專利名稱：：使用凸點(diǎn)下金屬層用蝕刻組合物形成凸點(diǎn)結(jié)構(gòu)的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明的示例性實(shí)施方式涉及用于凸點(diǎn)下金屬(under-bumpmetallurgy,UBM)層的蝕刻組合物，以及形成凸點(diǎn)結(jié)構(gòu)的方法。更具體地說，本發(fā)明的示例性實(shí)施方式涉及用于防止和/或減少在導(dǎo)電凸點(diǎn)上產(chǎn)生雜質(zhì)的蝕刻組合物，以及使用該蝕刻組合物形成凸點(diǎn)結(jié)構(gòu)的方法。
背景技術(shù)：
：通常，導(dǎo)電凸點(diǎn)用于電連接半導(dǎo)體芯片與電子設(shè)備?？梢赃M(jìn)行電管芯分選(electricaldiesorting,EDS)處理以檢驗(yàn)其上形成有導(dǎo)電凸點(diǎn)的半導(dǎo)體芯片的性能。EDS處理使用探針臺(tái)測(cè)量其上形成有導(dǎo)電凸點(diǎn)的半導(dǎo)體芯片的電學(xué)特性，以確定半導(dǎo)體芯片是否有缺陷。該探針臺(tái)包括用于通過探針針尖輸入/輸出電信號(hào)的探針卡，該探針針尖直接與導(dǎo)電凸點(diǎn)相接觸。該探針卡分析電信號(hào)以檢測(cè)其上形成有導(dǎo)電凸點(diǎn)的半導(dǎo)體芯片的缺陷。可使用電鍍液和電鍍方法形成導(dǎo)電凸點(diǎn)。該電鍍液可包括具有氰基的化合物或沒有氰基的化合物。近來，比起包括具有氰基的化合物(如氰化金鉀(KAu(CN)2))的電鍍液，更廣泛地使用包括沒有氰基的化合物(例如亞硫酸金鈉(Na3Au(S03)2)的電鍍液。結(jié)果，在后續(xù)處理期間不會(huì)產(chǎn)生諸如氰化氫(HCN)的有毒氣體。此外，導(dǎo)電凸點(diǎn)具有更致密的結(jié)構(gòu)。然而，當(dāng)使用沒有氰基的化合物形成導(dǎo)電凸點(diǎn)時(shí)，雜質(zhì)可能會(huì)殘留在導(dǎo)電凸點(diǎn)上。這些雜質(zhì)在EDS處理期間可能會(huì)導(dǎo)致加工誤差。更具體地說，當(dāng)導(dǎo)電凸點(diǎn)被蝕刻而暴露凸點(diǎn)下金屬(UBM)層時(shí)，可能會(huì)產(chǎn)生雜質(zhì)，并且產(chǎn)生的雜質(zhì)可能會(huì)粘附到探針針尖并在電信號(hào)分析中引起錯(cuò)誤。所述雜質(zhì)可以包括金屬雜質(zhì)，諸如來自焊盤(pad)的鋁(Al)或來自UBM層的鈦(Ti)，來自鈍化層的聚酰亞胺或氧氮化硅(SiON)，或者氧化物雜質(zhì)如鋁氧化物或鈦氧化物。作為這些雜質(zhì)的結(jié)果，盡管可以對(duì)半導(dǎo)體芯片合適地進(jìn)行操作，但探針臺(tái)會(huì)輸出指示半導(dǎo)體芯片中電短路或電開路的不合適結(jié)果。鑒于以上所述，可以在EDS處理之前和/或之后進(jìn)行清潔處理以從探針卡的針尖移除雜質(zhì)。然而，清潔處理可能造成磨損并可能損壞探針針尖。因此會(huì)降低生產(chǎn)率。此外，這些清潔處理可能不足以將雜質(zhì)從探針針尖移除。由此，期望能夠防止雜質(zhì)產(chǎn)生的方法。
發(fā)明內(nèi)容因此，本發(fā)明的實(shí)施方式涉及一種用于UBM層的蝕刻組合物，該蝕刻組合物可以基本上和/或完全克服一個(gè)或多個(gè)由于現(xiàn)有技術(shù)的限制和缺點(diǎn)而造成的問題。示例性實(shí)施方式提供一種用于UBM層的蝕刻組合物，該蝕刻組合物可減少和/或防止在凸點(diǎn)結(jié)構(gòu)形成期間從導(dǎo)電凸點(diǎn)產(chǎn)生的雜質(zhì)。示例性實(shí)施方式提供一種用于UBM層的蝕刻組合物，該蝕刻組合物可通過減少和/或防止可粘附到探針卡的探針針尖上的雜質(zhì)，從而改善EDS處理的可靠性。示例性實(shí)施方式提供一種使用蝕刻組合物形成凸點(diǎn)結(jié)構(gòu)的方法，該組合物導(dǎo)致在導(dǎo)電凸點(diǎn)上相對(duì)較少的雜質(zhì)，該雜質(zhì)可能會(huì)粘附到探針卡并在利用探針卡分析電信號(hào)過程中引起錯(cuò)誤。提供用于蝕刻UBM層的蝕刻組合物的示例性實(shí)施方式可以在導(dǎo)電凸點(diǎn)上形成保護(hù)層，以防止和/或減少在導(dǎo)電凸點(diǎn)形成期間可能產(chǎn)生的蝕刻殘留物或雜質(zhì)粘附到導(dǎo)電凸點(diǎn)。示例性實(shí)施方式提供一種用于蝕刻UBM層的蝕刻組合物，該蝕刻組合物可以有效地從導(dǎo)電凸點(diǎn)移除在導(dǎo)電凸點(diǎn)形成期間可能產(chǎn)生的蝕刻殘留物或雜質(zhì)，而不損壞聚酰亞胺層以及鋁層和/或氧氮化硅層。示例性實(shí)施方式提供一種用于蝕刻UBM層的蝕刻組合物，該蝕刻組合物可以導(dǎo)致相對(duì)較少的雜質(zhì)和/或沒有雜質(zhì)，該雜質(zhì)可能在在導(dǎo)電凸點(diǎn)形成期間產(chǎn)生，并可以在EDS處理期間防止雜質(zhì)粘附到探針卡并防止接觸電阻增加。示例性實(shí)施方式提供一種蝕刻組合物，該蝕刻組合物可以降低清潔處理的頻率并可提高生產(chǎn)率，該清潔處理用于由于在導(dǎo)電凸點(diǎn)形成期間可能產(chǎn)生的雜質(zhì)而進(jìn)行的探針針尖清潔。至少一個(gè)實(shí)施方式可通過提供一種用于凸點(diǎn)下金屬(UBM)層的蝕刻組合物來實(shí)現(xiàn)，該蝕刻組合物包括約40重量％約90重量％的過氧化氫(11202)，約1重量％~約20重量。/。的包括氫氧化銨(NH40H)或氫氧化四烷基銨的含水堿液，約0.01重量％~約10重量％的醇化合物，以及約2重量％約30重量％的乙二胺基螯合劑。該蝕刻組合物可包括約68重量％~約77重量％的過氧化氫，約7重量％~約14重量％的包括氫氧化銨的含水堿液，約0.1重量％~約3重量％的醇化合物，以及約15重量％約20重量％的乙二胺基螯合劑，并且該UBM層包括鈦(Ti)。包括氫氧化銨的含水堿液對(duì)過氧化氫的重量比為約l:6約1:9的范圍。