專利名稱：襯底的拋光裝置及其拋光的襯底的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及襯底的加工技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種襯底的拋光裝置及其拋光的襯底。
背景技術(shù)：
現(xiàn)有的襯底的加工工藝流程包括以下步驟(1)切片將晶棒粘放在一個(gè)切割塊上來保證晶圓能沿正確的晶向方向切割。切片采用線鋸來完成，將晶棒切割成一定厚度的襯底。(2)磨邊剛切好的襯底，其邊緣是垂直于切割平面的直角，此角極易崩裂，不但影響襯底強(qiáng)度，更是后續(xù)加工過程中污染的來源，因此需要將邊緣磨成光滑的圓弧，提高產(chǎn)
品質(zhì)量。(3)研磨研磨的目的是去除在切割時(shí)產(chǎn)生的鋸紋或表面損傷層。同時(shí)使襯底表面達(dá)到可以拋光的平整度。(4)拋光通過化學(xué)腐蝕和機(jī)械磨擦的共同作用使襯底表面的微觀粗糙度更低， 同時(shí)使襯底表面的平整度也達(dá)到比較高的水平。拋光分粗拋和精拋兩步。如圖1所述，在拋光步驟中所使用的拋光裝置包括具有一定轉(zhuǎn)速匹配關(guān)系的中心齒圈3和外齒圈4 ；由中心齒圈3帶動(dòng)旋轉(zhuǎn)的環(huán)形上盤1和獨(dú)立控制旋轉(zhuǎn)的環(huán)形下盤2，粘貼到上盤1下表面和下盤2上表面的拋光布8，以及平放在貼有拋光布8的下盤2上表面的一個(gè)或多個(gè)游星輪5 (carrier)，每個(gè)游星輪5具有可以放置襯底7的一個(gè)或多個(gè)孔，所述游星輪5在中心齒圈3和外齒圈4的帶動(dòng)下旋轉(zhuǎn)。參見圖2，以3英寸襯底拋光為例，拋光裝置的下盤2上布置5個(gè)游星輪5，每個(gè)游星輪5可以放置4個(gè)3英寸的襯底，配置好的拋光液滴落到襯底7或是拋光布8上。拋光時(shí)，下盤2逆時(shí)針旋轉(zhuǎn)，中心齒圈3帶動(dòng)上盤1順時(shí)針旋轉(zhuǎn)，外齒圈4逆時(shí)針旋轉(zhuǎn)，與中心齒圈3 —起帶動(dòng)游星輪5逆時(shí)針旋轉(zhuǎn)，襯底7也在游星輪5中做逆時(shí)針轉(zhuǎn)動(dòng)。襯底7邊緣的線速度大于襯底7中心的線速度，襯底7邊緣的運(yùn)動(dòng)距離要長(zhǎng)于襯底7中心的運(yùn)動(dòng)距離，當(dāng)上盤1的壓力6保持不變時(shí)，襯底7邊緣要比襯底7中心受到更多的化學(xué)機(jī)械作用，因此襯底7邊緣的去除率要高于襯底7中心的去除率。因此，利用現(xiàn)有的拋光裝置在拋光步驟對(duì)襯底進(jìn)行拋光時(shí)，由于襯底中心的拋光作用比較弱，而襯底邊緣的拋光作用比較強(qiáng)，因而導(dǎo)致襯底在拋光時(shí)的襯底平整度很難保證在較高的水平，經(jīng)拋光后的襯底呈現(xiàn)中心高邊緣低的現(xiàn)象，襯底的整體厚度偏差 (TTV，total thickness deviation)較大，特別是襯底表面的局部厚度偏差(LTV, local thickness deviation)較大，因而很難能制備出TTV，LTV和局部厚度表征讀數(shù)(LTIR, local thickness indicated reading)比較/[氐白勺襯底。

發(fā)明內(nèi)容
(一)要解決的技術(shù)問題
4
