專利名稱：卷繞式真空處理裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種卷繞式真空處理裝置，其可以在真空環(huán)境中連續(xù)送出質(zhì)地柔軟的被處理對(duì)象物并使送出的被處理對(duì)象物貼緊筒式輥，再對(duì)筒式輥上的被處理對(duì)象物進(jìn)行規(guī)定的處理，之后卷收經(jīng)過處理的被處理對(duì)象物。
背景技術(shù)：
在現(xiàn)有技術(shù)中，人們公知如下一種薄膜形成裝置一邊利用輥?zhàn)舆B續(xù)送出和卷收磁記錄介質(zhì)，一邊在該磁記錄介質(zhì)的基體上形成薄膜。在上述薄膜形成裝置中，一邊使磁記錄介質(zhì)貼緊正在轉(zhuǎn)動(dòng)的筒式輥而進(jìn)行傳送，一邊在滾筒和面向滾筒設(shè)置的第一陽極之間利用反應(yīng)氣體產(chǎn)生等離子。由此可在磁記錄介質(zhì)上形成保護(hù)膜(例如參照專利文獻(xiàn)1)。另外，還有如下一種等離子處理裝置一邊連續(xù)送出和卷收PET (聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯)或PI (聚酰亞胺)等塑料薄膜，一邊對(duì)其進(jìn)行等離子處理(例如RIE (Reactive Ion Kching，反應(yīng)離子蝕刻)處理)。在上述等離子處理裝置中，一邊使塑料薄膜貼緊正在轉(zhuǎn)動(dòng)的筒式輥而進(jìn)行傳送，一邊在滾筒和面向滾筒設(shè)置的陽極之間利用處理氣體產(chǎn)生等離子。由此可以對(duì)薄膜進(jìn)行蝕刻處理，對(duì)該薄膜進(jìn)行表面改性處理。但是在使用上述等離子的薄膜形成裝置或處理裝置中，其滾筒上接通有高頻電源，當(dāng)滾筒以規(guī)定速度轉(zhuǎn)動(dòng)時(shí)，由所述高頻電源向其提供高頻電。該轉(zhuǎn)動(dòng)的滾筒和處于靜止?fàn)顟B(tài)的高頻電源之間經(jīng)未圖示的旋轉(zhuǎn)用動(dòng)力導(dǎo)入單元連接，該旋轉(zhuǎn)用動(dòng)力導(dǎo)入單元例如可以是使用了水銀(又稱汞)的旋轉(zhuǎn)連接器、由多個(gè)相互面對(duì)的平板構(gòu)成的電容耦合器、集流環(huán)等。專利文獻(xiàn)1日本發(fā)明專利公報(bào)第34四369號(hào)旋轉(zhuǎn)連接器在封裝有水銀的盒體兩端分別具有轉(zhuǎn)動(dòng)電極和固定電極，其中，轉(zhuǎn)動(dòng)電極與滾筒連接，固定電極與高頻電源連接。向上述旋轉(zhuǎn)連接器接通13. 56MHz等的高頻電時(shí)，由于有因發(fā)熱而損壞旋轉(zhuǎn)連接器的危險(xiǎn)，所以旋轉(zhuǎn)連接器不適于連接滾筒和高頻電源。在由多個(gè)相互面對(duì)的平板構(gòu)成的電容耦合器中，一部分平板可以轉(zhuǎn)動(dòng)，而另一部分平板是固定的且分別與這些可轉(zhuǎn)動(dòng)的平板相面對(duì)，其中，可以轉(zhuǎn)動(dòng)的多個(gè)平板與滾筒一例連接，而分別面向這些可轉(zhuǎn)動(dòng)的平板的其他多個(gè)固定平板與高頻電源一側(cè)連接。采用上述電容耦合器，這些平板置于標(biāo)準(zhǔn)大氣壓環(huán)境中時(shí)，在較大電壓的作用下，有可能會(huì)出現(xiàn)絕緣失效的問題。當(dāng)集流環(huán)被用作高頻電源的連接部時(shí)，有可能會(huì)因發(fā)熱而損壞。另外，由于集流環(huán)的電極為接觸式電極，所以該電極會(huì)因相互接觸而磨損，因而有損于集流環(huán)的使用壽命。

發(fā)明內(nèi)容
