專利名稱：：Al-Ni-La-Si體系A(chǔ)l-基合金濺射靶及其制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及一種含有Ni、La和Si的Al-Ni-La-Si體系A(chǔ)l-基合金濺射靶及其制備方法。更詳細(xì)地，它涉及一種在通過使用濺射靶沉積薄膜時(shí)，可以減少在濺射的初始階段發(fā)生的初始飛濺(splash)的數(shù)目的Al-Ni-La-Si體系A(chǔ)l-基合金濺射靶，及其制備方法。
背景技術(shù)：
：電阻率低并且易于加工的Al-基合金廣泛地用于平板顯示器(FPDs)的領(lǐng)域，例如液晶顯示器(LCDs)、等離子體顯示面板(PDPs)、電致發(fā)光顯示器(ELDs)、場發(fā)射顯示器(FEDs)和MEMS(微機(jī)電系統(tǒng))顯示器以及觸摸面板和電子紙，并且被用作互連膜、電極膜和反射電極膜的材料。例如，有源矩陣型液晶顯示器包括作為開關(guān)元件的薄膜晶體管(TFT)、由導(dǎo)電氧化物膜組成的像素電極，以及具有包含掃描線和信號(hào)線的互連的TFT襯底。作為構(gòu)成掃描線和信號(hào)線的互連材料，通常，使用由純A1或Al-Nd合金制成的薄膜。然而，當(dāng)將各種由薄膜形成的電極部分直接連接到像素電極時(shí)，在界面形成了絕緣的氧化鋁，以致增加了接觸電阻。因此，迄今為止，已經(jīng)將由高熔點(diǎn)金屬例如Mo、Cr、Ti或W制成的阻擋金屬層設(shè)置在A1互連材料和像素電極之間，以降低接觸電阻。然而，在插入例如以上提及的阻擋金屬層的方法中，存在的問題在于，制備方法變得麻煩，以致生產(chǎn)成本高。關(guān)于這一點(diǎn)，本發(fā)明人已經(jīng)提出其中作為互連材料，使用A1-Ni合金或進(jìn)一步包含稀土元素例如Nd或Y的Al-Ni合金的薄膜的方法(參見，JP-A-2004-214606)，作為在不插入阻擋金屬層的情況下，能夠直接連接構(gòu)成像素電極和互連材料的導(dǎo)電氧化物膜的技術(shù)(直接接觸技術(shù))。當(dāng)使用Al-Ni合金時(shí)，在界面形成導(dǎo)電的含Ni析出物，以抑制絕緣的氧化鋁的產(chǎn)生；因此，可以將接觸電阻抑制得低。此外，當(dāng)使用Al-Ni-稀土元素合金時(shí)，可以進(jìn)一步改善耐熱性。目前，當(dāng)形成Al-基合金薄膜時(shí)，通常，采用使用濺射鈀的濺射法。根據(jù)濺射法，在襯底和由與薄膜的材料相同的材料組成的濺射鈀(靶材料)之間產(chǎn)生等離子體放電，使由等離子體放電離子化的氣體與靶材料碰撞，5以將靶材料的原子擊出而沉積在襯底上，從而制備薄膜。與真空沉積法不同，該濺射法具有的優(yōu)點(diǎn)在于，可以形成具有與靶材料的組成相同的組成的薄膜。特別是，通過使用濺射法沉積的Al-基合金薄膜可以溶解在平衡態(tài)中不能溶解的合金元素例如Nd，從而可以發(fā)揮作為薄膜的優(yōu)異性能；因此，濺射法是在工業(yè)上有效的薄膜制備方法，并且促進(jìn)了作為其原料的10濺射耙材料的發(fā)展。最近，為了應(yīng)對(duì)FPDS的生產(chǎn)率的擴(kuò)大，在濺射步驟的沉積速率趨向于越來越增加。為了提高沉積速率，可以非常合宜地提高濺射功率。然而，當(dāng)提高濺射功率時(shí)，引起濺射缺陷例如飛濺(細(xì)小的熔體粒子)，以致在互連膜中產(chǎn)生缺陷；因此，引起例如FPDs的產(chǎn)量和操作性能劣化的有害效15果。關(guān)于這一點(diǎn)，為了抑制飛濺發(fā)生，例如，已經(jīng)提出了在JP-A-10-147860、JP-A-10-199830、JP-A-11-293454和JP-A-2001-279433中所述的方法。在這些中，在基于飛濺是由于鈀材料組織中的細(xì)小空隙引起的觀點(diǎn)的全部JP-A-10陽147860、JP-A-10-199830和JP-A-11-293454中，控制Al和稀土元20素的化合物的粒子在Al基體中的分散狀態(tài)(JP-A-10-147860)、控制Al和過渡金屬元素的化合物在Al基體中的分散狀態(tài)(JP-A-10-199830)或控制添加元素和Al之間的金屬間化合物在靶中的分散狀態(tài)(JP-A-ll-293454)，以抑制飛濺發(fā)生。此外，JP-A-2001-279433公開了下列技術(shù)為了減少作為飛濺的原因的電弧放電(不均勻放電)，控制濺射表面的硬度，隨后采用精加25工，以抑制由機(jī)械加工引起的表面缺陷產(chǎn)生。另一方面，已經(jīng)公開了抑制靶由于在制備主要為大的靶時(shí)加熱而翹曲的技術(shù)(參見JP-A-2006-225687)。在JP-A-2006-225687中，公開了采用Al-Ni-稀土元素合金濺射靶作為目標(biāo)，當(dāng)在垂直于靶平面的橫截面中存在超過預(yù)定數(shù)目的長寬比為2.5以上并且圓等效直徑為0.2pm以上的化合物30時(shí)，可以抑制靶變形。如上所述，盡管已經(jīng)提出了用于減少飛濺的發(fā)生以減少濺射缺陷的各種技術(shù)，但是需要進(jìn)一步的改進(jìn)。特別是，在濺射的初始階段發(fā)生的初始飛濺劣化了FPD的產(chǎn)量，從而引起嚴(yán)重的問題。然而，JP-A-10-147860、JP-A-10-199830、JP-A-11-293454和JP-A-2001-279433中公開的飛濺抑制5技術(shù)不能充分有效地抑制初始飛濺發(fā)生。此外，在Al-基合金之中，在可用作能夠與構(gòu)成像素電極的導(dǎo)電氧化物膜直接連接的互連材料，并且用于形成可用作能夠與薄膜晶體管的半導(dǎo)體層直接接觸的互連材料的Al-Ni-La-Si體系A(chǔ)l-基合金薄膜的Al-基合金濺射耙中，還沒有提出可以克服上述問題的技術(shù)。