本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是，針對(duì)上述缺陷，如何提供一種能夠提高襯底平整度的拋光裝置，以及高平整度的襯底。(二)技術(shù)方案為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供了一種襯底的拋光裝置，所述拋光裝置包括分別由電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)旋轉(zhuǎn)的中心齒圈3和外齒圈4 ；在中心齒圈3帶動(dòng)下旋轉(zhuǎn)并用于對(duì)襯底7施加壓力6的環(huán)形上盤1 ；由電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)旋轉(zhuǎn)并用于承載襯底7的環(huán)形下盤2 ；粘貼到下盤2上表面的下盤拋光布8-2，用于對(duì)襯底7進(jìn)行拋光；平放在貼有下盤拋光布8-2的下盤2上表面的一個(gè)或多個(gè)圓形游星輪5，所述游星輪5在中心齒圈3和外齒圈4的帶動(dòng)下旋轉(zhuǎn)，具有用于放置襯底7的一個(gè)或多個(gè)孔；以及布置在下盤拋光布8-2與下盤2之間具有預(yù)定均勻厚度的第一環(huán)形背墊9，所述第一環(huán)形背墊9的內(nèi)沿半徑大于所述下盤2的內(nèi)沿半徑，所述第一環(huán)形背墊9的外沿半徑小于所述下盤2的外沿半徑，用于使襯底7中心和邊緣的化學(xué)機(jī)械拋光作用達(dá)到平衡。優(yōu)選地，所述拋光裝置進(jìn)一步包括粘貼到上盤1下表面的上盤拋光布8-1，所述上盤拋光布8-1和下盤拋光布8-2 —起用于對(duì)襯底進(jìn)行拋光。本發(fā)明還提供了一種襯底的拋光裝置，所述拋光裝置包括分別由電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)旋轉(zhuǎn)的中心齒圈3和外齒圈4 ；在中心齒圈3帶動(dòng)下旋轉(zhuǎn)并用于對(duì)襯底7施加壓力6的環(huán)形上盤1 ；由電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)旋轉(zhuǎn)并用于承載襯底7的環(huán)形下盤2 ；粘貼到上盤1下表面的上盤拋光布8-1和粘貼到下盤2上表面的下盤拋光布8-2， 所述上盤拋光布8-1和下盤拋光布8-2 —起用于對(duì)襯底進(jìn)行拋光；平放在貼有下盤拋光布8-2的下盤2上表面的一個(gè)或多個(gè)圓形游星輪5，所述游星輪5在中心齒圈3和外齒圈4的帶動(dòng)下旋轉(zhuǎn)，具有用于放置襯底7的一個(gè)或多個(gè)孔；以及布置在上盤拋光布8-1與上盤1之間具有預(yù)定均勻厚度的第二環(huán)形背墊，所述第二環(huán)形背墊的內(nèi)沿半徑大于所述上盤1的內(nèi)沿半徑，所述第二環(huán)形背墊的外沿半徑小于所述上盤1的外沿半徑，用于使襯底7中心和邊緣的化學(xué)機(jī)械拋光作用達(dá)到平衡。優(yōu)選地，所述拋光裝置進(jìn)一步包括布置在下盤拋光布8-2與下盤2之間具有預(yù)定均勻厚度的第一環(huán)形背墊9，所述第一環(huán)形背墊9的內(nèi)沿半徑大于所述下盤2的內(nèi)沿半徑，所述第一環(huán)形背墊9的外沿半徑小于所述下盤2的外沿半徑，所述第一環(huán)形背墊9和所述第二環(huán)形背墊一起用于使襯底7中心和邊緣的化學(xué)機(jī)械拋光作用達(dá)到平衡。優(yōu)選地，所述第一環(huán)形背墊9和/或所述第二環(huán)形背墊為聚乙烯薄膜、聚丙烯薄膜、聚氯乙烯薄膜、聚苯乙烯以及其他樹脂制成的薄膜之一。優(yōu)選地，所述上盤1施加的壓力6為0. 1-0. 