專利名稱：用于適應性拋光的方法和設備的制作方法
用于適應性拋光的方法和設備優(yōu)先權本申請要求2009年11月30日提交的題為“Method and Apparatus ForConformable Polishing”的美國專利申請第12/627632的優(yōu)先權。
背景技術：
本發(fā)明涉及用于使用化學機械拋光(“CMP”)對平坦剛性工件進行適應性拋光、例如對半導體晶片或瓦片、絕緣基底上的半導體或玻璃基底上的半導體進行適應性CMP拋光的方法和設備。已使用CMP處理和設備來對諸如用作固態(tài)電子裝置的基底的半導體晶片之類的基底進行拋光。已使用高電氣性能的絕緣體上半導體(SOI)技術、即經(jīng)工程設計的多層半導體基底來用于CPU的高性能薄膜晶體管，并且可用于太陽能電池和平板顯示器，例如主 動矩陣液晶(AMIXD)和有機發(fā)光二極管(AMOLED)顯示器。SOI結構或基底包括絕緣半導體材料上的基本上單晶半導體薄層。例如，SOI基底可包括絕緣非晶或多晶硅材料上的單晶硅薄層。較不昂貴的玻璃或玻璃陶瓷材料可用于形成絕緣或操作基底，來替代更昂貴的半導體材料，由此在適用于顯示器、傳感器、光伏應用、太陽能電池以及其它應用的玻璃“S0G”基底上產(chǎn)生單晶硅(或其它單晶半導體材料)。SOG基底可被認為是SOI基底的子集。除非本文中另有陳述或描述，則本發(fā)明所包含的對SOI產(chǎn)品和處理的所有描述均意指包括SOG產(chǎn)品和處理以及其它類型的SOI產(chǎn)品和處理。獲得SOI基底所需的薄半導體層的一種方式是使硅(Si)在晶格匹配基底上外延生長。一替代處理包括將單晶硅晶片粘結于其上生長有Si02氧化層的另一硅晶片，接下來通過拋光或蝕刻，將頂部晶片減小至例如0. 05微米至0. 3微米的單晶硅層。又一方法包括對于諸如氫、氦或氧化離子的離子注入，從而(a)在氧化離子注入的情形下，在頂上覆有Si的硅晶片中形成隱埋氧化層，或者(b)在氫或氦離子注入的情形下，在硅施主晶片中形成弱化層，以從施主晶片中分離(剝離)出薄Si層來進行成膜。這些處理已用于從施主晶片中分離出硅或其它半導體材料的薄層或薄膜，并將該薄膜轉移至操作或絕緣基底來產(chǎn)生SOI基底。這些處理在本文簡稱為“離子注入薄膜轉移處理”或簡稱為“薄膜轉移處理”。已使用若干方法來在離子注入薄膜轉移處理中從施主晶片中分離出薄層或薄膜，并將硅層粘結至絕緣基底。美國專利5，374，564和6，013，563披露了一種熱粘結和分離薄膜轉移處理來產(chǎn)生SOI基底，其中致使注入離子的單晶硅施主晶片與絕緣半導體基底或操作基底的表面接觸。然后，施加熱量、例如熱能，來將施主晶片熱粘結于操作晶片，并從施主晶片中分離出薄硅層，由此留下熱粘結于操作晶片的單晶硅(或其它單晶硅半導體材料)薄膜。美國專利7，176，528披露了一種陽極粘結和分離離子注入的薄膜轉移處理來產(chǎn)生SOG基底，其中致使注入離子的單晶硅施主晶片與絕緣玻璃或玻璃陶瓷基底的表面接觸。對晶片和玻璃基底施加熱量和電壓(還可施加壓力)，來將晶片陽極地粘結于玻璃基底，并從晶片中分離出薄硅層，由此留下陽極地粘結于玻璃基底的單晶硅(或其它單晶硅半導體材料)的薄膜。在SOG處理中，在從施主半導體晶片中移除硅(或其它半導體施主材料)的第一薄層或薄膜之后，這可僅僅移除200納米至800納米的材料層，而留下大約99%或以上的施主半導體晶片。由于單晶硅和其它半導體材料的相對較高成本，因而希望盡可能多次重復使用施主晶片的剩余部分。可通過如下方式來產(chǎn)生大面積的SOI結構對單個絕緣基底(例如玻璃或玻璃陶瓷材料的顯示等級板)上多個側向設置的單個矩形施主晶片(或“瓦片”)進行陣列，從瓦片中分離出多個薄的矩形半導體層，并且將這些薄層粘結至絕緣基底(本文稱為“蓋瓦”的處理)。使用多個施主晶片或瓦片通過重復使用這些施主晶片可實現(xiàn)大大地節(jié)省成本。在離子分離薄膜轉移處理中，在從施主半導體晶片中分離出層之后，施主晶片和SOI基底的剝離或分解出的表面包括來自于注入處理的殘余離子和由于注入和分離處理的結晶受損。為了重復使用施主半導體晶片，需要通過對剝離表面進行固化和移除，以將該半導體晶片恢復成相對無損害并且無離子污染的狀態(tài)，來對施主晶片的剝離表面進行整修或更新。類似地，為了對所產(chǎn)生的SOI基底提供所希望的電氣性能，需要對SOI基底的剝 離表面的離子污染和受損外層進行固化或通過蝕刻或拋光來移除該外層。已使用傳統(tǒng)的化學CMP技術來移除施主晶片和SOI基底的離子污染和受損外層。雖然CMP技術經(jīng)良好地證明，并且可易于獲得現(xiàn)有的設備，但在離子注入薄膜轉移處理中重復使用半導體的情形下，存在與現(xiàn)有CMP技術相關的多個缺點。下文描述這些缺點中的若干缺點。化學機械拋光(“CMP”)是對用在半導體裝置制造中的基底進行平面化和拋光的一種可接受的方法。圖I是傳統(tǒng)的化學CMP裝置的示意圖，其中工件I使用真空/抽吸或表面張力而安裝在載體或拋光頭部3上。晶片的露出表面壓靠于拋光墊5，該拋光墊可以是標準墊或固定磨蝕墊并且安裝在剛性轉臺7上，以在磨蝕墊和晶片之間產(chǎn)生相對運動。標準墊具有耐久的粗糙表面，而固定磨蝕墊具有保持在容納介質(zhì)中的磨蝕顆粒。拋光漿液、包括化學反應試劑(并且如果使用標準墊的話包括磨蝕顆粒)施加于拋光墊的表面。載體頭部在基底I上提供可控載荷、即壓力，以將該基底推靠于拋光墊5。