io本發(fā)明人進(jìn)行了深入細(xì)致的研究，以提供一種Al-基合金濺射靶，該Al-基合金濺射靶可以減少在濺射沉積過程中發(fā)生的飛濺，特別是在濺射沉積的初始階段發(fā)生的初始飛濺。結(jié)果發(fā)現(xiàn)，包含在Al-Ni-La體系A(chǔ)l-基合金濺射耙中的金屬間化合物(主要由Al和Ni組成的Al-Ni體系金屬間化合物，以及主要由Al和La15組成的Al-La體系金屬間化合物)的粒度分布都與初始飛濺的發(fā)生具有顯著的相關(guān)性；因此，當(dāng)適當(dāng)?shù)乜刂平饘匍g化合物的粒度分布時(shí)，可以達(dá)到預(yù)期的目標(biāo)，并且這在以前已經(jīng)作為專利申請(qǐng)?zhí)峤?日本專利申請(qǐng)2006-313506)。下面，在一些情況下將上述發(fā)明稱為"在先Al-Ni-La體系A(chǔ)l-基濺射靶"，或簡稱為"在先發(fā)明"。20
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明是考慮到上述情形而進(jìn)行的，并且意在提供一種可以減少在將含Ni、La和Si的Al-Ni-La-Si體系A(chǔ)l-基合金濺射靶用于沉積膜時(shí)發(fā)生的飛濺，特別是初始飛濺的技術(shù)。25在提交在先發(fā)明以后，本發(fā)明人對(duì)Al-Ni-La體系A(chǔ)l-基合金濺射靶進(jìn)一步進(jìn)行了深入細(xì)致的研究。具體地，對(duì)于通過向Al-Ni-La體系A(chǔ)l-基合金濺射靶進(jìn)一步加入Si得到的Al-Ni-La-Si體系A(chǔ)l-基合金濺射靶，與以上類似地，詳細(xì)研究了包含在該濺射靶中的金屬間化合物。從而發(fā)現(xiàn)，包含在濺射靶中的金屬間化合物(主要由Al和Ni組成的Al-Ni體系二元金屬間30,化合物，以及主要由Al、Ni、La和Si組成的Al-Ni-La-Si體系四元金屬間化合物)的粒度分布都與初始飛濺的發(fā)生具有顯著的相關(guān)性；因此，當(dāng)適當(dāng)?shù)乜刂平饘匍g化合物的粒度分布時(shí)，可以達(dá)到預(yù)期的目標(biāo)，由此完成本發(fā)明。艮口，本發(fā)明涉及下列項(xiàng)1至4。51.—種含有Ni、La和Si的Al-Ni-La-Si體系A(chǔ)l-基合金濺射靶，其中當(dāng)使用掃描電子顯微鏡以2000倍的放大倍數(shù)觀察垂直于所述濺射靶的平面的橫截面中從(l/4)t至(3/4)t(t:厚度)的截面時(shí)，(1)按面積分?jǐn)?shù)計(jì)，平均粒徑為0.3pm至3)im的Al-Ni體系金屬間化合物的總面積相對(duì)于全部Al-Ni體系金屬間化合物的總面積為70%以上，io所述A1-Ni體系金屬間化合物主要由Al和Ni組成；并且(2)按面積分?jǐn)?shù)計(jì)，平均粒徑為0.2|im至2pm的Al-Ni-La-Si體系金屬間化合物的總面積相對(duì)于全部Al-Ni-La-Si體系金屬間化合物的總面積為70%以上，所述Al-Ni-La-Si體系金屬間化合物主要由Al、Ni、La和Si組成。152.根據(jù)項(xiàng)1所述的Al-Ni-La-Si體系A(chǔ)l-基合金濺射靶，其包含0.05原子％至5原子％的量的Ni;0.10原子°/。至1原子％的量的La;禾口0.10原子％至1.5原子％的量的Si。3.—種用于制備根據(jù)項(xiàng)1所述的Al-Ni-La-Si體系A(chǔ)l-基合金濺射靶的20方法，所述方法包括制備含有0.05原子％至5原子％的量的Ni、0.10原子％至1原子％的量的La，以及0.10原子％至1.5原子％的量的Si的Al-Ni-La-Si體系A(chǔ)l-整n亞；在800至95(TC的溫度熔化所述Al-基合金，以得到所述Al-Ni-La-Si25體系A(chǔ)l-基合金的熔體；在6NmVkg以上的氣體/金屬比下氣霧化所述Al-基合金的熔體，以將所述Al-基合金微型化；在900至1200mm的噴射距離下將所述微型化的Al-基合金沉積在收集器上，以得到預(yù)制坯；30通過致密化方法使所述Al-基合金預(yù)制坯致密化，以得到致密體；和將所述致密體進(jìn)行塑性加工。4.根據(jù)項(xiàng)3的方法，其中所述Al-Ni-La-Si體系A(chǔ)l-基合金濺射靶包含0.05原子％至5原子％的量的Ni;0.10原子％至1原子％的量的La;禾口50.10原子％至1.5原子％的量的Si。根據(jù)本發(fā)明的Al-Ni-La-Si體系A(chǔ)l-基合金濺射靶，如上所述，適當(dāng)?shù)乜刂拼嬖谟跒R射靶中的金屬間化合物(主要由Al和Ni組成的Al-Ni體系金屬間化合物，以及主要由Al、Ni、La和Si組成的Al-Ni-La-Si體系金屬間化合物)的粒度分布；因此，可以抑制飛濺，特別是初始飛濺的發(fā)生，由此io可以有效地抑制濺射缺陷。圖1A為表1的實(shí)施例編號(hào)4(發(fā)明實(shí)施例)的SEM反射電子圖像；圖1B為SEM反射電子圖像中的Al-Ni體系金屬間化合物的圖像分析結(jié)果；15和圖1C為SEM反射電子圖像中的Al-Ni-La-Si體系金屬間化合物的圖像分析結(jié)果。圖2A為表1的實(shí)施例編號(hào)4(發(fā)明實(shí)施例)的SEM反射電子圖像；圖2B為顯示圖2A中l(wèi)(基體)的組成的EDX分析結(jié)果的圖；圖2C為顯示圖2A中2(灰色化合物)的組成的EDX分析結(jié)果的圖；和圖2D為顯示圖2A20中3(白色化合物)的組成的EDX分析結(jié)果的圖。圖3為部分顯示用于制備預(yù)制坯的裝置的實(shí)例的截面圖。圖4為圖3中的X的基本部分的放大圖。