專利名稱：納米級(jí)多晶碘化汞晶種層薄膜的制備方法及其專用制備裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及化學(xué)液相沉積制備碘化汞晶種層薄膜的制備方法及其專用制備裝置，特別是涉及ー種用于生長(zhǎng)多晶碘化汞厚膜的多晶碘化汞薄膜的制備方法，其專用制備裝置，使用該方法和該裝置生長(zhǎng)出來(lái)的多晶碘化汞薄膜作為過(guò)度緩沖層，適合應(yīng)用于X射線、Y射線多晶碘化汞厚膜探測(cè)器的制備。
背景技術(shù)：
碘化汞晶體因其禁帶寬度大、原子序數(shù)高、電阻率高、吸收截面大以及室溫時(shí)體電流小等優(yōu)點(diǎn)，被國(guó)內(nèi)外認(rèn)為是ー種新型室溫半導(dǎo)體核輻射探測(cè)器材料。在室溫下，其制得的高能輻射探測(cè)器對(duì)X、Y射線能量分辨率較高，可用于航空航天、環(huán)境監(jiān)測(cè)、安全檢查、核醫(yī)學(xué)和高能物理等眾多領(lǐng)域。同時(shí)碘化汞探測(cè)器還具有使用壽命長(zhǎng)、耐氣候變化、低功耗以及在經(jīng)受高輻射劑量照射后核輻射探測(cè)器的靈敏度不變等優(yōu)點(diǎn)。由于碘化汞單晶體生長(zhǎng)制備的成本較高，而且不容易獲得大面積的單晶體，故目前國(guó)際上研究的熱點(diǎn)是多晶碘化汞。目前，制備多晶碘化汞晶種層薄膜的エ藝要求還比較高，易于操作，易于受外界溫度的影響，獲得的大尺寸多晶碘化汞晶種層薄膜質(zhì)量不夠理想。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種納米級(jí)多晶碘化汞晶種層薄膜的制備方法，以解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的上述技術(shù)問(wèn)題，采用電磁攪拌和溫度調(diào)節(jié)方法對(duì)反應(yīng)溶液化學(xué)平衡進(jìn)行控制，加快化學(xué)液相沉積的過(guò)程。該制備方法易于操作，制備多晶碘化汞薄膜顆粒尺寸可控性好，受外界溫度的影響小，能夠獲得直徑10厘米以上的大面積圓形多晶碘化汞晶種層薄膜，成品率高，更加適合于碘化汞厚膜沉積的晶種層基片，以獲得較大面積的探測(cè)器級(jí)碘化汞多晶厚膜。為達(dá)到上述發(fā)明目的，本發(fā)明采用下述技術(shù)方案
一種納米級(jí)多晶碘化汞晶種層薄膜的制備方法，包括如下步驟
a.晶種層基片的準(zhǔn)備選用IT0/TFT基片作為裝載納米級(jí)多晶碘化汞晶種層薄膜的晶種層基片，對(duì)該IT0/TFT基片進(jìn)行清洗，并烘干，得到潔凈光滑的待用IT0/TFT基片；對(duì)IT0/TFT基片進(jìn)行清洗最好采用丙酮、無(wú)水酒精和去離子水進(jìn)行超聲波清洗；
b.反應(yīng)溶液化學(xué)平衡控制按照[Hg2+]: [I ]為I : (2 5)的摩爾濃度比例的配比，使Hg2+和I溶于制備裝置中的溶劑，形成反應(yīng)溶液，使Hg+與Γ離子結(jié)合形成HgI2分子；同時(shí)向制備裝置中的反應(yīng)溶液內(nèi)部加入電磁場(chǎng)，對(duì)反應(yīng)溶液施加電磁攪拌，加速Hg+與Γ離子充分結(jié)合，使反應(yīng)溶液內(nèi)部各點(diǎn)反應(yīng)溫度均勻化；同時(shí)還通過(guò)溫度調(diào)節(jié)方法使制備裝置中的反應(yīng)溶液保持在室溫 300°C的溫度區(qū)間的反應(yīng)溫度水平；溫度調(diào)節(jié)方法最好采用油浴溫度控制方法；優(yōu)選以2，7-ニ溴-4-羥汞基熒光紅雙鈉鹽、碘酊為先驅(qū)反應(yīng)溶液，以無(wú)水酒精為溶剤，分別配制2，7-ニ溴-4-羥汞基熒光紅雙鈉鹽溶液和碘酊溶液各20g/L，然后按照[Hg2+] : [I ]為I :2的摩爾濃度比例將此兩種溶液混合，制備反應(yīng)溶液；