為了在晶片的整個表面實現(xiàn)更均勻的拋光，可在拋光頭部中設有在晶片背面上施加均勻壓力的機構，并且在拋光頭部3和轉臺之間可設有往復的、擺動的或軌道運動。CMP處理提供較高的拋光率以及不具有顯著大規(guī)模表面形貌(例如，基本上平面/平坦)和小規(guī)模表面粗糙度(例如，光滑)的所得平坦平面基底表面。如圖I所示，傳統(tǒng)的CMP處理將拋光壓力施加于具有有限彈性模量的相對剛性工件(例如，SOI制造處理情形中的半導體施主晶片)的背面。此種壓力施加方法在整個晶片表面產(chǎn)生不均勻的壓力分布。圖2中的線A繪制在傳統(tǒng)CMP系統(tǒng)中進行拋光的過程中、對整個圓形晶片的壓力分布進行有限元分析的結果。在圖2中可見，拋光壓力在中部最高，而在晶片邊緣處減小至零。此種不均勻的壓力分布在整個晶片表面產(chǎn)生不均勻的材料移除，而不均勻的材料移除會影響經(jīng)拋光晶片的平整度。用于SOI應用的半導體施主晶片的平整度或平面度是嚴格的，并且通常如下范圍內(nèi)，在幅度上小于5 iim (5000nm)的變化并且在間距、例如峰與峰的距離上超過20mm。由于采用傳統(tǒng)CMP處理而產(chǎn)生的不均勻材料移除，因而須從施主晶片的剝離表面中移除過量材料，以對施主晶片的表面進行充分地更新，來重復地用于傳統(tǒng)的CMP處理。例如，如果需要從施主晶片的剝離表面移除0. 150微米(150nm)的實際損害和污染層，為了確保損害和污染層已完全從施主晶片的整個表面移除，考慮到CMP規(guī)定的前述不均勻特征，則需要從施主晶片移除至少1.0微米(lOOOnm)。因此，需要移除實際損害厚度六倍以上的厚度，以確保移除所有的損害和污染層，而這會造成高度浪費并大大不利于成本效益。傳統(tǒng)的CMP處理在對諸如矩形半導體晶片(或瓦片)或者具有尖銳角部的SOI基底之類的非圓形工件進行拋光時具有尤其不利的結果，而在進行蓋瓦來產(chǎn)生大面積SOI基底時可使用此種非圓形工件。由于在矩形施主晶片的角部處的較高拋光速度和不均勻拋光壓力，因而前述不均勻材料在這些位置處移除放大，與晶片中部相比，這會在晶片的角部處產(chǎn)生更快的材料移除。這稱作“枕頭”或“枕形效果”，這是由于矩形施主晶片呈現(xiàn)非平面的枕狀形狀，此種形狀在矩形施主晶片或瓦片的角部處具有與中心區(qū)域相比減小的厚度。通過此種CMP規(guī)定對于矩形施主晶片的多次重復使用使枕形效果倍增，致使給定晶片的重復使用壽命循環(huán)過早結束，這是由于表面幾何形狀(尤其是角部附近)因枕形效果而偏離可接收的重復使用功能限度。因此，使用傳統(tǒng)的CMP技術來有效地重復使用矩形槳片的次數(shù)受限。因此，需要一種對半導體施主晶片、尤其是矩形半導體施主瓦片的薄膜進行修整或更新 的處理，此種處理會使施主晶片或施主瓦片可重復用在離子注入薄膜轉移SOI制造處理中的次數(shù)增多。傳統(tǒng)的平面化CMP處理和設備通常在用于對其上具有極薄層的基底、例如SOI基底進行拋光時是不盡如人意的。圖3 (未按比例繪制)示意地示出SOG基底11，該基底例如可用作用于AMLCD或有機發(fā)光二極管(AMOLED)顯示板、傳感器、光伏應用、太陽能電池等的底板基底。SOG基底包括玻璃或玻璃陶瓷的絕緣基底13。與SIO處理中的半導體晶片相比并且與SOG基底上的薄半導體層相比，玻璃或玻璃陶瓷基底通常具有相對較大的表面形貌變化。例如，如圖3所示，玻璃基底可具有大規(guī)?；蜉^大的表面變化或起伏，該表面變化或起伏具有高點17和低點19并且具有大約20iim (20000nm)的幅度。然而，玻璃基底13上的半導體層15是與玻璃基底表面的大表面形貌相適應的極其薄的材料層。這些薄的半導體層或膜通常具有在數(shù)百納米厚的量級上的厚度，該厚度比下方玻璃基底的具有20000納米的大表面形貌變化幅度薄數(shù)個數(shù)量級。例如，在離子注入薄膜轉移處理中，具有大約420nm初始厚度的半導體層可從施主晶片轉移到玻璃基底上。然后，應對此種“經(jīng)轉移”的層進行削薄，以移除受離子污染和損害的外層，并且通過移除大約220nm的材料將該外層削薄至大約200nm的所希望最終厚度。因此，下方基底的表面形貌中的20000nm變化比最終硅(Si)層7的200nm厚度大100倍并且比為獲得所希望的最終200nm的層厚而須移除的220nm材料層的厚度大100倍。當使用傳統(tǒng)的平面化CMP拋光技術來對SOG基底11上的經(jīng)沉積硅層削薄，通常會從絕緣玻璃基底13上的大規(guī)模起伏的高點17不可接受地移除整個所沉積的硅層15。例如，如果將SOG基底11削薄至圖3所示的線P所值的平面，則會從玻璃表面中的起伏的高點17移除整個硅層15，由此產(chǎn)生通過硅層15的孔。然而，所轉移的硅層15的受損和受污染的頂層在低點19之上仍保持不被接觸和削薄。為了避免移除各層的整個部分并在各層中產(chǎn)生孔，精加工設備應在從薄膜15的起伏表面移除材料的同時補償該起伏表面或與該起伏表面適應，使得在該薄膜的整個表面基本上均勻地移除材料。共同擁有的待查公開美國專利申請2008/029987IAl披露了一種適應性拋光設備。因此，需要一種高效且有效的“適應性”拋光處理，用于在離子注入薄膜轉移處理中，對SOI、尤其是SOG基底上所轉移的薄膜進行均勻地削薄。