圖5為顯示表1的實(shí)施例編號(hào)4(發(fā)明實(shí)施例)的Al-Ni體系金屬間化合物的粒度分布的圖。25圖6為顯示表1中的實(shí)施例編號(hào)4(發(fā)明實(shí)施例)中的Al-Ni-La-Si體系金屬間化合物的粒度分布的圖。參考標(biāo)記和符號(hào)的描述1感應(yīng)熔化爐302Al-基合金熔體3a和3b氣霧化器4a和4b線軸(bobbin)的氣孔5收集器6噴嘴56a和6b氣霧化器噴嘴的中心軸A噴射軸Al噴嘴6的尖端A2收集器5的中心A3收集器5的中心A2的水平線與噴射軸A相交的點(diǎn)ioL噴射距離a氣霧化器出口角度卩收集器角度具體實(shí)施例方式15在本說明書中，"主要由Al和Ni組成的Al-Ni體系金屬間化合物"是指這樣的化合物，其中當(dāng)根據(jù)其中使用了配置有EDX(能量色散X射線熒光光譜儀)的SEM(掃描電子顯微鏡)的下述方法來分析濺射靶時(shí)，如圖2C中所示，強(qiáng)烈地檢測到Al和Ni的峰，而基本上沒有檢測到除上述元素之外的元素的峰。作為典型的Al-Ni體系金屬間化合物，列舉二元金屬間化20合物，例如Al3Ni。此外，"主要由Al、Ni、La和Si組成的Al-Ni-La-Si體系金屬間化合物"是指這樣的化合物，其中當(dāng)根據(jù)與以上類似的方法分析濺射靶時(shí)，如下述圖2D中所示，強(qiáng)烈地檢測到A1、Ni、La和Si的峰，而基本上沒有檢測到除上述元素之外的元素的峰。25此外，在本說明書中，"可以抑制初始飛濺發(fā)生(減少)"是指，當(dāng)在顯示于下述實(shí)施例中的條件(濺射時(shí)間81秒)下進(jìn)行濺射時(shí)，飛濺的平均值小于8個(gè)點(diǎn)/cm2。因而，在本發(fā)明中，將濺射時(shí)間設(shè)定在81秒，并且評(píng)價(jià)在濺射沉積的初始階段的飛濺。即，本發(fā)明與其中沒有評(píng)價(jià)初始階段飛濺的發(fā)生的JP-A-10-147860、JP-A-10-199830、JP-A-10-293454和30JP-A-2001-279433中所述的技術(shù)在評(píng)價(jià)標(biāo)準(zhǔn)方面是不同的。首先，將描述作為本發(fā)明的目標(biāo)的Al-Ni-La-Si體系A(chǔ)l-基合金。用于本發(fā)明的Al-基合金在作為基體的Al中包含Ni、La和Si。選擇所述合金元素的原因在于，含有所述元素的Al-基合金膜不僅可用作能夠與構(gòu)成像素電極的導(dǎo)電氧化物膜直接連接的互連材料，而且可用作能夠與5薄膜晶體管的半導(dǎo)體層直接接觸的互連材料。具體地，當(dāng)加入Ni時(shí)，抑制了在Al-基合金膜和Si半導(dǎo)體層之間的界面中發(fā)生Al和Si的相互擴(kuò)散。此外，當(dāng)特別是加入稀土元素中的La時(shí)，耐熱性進(jìn)一步改善，由此有效抑制了Al-基合金膜表面上的小丘(hillock)(腫塊狀突起)的產(chǎn)生。此外，當(dāng)加入Si時(shí)，進(jìn)一步有效抑制了在Al-基合金膜和Si半導(dǎo)體層之間的界面中io發(fā)生Al和Si的相互擴(kuò)散。關(guān)于Al-Ni-稀土元素體系A(chǔ)l-基合金濺射靶，JP-A-2006-225687也公開了目標(biāo)為具有以上組成的濺射靶的技術(shù)。然而，與本發(fā)明不同，目標(biāo)基本上不是含有作為稀土元素的La的Al-Ni-La-Si體系A(chǔ)l-基合金濺射靶。不言而喻的是，在JP-A-2006-225687中，沒有以下的技術(shù)構(gòu)思在Al-Ni-La-Si15體系A(chǔ)l-基合金濺射靶中，為了抑制初始飛濺發(fā)生，控制預(yù)定的金屬間化合物的粒度分布。此外，在JP-A-2006-225687中限定的化合物(金屬間化合物)是長寬比為2.5以上并且圓等效直徑為0.2以上的盤狀化合物，在金屬間化合物的形狀方面，與具有球形化合物的本發(fā)明不同。再有，兩者的制備方法也不同。如將在以下所描述的，在本發(fā)明中，與20JP-A-2006-225687相類似，Al-基合金預(yù)制坯優(yōu)選通過使用噴射成型法制備。然而，在JP-A-2006-225687中，特別是，將噴嘴直徑O控制到2.5至10mm，并且將氣壓控制到0.3至1.5MPa，以保證預(yù)定的盤狀化合物。另一方面，在本發(fā)明中，特別是，將氣體/金屬比控制到6Ni^/kg以上，以保證需要的粒度分布。在JP-A-2006-225687中，完全沒有考慮到氣體/金25屬比；因此，即使采用JP-A-2006-225687中公開的制備方法時(shí)，也不能制備本發(fā)明的Al-Ni-La-Si體系A(chǔ)l-基合金濺射靶。再有，作為Al-基合金濺射靶的飛濺抑制技術(shù)，例如，除JP-A-2006-225687之外，還在JP-A-2004-214606、JP-A-10-147860、JP-A-10-199830和JP-A-11-293454中公開了其中控制Al基體中的Al和稀30土元素之間的化合物或金屬間化合物的分散狀態(tài)的技術(shù)。然而，在全部這些技術(shù)中，沒有具體公開作為本發(fā)明的目標(biāo)的Al-Ni-La-Si體系A(chǔ)l-基合金濺射靶。在包括上述專利文件的現(xiàn)有技術(shù)部分中所公開的文件的任何一個(gè)中，都沒有公開像本發(fā)明一樣含有作為稀土元素的La和Si的Al-基合金。如將在以下所述的，根據(jù)以下新發(fā)現(xiàn)完成了本發(fā)明含有La和Si的5Al-Ni-La-Si體系A(chǔ)l-基合金濺射耙在金屬間化合物的形狀方面大大不同于含有除La之外的稀土元素的Al-Ni-稀土元素體系A(chǔ)l-基合金濺射靶(例如在JP-A-2006-225687中公開的Al-Ni-Nd體系A(chǔ)l-基合金濺射靶)。