專利名稱：提高硅片背封時(shí)硅片厚度均勻性的方法及托盤的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種提高硅片背封時(shí)硅片厚度均勻性的方法及托盤。
背景技術(shù)：
硅片背封是在硅片表面沉積二氧化硅薄膜。背封是在背 封爐中進(jìn)行。背封時(shí)，硅片放置于托盤上。圖1為一種硅片背封時(shí)所使用的托盤俯視圖。圖2為圖1的A-A剖視圖。如圖1、圖2所示，托盤1上設(shè)置有放置硅片的容置槽11，容置槽11的邊緣處對(duì)稱設(shè)置有兩個(gè)導(dǎo)槽12。實(shí)際生產(chǎn)時(shí)，每個(gè)托盤上設(shè)置有多個(gè)容置槽，圖1、圖2僅示出了一個(gè)。托盤1沿著圖1中右側(cè)的箭頭方向行進(jìn)進(jìn)入背封爐。導(dǎo)槽12的作用是方便取放硅片。沉積二氧化硅時(shí)，硅片的溫度在一定變化范圍內(nèi)決定著沉積的二氧化硅薄膜的厚度。溫度高，則二氧化硅薄膜厚；溫度低，則二氧化硅薄膜薄。但在實(shí)際生產(chǎn)過程中，由于容置槽11低于托盤上表面13，容置槽11的槽壁阻擋了二氧化硅氣體，使氣體與硅片邊緣可進(jìn)行充分反應(yīng)， 而導(dǎo)槽12處由于無槽壁的阻擋，導(dǎo)致靠近導(dǎo)槽12上方的氣流可快速通過硅片表面，無法充分反應(yīng)。因此，導(dǎo)致靠近導(dǎo)槽12的硅片處沉積的二氧化硅薄膜厚度小于靠近槽壁13附近的薄膜厚度。如圖3所示為圖1、圖2所示的托盤生產(chǎn)的硅片俯視圖。圖中箭頭為硅片進(jìn)入背封爐時(shí)的前進(jìn)方向。硅片5沿前進(jìn)方向前側(cè)區(qū)域53與后側(cè)區(qū)域54處的厚度均小于其他部分的厚度。由于以上原因，致使背封后的硅片厚度均勻性值較大，產(chǎn)品不良率較高，增加了生產(chǎn)成本。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是為了克服現(xiàn)有技術(shù)中的不足，提供一種可提高硅片背封時(shí)硅片厚度均勻性的方法。為實(shí)現(xiàn)以上目的，本發(fā)明通過以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)提高硅片背封時(shí)硅片厚度均勻性的方法，其特征在于，將硅片放置于托盤上沉積二氧化硅；所述托盤本體上表面為平面，所述的托盤本體上表面設(shè)置有突出于其上表面的限位擋條；所述限位擋條數(shù)目為兩個(gè)以上，沿圓周方向間隔設(shè)置；所述硅片背封時(shí)放置于限位擋條之間。優(yōu)選地是，所述限位擋條與硅片相對(duì)的側(cè)面與硅片邊緣形狀相適應(yīng)。優(yōu)選地是，所述限位擋條包括第一擋條和第二擋條，所述第一擋條與硅片相對(duì)的側(cè)面為弧形；所述第二擋條有兩個(gè)側(cè)面分別與兩個(gè)硅片相對(duì)，所述第二擋條分別與兩個(gè)硅片相對(duì)的側(cè)面均為弧形。優(yōu)選地是，所述第一擋條和第二擋條數(shù)目均為兩個(gè)。優(yōu)選地是還包括第三擋條，第三擋條與第一擋條鏡像設(shè)置；第一擋條與第三擋條之間設(shè)置有兩個(gè)以上間隔設(shè)置的第二擋條。優(yōu)選地是，第一擋條數(shù)目為兩個(gè)，沿圓周方向間隔設(shè)置；第三擋條數(shù)目為兩個(gè)，沿圓周方向間隔設(shè)置；第二擋條每?jī)蓚€(gè)為一組，每一組中的兩個(gè)第二擋條沿圓周方向間隔設(shè)置；兩組以上的第二擋條間隔設(shè)置于第一擋條與第三擋條之間。 優(yōu)選地是，兩個(gè)以上的限位檔條的位置分布，使得沿硅片前進(jìn)方向硅片前后兩側(cè)未受限位檔條阻擋的兩部分弧形邊緣均為硅片整個(gè)周長(zhǎng)的四分之一至三分之一。本發(fā)明的另一個(gè)目的是提供一種可提高硅片背封時(shí)硅片厚度均勻性的托盤。