發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)本發(fā)明的一個方面，方法和設備通過將工件的底表面安裝在剛性轉動基部上的真空吸盤上并且借助轉動拋光頭部將拋光壓力施加在工件的頂表面上、來對諸如半導體晶片之類的相對薄且剛性的平坦工件提供拋光。拋光頭部包括加壓流體腔室，該加壓流體腔室通過彈性隔膜限定在其外部下表面處。彈性磨蝕墊安裝于彈性隔膜的外部下表面并且 壓靠于工件，以在工件的表面之上施加均勻的壓力分布。工件可以是非圓形的或矩形工件。工件可具有起伏表面和該起伏表面上的薄材料層或膜，且材料層或膜具有基本上小于工件表面上起伏部幅度或高度的厚度。可通過移除基本上大于起伏部高度的材料厚度來將薄層進行削薄，而不會將起伏部高點處的薄層完全移除。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供適應性拋光設備，該適應性拋光設備具有基部，工件能可釋放地聯(lián)接于該基部；轉動拋光器，該轉動拋光器具有彈性的適應性環(huán)形拋光墊，該環(huán)形拋光墊安裝在該轉動拋光器上，用以與聯(lián)接于該基部的工件的表面相接觸并且彈性地適應于該工件表面；以及基部和拋光器中的一個安裝成相對于另一個側向運動，使得環(huán)形拋光墊抵靠于聯(lián)接于基部的工件的表面轉動且側向地移動，并且從工件的整個表面均勻地移除材料?；亢蛼伖馄髦锌砂惭b成相對于另一個進行擺動運動，使得環(huán)形拋光墊抵靠于聯(lián)接于基部的工件的表面轉動且側向地擺動。該基部包括傳送器，多個工件能可釋放地聯(lián)接于該傳送器，用以在連續(xù)的過程使這些工件一次一個地側向運動經(jīng)過拋光器。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，轉動拋光器包括拋光頭部、空腔以及加壓流體供給通道，該空腔在環(huán)形拋光墊之后位于拋光頭部中，而該加壓流體供給通道與空腔連通，用于以受控的壓力將流體供給至空腔，并且將環(huán)形拋光墊以均勻壓力壓靠于聯(lián)接于基部的工件的表面。拋光頭部可限定向下敞開的空腔，該空腔具有彈性隔膜，且該彈性隔膜跨過該向下敞開的空腔并且將該向下敞開的空腔密封地封閉，以在環(huán)形拋光墊安裝在彈性隔膜的外表面上的情形下形成壓力空腔。流體供給通道在拋光頭部中可與壓力空腔連通，用于以受控的壓力將流體供給至壓力空腔，從而使彈性隔膜膨脹并將環(huán)形拋光墊以均勻壓力壓靠于聯(lián)接于基部的工件的表面。轉動拋光器可包括心軸；轉動頭部安裝在心軸的端部上；供給導管軸向地延伸通過心軸的中部；且在彈性隔膜的中部存在限定彈性隔膜上內(nèi)周緣的孔，其中彈性隔膜的內(nèi)周緣密封地附連于供給導管的端部，使得拋光漿液通過供給導管供給至環(huán)形拋光墊的中部。供給導管可以是撓性管。剛性盤可密封地附連于該撓性管的下端，并且定位抵靠于彈性隔膜的外表面，使得撓性管可彎曲并允許剛性盤傾斜。環(huán)形拋光墊可附連于剛性盤的外表面。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面，適應性拋光設備包括轉動的拋光頭部；撓性的環(huán)形拋光墊，該環(huán)形拋光墊位于拋光頭部上，用以與工件的表面相適應并且對于該表面施加均勻的拋光壓力；供給導管，該供給導管軸向地延伸通過拋光頭部的中部以及拋光墊的中部，用以將拋光漿液供給至拋光墊的中部。拋光設備可包括敞開空腔，該敞開空腔位于拋光頭部的外表面上；彈性隔膜，該彈性隔膜將拋光頭部中的敞開空腔密封地封閉；環(huán)形拋光墊，該環(huán)形拋光墊位于彈性隔膜的外表面上；供給導管，該供給導管軸向地延伸通過隔膜的中部和拋光墊的中部；以及供給通道，該供給通道在拋光頭部中與空腔連通，用于以受控的壓力將流體供給至壓力空腔，從而使彈性隔膜膨脹并將環(huán)形拋光墊以均勻拋光壓力壓靠于工件的表面。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，適應性拋光設備可包括工作臺，工件能可釋放地安裝在該工作臺上；轉動拋光頭部，該轉動拋光頭部具有用于對工件進行拋光的外表面；撓性的環(huán)形拋光墊，該環(huán)形拋光墊位于拋光頭部的外表面上；以及固定件，該固定件用于(a)將轉動拋光頭部安裝成，使得拋光墊與安裝在工作臺上的工件表面相接觸，以及(b)在工作臺和拋光頭部之間產(chǎn)生擺動運動，使得拋光墊抵靠于安裝于工作臺上的工件的表面轉動和擺 動，與工件表面撓性地適應，并由此從工件的整個表面均勻地移除基本上均勻厚度的材料。適應性拋光可包括可膨脹彈性隔膜，該可膨脹彈性隔膜位于拋光頭部的外表面上，且撓性環(huán)形拋光墊附連于該可膨脹彈性隔膜的外表面；以及膨脹裝置，該膨脹裝置用于使彈性隔膜膨脹至受控壓力，并且以均勻的拋光壓力將拋光墊壓靠于工件的表面。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，一種從工件的表面均勻地移除材料的方法可包括以下步驟將工件安裝于工作臺；以基本上均勻的壓力分布將撓性環(huán)形拋光墊壓靠于工件的表面；使環(huán)形拋光墊轉動，同時使環(huán)形拋光墊橫貫工件的表面移動，藉此從工件表面移除基本上均勻的材料厚度。