6公斤/平方厘米；所述下盤2逆時(shí)針旋轉(zhuǎn)，轉(zhuǎn)速為30-60轉(zhuǎn)/分鐘；所述中心齒圈3和上盤1順時(shí)針旋轉(zhuǎn)，轉(zhuǎn)速為10-15轉(zhuǎn)/分鐘；所述外齒圈4逆時(shí)針旋轉(zhuǎn)，轉(zhuǎn)速為25-30轉(zhuǎn)/分鐘；所述襯底7的直徑為3英寸，所述第一環(huán)形背墊9和/或所述第二環(huán)形背墊的厚度為40-130um，所述第一環(huán)形背墊9的外沿半徑比所述下盤2外沿半徑小2-5mm，所述第一環(huán)形背墊9的內(nèi)沿半徑比所述下盤2內(nèi)沿半徑大2-5mm ；所述第二環(huán)形背墊的外沿半徑比所述上盤1外沿半徑小2_5mm，所述第二環(huán)形背墊的內(nèi)沿半徑比所述上盤1內(nèi)沿半徑大2-5mm。優(yōu)選地，所述第一環(huán)形背墊9的厚度為90-1 IOum,所述第一環(huán)形背墊9的外沿半徑比所述下盤2外沿半徑小3-4mm，所述第一環(huán)形背墊9的內(nèi)沿半徑比所述下盤2內(nèi)沿半徑大 3-4mm ；所述第二環(huán)形背墊的厚度為90-110um，所述第二環(huán)形背墊的外沿半徑比所述上盤1 外沿半徑小3-4mm，所述第二環(huán)形背墊的內(nèi)沿半徑比所述上盤1內(nèi)沿半徑大3_4mm。本發(fā)明還提供了一種利用上述拋光裝置拋光的襯底，所述襯底7的整體厚度偏差為0. 63-1. 5um，所述襯底7的局部厚度偏差為0. 53-1. 2um，所述襯底7的局部厚度表征讀數(shù)為 0. 45-0. 60um。優(yōu)選地，所述襯底7的整體厚度偏差為0. 63um,所述襯底7的局部厚度偏差為 0. 53um，所述襯底7的局部厚度表征讀數(shù)為0. 45um。優(yōu)選地，所述襯底7為單晶或多晶襯底；所述單晶襯底包括但不限于磷化銦、砷化鎵、磷化鎵、硅、鍺、碳化硅、藍(lán)寶石中的一種。(三)有益效果本發(fā)明提出了一種襯底的拋光裝置，通過在下盤拋光布與下盤之間增加不同材料、形狀和厚度的第一環(huán)形背墊來改變拋光布整體厚度變化，使襯底的中心處于比較高的水平面上，使襯底中心和邊緣的化學(xué)機(jī)械拋光作用達(dá)到平衡，由此提高所制備襯底的平整度；還利用本發(fā)明所述的襯底的拋光裝置，獲得了一種高平整度的襯底。


圖1是現(xiàn)有技術(shù)中拋光裝置的結(jié)構(gòu)圖；圖2是現(xiàn)有技術(shù)中襯底在拋光裝置下盤上的分布圖；圖3是本發(fā)明實(shí)施例中所述襯底的拋光裝置的結(jié)構(gòu)圖。其中，1 上盤；2 下盤；3 ；中心齒圈；4 外齒圈；5 游星輪；6 壓力；7 襯底；8 拋光布；8-1 上盤拋光布；8-2 下盤拋光布；9 第一環(huán)形背墊。
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合附圖和實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施方式
作進(jìn)一步詳細(xì)描述。以下實(shí)施例用于說明本發(fā)明，但不用來限制本發(fā)明的范圍。圖3是本發(fā)明實(shí)施例中所述襯底的拋光裝置的結(jié)構(gòu)圖；參見圖3，本發(fā)明中，所述襯底的拋光裝置包括分別由電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)旋轉(zhuǎn)的中心齒圈3和外齒圈4 ；在中心齒圈3帶動(dòng)下旋轉(zhuǎn)并用于對(duì)襯底7施加壓力6的環(huán)形上盤1和由電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)旋轉(zhuǎn)并用于承載襯底7的環(huán)形下盤2 ；粘貼到下盤2上表面的下盤拋光布8-2，用于對(duì)襯底7進(jìn)行拋光，以及平放在貼有下盤拋光布8-2的下盤2上表面的一個(gè)或多個(gè)圓形游星輪5 (carrier)，每個(gè)游星輪5具有可以放置襯底的一個(gè)或多個(gè)孔，所述游星輪5在中心齒圈3和外齒圈4的帶動(dòng)下旋轉(zhuǎn)；布置在下盤拋光布8-2與下盤2之間具有預(yù)定均勻厚度的第一環(huán)形背墊9，所述第一環(huán)形背墊9的內(nèi)沿半徑大于所述下盤2的內(nèi)沿半徑，所述第一環(huán)形背墊9的外沿半徑小于所述下盤2的外沿半徑，所述第一環(huán)形背墊9是一種有機(jī)聚合物薄膜，正面和背面或僅背面涂有粘接劑，不僅使拋光背墊能很好的固定在下盤2上，而且還能使下盤拋光布8-2很好的固定。