c.化學(xué)液相沉積在非真空氣氛下，向制備裝置中的反應(yīng)溶液豎直插入待用ITO/TFT基片，使浸入反應(yīng)溶液的ITO/TFT基片部分的表面沉淀生長(zhǎng)納米級(jí)多晶碘化汞晶粒；通過(guò)改變化學(xué)液相沉積時(shí)間來(lái)控制納米級(jí)多晶碘化汞薄膜顆粒的尺寸；
d.當(dāng)制備裝置中的溶劑接近完全蒸發(fā)時(shí)，從制備裝置中取出ITO/TFT基片，在ITO/TFT基片表面上即獲得大面積組裝的紅色納米級(jí)多晶碘化汞晶種層薄膜；
e.將上述步驟d制備的ITO/TFT基片退火，最終獲得帶有納米級(jí)多晶碘化汞晶種層薄膜ITO/TFT基片產(chǎn)品。優(yōu)選將上述步驟d制備的ITO/TFT基片放置在退火爐內(nèi)，以105 V恒溫，在氮?dú)鈿夥罩型嘶餙. 5h。
本發(fā)明還提供了一種納米級(jí)多晶碘化汞晶種層薄膜制備裝置，該裝置結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)単，可重復(fù)使用，易于操作，不受外界溫度的影響，可以制備大面積多晶碘化汞晶種層薄膜，成品率高，適用于批量制備?！N納米級(jí)多晶碘化汞晶種層薄膜制備裝置，包括裝置底座、反應(yīng)容器、裝置支架、恒溫系統(tǒng)和加速溶液反應(yīng)系統(tǒng)，裝置支架固定安裝于裝置底座上，安放于裝置底座上的反應(yīng)容器內(nèi)部容納反應(yīng)溶液，裝置支架連接的夾頭固定夾持待用的晶種層基片，使晶種層基片固定于反應(yīng)容器內(nèi)的反應(yīng)溶液中，恒溫系統(tǒng)維持反應(yīng)容器內(nèi)的反應(yīng)溶液反應(yīng)溫度；恒溫系統(tǒng)為油浴溫度控制系統(tǒng)，油浴溫度控制系統(tǒng)包括油浴容器、加熱器和油浴溫度控制器，將反應(yīng)容器放入油浴容器內(nèi)，在反應(yīng)容器和油浴容器外壁之間注入儲(chǔ)熱油，加熱器通過(guò)對(duì)儲(chǔ)熱油加熱間接影響反應(yīng)溶液的反應(yīng)溫度，油浴溫度控制器監(jiān)測(cè)儲(chǔ)熱油的溫度，并控制加熱器的熱量輸出，油浴溫度控制器的信號(hào)接收端與電源開關(guān)系統(tǒng)的信號(hào)輸出端相連接；該加速溶液反應(yīng)系統(tǒng)為電磁攪拌系統(tǒng)，電磁攪拌系統(tǒng)對(duì)反應(yīng)溶液施加電磁攪拌；反應(yīng)容器內(nèi)部保持非真空氣氛。上述電磁攪拌系統(tǒng)優(yōu)選包括磁力轉(zhuǎn)子和磁力攪拌控制器，磁力轉(zhuǎn)子設(shè)置于反應(yīng)容器內(nèi)，磁力攪拌控制器控制磁力轉(zhuǎn)子懸浮于反應(yīng)容器內(nèi)的底表面上方，并保持磁力轉(zhuǎn)子不與晶種層基片直接接觸，磁力攪拌控制器還驅(qū)動(dòng)磁力轉(zhuǎn)子旋轉(zhuǎn)，直接向反應(yīng)溶液中施加旋轉(zhuǎn)磁場(chǎng)，磁力攪拌控制器的信號(hào)接收端與電源開關(guān)系統(tǒng)的信號(hào)輸出端相連接。