鑒于上述問題，本發(fā)明的目的在于提供一種卷繞式真空處理裝置，其可防止因發(fā)熱而損壞或絕緣失效的情況出現(xiàn)，因此有利于延長使用壽命。為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式所述的卷繞式真空處理裝置具有真空室、第一電極、供氣單元、第三電極。所述真空室的內(nèi)部狀態(tài)可保持為真空狀態(tài)。所述第一電極為輥?zhàn)与姌O，其以能在所述真空室內(nèi)轉(zhuǎn)動(dòng)的方式設(shè)置，并且通過其轉(zhuǎn)動(dòng)并保持與質(zhì)地柔軟的被處理對(duì)象物接觸，從而可以傳送所述被處理對(duì)象物。所述供氣單元具有在所述真空室內(nèi)面向所述第一電極設(shè)置的第二電極，可向所述被處理對(duì)象物以及所述第二電極之間供應(yīng)處理氣體，該被處理對(duì)象物與所述第一電極接觸。所述第三電極在所述真空室內(nèi)面向所述第一電極設(shè)置，由所述交流電源向該第三電極與所述第一電極之間施加交流電壓。


圖1是表示作為本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方式所述的卷繞式真空處理裝置的等離子處理裝置的大致結(jié)構(gòu)圖。圖2是表示上述等離子處理裝置的大致結(jié)構(gòu)的側(cè)視圖。圖3是表示其他實(shí)施方式所述的電極單元的剖面圖。
具體實(shí)施例方式本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式所述的卷繞式真空處理裝置具有真空室、第一電極、供氣單元、第三電極。所述真空室的內(nèi)部狀態(tài)可保持為真空狀態(tài)。所述第一電極為輥?zhàn)与姌O，其以能在所述真空室內(nèi)轉(zhuǎn)動(dòng)的方式設(shè)置，并且通過其轉(zhuǎn)動(dòng)并保持與質(zhì)地柔軟的被處理對(duì)象物接觸，從而可以傳送所述被處理對(duì)象物。所述供氣單元具有在所述真空室內(nèi)面向所述第一電極設(shè)置的第二電極，可向所述被處理對(duì)象物以及所述第二電極之間供應(yīng)處理氣體，該被處理對(duì)象物與所述第一電極接觸。所述第三電極在所述真空室內(nèi)面向所述第一電極設(shè)置，由所述交流電源向該第三電極與所述第一電極之間施加交流電壓。由于第三電極設(shè)置在真空室內(nèi)，所以當(dāng)真空室內(nèi)保持著規(guī)定的真空度時(shí)，可防止第一電極和第三電極之間產(chǎn)生絕緣失效的問題。另外，由于第三電極以隔開第一電極規(guī)定間隔的方式設(shè)置，即與第一電極在非接觸狀態(tài)下被施加交流電壓，所以它們不會(huì)因相互接觸而磨損，因此這有助于延長電機(jī)的使用壽命。上述第一電極也能以沿著該第一電極的轉(zhuǎn)動(dòng)軸方向延伸的方式設(shè)置。當(dāng)?shù)谌姌O在轉(zhuǎn)動(dòng)軸方向上的長度越接近第一電極在該方向上的長度時(shí)，越能在第一電極和第三電極之間產(chǎn)生均勻的電荷。例如在現(xiàn)有技術(shù)中，筒式輥的轉(zhuǎn)動(dòng)軸部件一端經(jīng)轉(zhuǎn)動(dòng)傳遞單元連接有交流電源時(shí)，該筒式輥在轉(zhuǎn)動(dòng)軸方向上的長度越長，向筒式輥的轉(zhuǎn)動(dòng)軸方向的另一端提供電荷時(shí)所受的電阻越大。但采用本實(shí)施方式所述的卷繞式真空處理裝置時(shí)，由于能夠解決上述電阻問題，所以能在第一電極和第二電極之間利用化學(xué)反應(yīng)氣體均勻地產(chǎn)生等離子。上述第一電極具有外周面，上述第三電極也可具有面對(duì)該外周面的表面，該表面既與所述外周面保持一定間隔又沿著該外周面設(shè)置。因此可使第一電極和第三電極之間的距離可靠地保持一定數(shù)值。這樣能在第一電極和第二電極之間利用化學(xué)反應(yīng)氣體均勻地產(chǎn)生等離子。卷繞式真空處理裝置也可以具有溫度調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)，由其對(duì)上述第一電極進(jìn)行冷卻或加熱處理。