有機(jī)聚合物薄膜可以是聚乙烯薄膜，聚丙烯薄膜，聚氯乙烯薄膜，聚苯乙烯以及其他樹脂制成的薄膜。所述襯底的拋光裝置還可以包括粘貼到上盤1下表面的上盤拋光布8-1，所述上盤拋光布8-1和下盤拋光布8-2 —起用于對(duì)襯底7進(jìn)行拋光。所述襯底的拋光裝置還可以包括布置在上盤拋光布8-1與上盤1之間具有預(yù)定均勻厚度的第二環(huán)形背墊，所述第二環(huán)形背墊的內(nèi)沿半徑大于所述上盤1的內(nèi)沿半徑，所述第二環(huán)形背墊的外沿半徑小于所述上盤1的外沿半徑，同樣用于使襯底7中心和邊緣的化學(xué)機(jī)械拋光作用達(dá)到平衡。所述襯底的拋光裝置還可以同時(shí)包括布置在上盤拋光布8-1與上盤1之間具有預(yù)定均勻厚度的第二環(huán)形背墊，所述第二環(huán)形背墊的內(nèi)沿半徑大于所述上盤1的內(nèi)沿半徑，所述第二環(huán)形背墊的外沿半徑小于所述上盤1的外沿半徑；以及布置在下盤拋光布8-2 與下盤2之間具有預(yù)定均勻厚度的第一環(huán)形背墊9，所述第一環(huán)形背墊9的內(nèi)沿半徑大于所述下盤2的內(nèi)沿半徑，所述第一環(huán)形背墊9的外沿半徑小于所述下盤2的外沿半徑，所述第一環(huán)形背墊9和所述第二環(huán)形背墊一起用于使襯底7中心和邊緣的化學(xué)機(jī)械拋光作用達(dá)到平衡。所述第一環(huán)形背墊9和/或所述第二環(huán)形背墊的材料、厚度和內(nèi)外沿半徑可以根據(jù)需要加工的襯底7的不同而設(shè)定，用于使襯底7的中心處于比較高的水平面上，使得襯底7中心和邊緣的化學(xué)機(jī)械拋光作用達(dá)到平衡，以3英寸襯底7拋光為例，所述第一環(huán)形背墊9和/或所述第二環(huán)形背墊的厚度為40-130um，優(yōu)選為90_110um，所述第一環(huán)形背墊9 的外沿半徑比下盤2外沿半徑小2-5mm，優(yōu)選為3_4mm，所述第一環(huán)形背墊9的內(nèi)沿半徑比下盤2內(nèi)沿半徑大2-5mm，優(yōu)選為3_4mm ；所述第二環(huán)形背墊的外沿半徑比上盤1外沿半徑小2-5mm，優(yōu)選為3_4mm，所述第二環(huán)形背墊的內(nèi)沿半徑比上盤1內(nèi)沿半徑大2_5mm，優(yōu)選為 3-4mm ；本發(fā)明所述的拋光裝置的下盤2上可以布置3_8個(gè)游星輪5，優(yōu)選為5個(gè)游星輪5， 每個(gè)游星輪5具有可以放置3英寸襯底7的1-8個(gè)孔，優(yōu)選為4個(gè)孔，配置好的拋光液滴落到襯底7或是下盤拋光布8-2上。拋光時(shí)，下盤2在電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)下逆時(shí)針旋轉(zhuǎn)(轉(zhuǎn)速為30-60轉(zhuǎn)/分鐘)，中心齒圈 3在電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)下順時(shí)針旋轉(zhuǎn)(轉(zhuǎn)速為10-15轉(zhuǎn)/分鐘)，帶動(dòng)上盤1順時(shí)針旋轉(zhuǎn)，外齒圈 4在電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)下逆時(shí)針旋轉(zhuǎn)(轉(zhuǎn)速為25-30轉(zhuǎn)/分鐘)，和中心齒圈3 —起帶動(dòng)游星輪5 逆時(shí)針旋轉(zhuǎn)，襯底7也在游星輪中做逆時(shí)針轉(zhuǎn)動(dòng)。