上述儲(chǔ)熱油優(yōu)選采用ニ甲基硅油。上述晶種層基片最好為可控尺寸的IT0/TFT基片。 上述加熱器優(yōu)選采用加熱電阻圏。本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比較，具有如下顯而易見的突出實(shí)質(zhì)性特點(diǎn)和顯著優(yōu)點(diǎn)
1.本發(fā)明通過(guò)溶劑的蒸發(fā)攜帶先驅(qū)反應(yīng)溶液蒸發(fā)，使所得反應(yīng)產(chǎn)物自發(fā)在垂直插入的光滑IT0/TFT基片上利用毛細(xì)管カ組裝成為ニ維或三維結(jié)構(gòu)的薄膜；
2.本發(fā)明操作溫度要求為室溫 300°C，無(wú)真空度要求；
3.本發(fā)明特別適合于在常溫常壓下制備納米級(jí)多晶碘化汞薄膜材料；
4.本發(fā)明制備裝置結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，可重復(fù)使用，易于操作，制備多晶碘化汞薄膜顆粒尺寸可
控；
5.本發(fā)明エ藝成本低，方法簡(jiǎn)便、成品率高，適用于批量制備；
6.本發(fā)明制備エ藝和設(shè)備采用化學(xué)法合成的方法，通過(guò)制備納米級(jí)多晶碘化汞晶種層，嘗試結(jié)合化學(xué)液相垂直沉積法和物理氣相沉積法制備多晶碘化汞厚膜，使之便于應(yīng)用于X射線、Y射線探測(cè)器技術(shù)領(lǐng)域。


圖I是本發(fā)明納米級(jí)多晶碘化汞晶種層薄膜制備裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施例方式結(jié)合附圖，對(duì)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例詳述如下
實(shí)施例
參見圖1，一種納米級(jí)多晶碘化汞晶種層薄膜制備裝置，包括裝置底座、反應(yīng)容器8、裝置支架11、恒溫系統(tǒng)和加速溶液反應(yīng)系統(tǒng)，裝置支架11固定安裝于裝置底座上，安放于裝置底座上的反應(yīng)容器8內(nèi)部容納反應(yīng)溶液6，裝置支架11連接的夾頭固定夾持待用的晶種層基片7，使晶種層基片7固定于反應(yīng)容器8內(nèi)的反應(yīng)溶液6中，恒溫系統(tǒng)維持反應(yīng)容器8內(nèi)的反應(yīng)溶液6反應(yīng)溫度；恒溫系統(tǒng)為油浴溫度控制系統(tǒng)，油浴溫度控制系統(tǒng)包括油浴容器10、加熱器4和油浴溫度控制器2，將反應(yīng)容器8放入油浴容器10內(nèi)，在反應(yīng)容器8和油浴容器10外壁之間注入儲(chǔ)熱油9，加熱器4通過(guò)對(duì)儲(chǔ)熱油9加熱間接影響反應(yīng)溶液6的反應(yīng)溫度，油浴溫度控制器2監(jiān)測(cè)儲(chǔ)熱油9的溫度，并控制加熱器4的熱量輸出，油浴溫度控制器2的信號(hào)接收端與電源開關(guān)系統(tǒng)3的信號(hào)輸出端相連接；該加速溶液反應(yīng)系統(tǒng)為電磁攪拌系統(tǒng)，電磁攪拌系統(tǒng)對(duì)反應(yīng)溶液6施加電磁攪拌；反應(yīng)容器8內(nèi)部保持非真空氣氛。