該蝕刻組合物可包括約75重量％~約83重量％的過氧化氫，約1重量％~約7重量％的包括氫氧化四垸基銨的含水堿液，約0.01重量％約3重量％的醇化合物，以及約15重量％~約20重量％的乙二胺基螯合劑，并且該UBM層包括鈦鎢(TiW)。該蝕刻組合物可包括約lppm1000ppm的非離子表面活性劑。該非離子表面活性劑可以包括聚氧化乙烯與聚氧化丙烯的共聚物，或者聚乙二醇與聚丙二醇的嵌段共聚物。該含水堿液可包括約25重量％約50重量％的氫氧化銨。該含水堿液可包括約15重量％~約35重量％的氫氧化四垸基銨。該乙二胺基螯合劑可包括乙二胺四乙酸(EDTA)、乙二胺四乙酸二鉀鹽(EDTA-2K)、乙二胺四乙酸二鈉鹽(EDTA-2Na)或者乙二胺四乙酸四鈉鹽(EDTA-4Na)。至少一個(gè)示例性實(shí)施方式可通過提供一種形成凸點(diǎn)結(jié)構(gòu)的方法來實(shí)現(xiàn)，該方法包括在襯底上形成電連接到半導(dǎo)體芯片的悍盤、在該襯底上形成暴露焊盤的鈍化層圖案，在鈍化層圖案上以及在由該鈍化層圖案暴露的焊盤上形成凸點(diǎn)下金屬(UBM)層，在UBM層上形成導(dǎo)電凸點(diǎn)，以及使用導(dǎo)電凸點(diǎn)作為掩模用蝕刻組合物將UBM層的一部分移除，該蝕刻組合物包括約40重量％約90重量％的過氧化氫(11202)，約1重量％~約20重量。/。的包括氫氧化銨(NH40H)或氫氧化四烷基銨的含水堿液，約0.01重量％~約10重量％的醇化合物，以及約2重量％約30重量％的乙二胺基螯合劑。移除所述UBM層的一部分可包括在約4(TC約7CTC的溫度下使用該蝕刻組合物蝕刻該UBM層約1分鐘~約5分鐘。在移除UBM層之后，該方法可包括對(duì)其上形成有導(dǎo)電凸點(diǎn)的襯底進(jìn)行熱處理。在進(jìn)行熱處理之后，該方法可包括在約20T約40T的溫度下使用該蝕刻組合物清潔該凸點(diǎn)結(jié)構(gòu)約30秒~約1分鐘。該UBM層可包括鈦鎢(TiW)、鉻(Cr)、銅(Cu)、鈦(Ti)、鎳(Ni)、鎳釩(NiV)、鈀(Pd)、鉻/銅(Cr/Cu)、鈦鎢/銅(TiW/Cu)、鈦鎢/金(TiW/Ag)和鎳釩/銅(NiV/Cu)及其混合物的至少一種。該焊盤可包括鋁，并且該鈍化層可包括聚酰亞胺或氧氮化硅的至少一種。通過參照附圖詳細(xì)描述示例性實(shí)施方式，這些示例性實(shí)施方式對(duì)本領(lǐng)域普通技術(shù)人員而言將是顯而易見的，其中圖1、圖2、圖3、圖4、圖5、圖6和圖7示出了根據(jù)示例性實(shí)施方式形成凸點(diǎn)結(jié)構(gòu)的示例性方法中各階段的剖面圖。圖8示出了根據(jù)包括氫氧化銨的含水堿液的含量，蝕刻組合物相對(duì)于鈦(Ti)的清潔性能的曲線圖。圖9示出了根據(jù)乙二胺基螯合劑的含量，蝕刻組合物相對(duì)于鈦cn)的清潔性能的曲線圖。具體實(shí)施例方式向韓國知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的韓國專利申請(qǐng)No.2007-119639(2007年11月22日提交)和No.2008-92821(2008年9月22日提交)，其全部內(nèi)容通過引用并入此處?，F(xiàn)在將參照附圖在以下更完全地描述示例性實(shí)施方式；然而，它們也可以不同方式實(shí)施，而不應(yīng)該解釋為限制于本文中所述的實(shí)施方式。相反，提供這些實(shí)施方式的目的在于使本公開更全面和完整，并可將本發(fā)明的范圍完全傳達(dá)給本領(lǐng)域普通技術(shù)人員。應(yīng)當(dāng)理解的是，當(dāng)一個(gè)元件或?qū)颖环Q為"在"另一元件或?qū)?上"或"連接到"另一元件或?qū)訒r(shí)，所述元件或?qū)涌梢允侵苯游挥诹硪辉驅(qū)由匣蛑苯舆B接到另一元件或?qū)?，或者可存在中間元件或中間層。相反，當(dāng)一個(gè)元件或?qū)颖环Q為"直接在"另一元件或?qū)?上"或"直接連接到"另一元件或?qū)訒r(shí)，則不存在中間元件或中間層。在整個(gè)說明書中，相同的標(biāo)號(hào)涉及相同的元件。如在此使用的，術(shù)語"和/或"包括一個(gè)或多個(gè)相關(guān)列舉項(xiàng)的任意和全部組合。在此使用的術(shù)語僅僅是為了描述特定示例性實(shí)施方式的目的，而并不意圖限制本發(fā)明。除非上下文有明確指示，在此使用的單數(shù)形式"一個(gè)(a，an)"或"該"旨在也包括復(fù)數(shù)形式。還應(yīng)理解，當(dāng)使用在本說明書中時(shí)，術(shù)語"包括"和/或"包含"明確了所陳述特征、整體、步驟、操作、元件和/或成分的存在，但不并排除一個(gè)或多個(gè)其它特征、整體、步驟、操作、元件、成分和/或其組合的存在或增加。如在此使用的，表述"至少一個(gè)/一種"以及"和/或"是開放式表達(dá)，在操作中既是聯(lián)合的也是分離的。例如，表述"a、b和c的至少一個(gè)"，"a、b或c的至少一個(gè)"，"a、b和c的一個(gè)或多個(gè)"以及"a、b禾卩/或c"中的每一個(gè)包括以下意思單獨(dú)的a;單獨(dú)的b;單獨(dú)的c;同時(shí)有a和b;同時(shí)有a和c;同時(shí)有b和c;以及同時(shí)有a、b禾nc。此外，這些表述是開放式的，除非通過這些表述與術(shù)語"由...組成"的組合而給出明確相反的指示。例如，表述"a、b和c的至少一個(gè)"還可包括第n個(gè)成員，這里n大于3，而表述"選自由a、b和c組成的組的至少一個(gè)"則不是這樣。在此參照作為示例性實(shí)施方式示意圖的剖面圖(和中間結(jié)構(gòu))來描述示例性實(shí)施方式。同樣，由例如制造技術(shù)和/或公差導(dǎo)致的示意圖形狀的變化是可以預(yù)料到的。因此，示例性實(shí)施方式不應(yīng)被解釋為限制于在此示出區(qū)域的特定形狀，而是包括例如制造引起的形狀偏差。因此，在圖中示出的區(qū)域?qū)嶋H上是示意性的，并且它們的形狀不是意圖示出裝置區(qū)域的實(shí)際形狀，而且不意圖限制示例性實(shí)施方式的范圍。