在本發(fā)明的Al-Ni-La-Si體系A(chǔ)l-基合金濺射靶中，如圖2A至2D中所示，雖然存在由Al和Ni組成的二元金屬間化合物和由Al、Ni、La和Si組成的四io元金屬間化合物，但是基本上不存在三元金屬間化合物。另一方面，在JP-A-2006-225687中公開的Al-Ni-Nd體系A(chǔ)l-基合金濺射靶中，存在主要由Al、Ni和Nd組成的三元金屬間化合物，而幾乎不存在由Al和Ni組成的二元金屬間化合物。因此，在Al-Ni-稀土元素體系A(chǔ)l-基合金濺射靶之中，可以認(rèn)為本發(fā)明中的技術(shù)專用于Al-Ni-La-Si體系A(chǔ)l-基合金濺射耙。is在本發(fā)明的Al-基合金中所含有的Ni的含量優(yōu)選為0.05原子％至5原子％。此范圍是基于使用"在先Al-Ni-La體系A(chǔ)l-基合金濺射靶"的實(shí)驗(yàn)結(jié)果確定的。當(dāng)Ni的量的下限小于0.05原子n/。時(shí)，粒徑小于0.3pm的金屬間化合物的面積分?jǐn)?shù)變大。因而，當(dāng)濺射靶材料的表面經(jīng)機(jī)械-加工時(shí)，金屬間化合物掉落(falloff)，以致增加不規(guī)則處的表面積，由此增加了初20始飛濺的數(shù)目。另一方面，當(dāng)Ni的量的上限超過5原子Q/。時(shí)，粒徑大于3pm的金屬間化合物的面積分?jǐn)?shù)增加。因而，當(dāng)濺射耙材料的表面經(jīng)機(jī)械-加工時(shí)，表面上的不規(guī)則處變大，以致增加不導(dǎo)電夾雜物例如氧化物的夾雜，從而導(dǎo)致初始飛濺的數(shù)目的增加。Ni的含量優(yōu)選為0.1原子。/。至4原子％，更優(yōu)選為0.2原子％至3原子％。25此外，在本發(fā)明的Al-基合金中所含有的La的含量優(yōu)選為0.10原子％至1原子％。此范圍是基于使用"在先Al-Ni-La體系A(chǔ)l-基合金濺射靶"的實(shí)驗(yàn)結(jié)果確定的。當(dāng)La的量的下限小于0.10原子％時(shí)，粒徑小于0.2|im的金屬間化合物的面積分?jǐn)?shù)變大。因而，當(dāng)濺射耙材料的表面經(jīng)機(jī)械-加工時(shí)，金屬間化合物掉落，以致增加不規(guī)則處的表面積，由此增加了初始飛30濺的數(shù)目。另一方面，當(dāng)La的量的上限超過l原子。/。時(shí)，粒徑大于2)am的金屬間化合物的面積分?jǐn)?shù)增加。因而，當(dāng)濺射靶材料的表面經(jīng)機(jī)械-加工時(shí)，表面的不規(guī)則處變大，以致增加不導(dǎo)電夾雜物例如氧化物的夾雜，從而導(dǎo)致初始飛濺的數(shù)目的增加。La的含量優(yōu)選為0.15原子％至0.8原子％以下，更優(yōu)選為0.2原子％至0.6原子％。5在本發(fā)明的Al-基合金中所含有的Si的含量優(yōu)選為0.10原子％至1.5原子％。此范圍是基于以下所述的實(shí)驗(yàn)結(jié)果確定的。當(dāng)Si的量的下限小于0.10原子％時(shí)，粒徑小于0.2iam的金屬間化合物的面積分?jǐn)?shù)變大。因而，當(dāng)濺射靶材料的表面經(jīng)機(jī)械-加工時(shí)，金屬間化合物掉落，以致增加不規(guī)則處的表面積，由此增加了初始飛濺的數(shù)目。另一方面，當(dāng)Si的量的上限超io過1.5原子％時(shí)，粒徑大于2iimi的金屬間化合物的面積分?jǐn)?shù)增加。因而，當(dāng)濺射靶材料的表面經(jīng)機(jī)械-加工時(shí)，表面的不規(guī)則處變大，以致增加不導(dǎo)電夾雜物例如氧化物的夾雜，從而導(dǎo)致初始飛濺的數(shù)目的增加。Si的含量更優(yōu)選為0.10原子％至1.0原子％。如上所述，本發(fā)明中使用的Al-基合金包含NiLa和Si以及為Al和不15可避免的雜質(zhì)的余量。作為不可避免的雜質(zhì)，例如，可以列舉在制備過程中不可避免地混入的元素如Fe、Cu、C、O和N。其次，將描述作為本發(fā)明特征的金屬間化合物。在本發(fā)明的濺射靶中，以下所述并且存在于濺射耙中的金屬間化合物滿足下列要求(1)和(2)。20(l)對(duì)于主要由Al和Ni組成的Al-Ni體系金屬間化合物，按面積分?jǐn)?shù)計(jì)，平均粒徑為0.3pm至3pm的Al-Ni體系金屬間化合物的總面積相對(duì)于全部Al-Ni體系金屬間化合物的總面積為70%以上。(2)對(duì)于主要由Al、Ni、La和Si組成的Al-Ni-La-Si體系金屬間化合物，按面積分?jǐn)?shù)計(jì)，平均粒徑為0.2jam至2pm的Al-Ni-La-Si體系金屬間化合25物的總面積相對(duì)于全部Al-Ni-La-Si體系金屬間化合物的總面積為70%以上。如上所述，在作為本發(fā)明的目標(biāo)的Al-Ni-La-Si體系A(chǔ)l-基合金濺射靶中，當(dāng)根據(jù)將在以下所述的測量方法對(duì)SEM反射電子圖像中的金屬間化合物進(jìn)行圖像分析時(shí)，可以觀察到的主要的金屬間化合物僅為如上所述的30二元金屬間化合物和四元金屬間化合物兩類，而基本上不存在根據(jù)類似方法觀察典型使用的Al-Ni-Nd體系A(chǔ)l-基合金濺射靶時(shí)所觀察到的三元金屬間化合物(參見圖2A至2D)。在本發(fā)明中，對(duì)于每一種金屬間化合物，基于通過增加某種平均粒徑在預(yù)定范圍內(nèi)的某種金屬間化合物的面積分?jǐn)?shù)(占有率)可以有效抑制初始5飛濺發(fā)生的實(shí)驗(yàn)結(jié)果，盡可能大地設(shè)定金屬間化合物的面積分?jǐn)?shù)(在本發(fā)明中，70%以上)。