在本發(fā)明中，使用該裝置制備的多晶碘化汞薄膜是用來(lái)生長(zhǎng)多晶碘化汞厚膜，然后用來(lái)做探測(cè)器。通過(guò)改變化學(xué)液相沉積時(shí)間來(lái)控制納米級(jí)多晶碘化汞薄膜顆粒的尺寸，再使用熱壁物理氣相沉積，可以在納米級(jí)多晶碘化汞薄膜顆粒上沿著(001)晶向沉積出高質(zhì)量的多晶碘化汞厚膜，使用該裝置沉積納米級(jí)晶種層可以為晶種層基片7制備的直徑10厘米的大面積多晶碘化汞厚膜。本發(fā)明裝置結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，可重復(fù)使用，易于操作，制備多晶碘化汞薄膜顆粒尺寸可控，特別適合于用于生長(zhǎng)多晶碘化汞厚膜的多晶碘化汞薄膜的制備，從而能獲得較大面積的探測(cè)器級(jí)碘化汞多晶厚膜。在本發(fā)明中，上述電磁攪拌系統(tǒng)優(yōu)選包括磁力轉(zhuǎn)子5和磁力攪拌控制器1，磁力轉(zhuǎn)子5設(shè)置于反應(yīng)容器8內(nèi)，磁力攪拌控制器I控制磁力轉(zhuǎn)子5懸浮于反應(yīng)容器8內(nèi)的底表面上方，并保持磁力轉(zhuǎn)子5不與晶種層基片7直接接觸，磁力攪拌控制器I還驅(qū)動(dòng)磁力轉(zhuǎn)子5旋轉(zhuǎn)，直接向反應(yīng)溶液6中施加旋轉(zhuǎn)磁場(chǎng)，磁力攪拌控制器I的信號(hào)接收端與電源開關(guān)系統(tǒng)3的信號(hào)輸出端相連接。在本發(fā)明中，磁力攪拌控制器I通過(guò)控制磁力轉(zhuǎn)子5的轉(zhuǎn)速，油浴溫度控制器2控制儲(chǔ)熱油9的溫度，從而影響整個(gè)反應(yīng)溫度，反應(yīng)溶液6可盛裝在燒杯反應(yīng)容器8中，可控尺寸IT0/TFT基板在反應(yīng)溶液6中通過(guò)化學(xué)液相垂直沉積法，在ITO/TFT基板上沉積出納米級(jí)多晶碘化汞晶種。磁力轉(zhuǎn)子5與IT0/TFT基板下端保持3厘米的距離，可防止磁力轉(zhuǎn)子5碰到IT0/TFT基板影響成膜，利用該裝置可獲得大面積多晶結(jié)構(gòu)晶體。本發(fā)明提供適合于碘化汞厚膜沉積的晶種層基片7，從而在納米級(jí)多晶碘化汞薄膜顆粒上沿著(001)晶向沉積出高質(zhì)量的多晶碘化汞厚膜。 在本發(fā)明中，上述儲(chǔ)熱油9最好采用ニ甲基硅油，ニ甲基硅油比熱容高，能夠承受300攝氏度高溫，適用于溫度變化范圍較大的油浴恒溫過(guò)程。
在本發(fā)明中，上述晶種層基片7最好選用可控尺寸的IT0/TFT基片。IT0/TFT基片使用廣泛，易于獲得，與反應(yīng)溶液不發(fā)生化學(xué)侵蝕，可以作為高質(zhì)量的晶種層基片7，保證基片上化學(xué)沉積薄膜的有效附著。在本發(fā)明中，上述加熱器4優(yōu)選采用加熱電阻圈，電阻線圈通用性強(qiáng)，發(fā)熱效率較高，易于控制溫度，安裝和更換維護(hù)方便。
在本發(fā)明中，以2，7-ニ溴-4-羥汞基熒光紅雙鈉鹽(又名汞溴紅)、碘酊為先驅(qū)反應(yīng)溶液，無(wú)水酒精為溶劑，制得了多晶碘化汞薄膜。首先將2，7-ニ溴-4-羥汞基熒光紅雙鈉鹽、碘酊試劑按[Hg2+]和[I ]的配合要求將兩者的混合溶液倒入實(shí)驗(yàn)裝置中，制備反應(yīng)溶液，即按照[Hg2+] : [I ]為1:2的摩爾濃度比例將此兩種溶液混合；實(shí)驗(yàn)裝置中的磁力轉(zhuǎn)子5以每分鐘500 rpm的速度轉(zhuǎn)動(dòng)，使兩種溶液充分反應(yīng)；0. 