除非另有定義，在此使用的所有術(shù)語(包括技術(shù)和科學(xué)術(shù)語)具有與本發(fā)明所屬領(lǐng)域普通技術(shù)人員的通常理解相同的含義。還應(yīng)理解，術(shù)語(諸如在通常使用的字典中定義的那些)應(yīng)被解釋為具有與它們?cè)谙嚓P(guān)技術(shù)語境中的含義一致的含義，并且除非在此明確定義，不應(yīng)解釋為理想化或過于形式化的含義。下面將描述用于凸點(diǎn)下金屬(UBM)層的一種示例性蝕刻組合物。用于凸點(diǎn)下金屬(UBM)層的蝕刻組合物可包括約40重量％~約90重量％的過氧化氫0202)，約1重量％~約20重量％的包括氫氧化銨(NH40H)或氫氧化四烷基銨的含水堿液，約0.01重量％~約10重量％的醇化合物，以及約2重量％約30重量％的乙二胺基螯合劑。該蝕刻組合物還可包括作為添加劑的非離子表面活性劑。例如，可使用鈦(Ti)或鈦鎢(TiW)來形成UBM層。包括在蝕刻組合物中的過氧化氫可以有效地溶解雜質(zhì)。在示例性實(shí)施方式中，過氧化氫可以氧化可能殘留在導(dǎo)電凸點(diǎn)上以及在導(dǎo)電凸點(diǎn)下的UBM層圖案上的雜質(zhì)，所述雜質(zhì)包括鈦(Ti)、鈦氧化物(TiCg、轉(zhuǎn)(W)、鎢氧化物(WOy)和/或有機(jī)雜質(zhì)。過氧化氫可以在導(dǎo)電凸點(diǎn)上形成薄的氧化物層。該薄的氧化物層可防止和/或減少因在導(dǎo)電凸點(diǎn)上的蝕刻處理而產(chǎn)生的雜質(zhì)的粘附。基于蝕刻組合物的總重量，當(dāng)蝕刻組合物包括少于約40重量％的過氧化氫時(shí)，不能有效地將雜質(zhì)從導(dǎo)電凸點(diǎn)和UBM層圖案移除。當(dāng)蝕刻組合物包括多于約90重量％的過氧化氫時(shí)，由UBM層的蝕刻產(chǎn)生的UBM層圖案可能會(huì)被過氧化氫過度氧化并損壞。因此，在各實(shí)施方式中，蝕刻組合物可包括約40重量％~約90重量％的過氧化氫。包括氫氧化銨的含水堿液可以移除包括在UBM層中的鈦，并可以溶解可能殘留在導(dǎo)電凸點(diǎn)上的雜質(zhì)，該雜質(zhì)例如鈦、鈦氧化物和/或有機(jī)雜質(zhì)。在示例性實(shí)施方式中，包括氫氧化銨的含水堿液可包括約25重量％約50重量％的氫氧化銨。包括氫氧化四垸基銨的含水堿液可以移除包括在UBM層中的鈦鎢，并可以溶解可能殘留在導(dǎo)電凸點(diǎn)上的雜質(zhì)，該雜質(zhì)例如鈦、鎢、鈦氧化物、鉤氧化物和/或有機(jī)雜質(zhì)。在示例性實(shí)施方式中，包括氫氧化四垸基銨的含水堿液可包括約15重量％約35重量％的氫氧化四垸基銨?；谖g刻組合物的總重量，當(dāng)蝕刻組合物包括少于約1重量％的含有氫氧化銨或氫氧化四烷基銨的含水堿液時(shí)，則不能有效地將雜質(zhì)從導(dǎo)電凸點(diǎn)移除。當(dāng)蝕刻組合物包括多于約20重量％的含有氫氧化銨或氫氧化四垸基銨的含水堿液時(shí)，包括鈦或鈦鎢的UBM層圖案可能被蝕刻組合物腐蝕并可能損壞導(dǎo)電凸點(diǎn)。因此在各實(shí)施方式中，蝕刻組合物可包括約1重量％~約20重量％的含有氫氧化銨或氫氧化四烷基銨的含水堿液。在示例性實(shí)施方式中，包括氫氧化銨的含水堿液對(duì)過氧化氫的重量比會(huì)影響包括在UBM層中的鈦的蝕刻速率，并可能導(dǎo)致?lián)p壞包括鋁的焊盤。當(dāng)過氧化氫相對(duì)于包括氫氧化銨的含水堿液的重量比小于6時(shí)，包括鋁的焊盤可能會(huì)被損壞并且鈦的蝕刻速率可能會(huì)降低。當(dāng)過氧化氫相對(duì)于包括氫氧化銨的含水堿液的重量比大于9時(shí)，UBM層的蝕刻速率可能會(huì)增加。然而，包括在焊盤中的鋁可能會(huì)與包括在UBM層中的鈦一道被蝕刻。因此，包括氫氧化銨的含水堿液對(duì)過氧化氫的重量比為約l:6約1:9。包括在蝕刻組合物中的醇化合物可以移除在通過電鍍處理形成導(dǎo)電凸點(diǎn)時(shí)產(chǎn)生的有機(jī)雜質(zhì)。在示例性實(shí)施方式中，包括在蝕刻組合物中的醇化合物可以包括Q-C4的一元醇、Q-C4的二元醇、Q-C6的氨基醇等等。這些可以單獨(dú)使用或以其混合物的形式使用。例如，該醇化合物可以包括甲醇、乙醇、丙醇、丁醇、乙二醇、丙二醇、丁二醇、單乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、丙醇胺等等。當(dāng)蝕刻組合物包括少于約0.01重量％的醇化合物時(shí)，在蝕刻UBM層之后有機(jī)雜質(zhì)可能會(huì)殘留在導(dǎo)電凸點(diǎn)上。此外，導(dǎo)電凸點(diǎn)下面的UBM層圖案中的金屬，諸如鈦或鈦鎢可能會(huì)被蝕刻。當(dāng)蝕刻組合物包括多于約10重量％的醇化合物時(shí)，與包括約10重量％的醇化合物的蝕刻組合物相比，有機(jī)雜質(zhì)的移除效率可能得不到進(jìn)一步改善，且殘留在導(dǎo)電凸點(diǎn)上的金屬(例如鈦)的量可能會(huì)更高。因此，在各實(shí)施方式中，蝕刻組合物可包括約0.01重量％~約10重量％的醇化合物。包括在蝕刻組合物中的乙二胺基螯合劑可以防止在蝕刻處理期間產(chǎn)生的金屬離子(例如鈦離子)與氧化劑(例如過氧化氫)反應(yīng)，并防止形成金屬氧化物(例如鈦氧化物)。乙二胺基螯合劑可與例如鈦離子的金屬離子反應(yīng)而形成穩(wěn)定的螯合物。在示例性實(shí)施方式中，該乙二胺基螯合劑可以包括乙二胺四乙酸(EDTA)、乙二胺四乙酸二鉀鹽(EDTA-2K)、乙二胺四乙酸二鈉鹽(EDTA-2Na)、乙二胺四乙酸四鈉鹽(EDTA-4Na)等等。例如乙二胺基螯合劑可以是乙二胺四乙酸二鉀鹽(EDTA-2K)。當(dāng)蝕刻組合物包括少于約2重量％的乙二胺基螯合劑時(shí)，在蝕刻處理期間可產(chǎn)生的例如鈦離子的金屬離子可能不與乙二胺基螯合劑反應(yīng)，并且可能不會(huì)形成穩(wěn)定的螯合物。當(dāng)蝕刻組合物包括多于約30重量％的乙二胺基螯合劑時(shí)，乙二胺基螯合劑的量可能大于在UBM層蝕刻處理期間產(chǎn)生的金屬離子的量。因此，過量的乙二胺基螯合劑可能不會(huì)與金屬離子發(fā)生反應(yīng)。