專利名稱：制造具有拋光的邊緣的半導(dǎo)體晶片的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本專利申請涉及一種制造具有拋光的邊緣的半導(dǎo)體晶片的方法，這種 方法包括使用含有固定磨料的拋光布拋光邊緣。在下文中，將利用這種拋
光布進(jìn)行的邊緣拋光縮寫為FA拋光。
背景技術(shù)：
半導(dǎo)體晶片的邊緣加工正受到越來越多的關(guān)注。希望獲得具有預(yù)定邊 緣形狀的平滑邊緣。通常，通過研磨從晶體切割的半導(dǎo)體晶片的粗糙邊緣 制造邊緣形狀。為了平滑該邊緣并去除切割留下的晶格損傷，需要對邊緣 進(jìn)行拋光。這可以使用不含固定磨料的拋光布來完成。在這種情況下，通 過含有游離磨料的漿體實(shí)現(xiàn)拋光。與這種邊緣拋光相比(下文中簡稱布拋 光)，F(xiàn)A拋光具有的優(yōu)點(diǎn)是避免相當(dāng)復(fù)雜的漿體處理并能獲得更高的產(chǎn)量。 相對該優(yōu)點(diǎn)，F(xiàn)A拋光的缺點(diǎn)是拋光的邊緣不夠平滑。US 6,514,423 Bl建議 在FA拋光之后蝕刻邊緣，從而降低其粗糙度。
如上所述，除了要注意邊緣的低粗糙度之外，還必須注意確保邊緣的 形狀符合要求。對此，可以確定，對半導(dǎo)體晶片的一側(cè)或兩側(cè)進(jìn)行拋光很 不利地改變了邊緣的形狀。另外，這個問題也不能通過改變工序鏈解決， 例如，如US 6,162,730中所述，僅在第一次拋光半導(dǎo)體晶片的兩側(cè)之后提 供邊緣的布拋光。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的目的是提出一種方法，該方法使得制造具有完全符合 粗糙度和形狀要求的拋光的邊緣的半導(dǎo)體晶片成為可能。
這個目的通過制造具有拋光的邊緣的半導(dǎo)體晶片的方法實(shí)現(xiàn)，該方法 包括拋光半導(dǎo)體晶片的至少一側(cè)；并且對該經(jīng)拋光的半導(dǎo)體晶片的邊緣 進(jìn)行拋光，其中，在拋光劑的參與下利用含有固定磨料的拋光布對所述邊緣進(jìn)行拋光。
具體實(shí)施例方式
本發(fā)明提出可以使用FA拋光而不是使用布拋光來修正經(jīng)拋光的半導(dǎo) 體晶片的邊緣的形狀。
該方法適用于邊緣已經(jīng)實(shí)施過成形步驟(優(yōu)選為研磨步驟)但還未進(jìn) 行拋光的半導(dǎo)體晶片。本方法首先拋光半導(dǎo)體晶片的至少一側(cè)，其包括單 側(cè)拋光或雙側(cè)拋光。優(yōu)選同時實(shí)施雙側(cè)拋光。適用于雙側(cè)拋光的機(jī)器如DE 100 07 390 Al所述。在拋光過程中，半導(dǎo)體晶片位于所提供的用作導(dǎo)板盒 的載體中的切口中，并位于上下拋光板之間。至少一個拋光板以及載體旋 轉(zhuǎn)，并且半導(dǎo)體晶片相對于覆蓋有拋光布的拋光板，在由滾線所預(yù)先確定 的路徑上移動，同時提供拋光劑。拋光板壓在半導(dǎo)體晶片上的拋光壓力以 及拋光持續(xù)時間是共同決定通過拋光去除的材料的重要參數(shù)。
對半導(dǎo)體晶片至少一側(cè)的拋光優(yōu)選作為去除拋光來執(zhí)行，也就是說， 其目的是從將要拋光的半導(dǎo)體晶片側(cè)去除厚度為至少5 u m的材料。
對半導(dǎo)體晶片的一側(cè)或雙側(cè)的拋光所造成的邊緣形狀的改變是通過邊 緣的FA拋光來修正的。
在FA拋光過程中，使用含有諸如碳化硅粒子、二氧化硅粒子或金剛石 粒子的固定磨料的拋光布。根據(jù)一個實(shí)施例，F(xiàn)A拋光在液體拋光劑參與下， 例如在水的參與下實(shí)現(xiàn)。為了平滑邊緣，也就是為了減小其粗糙度，在這 種情況下，優(yōu)選使用具有網(wǎng)格不小于4000個的特別細(xì)的磨料的拋光布，也 就是平均粒子直徑不大于5 n m，最優(yōu)選為不大于4ixm。在使用盡量細(xì)的 磨料實(shí)現(xiàn)拋光并以細(xì)磨料結(jié)束的過程中，多級FA拋光也是很合適的。這種 拋光步驟次序和適合的拋光設(shè)備如US 2006/0252355 Al所述。
根據(jù)本方法的第二實(shí)施例，F(xiàn)A拋光在含有例如膠體二氧化硅或氧化鈰 的游離磨料的漿體的參與下執(zhí)行。
第三實(shí)施例包括首先在液體拋光劑的參與下執(zhí)行FA拋光，然后在含 有例如膠體二氧化硅或氧化鈰的游離磨料的漿體執(zhí)行布拋光。在這種情況 下，拋光布中的固定磨料的平均粒子直徑可以大于后續(xù)布拋光中分布的。 在進(jìn)行后續(xù)布拋光時，優(yōu)選使用具有網(wǎng)格為1000至2000的固定磨料的拋光布，也就是平均粒子直徑為7至25um。布拋光的持續(xù)時間可以非常短， 只有15至30s。