由于上述金屬間化合物抑制飛濺發(fā)生的機(jī)理認(rèn)為如下。艮口，初始飛濺發(fā)生的原因通常認(rèn)為是，當(dāng)濺射耙材料的表面經(jīng)機(jī)械-加工時(shí)，金屬間化合物掉落，由此增加了不規(guī)則處的表面積。于是，(1)io對(duì)于主要由Al和Ni組成的Al-Ni體系金屬間化合物，當(dāng)平均粒徑小于0.3pm的金屬間化合物的面積分?jǐn)?shù)變大時(shí)，初始飛濺的發(fā)生數(shù)目增加，而另一方面，當(dāng)平均粒徑大于3)im的金屬間化合物的面積分?jǐn)?shù)變大時(shí)，據(jù)認(rèn)為，由于機(jī)械加工所引起的表面不規(guī)則處的增加，不導(dǎo)電夾雜物如氧化物的夾雜增加，從而導(dǎo)致初始飛濺的發(fā)生數(shù)目的增加。在(2)主要由A1、Ni、15La和Si組成的Al-Ni-La-Si體系金屬間化合物中也類似地發(fā)現(xiàn)了這樣的趨勢。即，當(dāng)平均粒徑小于0.2pm的金屬間化合物的面積分?jǐn)?shù)變大時(shí)，初始飛濺的發(fā)生數(shù)目增加，而另一方面，當(dāng)平均粒徑大于2)Lim的金屬間化合物的面積分?jǐn)?shù)變大時(shí)，據(jù)認(rèn)為，由于機(jī)械加工所引起的表面不規(guī)則處的增加，不導(dǎo)電夾雜物如氧化物的夾雜增加，從而導(dǎo)致初始飛濺的發(fā)生數(shù)目20的增加。在Al-Ni體系金屬間化合物和Al-Ni-La-Si體系金屬間化合物之間，有助于抑制初始飛濺發(fā)生的平均粒徑范圍彼此稍微不同。據(jù)認(rèn)為，這是因?yàn)榻饘匍g化合物和Al基體之間的界面強(qiáng)度不同。艮P,Al-Ni-La-Si體系金屬間化合物和Al基體之間的界面強(qiáng)度強(qiáng)于Al-Ni體系金屬間化合物和Al基25體之間的界面強(qiáng)度。在本發(fā)明中，以面積分?jǐn)?shù)計(jì)，將具有滿足所述范圍的平均粒徑的每一種金屬間化合物的占有率設(shè)定在70%以上。占有率越大越好。對(duì)于每一種金屬間化合物，占有率優(yōu)選為75%以上，并且更優(yōu)選為80%以上。作為本發(fā)明的目標(biāo)的上述金屬間化合物中每一種的粒度分布的測量方30法如下。首先，制備含有Ni、La和Si的濺射靶。然后，通過使用配置有EDX的SEM(在下述實(shí)施例中，使用Quanta200FEG(商品名，由飛利浦有限公司(PhilipsCo.，Ltd.)制造)或Supra-35(商品名，由卡爾蔡司有限公司(CarlZeissCo.，Ltd.)制造))，在2000倍的放大5倍數(shù)下觀察濺射靶的測量平面(在平面的垂直方向(軋制平面法線方向，ND)上的橫截面中從(l/4)t(t:厚度)至(3/4)t的部分的任意三個(gè)點(diǎn))，并且拍攝反射電子圖像。測量平面預(yù)先經(jīng)鏡面拋光。將一個(gè)視場尺寸設(shè)定為基本上60pmx50|imi。通過使用分析系統(tǒng)NanoHunterNS2K-Pro(商品名，由納米系統(tǒng)公司(NanosystemCorp.)制造)對(duì)拍攝的反射電子圖像進(jìn)行圖像分析，由io此得到Al-Ni體系金屬間化合物和Al-Ni-La-Si體系金屬間化合物中每一種的平均粒徑(圓等效直徑)和具有所述平均粒徑的各種金屬間化合物在整個(gè)金屬間化合物中所占的面積分?jǐn)?shù)。因而，得到在全部三個(gè)視場中的面積分?jǐn)?shù)，并且將其平均值作為每一種金屬間化合物的面積分?jǐn)?shù)。根據(jù)測量方法，通過色差(色調(diào)差別)容易地區(qū)分Al-Ni體系金屬間化合15物和Al-Ni-La-Si體系金屬間化合物。Al-Ni體系金屬間化合物的反射電子圖像顯示為灰色。Al-Ni-La-Si體系金屬間化合物的反射電子圖像顯示為白色。為了參考目的，在圖1A至1C中，對(duì)于在下述實(shí)施例中描述的表l中的實(shí)施例編號(hào)4(發(fā)明實(shí)施例)，顯示了根據(jù)此方法得到的SEM反射電子圖20像(圖1A);Al-Ni體系金屬間化合物的圖像(圖1B);以及Al-Ni-La-Si體系金屬間化合物的圖像(圖1C)。如圖1A至1C中所示，Al-Ni-La-Si體系金屬間化合物的反射電子圖像顯得比Al-Ni體系金屬間化合物的反射電子圖像更白。此外，在圖2A至2D中，對(duì)于與以上相同的實(shí)施例編號(hào)4(發(fā)明實(shí)施例)25的SEM反射電子圖像，使用EDX分析了基體(圖2A中的1)、灰色化合物(圖2A中的2)和白色化合物(圖2A中的3)的組成，并且顯示了它們的結(jié)果。己經(jīng)證實(shí)，如圖2B中所示，基體1僅由A1組成；如圖2C中所示，灰色色化合物2基本上由Al和Ni組成；以及如圖2D中所示，白色化合物3基本上由A1、Ni、La和Si組成。30然后，將描述本發(fā)明的用于制備濺射耙的方法。首先，制備含有0.05原子°/。至5原子％的Ni、0.10原子％至1原子％的La以及0.10原子％至1.5原子％的Si的Al-Ni-La-Si體系A(chǔ)l-基合金。然后，使用上述Al-基合金，優(yōu)選根據(jù)噴射成型法制備Al-基合金預(yù)制坯(在得到最終致密體之前的中間體)，隨后通過使用致密化方法使該預(yù)制5坯致密化。這里，噴射成型法是其中用氣體霧化各種熔融金屬，并且使在半熔融態(tài)/半凝固態(tài)/固態(tài)中淬火的粒子沉積，以得到具有預(yù)定形狀的預(yù)制坯的方法。