結(jié)果，乙二胺基螯合劑可能會(huì)殘留在導(dǎo)電凸點(diǎn)上。因此，在各實(shí)施方式中，蝕刻組合物可包括約2重量％~約30重量％的乙二胺基螯合劑。蝕刻組合物還可以包括添加劑。該添加劑可以包括約lppm約1000ppm的非離子表面活性劑。例如，該非離子表面活性劑可溶解雜質(zhì)，例如，諸如鈦的金屬、諸如鈦氧化物或鉤氧化物的金屬氧化物、有機(jī)雜質(zhì)，從而蝕刻組合物可滲入粘附至導(dǎo)電凸點(diǎn)的雜質(zhì)內(nèi)。由此可以提高雜質(zhì)的移除效率。在示例性實(shí)施方式中，非離子表面活性劑可以包括聚氧化乙烯與聚氧化丙烯的共聚物，或者聚乙二醇與聚丙二醇的嵌段共聚物。例如，該非離子表面活性劑可包括NCW(商品名；由日本的WakoPureChemicalIndustries，Ltd.(禾口光純藥有限公司)生產(chǎn))或SynperonicPE/F68、SynperonicPE/L61或SynperonicPE/L64(商品名；由德國的FlukaChemieGmBH(弗路卡化學(xué)有限公司)生產(chǎn))。當(dāng)蝕刻組合物包括少于約lppm的非離子表面活性劑時(shí)，蝕刻組合物可能不容易滲入粘附至導(dǎo)電凸點(diǎn)的雜質(zhì)內(nèi)，從而會(huì)降低雜質(zhì)的移除效率。當(dāng)蝕刻組合物包括多于約lOOOppm的非離子表面活性劑時(shí)，雜質(zhì)的移除效率可能得不到實(shí)質(zhì)性改善，并且在UBM層的蝕刻處理之后非離子表面活性劑可能會(huì)殘留在導(dǎo)電凸點(diǎn)上。因此，蝕刻組合物還可包括約lppm1000ppm的非離子表面活性劑。在示例性實(shí)施方式中，當(dāng)UBM層包括鈦時(shí)，蝕刻組合物可包括約68重量％約77重量％的過氧化氫，約7重量％~約14重量％的包括氫氧化銨的含水堿液，約0.1重量％約3重量％的醇化合物，以及約15重量％~約20重量％的乙二胺基螯合劑。該蝕刻組合物還可包括約lppm約1000ppm的作為添加劑的非離子表面活性劑。在示例性實(shí)施方式中，當(dāng)UBM層包括鈦鎢時(shí)，蝕刻組合物可包括約75重量％約83重量％的過氧化氫，約1重量％~約7重量％的包括氫氧化四垸基銨的含水堿液，約0.01重量％~約3重量％的醇化合物，以及約15重量％~約20重量％的乙二胺基螯合劑。該蝕刻組合物還可包括約lppm約1000ppm的作為添加劑的非離子表面活性劑。根據(jù)示例性實(shí)施方式，上述用于UBM層的蝕刻組合物可有效地移除在由導(dǎo)電凸點(diǎn)暴露的UBM層的蝕刻處理中產(chǎn)生的雜質(zhì)。在UBM層的蝕刻處理期間，該蝕刻組合物可抑制和/或減少對(duì)作為鈍化層的聚酰亞胺層或氧氮化硅層，或者可抑制和/或減少對(duì)作為熔斷體(fuse)的鋁層的損壞。通過使用包括上述特征的蝕刻組合物，相對(duì)較少的雜質(zhì)和/或沒有雜質(zhì)會(huì)殘留在可能與探針卡接觸的導(dǎo)電凸點(diǎn)上。因此，通過使用上述蝕刻組合物并減少和/或消除導(dǎo)電凸點(diǎn)上的雜質(zhì)，在電管芯分選(EDS)處理期間防止和/或減少接觸電阻的增加是可能的。因此，由于這些雜質(zhì)在半導(dǎo)體器件性能測(cè)試期間可能會(huì)引起的故障可得以防止和/或減少，并可提高性能測(cè)試的可靠性。在下文中將參照附圖詳細(xì)說明根據(jù)示例性實(shí)施方式的凸點(diǎn)結(jié)構(gòu)形成方法。根據(jù)示例性實(shí)施方式，可通過在襯底上形成導(dǎo)電凸點(diǎn)而制造凸點(diǎn)結(jié)構(gòu)，該襯底包括例如LCD驅(qū)動(dòng)集成電路(LDI)芯片的半導(dǎo)體芯片。例如，可通過使用根據(jù)示例性實(shí)施方式的蝕刻組合物蝕刻包括鈦(Ti)或鈦鴇(TiW)的UBM層而形成凸點(diǎn)結(jié)構(gòu)。更特別地，例如LDI芯片可包括多個(gè)導(dǎo)電凸點(diǎn)，該導(dǎo)電凸點(diǎn)在LDI芯片操作中發(fā)揮作用。由于導(dǎo)電凸點(diǎn)通常在芯片的操作中發(fā)揮作用，因此半導(dǎo)體芯片上導(dǎo)電凸點(diǎn)的特性很重要。下文中將參照?qǐng)D1~圖7描述形成凸點(diǎn)結(jié)構(gòu)的示例性方法。圖l圖7示出了在形成凸點(diǎn)結(jié)構(gòu)的示例性方法中各階段的剖面圖。參照?qǐng)Dl，可在襯底100上形成焊盤110?？稍谝r底100上形成各種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)(未示出)，且焊盤iio可與這些半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)電連接。焊盤110可用作將形成在襯底100上的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)與形成在焊盤110上的結(jié)構(gòu)電連接的觸點(diǎn)?？墒褂脤?dǎo)電材料形成焊盤110。在示例性實(shí)施方式中，可使用鋁或銅形成焊盤110。可將暴露焊盤110的鈍化層圖案120形成在焊盤110上。鈍化層圖案120可保護(hù)形成在襯底100上的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。鈍化層圖案120可包括暴露焊盤110的開口101?？赏ㄟ^使用掩模的光刻處理形成開口101。在示例性實(shí)施方式中，鈍化層圖案120可包括例如聚酰亞胺、氧氮化硅等等。在示例性實(shí)施方式中，鈍化層圖案120可包括第一鈍化層圖案120a和第二鈍化層圖案120b。更特別地，可將第一鈍化層(未示出)形成在焊盤110上而將第二鈍化層(未示出)形成在第一鈍化層上。可對(duì)第一鈍化層和第二鈍化層進(jìn)行光刻處理以在焊盤110上形成包括第一鈍化層圖案120a和第二鈍化層圖案120b的鈍化層圖案120。參照?qǐng)D2，可將UBM層130形成在焊盤IIO上。更特別地，可將UBM層130形成在鈍化層圖案120上、以及被鈍化層圖案120的開口101所暴露的那部分焊盤110上。