由于在下盤拋光布8-2與下盤2之間布置有預(yù)定均勻厚度的第一環(huán)形背墊9，使襯底7的中心處于比較高的水平面上，在拋光過程中，當(dāng)上盤1的壓力6 (壓力為0. 1-0. 6公斤/平方厘米)保持不變時(shí)，襯底7中心承受的壓力將大于襯底7邊緣承受的壓力，因此相應(yīng)的機(jī)械作用將比原有設(shè)計(jì)的拋光過程中承受的機(jī)械作用更大，增加了襯底7中心的去除率。同時(shí)，襯底7邊緣由于承受的壓力比較小， 機(jī)械作用降低，因此，襯底7邊緣的去除能力也隨之降低。所述第一環(huán)形背墊9和/或第二環(huán)形背墊的材料、厚度和內(nèi)外沿半徑還可以根據(jù)上盤1的壓力6的不同設(shè)定，一般來說，上盤1的壓力6比較大時(shí)，所述第一環(huán)形背墊9和 /或第二環(huán)形背墊可以薄一些，上盤1的壓力6比較小時(shí)，所述第一環(huán)形背墊9和/或第二環(huán)形背墊可以厚一些?，F(xiàn)有襯底平整度的國際先進(jìn)水平的標(biāo)準(zhǔn)為TTV = 2. Oum, LTV = 1. 5um(尺寸為15mmX15mm), LTIR < 1.0um(尺寸為15mmX 15mm)，所述尺寸是指局部測(cè)量尺寸，也就是將 3英寸襯底分割成15mmX 15mm的正方形，做為測(cè)量區(qū)域，測(cè)量每個(gè)區(qū)域的LTV，和LI1R，取測(cè)量的最大值做為襯底的LTV和LIlR值。采用本發(fā)明的所述襯底的拋光裝置可以獲得平整度數(shù)據(jù)為TTV為0. 63-1. 5um, 優(yōu)選為 0. 63um ；LTV 為 0. 53-1. 2um(尺寸為 15mmX 15mm)，優(yōu)選為 0. 53um ；LTIR 為 0. 45-0. 6um(尺寸為 15mm X 15mm)，優(yōu)選為 0. 45um 的襯底。可見通過本發(fā)明所述襯底的拋光裝置拋光后的襯底平整度較現(xiàn)有襯底平整度的國際先進(jìn)水平的標(biāo)準(zhǔn)有很大的提升。綜上所述，本發(fā)明提出了一種襯底的拋光裝置，通過在下盤拋光布與下盤之間增加不同材料、形狀和厚度的第一環(huán)形背墊來改變拋光布整體厚度變化，使襯底的中心處于比較高的水平面上，使襯底中心和邊緣的化學(xué)機(jī)械拋光作用達(dá)到平衡，由此提高所制備襯底的平整度。本發(fā)明所述襯底的拋光裝置可以加工單晶襯底和多晶襯底；所述單晶襯底包括但不限于，磷化銦(InP)和砷化鎵(GaAs)，磷化鎵(GaP)，硅(Si)鍺(Ge)，碳化硅(SiC)， 藍(lán)寶(A1203)。以上實(shí)施方式僅用于說明本發(fā)明，而并非對(duì)本發(fā)明的限制，有關(guān)技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍的情況下，還可以做出各種變化和變型，因此所有等同的技術(shù)方案也屬于本發(fā)明的范疇，本發(fā)明的專利保護(hù)范圍應(yīng)由權(quán)利要求限定。
權(quán)利要求