使環(huán)形拋光墊橫貫工件表面移動的步驟可包括Ca)使拋光墊和工作臺中的一個擺動，或者(b)以連續(xù)的過程在工作臺上傳送多個工件，且一次一個工件經(jīng)過環(huán)形拋光墊。將撓性環(huán)形拋光墊壓靠于工件表面的步驟可包括在環(huán)形拋光墊之后提供可膨脹彈性隔膜，使彈性隔膜膨脹，并由此以基本上均勻的壓力將環(huán)形拋光墊適應性地壓靠于工件的表面。該方法可通過彈性隔膜的中部和拋光墊的中部將拋光漿液供給至工件的表面。該方法可對具有起伏表面和起伏表面上的材料層的工件進行拋光，且材料層可具有小于表面上起伏部高度的厚度。材料層可基本上既比起伏部高度又比移除材料厚度薄10或更高的因子。工件可以是非圓形的工件，例如是平坦矩形工件。從本文結合附圖的描述中，本發(fā)明的其它方面、特征和優(yōu)點會對于本領域技術人員顯而易見。


從本文結合附圖的描述中，本發(fā)明的其它方面、特征和優(yōu)點會對于本領域技術人員顯而易見，其中類似的附圖標記代表類似的構件。然而應理解的是，本發(fā)明并不局限于附圖中不出的精確構造和手段，附圖中圖I是傳統(tǒng)的現(xiàn)有技術CMP拋光系統(tǒng)的示意側視圖2是示出使用有限元分析計算而得的、傳統(tǒng)CMP系統(tǒng)和根據(jù)本發(fā)明一個實施例的CMP系統(tǒng)中橫貫工件表面施加的拋光壓力的圖表；圖3是玻璃(SOG)基底上硅的表面的示意邊視圖；圖4是根據(jù)本發(fā)明的CMP拋光系統(tǒng)的示意側視圖；圖5是根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的轉動拋光系統(tǒng)的側剖視圖；圖6是用于圖5所示拋光系統(tǒng)的轉動拋光器的側剖視圖；圖7是圖6所示轉動拋光器的仰視圖；以及圖8是用于圖5所不拋光系統(tǒng)的轉動拋光器的替代實施例；以及
圖9是圖8所示轉動拋光器的仰視圖，且將拋光墊和安裝環(huán)移除；以及圖10是根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的連續(xù)適應性拋光系統(tǒng)的示意俯視圖。
具體實施例方式圖4是本文所描述的適應性拋光系統(tǒng)和方法的示意圖。相對薄的平坦且剛性的工件21、諸如硅晶片、SOI基底或其它工程設計的基底以已知方式安裝在真空吸盤(未示出)上，該真空吸盤設在擺動基部或工作臺23的頂面中或上。轉動的適應性拋光墊25通過轉動拋光頭部27下壓在工件21的頂面上。拋光墊是撓性或彈性墊，該撓性或彈性墊所具有的撓曲彈性模量(例如，20-100MPa)顯著地低于諸如半導體晶片(112000MPa)或SOI基底的工件的撓曲彈性模量，致使拋光墊25比相對剛硬的工件5、21更具撓性或適應性。相對撓性的拋光墊比圖I所示的傳統(tǒng)CMP處理更大程度地適應工件21的表面。所計算出的傳統(tǒng)CMP處理的壓力分布通過圖2中的線A來表示，而所計算出的本文所述CMP處理的壓力分布通過線B來表示。如圖I所示，在傳統(tǒng)的CMP處理中，拋光壓力施加于工件的背面、例如與待拋光的側部相對的側部，且晶片材料的硬度橫貫工件表面產(chǎn)生不均勻的壓力分布，該壓力分布在晶片中部處具有最高壓力的情形下在晶片邊緣線A處逐漸減小至零。在本文所描述的拋光處理中(如圖4所示)，借助適應性彈性磨蝕墊將壓力施加于工件的正面、例如待拋光的側部。通過與諸如硅晶片或SOI基底的工件相比具有相對較低剛度的適應性彈性磨蝕墊來施加壓力，會比傳統(tǒng)的CMP處理(線A)橫貫拋光區(qū)域產(chǎn)生更均勻的壓力分布(線B)。由本文所描述適應性拋光處理所提供的相對更均勻拋光壓力橫貫工件表面產(chǎn)生更均勻的材料移除，并由此實現(xiàn)(I)與傳統(tǒng)的CMP處理相比，在對不均勻表面進行拋光和削薄過程中，改進對于膜厚均勻性的維持，以及(2)當對非圓形工件進行拋光時，減小枕形效果。如圖4所示，拋光墊25的直徑可比工件的寬度大，使得從工件表面的整個直徑或寬度移除材料。如上所述，在對所具有的不均勻或起伏表面上帶有極薄材料層的平坦基底、例如圖3所示的SOG基底進行拋光或削薄時，在整個不均勻表面上進行均勻的材料移除是重要的，以避免在薄層上產(chǎn)生孔。如上所述，減小在對矩形施主晶片或瓦片進行拋光時的枕形效果允許更多次地重復使用矩形施主晶片或瓦片。圖5不出用于實踐本文所描述適應性CMP處理的轉動拋光器50的一個實施例。該拋光器由附連于安裝板53的諸如DC伺服電動機之類電動機51構成。拋光器外殼55也附連于安裝板53。心軸57通過軸承59轉動地安裝在拋光器外殼中，且拋光頭部61安裝于心軸57的下端。傳動帶63安裝在電動機輸出軸67上的電動機或主動輪65和心軸57的上端上的從動輪69之間，用以將電動機輸出軸65傳動地連接于拋光器心軸57,以使拋光頭部61轉動。可使用除了傳動帶以外的傳動鏈、例如齒輪傳動鏈來替代傳動帶，以將電動機輸出軸67傳動地連接于拋光器心軸57。漿液供給導管71延伸通過心軸的中部。現(xiàn)在參加圖6，拋光頭部61是盤形或倒置碟形頭部，且該頭部具有面向下的外表面和位于該外表面中的敞開空腔73。在圖6至圖8中最佳示出，諸如乳膠隔膜之類的環(huán)形彈性隔膜81跨過供給導管71和拋光頭部61的緣邊82之間的環(huán)形間隙。撓性隔膜81的外周緣部分可牢固地夾在外夾環(huán)85和拋光頭部的緣邊82之間。該外夾環(huán)可利用螺釘或其它合適的緊固裝置附連于拋光頭部的緣邊。環(huán)形撓性隔膜的內(nèi)周緣部分可密封地夾在軟管夾86和供給導管71的下端89的外周緣面之間。撓性隔膜81由此對拋光頭部中的空腔73進行密封。在圖7中最佳示出，環(huán)形的撓性、例如適應性磨蝕拋光墊87粘附于彈性隔膜81的露出下表面。