因此，可以對(duì)與第一電極接觸的被處理對(duì)象物邊進(jìn)行冷卻或加熱處理邊進(jìn)行傳送。卷繞式真空處理裝置也可以具有對(duì)上述第三電極進(jìn)行冷卻處理的冷卻機(jī)構(gòu)。因此可防止第三電極因發(fā)熱而出現(xiàn)問題，例如可以防止第三電極出現(xiàn)損壞的問題。另外由于第三電極被固定下來，所以與現(xiàn)有技術(shù)中在轉(zhuǎn)動(dòng)傳遞單元上設(shè)置冷卻機(jī)構(gòu)的情況相比，易于在第三電極上設(shè)置水冷機(jī)構(gòu)。下面參照

本發(fā)明的實(shí)施方式。圖1是表示作為本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方式所述的卷繞式真空處理裝置的等離子處理裝置的大致結(jié)構(gòu)圖。圖2是表示上述等離子處理裝置100的大致結(jié)構(gòu)的側(cè)視圖。該等離子處理裝置100例如以帶狀薄膜5為被處理對(duì)象物。作為薄膜5的構(gòu)成材料例如可使用樹脂薄膜，較為典型的，可以選擇聚酰亞胺、聚酰胺、芳族聚酰胺等耐熱溫度在200°C以上的材料。但薄膜5并不局限于樹脂薄膜，例如也可以是磁記錄介質(zhì)中所用的磁膜或其他薄膜。等離子處理裝置100具有真空室15、傳送機(jī)構(gòu)10、供氣單元20、電極單元9和RF 電源(射頻電源)3。真空室15具有分隔壁16，分隔壁16具有連接有未圖示的排氣管的連接部17。連接部17經(jīng)上述排氣管與未圖示的真空泵連接，并且通過該真空泵進(jìn)行排氣，以使真空室15 內(nèi)部維持規(guī)定的真空度。該真空度可在適于進(jìn)行等離子處理的公知范圍內(nèi)適當(dāng)設(shè)定。該真空室15的內(nèi)部空間被隔板觀分隔成兩個(gè)區(qū)域(腔室)，其中之一區(qū)域內(nèi)設(shè)置有電極單元 9、另一區(qū)域內(nèi)設(shè)置有包括后述的與電極單元9對(duì)置設(shè)置的對(duì)置電極23的等離子產(chǎn)生單元。隔板觀具有兩個(gè)圓弧部觀⑴該圓弧部^a均面對(duì)筒式輥13的側(cè)面。當(dāng)設(shè)置這些圓弧部^a時(shí)，可減小上述兩個(gè)區(qū)域之間的氣體的傳導(dǎo)性。當(dāng)減小兩個(gè)區(qū)域之間的氣體的傳導(dǎo)性時(shí)，能夠容易地分別調(diào)整各區(qū)域內(nèi)的氣壓。設(shè)置有包括對(duì)置電極23的等離子產(chǎn)生單元的區(qū)域內(nèi)的氣壓被調(diào)整為適于進(jìn)行等離子處理的氣壓，設(shè)置有電極單元9的區(qū)域內(nèi)的氣壓為不會(huì)在該電極單元9和筒式輥13之間產(chǎn)生異常放電等時(shí)的氣壓。優(yōu)選設(shè)置有電極單元9的區(qū)域也連接有排氣機(jī)構(gòu)，由此可進(jìn)行單獨(dú)排氣。傳送機(jī)構(gòu)10設(shè)置在真空室15內(nèi)并且用來傳送薄膜5，進(jìn)行傳送時(shí)可以對(duì)該薄膜5 進(jìn)行表面處理。較為典型的結(jié)構(gòu)是傳送機(jī)構(gòu)10具有送出輥11，由其送出薄膜5 ；筒式輥 13，被送出的薄膜5接觸并貼緊該筒式輥13并被其冷卻處理；卷收輥12，由其卷收由筒式輥13送出的薄膜5。在送出輥11和筒式輥13之間、以及卷收輥12和筒式輥13之間分別設(shè)置有導(dǎo)向輥14。薄膜5與筒式輥13的外周面18a接觸并與之保持有一規(guī)定的卷繞角度。如圖2所示，筒式輥13呈筒狀，其轉(zhuǎn)動(dòng)軸部件2支承在如支承部件8a和支承板8b 上并能與之產(chǎn)生相對(duì)轉(zhuǎn)動(dòng)。筒式輥13具有絕緣體19，其設(shè)置在兩端并呈圓板形；輥?zhàn)与姌O18，其作為導(dǎo)電部件并被夾在上述兩個(gè)絕緣體19之間。在筒式輥13內(nèi)設(shè)置有未圖示的冷卻機(jī)構(gòu)，其主要用來冷卻筒式輥13的輥?zhàn)与姌O18。