1.一種襯底的拋光裝置，其特征在于，所述拋光裝置包括 分別由電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)旋轉(zhuǎn)的中心齒圈(3)和外齒圈(4)；在中心齒圈(3)帶動(dòng)下旋轉(zhuǎn)并用于對(duì)襯底(7)施加壓力(6)的環(huán)形上盤(1)； 由電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)旋轉(zhuǎn)并用于承載襯底(7)的環(huán)形下盤O)； 粘貼到下盤( 上表面的下盤拋光布(8-2)，用于對(duì)襯底(7)進(jìn)行拋光； 平放在貼有下盤拋光布(8- 的下盤( 上表面的一個(gè)或多個(gè)圓形游星輪(5)，所述游星輪( 在中心齒圈( 和外齒圈的帶動(dòng)下旋轉(zhuǎn)，具有用于放置襯底(7)的一個(gè)或多個(gè)孔；以及布置在下盤拋光布(8- 與下盤( 之間具有預(yù)定均勻厚度的第一環(huán)形背墊(9)，所述第一環(huán)形背墊(9)的內(nèi)沿半徑大于所述下盤O)的內(nèi)沿半徑，所述第一環(huán)形背墊(9)的外沿半徑小于所述下盤O)的外沿半徑，用于使襯底(7)中心和邊緣的化學(xué)機(jī)械拋光作用達(dá)到平衡。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的拋光裝置，其特征在于，所述拋光裝置進(jìn)一步包括粘貼到上盤(1)下表面的上盤拋光布(8-1)，所述上盤拋光布(8-1)和下盤拋光布(8- —起用于對(duì)襯底進(jìn)行拋光。
3.一種襯底的拋光裝置，其特征在于，所述拋光裝置包括 分別由電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)旋轉(zhuǎn)的中心齒圈(3)和外齒圈(4)；在中心齒圈(3)帶動(dòng)下旋轉(zhuǎn)并用于對(duì)襯底(7)施加壓力(6)的環(huán)形上盤(1)； 由電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)旋轉(zhuǎn)并用于承載襯底(7)的環(huán)形下盤O)；粘貼到上盤(1)下表面的上盤拋光布(8-1)和粘貼到下盤( 上表面的下盤拋光布 (8-2)，所述上盤拋光布(8-1)和下盤拋光布(8- —起用于對(duì)襯底進(jìn)行拋光；平放在貼有下盤拋光布(8- 的下盤( 上表面的一個(gè)或多個(gè)圓形游星輪(5)，所述游星輪( 在中心齒圈( 和外齒圈的帶動(dòng)下旋轉(zhuǎn)，具有用于放置襯底(7)的一個(gè)或多個(gè)孔；以及布置在上盤拋光布(8-1)與上盤(1)之間具有預(yù)定均勻厚度的第二環(huán)形背墊，所述第二環(huán)形背墊的內(nèi)沿半徑大于所述上盤(1)的內(nèi)沿半徑，所述第二環(huán)形背墊的外沿半徑小于所述上盤(1)的外沿半徑，用于使襯底(7)中心和邊緣的化學(xué)機(jī)械拋光作用達(dá)到平衡。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的拋光裝置，其特征在于，所述拋光裝置進(jìn)一步包括布置在下盤拋光布(8- 與下盤( 之間具有預(yù)定均勻厚度的第一環(huán)形背墊(9)，所述第一環(huán)形背墊(9)的內(nèi)沿半徑大于所述下盤O)的內(nèi)沿半徑，所述第一環(huán)形背墊(9)的外沿半徑小于所述下盤O)的外沿半徑，所述第一環(huán)形背墊(9)和所述第二環(huán)形背墊一起用于使襯底(7)中心和邊緣的化學(xué)機(jī)械拋光作用達(dá)到平衡。
5.根據(jù)權(quán)利要求1-4中任一項(xiàng)所述的拋光裝置，其特征在于，所述第一環(huán)形背墊(9)和 /或所述第二環(huán)形背墊為聚乙烯薄膜、聚丙烯薄膜、聚氯乙烯薄膜、聚苯乙烯以及其他樹脂制成的薄膜之一。
