層上以使得平均厚度為約30nm，厚度為150nm的由Ag制成的反射層通過濺射布置在該有機(jī)-材料層上，接著厚度約5pm的由紫外線固化樹脂制成的保護(hù)層進(jìn)一步通過旋涂布置在反射層上，由此獲得一次寫入多次讀取記錄介質(zhì)。由化學(xué)式1表示的顏料或染料典型地用于通常DVD土R的材料，且該材料分別具有在藍(lán)色-激光波長中小的吸收。在以下條件下在波長405nm下使用由PULSTECINDUSTRIALCO.，LTD.制造的具有數(shù)值孔徑為0.65的光盤評價系統(tǒng)DDU-1000對該光學(xué)記錄介質(zhì)進(jìn)行二進(jìn)制記錄。<記錄條件>調(diào)制模式8-16調(diào)制記錄線密度IT-0.0917pm最短標(biāo)記長度3T=0.275pm記錄線速度6.0m/s波形均纟釺正態(tài)均衡器結(jié)果，獲得優(yōu)異抖動值。具體地，使用靶5的光學(xué)記錄介質(zhì)在記錄功率為5.0mW下具有抖動值8.4。/。，使用靶6的光學(xué)記錄介質(zhì)在記錄功率5.0mW下具有抖動值8.2%，和該光學(xué)記錄介質(zhì)兩者都取得了優(yōu)異的記錄性能。即使在當(dāng)記錄功率超出最佳記錄功率時，也能實現(xiàn)具有高的調(diào)制振幅和寬范圍記錄功率余量的一次寫入多次讀取光學(xué)記錄介質(zhì)，而記錄部分的信號水平或RF水平的再現(xiàn)沒有大的改變。實施例C-12以與實施例C-1與相同的方式獲得濺射靶7，條件是混合Bi203和Fe203粉末使得Bi對Fe的原子比為10:5。該濺射靶的填充密度為71%。測量該賊射靶的X-射線衍射圖樣。測量條件如表3中所示。圖12示出了測量結(jié)果。為確定在測量中獲得的衍射峰位置，該衍射峰位置與已知物質(zhì)的那些峰對照。標(biāo)記為(a)的圖表示靶7的衍射圖樣，和標(biāo)記有(b)的圖表示Bi36Fe20s7的已知數(shù)據(jù)的衍射圖樣。標(biāo)記有(c)的圖示出BiFe03的已知數(shù)據(jù)，和標(biāo)記有(d)的圖示出Fe203的已知數(shù)據(jù)。最大峰為對應(yīng)于Bi36Fe20s7的峰，且這表明該化合物為主要成分。實施例C-13使用在實施例C-12中制備的濺射靶制造光學(xué)記錄介質(zhì)。在其上形成有凹槽深度2lnm和道間距0.44pm的導(dǎo)槽的聚碳酸酯基底上，厚度為5nm的BiFeO層、厚度14nm的ZnS-Si02層、和厚度為100nm的由Ag制成的反射層通過濺射以此順序以層狀結(jié)果布置。在濺射靶上，通過旋涂布置厚度約5pm的由紫外線固化樹脂制成的保護(hù)層以獲得一次寫入多次讀取記錄介質(zhì)。在以下條件下在波長405nm下使用由PULSTECINDUSTRIALCO.,LTD.制造的具有數(shù)值孔徑為0.65的光盤評價系統(tǒng)DDU-1000對該光學(xué)記錄介質(zhì)進(jìn)行二進(jìn)制記錄。<記錄條件>調(diào)制模式8-16調(diào)制記錄線密度lT=0.0917|am最短標(biāo)記長度3T=0.275pmi己錄纟戔速度6.0m/s波形均ff:正態(tài)均;斷器結(jié)果，在記錄功率10.1mW下獲得優(yōu)異的抖動值6.2。/。，且通過該一次寫入多次讀取光學(xué)記錄介質(zhì)實現(xiàn)優(yōu)異的記錄性能。實施例C-14以與實施例C-1相同的方式獲得濺射靶8，條件是混合Bi203和Fe粉末使得Bi對Fe的原子比為35:5。該濺射靶的填充密度為69%。測量賊射靶的X-射線衍射圖樣，觀察到非常小的Bi和Fe峰，且表明對應(yīng)于Bi25FeO40的化合物或?qū)?yīng)于Bi36Fe2O57的化合物為主要成分。實施例C-15使用在實施例C-14中制備的濺射靶制造光學(xué)記錄介質(zhì)。在其上形成有凹槽深度50nm和道間距0.44pm的導(dǎo)槽的聚碳酸酯基底上，厚度為20nm的ZnS-SiO2層和厚度13nm的BiFeO層通過濺射以此順序以層狀結(jié)構(gòu)布置。以同時在相對于Ar流速為2。/。下引入氧形成該BiFeO層。