供給導管71可由金屬管82形成。外部橡膠管84可設在金屬管82上，以將隔膜更牢固地保持在軟管夾和供給導管71之間。內(nèi)部金屬管可例如由不銹鋼或鋁形成，而外部橡膠管可例如由硅或橡膠形成。流體端口 91位于拋光器外殼55中。套筒95 (替代地可以是拋光器外殼55的一體部分)中的流體通道93使流體端口與心軸57的外表面中的周向溝槽97連通。心軸中的縱向流體通道99使心軸中的周向溝槽97與拋光頭部61中的空腔73連通。諸如空氣或油液之類的加壓流體供給至流體端口 91并且經(jīng)由通道93、99和溝槽97輸送至拋光頭部中的密封空腔73，用于以本領域眾所周知的控制方式對空腔73進行加壓。圖6示出帶有空腔73的拋光頭部，該空腔在拋光頭部中被加壓使得彈性隔膜81膨脹，并使拋光墊187向下偏置抵靠于工件表面(未示出)。空腔73中的壓力對于適應性彈性隔膜81的背側和拋光墊87施加受控且均勻的拋光壓力，用以使隔膜膨脹并將拋光墊向下壓靠于工件表面(未不出)。隔膜81和拋光墊87的彈性還使得拋光墊能適應于工件的表面，使得拋光壓力在不均勻的工件表面、例如SOI基底的經(jīng)剝離薄硅膜的高低點之上基本上是均勻的。拋光墊和彈性隔膜越有彈性，則橫貫不均勻工件表面上的高低點具有越均勻的壓力，且橫貫工件表面產(chǎn)生越均勻的材料移除。例如，拋光墊可例如具有10至100MPA的彈性模量。彈性隔膜可例如具有IMPa至大約lOOMpa、大約10至100MPA或大約3MPa的彈性模量。彈性隔膜可例如具有IMPa至大約IOOMPa或大約3MPa的彈性模量。供給導管可以是金屬管。在圖6所示實施例的一變型(未示出)中，環(huán)形彈性隔膜81可替換成圓形彈性隔膜，而該圓形彈性隔膜在中部不具有用于供給導管的孔。在該情形中，可從拋光頭部消除供給導管和軟管夾。在該情形中，心軸會是實心的或者被堵塞，使得空腔73中的加壓流體無法通過心軸逸出。拋光漿液可經(jīng)由位于拋光頭部附近的供給導管或噴嘴提供給工作區(qū)域?，F(xiàn)在參見圖8，根據(jù)本文所描述轉動拋光器的另一實施例，環(huán)形轂101彈性地懸在板彈簧103上頭部61的中部，該板彈簧從拋光頭部徑向地延伸至轂。在圖9中最佳地示出板彈簧103，該圖9是圖8所示拋光頭部8的內(nèi)部的仰視圖，而盤、彈性隔膜和夾環(huán)被移除(下文對這些構件進行描述)。環(huán)形剛性盤105利用螺釘或其它合適的緊固件附連于轂101。諸如乳膠隔膜之類的環(huán)形彈性隔膜181跨過盤105和拋光頭部61的緣邊82之間的環(huán)形間隙。彈性隔膜181的內(nèi)周緣部分可牢固地夾在內(nèi)夾環(huán)183和盤105之間。內(nèi)夾環(huán)183可利用螺釘或其它合適的緊固裝置附連于帽蓋。撓性隔膜181的外周緣部分可牢固地夾在外夾環(huán)85和拋光頭部的緣邊82之間。該外夾環(huán)可利用螺釘或其它合適的緊固裝置附連于拋光頭部的緣邊。撓性隔膜181對拋光頭部中的空腔73進行密封。環(huán)形的撓性、例如適應性磨蝕拋光墊87粘附于盤的露出下表面。根據(jù)本文所描述轉動拋光器的一個實施例，轂101和剛性盤105安裝在供給導管71的下端89上。供給導管71可由內(nèi)部金屬管84和外部橡膠管86形成。供給導管71與轂101 (以及下文描述的插塞)、盤105以及拋光墊87中軸向延伸的通孔連通，用以將拋光漿液輸送至拋光墊87的中部。內(nèi)部金屬管84用于為外部橡膠管86提供結構剛度。為了將轂101安裝于外部橡膠管84的下端89，外部橡膠管的下端延伸到轂101中的圓錐形擴張通孔188內(nèi)。將截頭錐形插塞190插入橡膠管84的下端。插塞牢固地夾在盤105和轂101之間，該盤和轂利用螺釘或螺栓緊固在一起，使得橡膠管84的下端89牢固地且密封地夾在插塞190的外部截頭錐形表面和轂101的內(nèi)部截頭錐形表面之間。外部橡膠管的端部89延伸超出內(nèi)部金屬管，以將轂和盤撓性地安裝于心軸57。
轂101和剛性盤105在板彈簧103和撓性外部橡膠管84上的彈性懸置使得轂和盤能夠在撓性外部橡膠管84的下端上傾斜或樞轉，由此為拋光墊提供適應度?；蛘?，可使用通用的或其它的萬向接頭或樞轉接頭，來將剛性供給導管連接于轂101，并且可消除外部橡膠管。諸如Politex墊之類的環(huán)形拋光墊87附連于剛性盤105的下表面。加壓空氣供給到拋光頭部61中的空腔73，以在彈性隔膜之后產(chǎn)生拋光壓力，并且使剛性盤和拋光墊偏置抵靠于工件表面。剛性盤105通過彈簧103懸在拋光頭部中，使得該剛性盤105和拋光墊87可向下偏置抵靠于工件表面，并且隨著工件表面傾斜，從而為拋光墊84在工件表面上提供一定的適應度。然而，與將適應性拋光墊直接安裝在彈性隔膜上相比，剛性盤一定程度上消除拋光墊為適應于不均勻工件表面的彈性能力。彈性隔膜181可例如具有IMPa至大約IOOMPa或大約3MPa的彈性模量。或者，可消除彈性隔膜81、181，且轂和剛性盤可僅僅通過彈簧103而懸置并且偏置抵靠于工件表面。