專利名稱：金屬濺射膜與利用其的金屬粉末的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及金屬濺射膜和利用其的金屬粉末，更特別涉及金屬濺射膜和通過使用其而制造的金屬粉末。
背景技術(shù)：
為了達(dá)到超高容量的多層陶瓷電容器(MLCC)，電介質(zhì)層和內(nèi)部電極層需要具有小 的厚度，并且為了下一代目標(biāo)模型的發(fā)展，內(nèi)部電極需要實(shí)施為具有0. 20 y m水平的厚度。需要保證內(nèi)部電極的連續(xù)性以保障該目標(biāo)容量，且在燒結(jié)過程期間要求與電介質(zhì)層匹配從而抑制裂縫的產(chǎn)生。在此，當(dāng)在電極層中使用的金屬粉末顆粒具有板形狀時(shí)，在燒結(jié)過程中可以保證關(guān)于收縮方向的穩(wěn)定性且收縮速率是可控制的。鎳金屬粉末是目前在MLCC中使用的代表性細(xì)粒金屬粉末，且其合成方法如在以下表I中所總結(jié)的。例如，可以使用熱分解、RF-等離子體(RF-Plasma)等，且可以使用一些物理化學(xué)合成方法等。[表 I]
權(quán)利要求
1.一種金屬派射膜，包括 基膜； 在所述基膜上形成的凹凸圖案；以及 濺射在所述凹凸圖案上的金屬。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的金屬濺射膜，其中，所述凹凸圖案以卷對(duì)卷方法形成。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的金屬濺射膜，其中，所述凹凸圖案通過利用包含丙烯酸環(huán)氧樹脂的紫外線可固化樹脂而形成。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的金屬濺射膜，其中，所述凹凸圖案通過利用選自由以下所構(gòu)成的組中的至少一種而形成利用包含二氧化硅的無機(jī)材料作為基質(zhì)的紫外線可固化和熱可固化材料。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的金屬濺射膜，其中，所述凹凸圖案具有方形形狀。
6.根據(jù)權(quán)利要求I所述的金屬濺射膜，其中，所述金屬是選自由鎳、銅、金、銀、鉬、鋼、鉻、和銦所構(gòu)成的組中的至少一種。
7.一種利用根據(jù)權(quán)利要求I所述的金屬濺射膜的金屬粉末。
8.根基權(quán)利要求7所述的金屬粉末，其中，所述金屬粉末具有厚度為20 50nm的板片形狀。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的金屬粉末，其中，所述金屬粉末具有4 6μ m的平均粒徑。
全文摘要
本發(fā)明披露一種金屬濺射膜與利用其的粉末。該金屬濺射膜包括基膜；在基膜上形成的凹凸圖案；以及濺射在凹凸圖案上的金屬。根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施方式，通過有效控制在大量生產(chǎn)可用作超高容量MLCC內(nèi)部電極的板狀金屬粉末時(shí)所需要的金屬濺射膜的結(jié)構(gòu)，能夠大量生產(chǎn)金屬粉末，且因此與利用相關(guān)領(lǐng)域的晶片的情況相比，在以卷對(duì)卷方法通過利用金屬濺射膜生產(chǎn)金屬粉末的情況下，可以更好地降低成本并提高生產(chǎn)率。
文檔編號(hào)B22F1/00GK102676995SQ20121005864
公開日2012年9月19日 申請(qǐng)日期2012年3月7日 優(yōu)先權(quán)日2011年3月8日
發(fā)明者梁主歡, 申知桓, 趙廷珉, 魏圣權(quán) 申請(qǐng)人:三星電機(jī)株式會(huì)社