根據(jù)所述方法，存在的各種益處在于，除了可以在單一工序中得到根據(jù)熔體澆鑄法或粉末冶金法難以得到的大預(yù)制坯以外，還可以使晶粒細(xì)io小，并且可以使合金元素均勻分散。用于制備預(yù)制坯的步驟包括基本上在(液相線溫度+15(TC)至(液相線溫度+30(TC)范圍內(nèi)的溫度熔化Al-基合金，以得到Al-基合金的熔體；在具有6NmVkg以上的由氣體流出量/熔體流出量的比率表示的氣體/金屬比的條件下，氣霧化Al-基合金的熔體，以微型化；和在具有基本上900至151200mm的噴射距離的條件下，將微型化的Al-基合金沉積在收集器上，以得到預(yù)制坯。下面參考圖3和4，詳述用于得到預(yù)制坯的各個(gè)步驟。圖3為部分顯示用于制備本發(fā)明預(yù)制坯的裝置的實(shí)例的截面圖。圖4為圖3中X的基本部分的放大圖。20圖3中所示的裝置包括用于熔化Al-基合金的感應(yīng)熔化爐1;設(shè)置在感應(yīng)熔化爐1下面的氣霧化器3a和3b;和用于沉積預(yù)制坯的收集器5。感應(yīng)熔化爐1包括用于滴下Al-基合金的熔體2的噴嘴6。此外，氣霧化器3a和3b分別具有用于霧化氣體的線軸的氣孔4a和4b。收集器5包括驅(qū)動(dòng)裝置例如步進(jìn)式電動(dòng)機(jī)(在該附圖中未示出)。25首先，制備具有上述組成的Al-基合金。將Al-基合金放入感應(yīng)熔化爐1中，隨后優(yōu)選在惰性氣體(例如，Ar氣)氣氛中，在基本上在Al-基合金的液相線溫度+15(TC至Al-基合金的液相線溫度+30(TC的范圍內(nèi)的溫度熔化。熔化溫度通常被設(shè)定在(液相線溫度+5(rC)至(液相線溫度+20(TC)的范30圍內(nèi)的溫度(參見，例如JP-A-09-248665)。然而，在本發(fā)明中，為了適當(dāng)?shù)乜刂苾煞N金屬間化合物的粒度分布，設(shè)定上述范圍。在作為本發(fā)明目標(biāo)的Al-Ni-La-Si體系A(chǔ)l-合金的情況下，熔化溫度基本上被設(shè)定在800至95(TC的范圍內(nèi)。當(dāng)熔化溫度小于80(TC時(shí)，噴嘴在噴射成型時(shí)被堵塞。另一方面，當(dāng)熔化溫度超過95(TC時(shí)，由于液滴溫度變高，由此平均粒徑為53Mm以上的Al-Ni體系金屬間化合物所占有的面積分?jǐn)?shù)增加，不能得到需要的飛濺抑制效果(參考下述實(shí)施例)。合金—的熔化溫度優(yōu)選在(液相線溫度十15(TC)至(液相線溫度+30(rC)的范圍內(nèi)。在作為本發(fā)明目標(biāo)的Al-M-La-Si體系A(chǔ)l-基合金的情況下，熔化溫度優(yōu)選在800至95(TC的范圍內(nèi)，更優(yōu)選在850至95(TC的范圍內(nèi)。io然后，將如上所述得到的合金熔體2通過噴嘴6滴入具有惰性氣氛的室(在該附圖中未示出)中。在所述室中，從被安置到氣霧化器3a和3b的線軸的氣孔4a和4b，將加壓惰性氣體的射流噴射至合金熔體2，從而微型化合金熔體。如上所述，優(yōu)選使用惰性氣體或氮?dú)鈦磉M(jìn)行氣霧化，由此可以抑制熔15體氧化。作為惰性氣體，例如，可以列舉氬氣。這里，將氣體/金屬比設(shè)定在6NmVkg以上。氣體/金屬比由氣體流出量(Nm"/金屬流出量(kg)的比率表示。在本說明書中，氣體流出量是指從用于氣霧化Al-基合金的熔體的線軸的氣孔4a和4b所流出的氣體的總量(最終使用量)。此外，在本說明書中，熔體流出量是指從其中存在有Al-20基合金的熔體的容器(感應(yīng)熔化爐l)的熔體流出口(噴嘴6)流出的烙體的總當(dāng)氣體/金屬比小于6NmVkg時(shí)，液滴的尺寸趨向變大，從而降低了冷卻速度。因此，增加了平均粒徑大于3pm的Al-Ni體系金屬間化合物的占有率，從而導(dǎo)致不能得到需要的效果(參考下述實(shí)施例)。25氣體/金屬比越大越好。例如，氣體/金屬比優(yōu)選為6.5NmVkg以上，更優(yōu)選7NmVkg以上。對(duì)它的上限沒有具體限制。然而，出于在氣霧化期間的液滴流動(dòng)的穩(wěn)定性和成本的觀點(diǎn)，優(yōu)選將氣體/金屬比的上限設(shè)定在15NmVkg，更優(yōu)選設(shè)定在10Nm3/kg。此外，當(dāng)由相對(duì)的氣霧化噴嘴的中心軸6a和6b所形成的角度由2a30表示時(shí)，優(yōu)選將(x控制在1至10。的范圍內(nèi)。由相對(duì)的氣霧化噴嘴的中心軸6a和6b所形成的角度2a是指，如圖4中所示，氣霧化器4a和4b相對(duì)于熔體2垂直滴下時(shí)的線(相應(yīng)于噴射軸A)的各自傾角a的總角度。在下面，a被稱為"氣霧化器出口角a"。氣霧化器出口角a優(yōu)選在1°至7°的范圍內(nèi)。、5隨后，將如此微型化的Al-基合金(液滴)沉積在收集器5上，以得到預(yù)制坯?！@里，優(yōu)選將噴射距離控制在900至1200mm的范圍內(nèi)。噴射距離限定了液滴的沉積位置，并且如圖3中所示，它是指從噴嘴6的尖端(圖3中的A1)至收集器5的中心(圖3中的A2)的距離L。如將在以下所述的，io因?yàn)槭占?以收集器角(3傾斜，因此嚴(yán)格地說，噴射距離L是指噴嘴6的尖端與其中收集器5的中心A2的水平線和噴射軸A交叉的點(diǎn)(圖3中的A3)之間的距離。這里，為了便于說明，噴射軸A限定了Al-基合金的液滴垂直落下的方向。通常，將在噴射成型中的噴射距離基本上控制在500mm。然而，在15本發(fā)明中，為了得到兩種金屬間化合物的需要的粒度分布，采用了上述范圍(參考下述實(shí)施例)。當(dāng)噴射距離小于900mm時(shí)，在高溫狀態(tài)中的液滴沉積在收集器上，以致冷卻速度變慢。因此，增加平均粒徑為3nm以上的Al-Ni體系金屬間化合物的占有率，從而導(dǎo)致不能得到需要的效果。