作為冷卻機(jī)構(gòu)例如可采用以水或硅油等作為制冷劑來進(jìn)行循環(huán)的機(jī)構(gòu)。制冷劑例如經(jīng)由連接在轉(zhuǎn)動(dòng)軸部件2上的制冷劑導(dǎo)入管 29流入該轉(zhuǎn)動(dòng)軸部件2的內(nèi)部，并經(jīng)由該轉(zhuǎn)動(dòng)軸部件2輸送到筒式輥13內(nèi)。在送出輥11、卷收輥12和筒式輥13的轉(zhuǎn)動(dòng)軸部件2上分別連接有未圖示的電機(jī)。 送出輥11、卷收輥12和筒式輥13在這些電機(jī)的驅(qū)動(dòng)作用下轉(zhuǎn)動(dòng)并對(duì)薄膜5產(chǎn)生作用力以使薄膜5移動(dòng)(被傳送)。另外，送出輥11、卷收輥12、筒式輥13以及導(dǎo)向輥14的設(shè)置方式并不局限于圖1 中所示的方式。還有，導(dǎo)向輥14的數(shù)量也不局限于圖1中所示的四個(gè)，只要能使薄膜5保持規(guī)定的張力，其數(shù)量可任取。供氣單元20具有用于供輸處理氣體的供氣源21 ；對(duì)置電極23，其位于筒式輥13 的下部并面向該筒式輥13設(shè)置；供應(yīng)管22，由其將處理氣體從供氣源21向?qū)χ秒姌O23 — 例供應(yīng)。對(duì)置電極23以面對(duì)筒式輥13上的與薄膜5接觸的位置的方式設(shè)置。對(duì)置電極23 上設(shè)置有用來從供應(yīng)管22導(dǎo)入處理氣體的導(dǎo)入口 23a。在對(duì)置電極23的筒式輥13—側(cè)設(shè)置有簇射板25，該簇射板25安裝在設(shè)置于對(duì)置電極23周圍的絕緣物M上，簇射板25由導(dǎo)體制成，其也可以用來構(gòu)成對(duì)置電極23的一部分。另外，也可以不使用簇射板25而用噴氣嘴導(dǎo)入處理氣體。從供應(yīng)管22經(jīng)導(dǎo)入口 23a供應(yīng)給對(duì)置電極23的處理氣體，經(jīng)簇射板25供應(yīng)給在筒式輥13和簇射板25之間形成的反應(yīng)區(qū)域27內(nèi)。對(duì)置電極23例如被設(shè)定為接地電位。 因此，在由后述的RF電源3施加在RF電極6和輥?zhàn)与姌O18之間的RF高頻電壓的作用下， 由反應(yīng)氣體在反應(yīng)區(qū)域27內(nèi)產(chǎn)生等離子。作為處理氣體，可根據(jù)用途適當(dāng)選擇并使用等離子處理氣體、成膜處理用反應(yīng)氣體、清潔用氣體、蝕刻氣體、凈化用氣體等。供氣單元20具有對(duì)應(yīng)于所使用的氣體的氣瓶和供應(yīng)管22?？筛鶕?jù)等離子處理、蝕刻處理等處理種類或采用CVD法等形成薄膜5的種類來適當(dāng)設(shè)定處理氣體。在本實(shí)施方式中，例如通過導(dǎo)入氬氣或氮?dú)舛a(chǎn)生等離子時(shí)，可對(duì)薄膜5 進(jìn)行等離子處理，對(duì)該薄膜5進(jìn)行表面改性處理。通過均勻的表面改性處理，可以使此后的成膜處理時(shí)形成的薄膜貼合薄膜5的貼合力均勻地得以提高。電極單元9具有RF電極6 ;RF電源3，由其產(chǎn)生高頻電；匹配箱4，其連接在RF電源3和RF電極6之間并用來進(jìn)行阻抗匹配。RF電極6例如以與筒式輥13的未與薄膜5接觸的部分的外周面、即輥?zhàn)与姌O18 的外周面18a隔開規(guī)定的間隔的方式設(shè)置。雖然可以適當(dāng)改變該間隔的大小，但為了提高高頻傳播效率并防止RF電極和筒式輥13之間出現(xiàn)短路現(xiàn)象的需要，雖在壓力作用下其最佳距離會(huì)有所不同，優(yōu)選將該間隔調(diào)節(jié)到例如1 5mm之間。電極單元9具有絕緣體7和用來保持該絕緣體和RF電極6的保持部件沈，該保持部件沈例如支承在支承部件8a和支承板8b上。RF電極6的面對(duì)輥?zhàn)与姌O18的表面6a形成沿著輥?zhàn)与姌O18的外周面18a 的圓筒形形狀(例如圓筒內(nèi)表面形狀)。增加RF電極6的面對(duì)輥?zhàn)与姌O18的面積時(shí)，可提高從RF電極6向輥?zhàn)与姌O18的高頻傳播效率。RF電極6沿筒式輥13的轉(zhuǎn)動(dòng)軸方向設(shè)置，較為典型的情況是其在轉(zhuǎn)動(dòng)軸方向上的長度與輥?zhàn)与姌O18的長度大致上相等，或接近于輥?zhàn)与姌O18的長度。