由于導(dǎo)電凸點(diǎn)可以不(150，見圖5)直接形成在焊盤110上，因此可將UBM層130形成在焊盤IIO上，并可將導(dǎo)電凸點(diǎn)150形成在UBM層130上?？墒褂镁哂信c鈍化層圖案120的高粘附性、具有相對(duì)于焊盤110的低阻抗并且能減少襯底100上的應(yīng)力的材料來形成UBM層130。在示例性實(shí)施方式中，可使用鈦(Ti)、鉤(W)、鉻(Cr)、銅(Cu)、鎳(Ni)、鎳釩(NiV)、鈀(Pd)、鉻/銅(Cr/Cu)、鈦鎢/銅(TiW/Cu)、鈦鎢/金(TiW/Au)和鎳釩/銅(NiV/Cu)等形成UBM層130。這些可單獨(dú)使用或以混合物的形式使用。在示例性實(shí)施方式中，可例如通過蒸發(fā)處理、濺射處理、電鍍處理或化學(xué)鍍處理而形成UBM層130。例如，可經(jīng)由濺射處理按順序沉積金(Ag)和鈦鎢(TiW)而形成UBM層130。在這些實(shí)施方式中，鈦鎢層可用作焊盤110與上引線(upperwiring)之間的防擴(kuò)散層，該上引線在后續(xù)處理中形成。更特別地，例如，金層可改善焊盤110與導(dǎo)電凸點(diǎn)150之間的粘附性，并可在用于形成上引線的電鍍處理中用作籽晶層。參照?qǐng)D3，可將光致抗蝕劑膜140形成在UBM層130上。在示例性實(shí)施方式中，可通過旋涂處理、輥涂處理或狹縫涂布處理來形成光致抗蝕劑膜140。光致抗蝕劑膜140可防止電流傳輸至UBM層130，使得UBM層130在電鍍過程中可不被電鍍。更特別地，可將光致抗蝕劑膜140圖案化以暴露可形成導(dǎo)電凸點(diǎn)150的位置處的一部分UBM層130。在這些實(shí)施方式中，電流可流到未被光致抗蝕劑膜140覆蓋的一部分UBM層130處，例如基本上對(duì)應(yīng)于形成導(dǎo)電凸點(diǎn)150的那部分，同時(shí)光致抗蝕劑膜140可防止電流傳輸?shù)経BM層130被光致抗蝕劑膜140覆蓋的部分。更特別地，參照?qǐng)D4，可將光致抗蝕劑膜140圖案化從而形成光致抗蝕劑圖案142。光致抗蝕劑圖案142可限定導(dǎo)電凸點(diǎn)150形成在UBM層130上的區(qū)域。可通過光刻處理形成光致抗蝕劑圖案142。其上形成導(dǎo)電凸點(diǎn)150的區(qū)域可位于焊盤110之上。在各實(shí)施方式中，形成光致抗蝕劑圖案142之后，可以進(jìn)一步進(jìn)行等離子體灰化處理，以移除在光致抗蝕劑圖案142形成期間從UBM層130產(chǎn)生的殘留物。參照?qǐng)D5，可將導(dǎo)電凸點(diǎn)150形成在UBM層130被光致抗蝕劑圖案142暴露的部分上。導(dǎo)電凸點(diǎn)150可具有例如線形或條形。在各實(shí)施方式中，可通過電鍍處理而形成導(dǎo)電凸點(diǎn)150?？墒褂霉庵驴刮g劑圖案142作為鍍掩模(platingmask),在UBM層130上進(jìn)行電鍍處理以形成導(dǎo)電凸點(diǎn)150。在示例性實(shí)施方式中，可使用包括沒有氰基的化合物(例如，亞硫酸金鈉(Na3Au(S03)2))的電鍍液來形成導(dǎo)電凸點(diǎn)150。參照?qǐng)D6，可從UBM層130移除光致抗蝕劑圖案142?？赏ㄟ^灰化處理和/或剝離處理而移除光致抗蝕劑圖案142。參照?qǐng)D7，可使用蝕刻組合物并使用導(dǎo)電凸點(diǎn)150作為蝕刻掩模，蝕刻UBM層130被導(dǎo)電凸點(diǎn)150暴露的部分，以形成UBM層圖案132。凸點(diǎn)結(jié)構(gòu)200可形成在襯底IOO上，凸點(diǎn)結(jié)構(gòu)200包括焊盤110、鈍化層圖案120、UBM層圖案132和導(dǎo)電凸點(diǎn)150。用于UBM層130的蝕刻組合物可包括約40重量％~約90重量％的過氧化氫(11202)作為氧化劑，約1重量％~約20重量％的包括氫氧化銨(NH40H)或氫氧化四垸基銨的含水堿液，約0.01重量％~約10重量％的醇化合物，以及約2重量％約30重量％的乙二胺基螯合劑。在示例性實(shí)施方式中，該蝕刻組合物還可包括約lppm約1000ppm的非離子表面活性劑。過氧化氫可有效溶解可能殘留在導(dǎo)電凸點(diǎn)150和UBM層圖案132上的氧化雜質(zhì)或有機(jī)雜質(zhì)，該氧化雜質(zhì)包括鈦(Ti)、鈦氧化物(Ticg、鎢(W)、鎢氧化物(WOy)。包括氫氧化銨或氫氧化四垸基銨的含水堿液可移除包括在UBM層130中的鈦，并可溶解可能殘留在導(dǎo)電凸點(diǎn)150上的雜質(zhì)，例如鈦、釹氧化物、鋁(Ai)、鋁氧化物(Aicg、有機(jī)雜質(zhì)。醇化合物可移除殘留在導(dǎo)電凸點(diǎn)150上的有機(jī)雜質(zhì)。乙二胺基螯合劑可防止在蝕刻處理中產(chǎn)生的金屬離子(例如鈦離子)與氧化劑(諸如過氧化氫)反應(yīng)，并防止形成金屬氧化物(諸如鈦氧化物)。乙二胺基螯合劑可與金屬離子反應(yīng)形成螯合物。在示例性實(shí)施方式中，包括氫氧化銨的含水堿液對(duì)過氧化氫的重量比可為約l:6約1:9的范圍。這樣的比例可防止和/或減少對(duì)焊盤110的損害，和/或改善UBM層130的蝕刻速率，該焊盤可包括例如鋁。更特別地，例如在一個(gè)示例性實(shí)施方式中，其中UBM層130包括例如鈦，可使用這樣的蝕刻組合物來蝕刻該UBM層130:該蝕刻組合物包括約68重量％~約77重量％的過氧化氫，約7重量％~約14重量％的包括氫氧化銨的含水堿液，約0.1重量％~約3重量％的醇化合物，以及約15重量。/。約20重量。/。的乙二胺基螯合劑。用于UBM層130的該蝕刻組合物還可包括約lppm約1000ppm的非離子表面活性劑。在另一示例性實(shí)施方式中，其中UBM層130包括例如鈦鎢，可使用這樣的蝕刻組合物來蝕刻UBM層130:該蝕刻組合物包括約75重量％約83重量％的過氧化氫，約1重量％~約7重量％的包括氫氧化四烷基銨的含水堿液，約0.01重量％~約3重量％的醇化合物，以及約15重量％~約20重量％的乙二胺基螯合劑。用于包括鈦鎢的UBM層130的該蝕刻組合物還可包括約lppm約1000ppm的非離子表面活性劑?？