為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明通過以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)提高硅片背封時(shí)硅片厚度均勻性的托盤，其特征在于，包括托盤本體及限位擋條； 所述托盤本體上表面為平面，所述的托盤本體上表面設(shè)置有突出于其上表面的限位擋條； 所述限位擋條數(shù)目為兩個(gè)以上，沿圓周方向間隔設(shè)置。優(yōu)選地是，所述限位擋條與硅片相對(duì)的側(cè)面與硅片邊緣形狀相適應(yīng)。優(yōu)選地是，所述限位擋條包括第一擋條和第二擋條，所述第一擋條與硅片相對(duì)的側(cè)面為弧形；所述第二擋條有兩個(gè)側(cè)面分別與兩個(gè)硅片相對(duì)，所述第二擋條分別與兩個(gè)硅片相對(duì)的側(cè)面均為弧形。優(yōu)選地是，所述第一擋條和第二擋條數(shù)目均為兩個(gè)。優(yōu)選地是，還包括第三擋條，第三擋條與第一擋條鏡像設(shè)置；第一擋條與第三擋條之間設(shè)置有兩個(gè)以上間隔設(shè)置的第二擋條。優(yōu)選地是，第一擋條數(shù)目為兩個(gè)，沿圓周方向間隔設(shè)置；第三擋條數(shù)目為兩個(gè)，沿圓周方向間隔設(shè)置；第二擋條每?jī)蓚€(gè)為一組，每一組中的兩個(gè)第二擋條沿圓周方向間隔設(shè)置；兩組以上的第二擋條間隔設(shè)置于第一擋條與第三擋條之間。優(yōu)選地是，兩個(gè)以上的限位檔條的位置分布，使得沿硅片前進(jìn)方向硅片前后兩側(cè)未受限位檔條阻擋的兩部分弧形邊緣均為硅片整個(gè)周長(zhǎng)的四分之一至三分之一。本發(fā)明中的可提高硅片背封時(shí)硅片厚度均勻性的方法及托盤，用于硅片背封時(shí)， 可將膜厚片間均勻性由16. 61%提高到了 8.3%。邊緣不均不良率降低2個(gè)百分點(diǎn)。


圖1為一種硅片背封時(shí)所使用的托盤俯視圖。圖2為圖1的A-A剖視圖。圖3為使用圖1中所述的托盤生產(chǎn)的硅片俯視圖。圖4本發(fā)明實(shí)施例1中的托盤俯視圖；圖5為實(shí)施例1的使用狀態(tài)俯視。圖6為實(shí)施例2中的托盤及其使用狀態(tài)時(shí)的俯視圖。圖7為實(shí)施例3中的托盤俯視圖。圖8為實(shí)施例3中的托盤使用狀態(tài)俯視圖。圖9為對(duì)硅片的厚度測(cè)定選取的測(cè)定點(diǎn)示意圖。圖10為使用圖1所示的托盤至部分更換為本發(fā)明實(shí)施例3的托盤直至全部更換為本發(fā)明實(shí)施例3的托盤后的硅片因邊緣厚度不均勻?qū)е碌牟涣悸首兓€圖。
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)的描述實(shí)施例1
如圖4、圖5所示，提高硅片背封時(shí)硅片厚度均勻性的托盤，包括托盤本體1及第一擋條2。托盤本體1上表面13為平面。第一擋條2突出于托盤本體1的上表面13。第一擋條2數(shù)目為四個(gè)，沿圓周方向間隔設(shè)置。使用時(shí)，硅片5放置于四個(gè)第一擋條2之間。每個(gè)第一擋條2均有一個(gè)側(cè)面21與硅片5相對(duì)。每個(gè)第一擋條2與硅片5相對(duì)的側(cè)面21形狀與硅片5的形狀相適應(yīng)，也是弧形。四個(gè)第一擋條2可防止硅片5移動(dòng)。圖4右側(cè)箭頭為托盤1進(jìn)入背封爐時(shí)的運(yùn)動(dòng)方向。沿運(yùn)動(dòng)方向，硅片5前側(cè)和后側(cè)未受第一檔條2阻擋的前側(cè)邊緣51和后側(cè)邊緣52的弧長(zhǎng)為硅片5圓周長(zhǎng)的三分之一。實(shí)施例1中，每四個(gè)第一擋條2夾住一個(gè)硅片5。使用時(shí)，將硅片5放置于四個(gè)第一擋條2之間，將托盤1送入背封爐內(nèi)，在硅片5 表面沉積二氧化硅薄膜。實(shí)施例2如圖6所示，其與實(shí)施例1不同之處在于，第一檔條2數(shù)目為兩個(gè)。實(shí)施例3如圖7、圖8所示，提高硅片背封時(shí)硅片厚度均勻性的托盤，包括托盤本體1、第一擋條2、第二擋條3及第四擋條4。