5h后，游離出來(lái)的金屬Hg+與I離子充分結(jié)合形成HgI2分子，這時(shí)調(diào)整磁力轉(zhuǎn)子5的速度轉(zhuǎn)動(dòng)為每分鐘200 rpm,并倒入等量的無(wú)水酒精，其目的是為了加速后續(xù)步驟的蒸發(fā)；然后垂直插入分別經(jīng)過(guò)丙酮、無(wú)水酒精和去離子水超聲15分鐘后烘干了的光滑IT0/TFT基片，并使其在30 V的溫度下進(jìn)行生長(zhǎng)多晶碘化汞薄膜；3天后，溶劑接近完全蒸發(fā)，取出IT0/TFT基片，此時(shí)IT0/TFT基片表面長(zhǎng)有一層紅色的薄膜，薄膜厚度約為600nm。將制得的上述IT0/TFT基片放置在退火爐內(nèi)，以105で恒溫在氮?dú)鈿夥罩型嘶餙. 5h;最終得到多晶碘化汞薄膜。使用該制備エ藝生長(zhǎng)出來(lái)的納米級(jí)多晶碘化汞薄膜作為過(guò)度緩沖層，特別適合于X射線、Y射線多晶碘化汞厚膜探測(cè)器的制備。上面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明實(shí)施例進(jìn)行了說(shuō)明，但本發(fā)明不限于上述實(shí)施例，還可以根據(jù)本發(fā)明的發(fā)明創(chuàng)造的目的做出多種變化，凡依據(jù)本發(fā)明技術(shù)方案的精神實(shí)質(zhì)和原理下做的改變、修飾、替代、組合、簡(jiǎn)化，均應(yīng)為等效的置換方式，只要符合本發(fā)明的發(fā)明目的，只要不背離本發(fā)明納米級(jí)多晶碘化汞晶種層薄膜的制備方法及其專用制備裝置的技術(shù)原理和發(fā)明構(gòu)思，都屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1.一種納米級(jí)多晶碘化汞晶種層薄膜的制備方法，其特征在于包括如下步驟a.晶種層基片的準(zhǔn)備選用ITO/TFT基片作為裝載納米級(jí)多晶碘化汞晶種層薄膜的晶 種層基片，對(duì)該ITO/TFT基片進(jìn)行清洗，并烘干，得到潔凈光滑的待用ITO/TFT基片；b.反應(yīng)溶液化學(xué)平衡控制按照[Hg2+]: [I ]為1 : (2 5)的摩爾濃度比例的配比， 使Hg2+和I溶于制備裝置中的溶劑，形成反應(yīng)溶液，使Hg+與I—離子結(jié)合形成Hgl2分子； 同時(shí)向制備裝置中的反應(yīng)溶液內(nèi)部加入電磁場(chǎng)，對(duì)反應(yīng)溶液施加電磁攪拌，加速Hg+與r離 子充分結(jié)合，使反應(yīng)溶液內(nèi)部各點(diǎn)反應(yīng)溫度均勻化；同時(shí)還通過(guò)溫度調(diào)節(jié)方法使制備裝置 中的反應(yīng)溶液保持在室溫 300°C的溫度區(qū)間的反應(yīng)溫度水平；c.化學(xué)液相沉積在非真空氣氛下，向制備裝置中的反應(yīng)溶液豎直插入待用ITO/TFT 基片，使浸入反應(yīng)溶液的ITO/TFT基片部分的表面沉淀生長(zhǎng)納米級(jí)多晶碘化汞晶粒；通過(guò) 改變化學(xué)液相沉積時(shí)間來(lái)控制納米級(jí)多晶碘化汞薄膜顆粒的尺寸；d.當(dāng)制備裝置中的溶劑接近完全蒸發(fā)時(shí)，從制備裝置中取出ITO/TFT基片，在ITO/TFT 基片表面上即獲得大面積組裝的紅色納米級(jí)多晶碘化汞晶種層薄膜；e.