彈簧的剛度可以是0. 502N/nm。對于三種不同的拋光頭部構造進行實驗。在所有三個實驗中，將所有的其它拋光參數(shù)(即，拋光壓力為3psi、拋光速度〈lOOrpm以及氧化鈰漿液)保持相同。使用以下關系來計算所產(chǎn)生的膜厚不均勻性(最大厚度-最小厚度)/ (最大厚度+最小厚度)X 100。實驗I :利用本文所描述并且圖6中示出的拋光器對SOI基底11的轉移層15進行削薄和拋光，該拋光器具有適應性撓性磨蝕拋光墊來直接安裝于圓形加壓彈性隔膜、例如中部不存在漿液孔的隔膜。所使用拋光墊和隔膜的順應性橫貫拋光區(qū)域產(chǎn)生相對均勻的壓力分布，并且由此產(chǎn)生具有令人滿意的膜厚均勻性水平的薄硅層或薄膜。所產(chǎn)生的膜厚不均勻性是7%。實驗2 利用用在實驗I中的拋光器來對SOI基底的轉移層進行削薄并拋光，但具有聚酯拋光墊來代替拋光墊87直接安裝于加壓彈性隔膜。與用在實驗I中的拋光墊相比，聚酯材料所具有的更大順應性橫貫拋光區(qū)域產(chǎn)生更均勻的壓力分布，并且由此產(chǎn)生具有比采用實驗I中拋光墊所實現(xiàn)的膜厚均勻性水平更大的膜厚均勻性水平的薄硅層或薄膜。所產(chǎn)生的膜厚不均勻性是2. 5%。實驗3 利用本文所描述并且圖8中示出的拋光器對SOI基底的轉移層進行削薄和拋光，該拋光器具有安裝于加壓彈性隔膜上的剛性盤的磨蝕拋光墊。所產(chǎn)生的膜厚不均勻性是33%。此種構造提供三種構造中最小程度的均勻材料移除和最小程度的均勻層厚。實驗I至3清楚地表明，比起在傳統(tǒng)的CMP處理中通過剛性的非適應性拋光頭部施加壓力，通過順應性的適應性隔膜和拋光墊對于待拋光的工件表面施加拋光壓力導致更均勻地對晶片進行拋光并且將薄膜精加工至更均勻的厚度。這是由于通過順應性隔膜施加壓力會在拋光區(qū)域之上產(chǎn)生更均勻的壓力分布。因此，圖5至圖8和圖10中示出的適應性拋光頭部會最有利地用于將SOG或SOI基底上半導體的轉移、經(jīng)剝離的層或膜進行削薄，以移除硅或其它半導體材料的受損和污染外層，并產(chǎn)生最終的SOI或SOG基底，并且降低在對 矩形或其它非圓形工件進行拋光時產(chǎn)生的枕形。然而，應理解的是，根據(jù)圖9的適應性拋光還可用于對SOG或SOI基底的轉移、經(jīng)剝離硅層進行削薄，以移除硅層中的受損和污染外層，并降低在對矩形工件進行拋光時、例如在對矩形半導體施主瓦片進行更新以重新用在離子注入薄膜轉移處理中以及在對矩形SOG基底進行拋光時產(chǎn)生枕形的可能性。根據(jù)在此描述的適應性CMP處理的一個實施例。具有諸如SOI基底11之類待拋光不均勻表面的平坦剛性工件21或非圓形工件安裝在擺動基部或工作臺23上的真空吸盤上，且該真空吸盤啟動以將工件在工作臺上固定就位。將拋光頭部27、61放置在拋光位置中，并使環(huán)形拋光頭部87與工件表面相接觸。如圖4所示，拋光墊87的直徑可大于工件的寬度。經(jīng)由供給導管71將諸如氧化鈰之類的拋光漿液供給至拋光墊和SOI基底之間的交界部。電動機51啟動，以使拋光頭部61以高達100轉/每分鐘的速度轉動，且工作臺23啟動，從而以大約50_/秒的速度擺動。拋光頭部可替代地在工作臺和工件保持靜止的同時擺動。拋光頭部和工作臺相對于彼此擺動并轉動，以實現(xiàn)橫貫工件表面進行均勻拋光。如圖10所示，拋光墊87的內(nèi)直徑可比工件的寬度大，從而在工件相對于環(huán)形拋光墊擺動時，從工件表面的整個直徑或寬度更均勻地移除材料。工作臺還可沿與拋光頭部的方向相反的方向轉動。以大約每平方英寸3磅的受控壓力將加壓空氣供給到拋光頭部中的空腔73。持續(xù)進行拋光，直到實現(xiàn)所希望的工件厚度或表面光潔度為止，且在SOI基底的情形中，直到實現(xiàn)所希望的半導體或硅膜厚度或表面光潔度為止?？蓪伖鉂{液中磨蝕顆粒的顆粒尺寸和濃度、拋光墊的拋光墊設計上的磨蝕顆?；蛲黄鸩康某叽绾头植?例如，平滑度、開槽等等)、諸如拋光頭部中受控壓力之類的拋光壓力以及拋光頭部和工作臺的轉動速度進行選擇，以實現(xiàn)相對較高的移除速率，同時產(chǎn)生良好的表面均勻性和光潔度。圖10不意地不出利用本文所描述的適應性拋光器、以自動方式一次一個工件一個接一個地對運動傳送器上的多個工件進行持續(xù)拋光的系統(tǒng)和處理。圖10中的工件111(僅僅示出一個工件11)示作矩形工件、例如矩形半導體晶片或SOI基底，然而該工件可以是圓形的或任何其它形狀。工件111以已知方式通過吸氣作用保持在運動傳送帶或工作臺113上。吸氣作用可通過多孔傳送器施加于工件，或者工件可通過沿著傳送器隔開的多個真空吸盤(未示出)來保持。工件通過傳送器承載于拋光墊下方，并且在它們一個接一個通過拋光頭部下方時由拋光墊87拋光。如圖10所示，環(huán)形拋光墊87的內(nèi)直徑可大于工件的寬度，使得環(huán)形拋光墊跨過工件的整個寬度。在工件在傳送器上行經(jīng)拋光頭部時，拋光墊的環(huán)形尺寸和形狀實現(xiàn)從工件表面的一側至另一側相對較均勻的拋光時間和速度。拋光漿液可以是任何合適的商業(yè)上可得到的CMP拋光漿液，例如氧化鈰或其它膠體硅漿液。比起使用用在傳統(tǒng)CMP中的昂貴漿液，使用氧化鈰會降低消費成本。彈性隔膜可以例如由任何合適的彈性材料形成，例如乳膠或硅酮橡膠。