托盤本體1的上表面13為平面。第一擋條2、第二擋條 3及第四擋條4突出于托盤本體1的上表面13。第一擋條2數(shù)目為兩個(gè)，沿圓周方向間隔設(shè)置。第一檔條2與硅片5相對(duì)的側(cè)面2 1為弧形。第三擋條4數(shù)目為兩個(gè)，沿圓周方向間隔設(shè)置。第三檔條4與硅片5相對(duì)的側(cè)面41為弧形。兩個(gè)第二擋條3為一組，每個(gè)第二擋條3均有兩個(gè)側(cè)面分別與兩個(gè)硅片5相對(duì)。每個(gè)第二擋條3與硅片5相對(duì)的第一側(cè)面31 和第二側(cè)面32均與硅片5的邊緣形狀相適應(yīng)。兩個(gè)第二擋條3位于兩個(gè)第一擋條2與兩個(gè)第三擋條4之間。使用時(shí)，一個(gè)硅片5放置于兩個(gè)第一擋條2與第二擋條3之間。一個(gè)硅片5放置于兩個(gè)第二擋條3與兩個(gè)第三擋條4之間。兩個(gè)第二擋條3可對(duì)兩個(gè)硅片5起到限位作用。 圖4右側(cè)箭頭為托盤1進(jìn)入背封爐時(shí)的運(yùn)動(dòng)方向。沿運(yùn)動(dòng)方向，硅片5前側(cè)和后側(cè)未受第一檔條2、第二擋條3阻擋的前側(cè)邊緣51和后側(cè)邊緣52的弧長(zhǎng)為硅片5圓周長(zhǎng)的三分之
ο分別使用圖1所示的托盤與使用實(shí)施例3所述的托盤對(duì)硅片背封處理，其實(shí)驗(yàn)結(jié)果如下使用圖1所示的托盤生產(chǎn)6片硅片，既硅片1-硅片6，每片硅片取圓心處及靠近邊緣2mm處的沿圓周方向均勻分布的四個(gè)點(diǎn)測(cè)定其厚度。使用實(shí)施例3所示的托盤生產(chǎn)6 片硅片，既硅片7-硅片12。如圖9所示，每片硅片取圓心處及靠近邊緣2mm處的沿圓周方向均勻分布的四個(gè)點(diǎn)測(cè)定其厚度，即圖9中的上、下、左、右、中五個(gè)點(diǎn)測(cè)定其厚度。使用圖 1所示的托盤生產(chǎn)的硅片的厚度測(cè)試點(diǎn)的位置與使用本發(fā)明實(shí)施例3的托盤生產(chǎn)的硅片厚度測(cè)試點(diǎn)的位置相同。-
權(quán)利要求
1.提高硅片背封時(shí)硅片厚度均勻性的方法，其特征在于，將硅片放置于托盤上沉積二氧化硅；所述托盤本體上表面為平面，所述的托盤本體上表面設(shè)置有突出于其上表面的限位擋條；所述限位擋條數(shù)目為兩個(gè)以上，沿圓周方向間隔設(shè)置；所述硅片背封時(shí)放置于限位擋條之間。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的提高硅片背封時(shí)硅片厚度均勻性的方法，其特征在于，所述限位擋條與硅片相對(duì)的側(cè)面與硅片邊緣形狀相適應(yīng)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的提高硅片背封時(shí)硅片厚度均勻性的方法，其特征在于， 所述限位擋條包括第一擋條和第二擋條，所述第一擋條與硅片相對(duì)的側(cè)面為弧形；所述第二擋條有兩個(gè)側(cè)面分別與兩個(gè)硅片相對(duì)，所述第二擋條分別與兩個(gè)硅片相對(duì)的側(cè)面均為弧形。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的提高硅片背封時(shí)硅片厚度均勻性的方法，其特征在于，所述第一擋條和第二擋條數(shù)目均為兩個(gè)。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的提高硅片背封時(shí)硅片厚度均勻性的方法，其特征在于，還包括第三擋條，第三擋條與第一擋條鏡像設(shè)置；第一擋條與第三擋條之間設(shè)置有兩個(gè)以上間隔設(shè)置的第二擋條。