赏ㄟ^將襯底100浸入該蝕刻組合物來蝕刻UBM層130。例如，可在約4(TC約70°C的溫度下，將襯底100浸入該蝕刻組合物約1分鐘約5分鐘。在示例性實(shí)施方式中，在使用蝕刻組合物蝕刻被導(dǎo)電凸點(diǎn)150暴露的UBM層130之后，可進(jìn)一步對(duì)其上形成有凸點(diǎn)結(jié)構(gòu)200的襯底100進(jìn)行熱處理。例如，可在氧氣氣氛或氮?dú)鈿夥障掠诩s250。C約36(rC的溫度下進(jìn)行熱處理。在示例性實(shí)施方式中，對(duì)襯底IOO進(jìn)行熱處理之后，可使用蝕刻組合物進(jìn)一步進(jìn)行清潔處理。例如，可在約為2(TC約40°C的溫度下使用蝕刻組合物進(jìn)行約30秒鐘~約1分鐘的清潔處理。當(dāng)使用蝕刻組合物蝕刻UBM層以形成凸點(diǎn)結(jié)構(gòu)200時(shí)，可減少和/或抑制對(duì)包括例如聚酰亞胺或氧氮化硅的鈍化層120，以及包括例如鋁的焊盤110或熔斷體的損害?？捎行㈦s質(zhì)從凸點(diǎn)結(jié)構(gòu)(200)移除，該雜質(zhì)包括例如鈦、鈦氧化物、鎢、鎢氧化物、有機(jī)雜質(zhì)等等。當(dāng)后續(xù)處理期間對(duì)凸點(diǎn)結(jié)構(gòu)200進(jìn)行EDS處理時(shí)，探針針尖可不會(huì)或相對(duì)較少地受到雜質(zhì)的污染。因此，可防止和/或減少由于對(duì)被污染探針卡進(jìn)行清潔的清潔處理而對(duì)探針針尖造成的腐蝕。也就是說，通過減少和/或消除作為UBM層130蝕刻的結(jié)果可能殘留在導(dǎo)電凸點(diǎn)上的雜質(zhì)對(duì)探針卡的污染，可降低清潔處理的頻率并改善EDS處理的可靠性和/或生產(chǎn)率。下面將通過實(shí)施例和對(duì)比例描述示例性實(shí)施方式。應(yīng)當(dāng)理解，本
技術(shù)領(lǐng)域：
的普通技術(shù)人員可做出各種改變和變更，導(dǎo)致實(shí)施方式不同于以下闡述的實(shí)施例。下面將描述用于UBM層的示例性蝕刻組合物的制備。實(shí)施例1制備如下溶液，其包括約79.49重量％的過氧化氫(11202)、約3重量。/。的包括氫氧化四甲基銨(TMAH)的含水堿液、約0.5重量％的乙二醇(EG)、約17重量。/。的乙二胺四乙酸二鉀鹽(EDTA-2K)以及約0.01重量％的非離子表面活性劑NCW(商品名；由日本的WakoPureChemicalIndustries,Ltd.(和光純藥有限公司)生產(chǎn))。將該溶液攪拌約30分鐘以制備用于UBM層的蝕刻組合物。包含氫氧化四甲基銨的含水堿液包括約25重量％的氫氧化四甲基銨。實(shí)施例2除了使用約72.49重量％的過氧化氫和約10重量％的包括氫氧化銨(NH40H)的含水堿液以外，進(jìn)行基本上與實(shí)施例1相同的方法來制備蝕刻組合物。包含氫氧化銨的含水堿液包括約38重量％的氫氧化銨。對(duì)比例1制備包括約100重量％的過氧化氫的溶液。將該溶液攪拌約30分鐘以制備蝕刻組合物。對(duì)比例2制備包括約100重量。/。的稀氟化氫(DHF)的溶液。將該溶液攪拌約30分鐘以制備蝕刻組合物。該稀氟化氫中的水與氟化氫的重量比為約200:1。對(duì)比例3除了使用約80重量％的過氧化氫且不添加NCW和乙二醇(EG)以外，以與實(shí)施例1基本上相同的方法來制備蝕刻組合物。對(duì)比例4除了使用約79.99重量。/。的過氧化氫且不添加乙二醇(EG)以外，以與實(shí)施例1基本上相同的方法來制備蝕刻組合物。對(duì)比例5除了使用約73重量％的過氧化氫且不添加NCW和乙二醇(EG)以外，以與實(shí)施例2基本上相同的方法來制備蝕刻組合物。下面的表1中描述了根據(jù)實(shí)施例1、實(shí)施例2和對(duì)比例1~對(duì)比例5的蝕刻組合物的成分。用重量％表示各成分的含量。表l<table>tableseeoriginaldocumentpage21</column></row><table>實(shí)施例1、實(shí)施例2和對(duì)比例1~對(duì)比例5中蝕刻組合物的蝕刻性能和清潔性能的評(píng)價(jià)。制備襯底用于評(píng)價(jià)根據(jù)實(shí)施例1、實(shí)施例2和對(duì)比例1~對(duì)比例5中蝕刻組合物的蝕刻性能。在每個(gè)襯底上分別形成鈦(Ti)層、鈦鴿(TiW)層、鋁(Al)層、氧氮化硅(SiON)以及聚酰亞胺層。通過在約4(TC約70T的溫度下將襯底分別浸入根據(jù)實(shí)施例1、實(shí)施例2和對(duì)比例1對(duì)比例5的蝕刻組合物中約1~約5分鐘來蝕刻襯底。通過將襯底浸入蒸餾水約5分鐘來清潔每個(gè)襯底。然后，使用氬氣或氮?dú)飧稍锩總€(gè)襯底。使用顯微鏡來觀察其上分別形成有鋁層、氧氮化硅層和聚酰亞胺層的襯底的表面，以確定鋁層、氧氮化硅層和聚酰亞胺層是否被根據(jù)實(shí)施例1、實(shí)施例2和對(duì)比例1對(duì)比例5的蝕刻組合物蝕刻。結(jié)果顯示在下面的表2中。表2<table>tableseeoriginaldocumentpage22</column></row><table>在表2中，"O"表示鋁層、氧氮化硅層或聚酰亞胺層未被蝕刻組合物蝕刻。"o"表示鋁層、氧氮化硅層或聚酰亞胺層被少量蝕刻。"△"表示鋁層、氧氮化硅層或聚酰亞胺層被以平均量蝕刻。"X"表示鋁層、氧氮化硅層或聚酰亞胺層被大量蝕刻。參照表2，實(shí)施例1和實(shí)施例2的蝕刻組合物并未蝕刻在形成凸點(diǎn)結(jié)構(gòu)時(shí)暴露于蝕刻組合物的鋁層、氧氮化硅層和聚酰亞胺層。因此，可以確定根據(jù)實(shí)施例1和實(shí)施例2的蝕刻組合物蝕刻UBM層而不會(huì)損壞鋁層、氧氮化硅層和聚酰亞胺層。使用自動(dòng)視覺檢測(cè)(AVI)系統(tǒng)就對(duì)于鈦層和鈦鎢層的蝕刻性能進(jìn)行評(píng)價(jià)。使用全反射X射線熒光(TXRF)光譜儀進(jìn)行與殘留在鈦層和鈦鎢層上的鈦氧化物量有關(guān)的清潔性能的評(píng)價(jià)，該光譜儀測(cè)量包括在鈦氧化物中的原子的表面密度。