在該BiFeO層上，形成厚度為20nm的ZnS-SiO2層，和通過濺射在ZnS-Si02層上形成厚度為100nm的Al-合金反射層，和通過旋涂在Al-合金反射層上進(jìn)一步布置厚度約5pm的由紫外線固化樹脂制成的保護(hù)層以獲得一次寫入多次讀取光學(xué)記錄介質(zhì)。在以下條件下在波長405nm下使用由PULSTECINDUSTRIALCO.,LTD.制造的具有數(shù)值孔徑為0.65的光盤評價系統(tǒng)DDU-1000對該光學(xué)記錄介質(zhì)進(jìn)4亍二進(jìn)制記錄。<記錄條件>調(diào)制才莫式8-16調(diào)制記錄線密度lT=0.0917pm最短標(biāo)記長度3T^0.275jim記錄線速度6.0m/s波形均衡正態(tài)均衡器結(jié)果，在記錄功率為9.0mW下獲得優(yōu)異的抖動值7.6。/。，且由該一次寫入多次讀取光學(xué)記錄介質(zhì)實現(xiàn)優(yōu)異的記錄性能。即使在當(dāng)記錄功率超出最佳記錄功率時，也能獲得高的調(diào)制振幅和較寬記錄功率余量的一次寫入多次讀取光學(xué)記錄介質(zhì)，而信號水平或RF水平的再現(xiàn)沒有大的改變。實施例C-16對于Bi,oFe50x的賊射靶，以相同的方式制造其四個靶。測量這些'減射輩巴的X-射線衍射圖樣。表4示出作為測量結(jié)果檢測的這些BhoFe50x耙的衍射峰表4<table>tableseeoriginaldocumentpage42</column></row><table>權(quán)利要求1.一種濺射靶，其包括Bi、Fe、和O。2.根據(jù)權(quán)利要求l的濺射靶，其中該濺射靶由Bi、Fe、和O組成。3.根據(jù)權(quán)利要求l的濺射靶，其中該濺射靶用于形成用于光學(xué)記錄介質(zhì)的記錄層，其中記錄和再現(xiàn)用波長在550nm或更小的激光束進(jìn)行。4.根據(jù)權(quán)利要求l的濺射靶，其中該濺射靶包括Bi氧化物和Fe氧化物，或包括Bi和Fe的復(fù)合氧化物。5.根據(jù)權(quán)利要求4的濺射靶，其中該濺射靶包括Bi和Fe的復(fù)合氧化物且進(jìn)一步包括選自Bi氧化物和Fe氧化物的一種或多種。6.根據(jù)權(quán)利要求l的'減射靶，其中該濺射靶包括選自Bi氧化物、Fe氧化物、和Bi和Fe的復(fù)合氧化物的一種或多種，且該氧化物為具有與化學(xué)計量組成相比較小量的氧的氧化物。7.根據(jù)權(quán)利要求l的濺射靶，其中該濺射靶包括選自BiFe03、Bi25FeO40、和Bi36Fe20s7的一種或多種。8.根據(jù)權(quán)利要求l的濺射靶，其中該濺射靶包括Bi203和/或Fe203。9.根據(jù)權(quán)利要求l的濺射靶，其中該濺射靶不包括Bi2Fe409。10.根據(jù)權(quán)利要求l的濺射靶，其中Co、Ca、和Cr的含量小于感應(yīng)耦合等離子體發(fā)射光語測定法的檢測限。11.根據(jù)權(quán)利要求l的濺射靶，其中該濺射靶具有的填充密度為65%-96%。12.根據(jù)權(quán)利要求1的賊射靶，其中Bi和Fe的原子比滿足Bi/Fe^0.8的要求。全文摘要一種一次寫入多次讀取光學(xué)記錄介質(zhì)，其能夠在藍(lán)色激光波長或更短的波長在，即500nm或更小波長下，特別在鄰近405nm的波長下表現(xiàn)出優(yōu)異的記錄-再現(xiàn)性能和高密度記錄。為此，本發(fā)明的一次寫入多次讀取光學(xué)記錄介質(zhì)包括使用由BiOx(0＜x＜1.5)表示的材料的記錄層，其中記錄標(biāo)記包含Bi晶體和/或Bi氧化物晶體。另一種一次寫入多次讀取光學(xué)記錄介質(zhì)包括含有Bi、氧、和M(M表示選自Mg、Al、Cr、Mn、Co、Fe、Cu、Zn、Li、Si、Ge、Zr、Ti、Hf、Sn、Mo、V、Nb、Y、和Ta的至少一種元素)的記錄層，其中記錄標(biāo)記包括含在該記錄層中的元素的晶體和該元素的氧化物的晶體。文檔編號C23C14/34GK101328573SQ20081013403公開日2008年12月24日申請日期2005年8月30日優(yōu)先權(quán)日2004年8月31日發(fā)明者林嘉隆,登笹,藤井俊茂,藤原將行申請人:株式會社理光