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的提高硅片背封時(shí)硅片厚度均勻性的方法，其特征在于，第一擋條數(shù)目為兩個(gè)，沿圓周方向間隔設(shè)置；第三擋條數(shù)目為兩個(gè)，沿圓周方向間隔設(shè)置；第二擋條每?jī)蓚€(gè)為一組，每一組中的兩個(gè)第二擋條沿圓周方向間隔設(shè)置；兩組以上的第二擋條間隔設(shè)置于第一擋條與第三擋條之間。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的提高硅片背封時(shí)硅片厚度均勻性的方法，其特征在于，兩個(gè)以上的限位檔條的位置分布，使得沿硅片前進(jìn)方向硅片前后兩側(cè)未受限位檔條阻擋的兩部分弧形邊緣均為硅片整個(gè)周長(zhǎng)的四分之一至三分之一。
8.提高硅片背封時(shí)硅片厚度均勻性的托盤，其特征在于，包括托盤本體及限位擋條； 所述托盤本體上表面為平面，所述的托盤本體上表面設(shè)置有突出于其上表面的限位擋條； 所述限位擋條數(shù)目為兩個(gè)以上，沿圓周方向間隔設(shè)置。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的提高硅片背封時(shí)硅片厚度均勻性的托盤，其特征在于，所述限位擋條與硅片相對(duì)的側(cè)面與硅片邊緣形狀相適應(yīng)。
10.根據(jù)權(quán)利要求8或9所述的提高硅片背封時(shí)硅片厚度均勻性的托盤，其特征在于， 所述限位擋條包括第一擋條和第二擋條，所述第一擋條與硅片相對(duì)的側(cè)面為弧形；所述第二擋條有兩個(gè)側(cè)面分別與兩個(gè)硅片相對(duì)，所述第二擋條分別與兩個(gè)硅片相對(duì)的側(cè)面均為弧形。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的提高硅片背封時(shí)硅片厚度均勻性的托盤，其特征在于，所述第一擋條和第二擋條數(shù)目均為兩個(gè)。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的提高硅片背封時(shí)硅片厚度均勻性的托盤，其特征在于，還包括第三擋條，第三擋條與第一擋條鏡像設(shè)置；第一擋條與第三擋條之間設(shè)置有兩個(gè)以上間隔設(shè)置的第二擋條。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的提高硅片背封時(shí)硅片厚度均勻性的托盤，其特征在于，第一擋條數(shù)目為兩個(gè)，沿圓周方向間隔設(shè)置；第三擋條數(shù)目為兩個(gè)，沿圓周方向間隔設(shè)置；第二擋條每?jī)蓚€(gè)為一組，每一組中的兩個(gè)第二擋條沿圓周方向間隔設(shè)置；兩組以上的第二擋條間隔設(shè)置于第一擋條與第三擋條之間。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的提高硅片背封時(shí)硅片厚度均勻性的托盤，其特征在于，兩個(gè)以上的限位檔條的位置分布，使得沿硅片前進(jìn)方向硅片前后兩側(cè)未受限位檔條阻擋的兩部分弧形邊緣均為硅片整個(gè)周長(zhǎng)的四分之一至三分之一。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種提高硅片背封時(shí)硅片厚度均勻性的方法，其特征在于，將硅片放置于托盤上沉積二氧化硅；所述托盤本體上表面為平面，所述的托盤本體上表面設(shè)置有突出于其上表面的限位擋條；所述限位擋條數(shù)目為兩個(gè)以上，沿圓周方向間隔設(shè)置；所述硅片背封時(shí)放置于限位擋條之間。本發(fā)明中的可提高硅片背封時(shí)硅片厚度均勻性的方法及托盤，用于硅片背封時(shí)，可將膜厚片間均勻性由16.61％提高到了8.3％。邊緣不均不良率降低2個(gè)百分點(diǎn)。
文檔編號(hào)C23C16/458GK102347233SQ20111023191
公開日2012年2月8日 申請(qǐng)日期2011年8月14日 優(yōu)先權(quán)日2011年8月14日
發(fā)明者江笠, 蔣明康 申請(qǐng)人:上海合晶硅材料有限公司