使用芯片的復(fù)査率來測(cè)量EDS打磨間隔(sandinginterval),g卩，不對(duì)所用探針進(jìn)行探針針尖的清潔處理就能檢驗(yàn)的芯片數(shù)。結(jié)果列于下面的表3中。<table>tableseeoriginaldocumentpage23</column></row><table>在表3中，"O"表示鈦層或鈦鎢層被蝕刻組合物極有效地蝕刻。"o"表示鈦層或鈦鎢層被蝕刻組合物有效地蝕刻。"A"表示鈦層或鈦鉤層被蝕刻組合物以平均量蝕刻。"X"表示鈦層或鈦鴇層沒有被蝕刻組合物蝕刻。"-"表示未測(cè)量的結(jié)果。參照表3，如根據(jù)實(shí)施例1和實(shí)施例2的蝕刻組合物的蝕刻性能所示，實(shí)施例1和實(shí)施例2的蝕刻組合物有效地蝕刻了鈦層。包括含有氫氧化四甲基銨的含水堿液的實(shí)施例1蝕刻組合物也有效地蝕刻了鈦鎢層。如鈦氧化物殘留物的量的評(píng)價(jià)所示，實(shí)施例1的蝕刻組合物所顯現(xiàn)出的對(duì)于鈦鎢層的清潔性能優(yōu)于鈦層。包括含有氫氧化銨的含水堿液的實(shí)施例2蝕刻組合物對(duì)于鈦層所具有的清潔性能優(yōu)于實(shí)施例1的蝕刻組合物。如EDS打磨間隔中所示，當(dāng)實(shí)施例1和實(shí)施例2的蝕刻組合物用于蝕刻UBM層時(shí)，使用探針針尖檢測(cè)約1700個(gè)以上的芯片而不需探針針尖的清潔處理?？梢宰C實(shí)，與沒有醇化合物或乙二胺基螯合劑的對(duì)比例3和對(duì)比例4的蝕刻組合物相比，既包括醇化合物又包括乙二胺基螯合劑的實(shí)施例1和實(shí)施例2的蝕刻組合物產(chǎn)生更少的雜質(zhì)。包括醇化合物、乙二胺基螯合劑和含氫氧化銨的含水堿液的實(shí)施例2的蝕刻組合物，具有將鈦從襯底有效移除的優(yōu)良清潔性能。當(dāng)使用實(shí)施例2的蝕刻組合物時(shí)，由于沒有鈦氧化物殘留物被測(cè)量到殘留在導(dǎo)電凸點(diǎn)上，也就是說，TXRF光譜儀沒有檢測(cè)到包括在鈦氧化物中的原子的表面密度，因此在EDS處理期間，檢測(cè)約1763個(gè)芯片而不需用于清潔探針針尖的清潔處理。圖8示出了根據(jù)包括氫氧化銨(NH40H)的含水堿液的含量，蝕刻組合物對(duì)鈦的清潔性能的曲線圖。在蝕刻UBM層之后，基于殘留在導(dǎo)電凸點(diǎn)上的鈦殘留物的量，評(píng)價(jià)蝕刻組合物的清潔性能?；贓DS打磨間隔，即不進(jìn)行探針針尖的清潔處理使用探針針尖能檢驗(yàn)的芯片數(shù)，來評(píng)價(jià)蝕刻組合物的清潔性能。以與實(shí)驗(yàn)例l基本相同的方法來測(cè)量鈦殘留物的量和芯片的數(shù)目。在圖8中，"I"表示鈦殘留物的量，"II"表示EDS打磨間隔，也就是說，在EDS處理期間不進(jìn)行探針針尖的清潔處理而使用探針針尖能檢驗(yàn)的芯片數(shù)。制備蝕刻組合物用于評(píng)價(jià)根據(jù)示例性實(shí)施方式的蝕刻組合物的清潔性能。所有的蝕刻組合物都包括約0.5重量％的醇化合物和約15重量。/。的乙二胺四乙酸二鉀鹽(EDTA-2K)?；谖g刻組合物的總量，每種蝕刻組合物分別包括約0重量％、約5重量％、約10重量％、約12重量％以及約15重量％的包括氫氧化銨的含水堿液，剩余為過氧化氫。參照?qǐng)D8，當(dāng)蝕刻組合物包括多于約5重量％的含氫氧化銨的含水堿液時(shí)，在使用蝕刻組合物蝕刻UBM層之后，鈦殘留物不會(huì)殘留在導(dǎo)電凸點(diǎn)上。如圖8所示，當(dāng)蝕刻組合物包括約12重量％的含氫氧化銨的含水堿液時(shí)，不進(jìn)行探針針尖的清潔處理而使用探針針尖能檢驗(yàn)約2000個(gè)芯片。因此，當(dāng)蝕刻組合物包括約15重量％的乙二胺四乙酸二鉀鹽時(shí)，該蝕刻組合物可包括約12重量％的含氫氧化銨的含水堿液。圖9示出了根據(jù)乙二胺基螯合劑的含量，蝕刻組合物對(duì)鈦的清潔性能的曲線圖。在蝕刻UBM層之后，基于殘留在導(dǎo)電凸點(diǎn)上的鈦殘留物的量，評(píng)價(jià)蝕刻組合物的清潔性能。基于EDS打磨間隔，g卩，不進(jìn)行探針針尖的清潔處理使用探針針尖能檢驗(yàn)的芯片數(shù)，評(píng)價(jià)蝕刻組合物的清潔性能。以與實(shí)驗(yàn)例1基本相同的方法來測(cè)量鈦殘留物的量和芯片數(shù)。在圖9中，"III"表示鈦殘留物的量，"IV"表示EDS打磨間隔，也就是說，在EDS處理期間不進(jìn)行探針針尖的清潔處理而使用探針針尖能檢驗(yàn)的芯片數(shù)。制備蝕刻組合物用于評(píng)價(jià)根據(jù)示例性實(shí)施方式的蝕刻組合物的清潔性能。所有的蝕刻組合物都包括約0.5重量％的醇化合物和約12重量。/。含氫氧化銨(NH40H)的含水堿液?；谖g刻組合物的總量，每種蝕刻組合物分別包括約0重量％、約5重量％、約10重量％、約12重量%以及約15重量y。的乙二胺四乙酸二鉀鹽(EDTA-2K)，剩余為過氧化氫恥02)。參照?qǐng)D9，當(dāng)蝕刻組合物不包括乙二胺四乙酸二鉀鹽(EDTA-2K)時(shí)，即0重量％時(shí)，在使用蝕刻組合物蝕刻UBM層之后，鈦殘留物不會(huì)殘留在導(dǎo)電凸點(diǎn)上。隨著乙二胺四乙酸二鉀鹽從約0重量％增加到約15重量％，EDS打磨間隔，即不進(jìn)行探針針尖的清潔處理而使用探針針尖能檢驗(yàn)的芯片數(shù)增加。因此，蝕刻組合物的清潔性能與約0重量%約15重量％的乙二胺基螯合劑含量成比例地增加。該蝕刻組合物可有效地蝕刻鈦層和鈦鎢層而不會(huì)損壞鋁層、氧氮化硅層和聚酰亞胺層。此外，該蝕刻組合物可移除包括鈦氧化物的雜質(zhì)。因此，根據(jù)上述性能的蝕刻組合物可防止和/或減少對(duì)用于EDS處理的探針針尖的污染。根據(jù)各實(shí)施方式，蝕刻組合物可有效地移除UBM層和雜質(zhì)而不會(huì)損壞與UBM層相鄰的層，并可以減少和/或防止雜質(zhì)粘附在導(dǎo)電凸點(diǎn)上，該雜質(zhì)的粘附可在導(dǎo)電凸點(diǎn)形成時(shí)由UBM層的蝕刻而產(chǎn)生。因此，在EDS處理期間雜質(zhì)可不會(huì)粘附到探針卡，并可防止接觸電阻的增加。此外，可降低探針針尖清潔處理的頻率，從而提高生產(chǎn)率。本文中已公開了示例性實(shí)施方式，且盡管使用了特定的術(shù)語，但僅以一般性和說明性的意義使用和解釋它們，而并非出于限制的目的。因此，本