彈性隔膜較佳地具有大約I至大約IOOMPa的彈性模量。拋光墊可以是多孔拋光墊，例如通過使聚氨酯凝結尤其是通過使商業(yè)上可得到的聚氯乙烯與聚醚氨酯的聚合物凝結而產(chǎn)生的多孔非纖維墊，并且可從路德爾公司售出的P0LITEXTM高、規(guī)則且低絨毛高度的拋光墊獲得。磨蝕墊可包括固定磨蝕結構，該磨蝕結構可以是其接觸表面上微米尺寸柱部的微米復制型式。柱部包含在樹脂狀基質(zhì)中的磨蝕材料?？蓮拿髂崽K達州圣保羅的3M公司獲得固定的磨蝕材料。在對玻璃(SOG)基底上的硅進行拋光時，此種實施例被認為是有利的。拋光墊與工件表面配合的表面較佳地深深 地開有溝槽或通道。借助示例，這些溝槽可以是在笛卡爾坐標系中大約21_X21mm量級上的垂直網(wǎng)狀陰影結構，并且可以是大約Imm深或更深。合適的拋光墊可從羅門哈斯公司(Rohm-Haas Incorporated)獲得，目前作為 SUBA 840 PAD 48，，D PJ;XA25 (供應商的材料號10346084)售賣。溝槽222的替代型式也是可以的，例如鉆石形溝槽、螺線形溝槽、徑向和/或周向延伸的溝槽等等。工件可具有任何材料，例如玻璃、玻璃陶瓷、半導體和它們的組合，例如絕緣體上半導體(SOI)或玻璃上半導體(SOG)的結構。在半導體材料的情形中，例如可從包括以下材料的材料組中獲得硅(Si )、摻鍺硅(SiGe)、碳化硅(SiC)、鍺(Ge)、砷化鎵(GaAs)、GaP和InP。所提出處理的各種優(yōu)點在于與傳統(tǒng)的CMP處理相比，本申請所披露的設備和方法允許在工件表面之上提供更均勻的拋光壓力分布。所披露的設備和方法將在拋光過程中保持工件的吸盤或其它裝置與對于工件表面施加壓力并進行拋光的拋光機構分離，提供與傳統(tǒng)CMP相比較簡單的拋光機構。所披露的設備和方法通過將晶片保持在剛性工作臺上并且借助拋光器頭部在頂部施加拋光壓力進行拋光可在持續(xù)的傳送器上執(zhí)行晶片拋光。在傳送器上進行拋光增大生產(chǎn)率并且消除部件在不同處理階段的操作和轉移時間，這會降低成本。將剛性工件保持在轉動頭部并且轉動抵靠于轉臺上拋光墊的傳統(tǒng)CMP拋光無法在傳送器類型拋光裝置中執(zhí)行。盡管在此參照特定實施例對本發(fā)明進行了描述，但應當理解，這些實施例僅是對本發(fā)明原理和應用的說明。因此，應當理解可對說明性實施例進行多種更改且可設計其它設置而不偏離由所附權利要求書所限定的本發(fā)明的精神和范圍。
權利要求
1.一種適應性拋光設備，包括 基部，工件能可釋放地聯(lián)接在所述基部上； 轉動拋光器，所述轉動拋光器具有彈性適應性環(huán)形拋光墊和拋光漿液供給導管，所述環(huán)形拋光墊安裝在所述轉動拋光器上并且用于與聯(lián)接于所述基部的工件表面接觸并且彈性地適應于所述工件表面，而所述拋光漿液供給導管具有位于所述環(huán)形拋光墊中部處的出口，用以將拋光漿液供給至所述工件的表面；以及 所述基部和所述拋光器中的一個安裝成相對于另一個側向運動，使得所述環(huán)形拋光墊抵靠于聯(lián)接于所述基部的所述工件的表面轉動且側向地移動，并且從所述工件的整個表面均勻地移除材料。
2.如權利要求I所述的適應性拋光設備，其特征在于，所述基部和所述拋光器中的一 個安裝成相對于另一個進行擺動運動，使得所述環(huán)形拋光墊抵靠于聯(lián)接于所述基部的所述工件的表面轉動且側向地擺動。
3.如權利要求I所述的適應性拋光設備，其特征在于，所述拋光器還包括 拋光頭部、空腔以及加壓流體供給通道，所述空腔在所述環(huán)形拋光墊之后位于所述拋光頭部中，而所述加壓流體供給通道與所述空腔連通，用于以受控的壓力將流體供給至所述空腔，并且將所述環(huán)形拋光墊以均勻壓力壓靠于聯(lián)接于所述基部的所述工件的表面。
4.如權利要求2所述的適應性拋光設備，其特征在于，所述轉動的拋光器包括拋光頭部，所述拋光頭部限定向下敞開的空腔； 彈性隔膜跨過所述向下敞開的空腔，并且將所述向下敞開的空腔密封地封閉以形成壓力空腔； 所述環(huán)形拋光墊安裝在所述彈性隔膜的外表面上；以及 流體供給通道在所述拋光頭部中與所述壓力空腔連通，用于以受控的壓力將流體供給至所述壓力空腔，從而使所述彈性隔膜膨脹并將所述環(huán)形拋光墊以均勻壓力壓靠于聯(lián)接于所述基部的所述工件的表面。
5.如權利要求4所述的適應性拋光設備，其特征在于， 所述轉動的拋光器包括心軸； 所述拋光頭部安裝在所述心軸的端部上； 所述供給導管軸向地延伸通過所述心軸的中部；以及 在所述彈性隔膜的中部存在限定所述彈性隔膜上內(nèi)周緣的孔，其中所述彈性隔膜的內(nèi)周緣密封地附連于所述供給導管的端部，使得所述拋光漿液通過所述供給導管供給至所述環(huán)形拋光墊的中部。
6.如權利要求5所述的適應性拋光設備，其特征在于， 所述供給導管是撓性管； 剛性盤密封地附連于所述撓性管的下端，并且定位抵靠于所述彈性隔膜的外表面，使得所述撓性管能彎曲并允許所述剛性盤傾斜；以及 所述環(huán)形拋光墊附連于所述剛性盤的外表面。
7.如權利要求6所述的適應性拋光設備，其特征在于，所述剛性盤在所述空腔中的多個板簧上懸在所述拋光頭部中，且所述多個板簧從所述拋光頭部徑向地向內(nèi)延伸至所述剛性盤。