另一方面，當(dāng)噴射距離超過1200mm時(shí)，產(chǎn)量變差。噴射距離優(yōu)選基本上在20950至1100mm的范圍內(nèi)。此外，優(yōu)選將收集器角(3控制在20至45。的范圍內(nèi)。如圖3中所示，收集器角P是指收集器5相對(duì)于噴射軸A的傾角。在上面描述了用于得到預(yù)制坯的優(yōu)選方法。根據(jù)標(biāo)準(zhǔn)方法，通過使用致密化方法將如此得到的Al-基合金的預(yù)制25坯致密化，以得到致密體，隨后對(duì)該致密體使用塑性加工，可以制備出濺射靶。首先，通過對(duì)預(yù)制坯使用致密化方法，得到Al-基合金致密體。作為致密化方法，優(yōu)選使用在基本上等壓的方向上對(duì)預(yù)制坯加壓的方法，特別是，在加熱下施加壓力的熱等靜壓制(HIP)。具體地，優(yōu)選例如在80MPa30以上的壓力下，并且在400至60(TC范圍內(nèi)的溫度使用HIP處理。HIP處理的時(shí)間優(yōu)選基本上在1至IO小時(shí)的范圍內(nèi)。然后，鍛造Al-基合金致密體以得到板坯。對(duì)鍛造條件沒有具體限制，只要使用通常用于制備濺射靶的方法即可。然而，優(yōu)選在基本上50(TC的溫度下將鍛造前的Al-基合金致密體加熱基本5上1至3小時(shí)以后使用鍛造。在具有300至55(TC的軋制溫度和40至90%的總軋制壓縮比的條件下，對(duì)如上所述得到的板坯使用軋制處理。如將在下述實(shí)施例中顯示的，在本發(fā)明中，必須如上所述細(xì)致地控制軋制條件。當(dāng)在其中任何一項(xiàng)條件在所述范圍之外的條件下使用軋制時(shí)，不能得到需要的結(jié)晶取向。io這里，總軋制壓縮比由下式表示總軋制壓縮比(％)={(軋制之前的厚度)-(軋制之后的厚度)}/(軋制之前的厚度)xlOO通過噴射成型法制備的、難以在處理期間導(dǎo)致結(jié)構(gòu)變化的Al-基合金可以根據(jù)冷軋和熱軋的任一個(gè)來制備。然而，為了提高每一道次的處理量，15可以將Al-基合金材料在抗變形性低的溫度范圍內(nèi)有效加熱并且處理；因此，優(yōu)選采用熱軋。然后，在250至50(TC范圍內(nèi)的溫度使用加熱處理(熱處理或退火)0.5至4小時(shí)。在加熱處理期間的氣氛沒有具體限制，可以是空氣、惰性氣體和真空中的任何一種。然而，考慮到生產(chǎn)率和成本，優(yōu)選在空氣中加熱。20當(dāng)在熱處理之后機(jī)械加工處理為預(yù)定的形狀時(shí)，可以得到需要的濺射靶。在制備能夠與構(gòu)成像素電極的導(dǎo)電氧化物膜直接連接的Al-Ni-La-Si合金膜的互連材料，以及能夠與薄膜晶體管的半導(dǎo)體層直接接觸的Al-Ni-La-Si合金膜的互連材料時(shí)，特別優(yōu)選使用根據(jù)本發(fā)明的Al-Ni-La-Si25合金靶。實(shí)施例以下，參考實(shí)施例，將更具體地描述本發(fā)明。然而，本發(fā)明并不限于以下實(shí)施例或被其限制，而可以通過在可以適合本發(fā)明的要旨的范圍內(nèi)適30當(dāng)更改來進(jìn)行，并且所有這些都包含于本發(fā)明的技術(shù)范圍之內(nèi)。實(shí)施例1使用具有顯示于表1和2中的各種組成的Al-基合金，根據(jù)以下噴射成型法，得到Al-基合金預(yù)制坯(密度基本上50至60%)。5(噴射成型條件)熔化溫度950°C氣體/金屬比7NmVkg噴射距離1000mm氣霧化器出口角度(a):7°10收集器角度(P):35°將如此得到的預(yù)制坯密封在容器(capsule)中，隨后脫氣，進(jìn)而隨后對(duì)整個(gè)容器使用熱等靜壓制(HIP)，由此得到Al-Ni-La-Si體系A(chǔ)l-基合金致密體。在55(TC的HIP溫度，在85MPa的HIP壓力下進(jìn)行HIP處理，HIP時(shí)間為2小時(shí)。15將如此得到的致密體鍛造成為板坯金屬材料，隨后軋制，使得板的厚度與最終產(chǎn)品(靶)的厚度基本上相同，進(jìn)而隨后進(jìn)行退火和機(jī)械加工(切角加工和車削加工)，由此制備盤狀A(yù)l-(0.02-5.5原子％Ni)-(0.05-1.5原子％La)-(0.05-2原子。/。)Si體系A(chǔ)l-基合金濺射靶(尺寸直徑101.6mmx厚度5.0mm)。詳細(xì)條件如下。20鍛造之前的加熱條件500'C，2小時(shí)軋制之前的加熱條件400°C，2小時(shí)總軋制壓縮比50%退火條件400°C，1小時(shí)然后，使用根據(jù)上述方法得到的濺射靶中的每一個(gè)，測量在下列條件25下進(jìn)行濺射時(shí)所發(fā)生的飛濺(初始飛濺)數(shù)目。首先，通過使用濺射裝置"SputteringSystemHSM-542S"(商品名，由島津公司(ShimadzuCorp.)制造)對(duì)Si晶片襯底(尺寸直徑100.0mmx厚度0.50mm)進(jìn)行DC磁控濺射。濺射條件如下。背壓3.0xl(T6托以下；Ar氣體壓力2.25xl(T3托；30Ar氣體流量30sccm;濺射功率811W;襯底和濺射靶之間的距離51.6mm;襯底溫度室溫濺射時(shí)間81秒因而，對(duì)于一個(gè)濺射靶，形成了16個(gè)薄膜。然后，通過使用粒子計(jì)數(shù)器(商品名WaferSurfaceDetectorWM-3，5由拓普康公司(TopconCorp.)制造)，測量在薄膜的表面上發(fā)現(xiàn)的粒子的位置坐標(biāo)、尺寸(平均粒徑)和數(shù)目。此處，將其尺寸為3pm以上的視作粒子。其后，使用光學(xué)顯微鏡(放大倍數(shù)1000倍)觀察薄膜表面，并且在將其形狀為半球形的視作飛濺的情況下，測量每單位面積的飛濺的數(shù)目。