將上述步驟d制備的ITO/TFT基片退火，最終獲得帶有納米級(jí)多晶碘化汞晶種層薄 膜ITO/TFT基片產(chǎn)品。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的納米級(jí)多晶碘化汞晶種層薄膜的制備方法，其特征在于在 上述步驟b中，以2，7- 二溴-4-羥汞基熒光紅雙鈉鹽、碘酊為先驅(qū)反應(yīng)溶液，以無(wú)水酒精 為溶劑，分別配制2，7- 二溴-4-羥汞基熒光紅雙鈉鹽溶液和碘酊溶液各20g/L，然后按照 [Hg2+] : [I ]為1 :2的摩爾濃度比例將此兩種溶液混合，制備反應(yīng)溶液。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的納米級(jí)多晶碘化汞晶種層薄膜的制備方法，其特征在于 在上述步驟b中，溫度調(diào)節(jié)方法采用油浴溫度控制方法。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的納米級(jí)多晶碘化汞晶種層薄膜的制備方法，其特征在于 在上述步驟e中，將上述步驟d制備的ITO/TFT基片放置在退火爐內(nèi)，以105 °C恒溫，在氮 氣氣氛中退火0. 5h。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的納米級(jí)多晶碘化汞晶種層薄膜的制備方法，其特征在于 在上述步驟a中，對(duì)ITO/TFT基片進(jìn)行清洗采用丙酮、無(wú)水酒精和去離子水進(jìn)行超聲波清 洗。
6.一種實(shí)現(xiàn)權(quán)利要求1所述的納米級(jí)多晶碘化汞晶種層薄膜的制備方法的納米級(jí)多 晶碘化汞晶種層薄膜制備裝置，包括裝置底座、反應(yīng)容器(8)、裝置支架(11)、恒溫系統(tǒng)和 加速溶液反應(yīng)系統(tǒng)，所述裝置支架(11)固定安裝于所述裝置底座上，安放于所述裝置底座 上的所述反應(yīng)容器(8)內(nèi)部容納反應(yīng)溶液(6)，所述裝置支架(11)連接的夾頭固定夾持待 用的晶種層基片(7)，使晶種層基片(7)固定于所述反應(yīng)容器(8)內(nèi)的反應(yīng)溶液(6)中，所 述恒溫系統(tǒng)維持所述反應(yīng)容器(8)內(nèi)的反應(yīng)溶液(6)反應(yīng)溫度，其特征在于所述恒溫系統(tǒng) 為油浴溫度控制系統(tǒng)，所述油浴溫度控制系統(tǒng)包括油浴容器(10)、加熱器(4)和油浴溫度 控制器(2 )，將所述反應(yīng)容器(8 )放入所述油浴容器(10 )內(nèi)，在所述反應(yīng)容器(8 )和所述油 浴容器(10)外壁之間注入儲(chǔ)熱油(9)，所述加熱器(4)通過(guò)對(duì)所述儲(chǔ)熱油(9)加熱間接影 響所述反應(yīng)溶液(6)的反應(yīng)溫度，所述油浴溫度控制器(2)監(jiān)測(cè)所述儲(chǔ)熱油(9)的溫度，并 控制所述加熱器(4)的熱量輸出，所述油浴溫度控制器(2)的信號(hào)接收端與電源開關(guān)系統(tǒng) (3)的信號(hào)輸出端相連接；該加速溶液反應(yīng)系統(tǒng)為電磁攪拌系統(tǒng)，所述電磁攪拌系統(tǒng)對(duì)所述