技術(shù)領(lǐng)域：
的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，在不脫離由所附權(quán)利要求書闡述的本發(fā)明精神和范圍的前提下，可對(duì)其中的形式和細(xì)節(jié)作出各種改動(dòng)。權(quán)利要求1.用于凸點(diǎn)下金屬(UBM)層的蝕刻組合物，所述蝕刻組合物包括約40重量％～約90重量％的過氧化氫(H2O2)；約1重量％～約20重量％的包括氫氧化銨(NH4OH)或氫氧化四烷基銨的含水堿液；約0.01重量％～約10重量％的醇化合物；以及約2重量％～約30重量％的乙二胺基螯合劑。2.如權(quán)利要求l所述的蝕刻組合物，其中所述蝕刻組合物包括約68重量％~約77重量％的過氧化氫，約7重量％~約14重量％的包括氫氧化銨的含水堿液，約0.1重量％約3重量％的醇化合物，以及約15重量％~約20重量％的乙二胺基螯合劑，且所述UBM層包括鈦(Ti)。3.如權(quán)利要求1所述的蝕刻組合物，其中所述包括氫氧化銨的含水堿液對(duì)過氧化氫的重量比為約l:6約1:9的范圍。4.如權(quán)利要求1所述的蝕刻組合物，其中所述蝕刻組合物包括約75重量％約83重量％的過氧化氫，約1重量％約7重量％的包括氫氧化四烷基銨的含水堿液，約0.01重量％~約3重量％的醇化合物，以及約15重量％約20重量％的乙二胺基螯合劑，且所述UBM層包括鈦鎢(TiW)。5.如權(quán)利要求1所述的蝕刻組合物，其還包括約lppm約1000ppm的非離子表面活性劑。6.如權(quán)利要求5所述的蝕刻組合物，其中所述非離子表面活性劑包括聚氧化乙烯與聚氧化丙烯的共聚物，或者聚乙二醇與聚丙二醇的嵌段共聚物。7.如權(quán)利要求1所述的蝕刻組合物，其中所述含水堿液包括約25重量％~約50重量％的氫氧化銨。8.如權(quán)利要求1所述的蝕刻組合物，其中所述含水堿液包括約15重量％~約35重量％的氫氧化四烷基銨。9.如權(quán)利要求1所述的蝕刻組合物，其中所述乙二胺基螯合劑包括乙二胺四乙酸(EDTA)、乙二胺四乙酸二鉀鹽(EDTA-2K)、乙二胺四乙酸二鈉鹽(EDTA-2Na)或者乙二胺四乙酸四鈉鹽(EDTA-4Na)。10.形成凸點(diǎn)結(jié)構(gòu)的方法，其包括形成焊盤，所述焊盤電連接至襯底上的半導(dǎo)體芯片；在所述襯底上形成鈍化層圖案，所述鈍化層圖案暴露所述焊盤；在所述鈍化層圖案以及被所述鈍化層圖案暴露的焊盤上形成凸點(diǎn)下金屬(UBM)層；在所述UBM層上形成導(dǎo)電凸點(diǎn)；以及利用所述導(dǎo)電凸點(diǎn)作為掩模，用蝕刻組合物移除所述UBM層的一部分，所述蝕刻組合物包括約40重量％~約90重量％的過氧化氫(H202)，約1重量％~約20重量。/。的包括氫氧化銨(NH40H)或氫氧化四垸基銨的含水堿液，約0.01重量％約10重量％的醇化合物，以及約2重量％約30重量％的乙二胺基螯合劑。11.如權(quán)利要求IO所述的方法，其中包括氫氧化銨的含水堿液對(duì)過氧化氫的重量比為約l:6約1:9的范圍。12.如權(quán)利要求10所述的方法，其中所述蝕刻組合物包括約68重量％約77重量％的過氧化氫，約7重量％~約14重量％的包括氫氧化銨的含水堿液，約0.1重量％約3重量％的醇化合物，以及約15重量％~約20重量％的乙二胺基螯合劑，且所述UBM層包括鈦(Ti)。13.如權(quán)利要求10所述的方法，其中所述蝕刻組合物包括約75重量％約83重量％的過氧化氫，約1重量％~約7重量％的包括氫氧化四垸基銨的含水堿液，約0.01重量％~約3重量％的醇化合物，以及約15重量％約20重量％的乙二胺基螯合劑，且所述UBM層包括鈦鎢(TiW)。14.如權(quán)利要求IO所述的方法，其中所述移除UBM層的一部分包括在約4(TC約70°C的溫度下使用所述蝕刻組合物對(duì)所述UBM層蝕刻約1分鐘約5分鐘。15.如權(quán)利要求IO所述的方法，在移除所述UBM層之后，還包括對(duì)其上形成有導(dǎo)電凸點(diǎn)的襯底進(jìn)行熱處理。16.如權(quán)利要求15所述的方法，在進(jìn)行熱處理之后，還包括在約2(TC約40°C的溫度下使用所述蝕刻組合物對(duì)所述凸點(diǎn)結(jié)構(gòu)清潔約30秒鐘約1分鐘。17.如權(quán)利要求10所述的方法，其中所述UBM層包括鈦鎢(TiW)、鉻(Cr)、銅(Cu)、鈦(Ti)、鎳(Ni)、鎳釩(NiV)、鈀(Pd)、鉻/銅(Cr/Cu)、鈦鎢/銅(TiW/Cu)、鈦鎢/金(TiW/Ag)和鎳釩/銅(NiV/Cu)中的至少一種。18.如權(quán)利要求IO所述的方法，其中所述非離子表面活性劑包括聚氧化乙烯與聚氧化丙烯的共聚物，或者聚乙二醇與聚丙二醇的嵌段共聚物。19.如權(quán)利要求10所述的方法，其中所述含水堿液包括約25重量％~約50重量％的氫氧化銨或約15重量％~約35重量％的氫氧化四烷基銨。20.如權(quán)利要求IO所述的方法，其中所述焊盤包括鋁，且所述鈍化層包括聚酰亞胺或氧氮化硅中的至少一種。全文摘要本發(fā)明提供了使用凸點(diǎn)下金屬層用蝕刻組合物形成凸點(diǎn)結(jié)構(gòu)的方法。在用于凸點(diǎn)下金屬(UBM)層的蝕刻組合物和形成凸點(diǎn)結(jié)構(gòu)的方法中，該蝕刻組合物包括約40重量％～約90重量％的過氧化氫(H₂O₂)，約1重量％～約20重量％的包括氫氧化銨(NH₄OH)或氫氧化四烷基銨的含水堿液，約0.01重量％～約10重量％的醇化合物，以及約2重量％～30重量％的乙二胺基螯合劑。該蝕刻組合物可有效蝕刻包括鈦或鈦鎢的UBM層并可移除雜質(zhì)。文檔編號(hào)C23F1/32GK101440491SQ200810181830公開日2009年5月27日申請(qǐng)日期2008年11月24日優(yōu)先權(quán)日2007年11月22日發(fā)明者姜東旻,姜寶濫,林永,金永南申請(qǐng)人:三星電子株式會(huì)社