詳細(xì)地，在每次調(diào)換Si晶片襯底的情況下，類似地將對(duì)一個(gè)薄膜進(jìn)行io濺射的步驟連續(xù)重復(fù)16次，并且將飛濺的數(shù)目的平均值作為"初始飛濺的出現(xiàn)頻率"。在本實(shí)施例中，將其初始飛濺的出現(xiàn)頻率小于8個(gè)點(diǎn)/cn^的一個(gè)作為"對(duì)于減少初始飛濺是有效的可接受的(A)"，并且將其初始飛濺的出現(xiàn)頻率為8個(gè)點(diǎn)/cm3以上的一個(gè)作為"對(duì)于減少初始飛濺是無效的不可接受的(B)"。15其結(jié)果一起顯示于表1和2中。為了參考的目的，關(guān)于表l的實(shí)施例編號(hào)4(發(fā)明實(shí)施例)，Al-Ni體系金屬間化合物的粒度分布顯示于圖5中，并且Al-Ni-La-Si體系金屬間化合物的粒度分布顯示于圖6中。在圖6中，為了便利起見，僅顯示粒度至多為1.2pm的粒度分布。然而，根本沒有發(fā)現(xiàn)具有粒度超過1.2pm的尺寸的粒子。表l<table>tableseeoriginaldocumentpage21</column></row><table>從表l，可以作出如下考慮。在實(shí)施例編號(hào)2至5中，適當(dāng)?shù)乜刂屏薃l-Ni體系金屬間化合物和Al-Ni-La-Si體系金屬間化合物的粒度分布。因此，初始飛濺的減少效果優(yōu)升。另一方面，實(shí)施例編號(hào)1是使用含有較少Si的Al-基合金的實(shí)施例，而實(shí)施例編號(hào)6是使用含有大量Si的Al-基合金的實(shí)施例。在它們每個(gè)中，由于有助于抑制飛濺發(fā)生的Al-Ni-La-Si體系金屬間化合物的總面積分?jǐn)?shù)是微小的，因此上述實(shí)施例不能有效抑制飛濺發(fā)生。表2<table>tableseeoriginaldocumentpage23</column></row><table>從表2，可以作出如下考慮。在實(shí)施例編號(hào)8至10以及13至15中，適當(dāng)?shù)乜刂屏薃l-Ni體系金屬間化合物和Al-Ni-La-Si體系金屬間化合物的粒度分布。因此，初始飛濺的減少效果優(yōu)異。另一方面，實(shí)施例編號(hào)7是使用含有較少的Ni的Al-基合金的實(shí)施例，而實(shí)施例編號(hào)11是使用含有大量Ni的Al-基合金的實(shí)施例。在它們每個(gè)中，由于有助于抑制飛濺發(fā)生的Al-Ni-La-Si體系金屬間化合物的總面積分?jǐn)?shù)是微小的，因此上述實(shí)施例不能有效抑制飛濺發(fā)生。另外，編號(hào)12是使用含有較少La的Al-基合金的實(shí)施例，而實(shí)施例編號(hào)16是使用含有大量La的Al-基合金的實(shí)施例。在它們每個(gè)中，由于有助于抑制飛濺發(fā)生的Al-Ni-La-Si體系金屬間化合物的總面積分?jǐn)?shù)是微小的，因此上述實(shí)施例不能有效抑制飛濺發(fā)生。通過參考具體實(shí)施方案而詳細(xì)描述了本發(fā)明。然而，對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員顯然的是，在不背離本發(fā)明的精神的情況下，可以對(duì)本發(fā)明進(jìn)行各種更改和修改。本申請(qǐng)基于在2007年7月24日提交的日本專利申請(qǐng)2007-192214，其全部內(nèi)容都通過引用而結(jié)合在此。此外，通過參考而結(jié)合這里引用的全部參考文獻(xiàn)。權(quán)利要求1.一種含有Ni、La和Si的Al-Ni-La-Si體系A(chǔ)l-基合金濺射靶，其中當(dāng)使用掃描電子顯微鏡以2000倍的放大倍數(shù)觀察在垂直于所述濺射靶的平面的橫截面中從(1/4)t至(3/4)t(t厚度)的截面時(shí)，(1)按面積分?jǐn)?shù)計(jì)，平均粒徑為0.3μm至3μm的Al-Ni體系金屬間化合物的總面積相對(duì)于全部Al-Ni體系金屬間化合物的總面積為70％以上，所述Al-Ni體系金屬間化合物主要由Al和Ni組成；并且(2)按面積分?jǐn)?shù)計(jì)，平均粒徑為0.2μm至2μm的Al-Ni-La-Si體系金屬間化合物的總面積相對(duì)于全部Al-Ni-La-Si體系金屬間化合物的總面積為70％以上，所述Al-Ni-La-Si體系金屬間化合物主要由Al、Ni、La和Si組成。全文摘要本發(fā)明涉及一種含有Ni、La和Si的Al-Ni-La-Si體系A(chǔ)l-基合金濺射靶，其中當(dāng)使用掃描電子顯微鏡以2000倍的放大倍數(shù)觀察在垂直于所述濺射靶的平面的橫截面中從(1/4)t至(3/4)t(t厚度)的截面時(shí)，(1)按面積分?jǐn)?shù)計(jì)，平均粒徑為0.3μm至3μm的Al-Ni體系金屬間化合物的總面積相對(duì)于全部Al-Ni體系金屬間化合物的總面積為70％以上，所述Al-Ni體系金屬間化合物主要由Al和Ni組成；并且(2)按面積分?jǐn)?shù)計(jì)，平均粒徑為0.2μm至2μm的Al-Ni-La-Si體系金屬間化合物的總面積相對(duì)于全部Al-Ni-La-Si體系金屬間化合物的總面積為70％以上，所述Al-Ni-La-Si體系金屬間化合物主要由Al、Ni、La和Si組成。文檔編號(hào)C23C14/14GK101353779SQ20081013403公開日2009年1月28日申請(qǐng)日期2008年7月22日優(yōu)先權(quán)日2007年7月24日發(fā)明者南部旭,后藤裕史,巖崎祐紀(jì),川上信之,得平雅也,越智元隆,高木勝壽申請(qǐng)人:株式會(huì)社神戶制鋼所;株式會(huì)社鋼臂功科研