7.一種TPU冷風(fēng)干燥系統(tǒng)，包括冷干桶和干燥冷氣提供系統(tǒng)，其特征在于所述干燥冷 氣提供系統(tǒng)包括用于提供壓縮空氣的空壓機(jī)、冷干機(jī)和干燥冷風(fēng)管路；所述冷干桶上部設(shè) 置有潮濕冷風(fēng)出口、冷干桶進(jìn)料口和與冷干桶進(jìn)料口固定連接的進(jìn)料裝置，冷干桶底部設(shè) 置有冷風(fēng)入口和冷干桶出料口 ；所述空壓機(jī)與冷干機(jī)通過(guò)管道相連，冷干機(jī)通過(guò)干燥冷風(fēng) 管路與冷風(fēng)入口連接。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的TPU冷風(fēng)干燥系統(tǒng)，其特征在于還包括將TPU抽入冷干桶 的抽料風(fēng)機(jī)，所述抽料風(fēng)機(jī)與進(jìn)料裝置連接。
9.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的TPU冷風(fēng)干燥系統(tǒng)，其特征在于還包括用于包裝TPU成 品的包裝機(jī)，所述包裝機(jī)與冷干桶出料口連接。
10.一種TPU干燥系統(tǒng)，包括熱風(fēng)干燥系統(tǒng)，其特征在于還包括如權(quán)利要求1或2所述 的TPU冷風(fēng)干燥系統(tǒng)；所述熱風(fēng)干燥系統(tǒng)包括除濕干燥機(jī)、干燥桶、干燥熱風(fēng)管路、潮濕熱 風(fēng)管路和料粒輸送管路；所述干燥桶上部設(shè)置有干燥桶進(jìn)料口和熱風(fēng)出口，干燥桶底部設(shè) 置有干燥桶出料口和熱風(fēng)入口；所述除濕干燥機(jī)通過(guò)干燥熱風(fēng)管路與干燥桶的熱風(fēng)入口相 連；干燥桶的熱風(fēng)出口通過(guò)潮濕熱風(fēng)管路與除濕干燥機(jī)相連；所述干燥桶出料口通過(guò)料粒 輸送管路與進(jìn)料裝置連接。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種納米級(jí)多晶碘化汞晶種層薄膜的制備方法，采用電磁攪拌和溫度調(diào)節(jié)方法對(duì)反應(yīng)溶液化學(xué)平衡進(jìn)行控制，加快化學(xué)液相沉積的過(guò)程。本發(fā)明還公開了一種納米級(jí)多晶碘化汞晶種層薄膜制備裝置，主要包括反應(yīng)容器、恒溫系統(tǒng)和加速溶液反應(yīng)系統(tǒng)，恒溫系統(tǒng)為油浴溫度控制系統(tǒng)，油浴溫度控制系統(tǒng)包括油浴容器、加熱器和油浴溫度控制器，油浴溫度控制器監(jiān)測(cè)儲(chǔ)熱油的溫度，并控制加熱器的熱量輸出，該加速溶液反應(yīng)系統(tǒng)為電磁攪拌系統(tǒng)，電磁攪拌系統(tǒng)對(duì)反應(yīng)溶液施加電磁攪拌；反應(yīng)容器內(nèi)部保持非真空氣氛。該裝置結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，可重復(fù)使用，易于操作，不受外界溫度的影響，可制備大面積多晶碘化汞晶種層薄膜，成品率高，適用于批量制備。
文檔編號(hào)C23C26/00GK102650050SQ20121014877
公開日2012年8月29日 申請(qǐng)日期2012年5月15日 優(yōu)先權(quán)日2012年5月15日
發(fā)明者劉功龍, 史偉民, 呂燕芳, 周平生, 廖陽(yáng), 張?jiān)妈? 李 杰, 楊偉光 申請(qǐng)人:上海大學(xué)