在具有上述結(jié)構(gòu)的等離子處理裝置100中，向RF電極6施加RF電壓時(shí)，可通過RF 電極6和輥?zhàn)与姌O18之間的間隔向輥?zhàn)与姌O18施加RF電壓。從而可以由處理氣體在輥?zhàn)与姌O18和作為接地電位的對(duì)置電極23之間的反應(yīng)區(qū)域27內(nèi)產(chǎn)生等離子。由此可對(duì)貼緊筒式輥13并被冷卻或加熱處理的且被傳送的薄膜5進(jìn)行等離子處理，使其表面產(chǎn)生改性。如上所述，在本實(shí)施方式中，將RF電極6設(shè)置在真空室15內(nèi)。因此，與例如上述電容耦合器等旋轉(zhuǎn)用動(dòng)力導(dǎo)入單元設(shè)置在標(biāo)準(zhǔn)大氣壓環(huán)境中的情況相比，只要真空室15內(nèi)保持著規(guī)定的真空度，就能夠防止輥?zhàn)与姌O18和RF電極6之間產(chǎn)生絕緣失效的情況。另外，還不存在現(xiàn)有技術(shù)中的旋轉(zhuǎn)連接器等轉(zhuǎn)動(dòng)傳遞單元因發(fā)熱而損壞的問題。還有，由于RF電極6以隔開輥?zhàn)与姌O18 —定間隔的方式設(shè)置，即與輥?zhàn)与姌O18 在非接觸狀態(tài)下接通交流電，所以它們不會(huì)因相互接觸而磨損，這有助于延長RF電極6的使用壽命。由于RF電極6以沿輥?zhàn)与姌O13的轉(zhuǎn)動(dòng)軸方向延伸的方式設(shè)置，所以能在輥?zhàn)与姌O18和RF電極6之間產(chǎn)生均勻的電荷。例如在現(xiàn)有技術(shù)中，筒式輥的轉(zhuǎn)動(dòng)軸部件一端經(jīng)旋轉(zhuǎn)動(dòng)力導(dǎo)入單元連接有交流電源時(shí)，該筒式輥在轉(zhuǎn)動(dòng)軸方向上的長度越長，向筒式輥的轉(zhuǎn)動(dòng)軸方向的另一端(上述一端的相反一側(cè))提供電荷時(shí)所受到的電阻越大。但采用本實(shí)施方式時(shí)，由于能夠解決上述電阻問題，所以能利用反應(yīng)氣體在反應(yīng)區(qū)域27內(nèi)均勻地產(chǎn)生等離子。另外，可以將RF電極6制得較大，因此能將RF電極6的面對(duì)輥?zhàn)与姌O18的面積形成得較大。圖3是表示其他實(shí)施方式所述的電極單元的剖面圖。設(shè)置于輥?zhàn)与姌O18上的該電極單元的RF電極36內(nèi)設(shè)置有冷卻機(jī)構(gòu)。較為典型的情況是該冷卻機(jī)構(gòu)具有供制冷劑流動(dòng)的水道37，該冷卻機(jī)構(gòu)例如采用在該水道37內(nèi)有液態(tài)介質(zhì)循環(huán)的冷卻方式或采用使制冷劑循環(huán)時(shí)使該制冷劑產(chǎn)生形態(tài)變化的冷卻方式。作為液態(tài)介質(zhì)可以例舉出水、硅油等。像這樣，當(dāng)RF電極36被冷卻機(jī)構(gòu)冷卻處理時(shí)，可防止RF電極36因發(fā)熱而出現(xiàn)問題、即可以防止RF電極36出現(xiàn)損壞的情況。另外，由于RF電極36被固定下來，所以與現(xiàn)有技術(shù)中在轉(zhuǎn)動(dòng)傳遞單元上設(shè)置冷卻機(jī)構(gòu)的情況相比，易于在RF電極36上設(shè)置水冷機(jī)構(gòu)。本發(fā)明所述的實(shí)施方式并不局限于以上說明的實(shí)施方式，也可以采用其他各種實(shí)施方式。作為上述實(shí)施方式中所述的卷繞式真空處理裝置，例舉了等離子處理裝置100。 但是，只要能對(duì)質(zhì)地柔軟的被處理對(duì)象物進(jìn)行所需的處理，本發(fā)明也可以適用于等離子CVD 裝置或等離子蝕刻裝置以及其他利用等離子的裝置。也可適當(dāng)改變RF電極6、36和對(duì)置電極23的設(shè)置狀態(tài)、大小等。附圖標(biāo)記說明3，RF電源；5，薄膜；6,36, RF電極；7，絕緣體；9，電極單元；10，傳送機(jī)構(gòu)；13，筒式