8.一種適應性拋光設備，包括 轉動的拋光頭部； 撓性的環(huán)形拋光墊，所述環(huán)形拋光墊位于所述拋光頭部上，用以與工件的表面相適應并且對于所述表面施加均勻的拋光壓力； 供給導管，所述供給導管軸向地延伸通過所述拋光頭部的中部以及所述拋光墊的中部，用以將拋光漿液供給至所述拋光墊的中部。
9.如權利要求8所述的適應性拋光設備，其特征在于，還包括 敞開空腔，所述敞開空腔位于所述拋光頭部的外表面上； 彈性隔膜，所述彈性隔膜將所述拋光頭部中的敞開空腔密封地封閉； 所述環(huán)形拋光墊位于所述彈性隔膜的外表面上； 所述供給導管軸向地延伸通過所述隔膜的中部和所述拋光墊的中部；以及供給通道，所述供給通道在所述拋光頭部中與所述空腔連通，用于以受控的壓力將加壓流體供給至所述壓力空腔，從而使所述彈性隔膜膨脹并將所述環(huán)形拋光墊以均勻拋光壓力適應性地壓靠于工件的表面。
10.如權利要求8所述的適應性拋光設備，其特征在于，還包括 工作臺，工件能可釋放地安裝在所述工作臺上； 轉動拋光頭部，所述轉動拋光頭部具有用于對所述工件進行拋光的外表面； 撓性的環(huán)形拋光墊，所述環(huán)形拋光墊位于所述拋光頭部的外表面上；以及固定件，所述固定件用于(a)將所述轉動拋光頭部安裝成，使得所述拋光墊與安裝在所述工作臺上的工件的表面相接觸，以及(b)在所述工作臺和所述拋光頭部之間產(chǎn)生擺動運動，使得所述拋光墊抵靠于安裝于所述工作臺上的所述工件的表面轉動和擺動，與所述工件表面撓性地適應，并由此從所述工件的整個表面均勻地移除基本上均勻厚度的材料。
11.如權利要求10所述的適應性拋光設備，其特征在于，還包括 可膨脹彈性隔膜，所述可膨脹彈性隔膜位于所述拋光頭部的外表面上，且所述撓性環(huán)形拋光墊附連于所述可膨脹彈性隔膜的外表面；以及 膨脹裝置，所述膨脹裝置用于使所述彈性隔膜膨脹至受控壓力，并且以均勻的拋光壓力將所述拋光墊壓靠于所述工件的表面。
12.—種從工件的表面均勻地移除材料的方法，所述方法包括以下步驟 將所述工件安裝于工作臺； 以基本上均勻的壓力分布將撓性環(huán)形拋光墊壓靠于所述工件的表面； 使所述環(huán)形拋光墊轉動，同時使所述環(huán)形拋光墊橫貫所述工件的表面移動，藉此從所述工件表面移除基本上均勻的材料厚度。
13.如權利要求12所述的方法，其特征在于，使所述環(huán)形拋光墊橫貫所述工件表面移動的步驟包括使所述拋光墊和所述工作臺中的一個擺動。
14.如權利要求12所述的方法，其特征在于，使所述環(huán)形拋光墊橫貫所述工件表面移動的步驟包括以連續(xù)的過程在所述工作臺上傳送多個工件，且一次一個工件經(jīng)過所述環(huán)形拋光墊。
15.如權利要求12所述的方法，其特征在于，以基本上均勻的壓力將所述撓性環(huán)形拋光墊壓靠于所述工件表面的步驟包括在所述環(huán)形拋光墊之后提供可膨脹彈性隔膜，使所述彈性隔膜膨脹，并由此以基本上均勻的壓力將所述環(huán)形拋光墊適應性地壓靠于所述工件的表面。
16.如權利要求12所述的方法，其特征在于，還包括如下步驟通過所述彈性隔膜的中部和所述拋光墊的中部將拋光漿液供給至所述工件的表面。
17.如權利要求12所述的方法，其特征在于， 所述工件具有起伏表面和所述起伏表面上的材料層，且所述材料層具有小于所述表面上起伏部高度的厚度；以及 如下步驟以基本上均勻的壓力分布將撓性環(huán)形拋光墊壓靠于所述工件的表面，使所述環(huán)形拋光墊轉動，并且使所述環(huán)形拋光墊橫貫所述工件的表面移動，從所述材料層移除 基本上均勻的材料厚度，而不會將所述工件表面上任何起伏部頂部處的材料層完全移除。
18.如權利要求17所述的方法，其特征在于，所述材料層比所述起伏部的高度薄。
19.如權利要求18所述的方法，其特征在于，所述工件是平坦矩形工件。
20.如權利要求12所述的方法，其特征在于，所述工件是平坦矩形工件。
21.如權利要求I所述的適應性拋光設備，其特征在于，所述工件是平坦矩形工件。
22.如權利要求21所述的適應性拋光設備，其特征在于，所述環(huán)形拋光墊跨過所述工件表面的整個寬度。
23.如權利要求I所述的適應性拋光設備，其特征在于，所述環(huán)形拋光墊的內(nèi)直徑大于所述工件表面的寬度或直徑。
24.—種適應性拋光設備,其特征在于， 基部，工件能可釋放地聯(lián)接在所述基部上； 轉動拋光器，所述轉動拋光器具有彈性適應性環(huán)形拋光墊，所述環(huán)形拋光墊安裝在所述轉動拋光器上并且用于與聯(lián)接于所述基部的工件的表面接觸并且彈性地適應于所述工件表面，且所述拋光墊具有大于所述工件的寬度或直徑的內(nèi)直徑；以及 所述基部和所述拋光器中的一個安裝成相對于另一個側向運動，使得所述環(huán)形拋光墊抵靠于聯(lián)接于所述基部的所述工件的表面轉動且側向地移動，并且從所述工件的整個表面均勻地移除材料。
全文摘要
提供用于對工件進行均勻地拋光的適應性拋光頭部的方法和設備。拋光頭部包括彈性拋光墊，該彈性拋光墊安裝在彈性隔膜上，該彈性隔膜對拋光墊中的空腔進行密封。對空腔進行加壓，以使隔膜膨脹并將拋光墊下壓在工件的頂面上，使得拋光墊適應于該表面并且橫貫工件施加基本上均勻的壓力分布，由此橫貫工件上的高低點均勻地移除材料。
文檔編號B24B37/07GK102753307SQ201080054039
公開日2012年10月24日 申請日期2010年11月22日 優(yōu)先權日2009年11月30日
發(fā)明者A·賈殷, G·艾森斯托克 申請人:康寧股份有限公司