根據(jù)本發(fā)明的方法還優(yōu)選地包括作為單側(cè)拋光執(zhí)行的對半導(dǎo)體晶片前 側(cè)的拋光。半導(dǎo)體晶片的前側(cè)被視為半導(dǎo)體晶片的準(zhǔn)備制作電子元件的那 一側(cè)。單側(cè)拋光，下文中稱為CMP (化學(xué)-機(jī)械拋光)，優(yōu)選作為以提供盡 可能最光滑的側(cè)表面為目的的光澤拋光而被執(zhí)行。CMP的材料去除，厚度 最多為lum，明顯小于去除拋光的情況。前側(cè)的CMP優(yōu)選在雙側(cè)拋光之 后并在FA拋光之前或之后執(zhí)行。
根據(jù)本發(fā)明的方法還可選地包括在半導(dǎo)體晶片的前側(cè)上沉積外延層。
以下四個步驟順序a)至ljd)為特別優(yōu)選的順序
a) 雙側(cè)拋光一FA拋光一CMP
b) 雙側(cè)拋光一FA拋光一布拋光一CMP
c) 雙側(cè)拋光一CMP—FA拋光
d) 雙側(cè)拋光一CMP—FA拋光一布拋光
權(quán)利要求
1、一種用于制造具有拋光的邊緣的半導(dǎo)體晶片的方法，包括拋光所述半導(dǎo)體晶片的至少一側(cè)；以及對經(jīng)拋光的半導(dǎo)體晶片的邊緣進(jìn)行拋光；其中，在拋光劑的參與下利用含有固定磨料的拋光布對所述邊緣進(jìn)行拋光。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述拋光劑含有游離磨料。
3、 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其中，拋光所述半導(dǎo)體晶片的至 少一側(cè)包括雙側(cè)拋光。
4、 根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其中，拋光所述半導(dǎo)體晶片的至少一 側(cè)包括所述雙側(cè)拋光和其后執(zhí)行的單側(cè)拋光。
5、 根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，包括進(jìn)一步拋光所述邊緣，其中，在 含有游離磨料的漿體的參與下，利用不含固定磨料的拋光布對所述經(jīng)拋光 的半導(dǎo)體晶片的被拋光邊緣進(jìn)行拋光。
6、 根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中，根據(jù)權(quán)利要求1的所述拋光布 中的所述固定磨料具有1000—2000個網(wǎng)格。
7、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述拋光布中的所述固定磨料 具有的網(wǎng)格不少于4000個。
8、 根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，包括在拋光所述邊緣之后執(zhí)行所述單 側(cè)拋光。
9、 根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的方法，包括在進(jìn)一步拋光所述邊緣之后執(zhí)行所述單側(cè)拋光。
10、 根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，包括在拋光所述邊緣之前執(zhí)行所述 單側(cè)拋光。
11、 根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的方法，包括在拋光所述邊緣之前執(zhí)行 所述單側(cè)拋光，并且在拋光所述邊緣之后對所述邊緣進(jìn)行進(jìn)一步拋光。
12、 根據(jù)權(quán)利要求1至11中任意一項(xiàng)所述的方法，包括在具有拋光的 邊緣的所述半導(dǎo)體晶片的拋光側(cè)上沉積外延層。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種制造具有拋光的邊緣的半導(dǎo)體晶片的方法，所述方法包括以下步驟拋光所述半導(dǎo)體晶片的至少一側(cè)；以及對經(jīng)拋光的半導(dǎo)體晶片的邊緣進(jìn)行拋光；其中，在拋光劑的參與下利用含有固定磨料的拋光布對所述邊緣進(jìn)行拋光。
文檔編號B24B37/04GK101434047SQ200810165838
公開日2009年5月20日 申請日期2008年9月25日 優(yōu)先權(quán)日2007年11月15日
發(fā)明者K·勒特格, M·田端, W·艾格納 申請人:硅電子股份公司