輥；15，真空室；18，輥?zhàn)与姌O；18a，外周面；20，供氣單元；21，供氣源；22，供應(yīng)管；23，對(duì)置電極；36，RF電極；37，水道；100，等離子處理裝置
權(quán)利要求
1.一種卷繞式真空處理裝置，其特征在于，具有 真空室，其內(nèi)部狀態(tài)能保持為真空狀態(tài)；第一電極，其設(shè)置在所述真空室內(nèi)并能轉(zhuǎn)動(dòng)，通過該轉(zhuǎn)動(dòng)并保持與質(zhì)地柔軟的被處理對(duì)象物接觸，從而傳送所述被處理對(duì)象物；供氣單元，其具有在所述真空室內(nèi)面向所述第一電極設(shè)置的第二電極，能向所述被處理對(duì)象物以及所述第二電極之間供應(yīng)處理氣體，該被處理對(duì)象物與所述第一電極接觸；第三電極，其與交流電源連接并且在所述真空室內(nèi)面向所述第一電極設(shè)置，由所述交流電源向該第三電極與所述第一電極之間施加交流電壓。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的卷繞式真空處理裝置，其特征在于 所述第一電極以沿著該第一電極的轉(zhuǎn)動(dòng)軸方向延伸的方式設(shè)置。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的卷繞式真空處理裝置，其特征在于所述第一電極具有外周面，所述第三電極具有面對(duì)該外周面的表面，該表面沿著該外周面設(shè)置。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的卷繞式真空處理裝置，其特征在于還具有溫度調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)，通過該溫度調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)對(duì)所述第一電極進(jìn)行冷卻或加熱。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的卷繞式真空處理裝置，其特征在于 還具有對(duì)所述第三電極進(jìn)行冷卻的冷卻機(jī)構(gòu)。
全文摘要
本發(fā)明提供一種卷繞式真空處理裝置，其可防止因發(fā)熱而損壞或絕緣失效的情況出現(xiàn)，因此有利于延長使用壽命。RF電極(6)設(shè)置在真空室(15)內(nèi)。因此，與例如電容耦合器等轉(zhuǎn)動(dòng)傳遞單元設(shè)置在標(biāo)準(zhǔn)大氣壓環(huán)境中的情況相比，只要真空室(15)內(nèi)保持著規(guī)定的真空度，就能夠防止輥?zhàn)与姌O(18)和RF電極(6)之間產(chǎn)生絕緣失效的情況。另外，還不存在現(xiàn)有技術(shù)中的旋轉(zhuǎn)連接器等轉(zhuǎn)動(dòng)傳遞單元因發(fā)熱而損壞的問題。還有，由于RF電極(6)以隔開輥?zhàn)与姌O(18)一定間隔的方式設(shè)置，即與輥?zhàn)与姌O(18)在非接觸狀態(tài)下接通交流電，所以它們不會(huì)因相互接觸而磨損，因此這有助于延長電極的使用壽命。
文檔編號(hào)C23C16/509GK102197159SQ200980142299
公開日2011年9月21日 申請(qǐng)日期2009年10月27日 優(yōu)先權(quán)日2008年11月5日
發(fā)明者多田勛, 廣野貴啟 申請(qǐng)人:株式會(huì)社愛發(fā)科