6.根據(jù)權(quán)利要求1-4中任一項(xiàng)所述的拋光裝置，其特征在于，所述上盤(1)施加的壓力(6)為0. 1-0. 6公斤/平方厘米；所述下盤( 逆時(shí)針旋轉(zhuǎn)，轉(zhuǎn)速為30-60轉(zhuǎn)/分鐘；所述中心齒圈C3)和上盤(1)順時(shí)針旋轉(zhuǎn)，轉(zhuǎn)速為10-15轉(zhuǎn)/分鐘；所述外齒圈(4)逆時(shí)針旋轉(zhuǎn)，轉(zhuǎn)速為25-30轉(zhuǎn)/分鐘；所述襯底(7)的直徑為3英寸，所述第一環(huán)形背墊(9)和/或所述第二環(huán)形背墊的厚度為40-130um，所述第一環(huán)形背墊(9)的外沿半徑比所述下盤(2) 外沿半徑小2-5mm，所述第一環(huán)形背墊(9)的內(nèi)沿半徑比所述下盤O)內(nèi)沿半徑大2-5mm; 所述第二環(huán)形背墊的外沿半徑比所述上盤(1)外沿半徑小2-5mm，所述第二環(huán)形背墊的內(nèi)沿半徑比所述上盤(1)內(nèi)沿半徑大2-5mm。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的拋光裝置，其特征在于，所述第一環(huán)形背墊(9)的厚度為 90-1 lOum，所述第一環(huán)形背墊(9)的外沿半徑比所述下盤(2)外沿半徑小3_4mm，所述第一環(huán)形背墊(9)的內(nèi)沿半徑比所述下盤O)內(nèi)沿半徑大3-4mm;所述第二環(huán)形背墊的厚度為 90-110um，所述第二環(huán)形背墊的外沿半徑比所述上盤(1)外沿半徑小3-4mm，所述第二環(huán)形背墊的內(nèi)沿半徑比所述上盤(1)內(nèi)沿半徑大3-4mm。
8.一種利用權(quán)利要求1-7中任一項(xiàng)所述的拋光裝置拋光的襯底，其特征在于，所述襯底(7)的整體厚度偏差為0.63-1. 5um，所述襯底(7)的局部厚度偏差為0. 53-1. 2um，所述襯底(7)的局部厚度表征讀數(shù)為0. 45-0. 60um。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的襯底，其特征在于，所述襯底(7)的整體厚度偏差為0.63um， 所述襯底(7)的局部厚度偏差為0.53um，所述襯底(7)的局部厚度表征讀數(shù)為0. 45um。
10.根據(jù)權(quán)利要求8或9所述的襯底，其特征在于，所述襯底(7)為單晶或多晶襯底； 所述單晶襯底包括但不限于磷化銦、砷化鎵、磷化鎵、硅、鍺、碳化硅、藍(lán)寶石中的一種。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種襯底的拋光裝置，包括中心齒圈(3)、外齒圈(4)、環(huán)形上盤(1)、環(huán)形下盤(2)、下盤拋光布(8-2)；平放在貼有下盤拋光布(8-2)的下盤(2)上表面的一個(gè)或多個(gè)圓形游星輪(5)，具有用于放置襯底(7)的一個(gè)或多個(gè)孔；以及布置在下盤拋光布(8-2)與下盤(2)之間具有預(yù)定均勻厚度的第一環(huán)形背墊(9)，所述第一環(huán)形背墊(9)的內(nèi)沿半徑大于所述下盤(2)的內(nèi)沿半徑，所述第一環(huán)形背墊(9)的外沿半徑小于所述下盤(2)的外沿半徑。應(yīng)用本發(fā)明所述的拋光裝置，通過在下盤拋光布與下盤之間增加第一環(huán)形背墊，使襯底中心和邊緣的化學(xué)機(jī)械拋光作用達(dá)到平衡。本發(fā)明還公開了一種高平整度的襯底。
文檔編號(hào)B24B39/06GK102172885SQ201110034139
公開日2011年9月7日 申請(qǐng)日期2011年1月31日 優(yōu)先權(quán)日2011年1月31日
發(fā)明者劉建志, 劉文森, 周鐵軍, 李海淼, 李雪峰, 王冰 申請(qǐng)人:北京通美晶體技術(shù)有限公司