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      一種光學(xué)干涉薄片制備方法及制備設(shè)備的制作方法

      文檔序號(hào):3260096閱讀:115來源:國知局
      專利名稱:一種光學(xué)干涉薄片制備方法及制備設(shè)備的制作方法
      技術(shù)領(lǐng)域
      本發(fā)明涉及到特種光學(xué)干涉顏料領(lǐng)域,尤其是一種光學(xué)干涉薄片制備方法及其所采用的制備設(shè)備。
      背景技術(shù)
      光學(xué)干涉顏料自上世紀(jì)八十年代問世以來,在印刷行業(yè)被廣泛應(yīng)用于貨幣、簽證、各種有價(jià)證券、香煙、酒標(biāo)的防偽。在國內(nèi)如100元、50元人民幣上都用上了該光干涉顏料隨視角變色的一線防偽技術(shù)。
      然而,目前的光學(xué)干涉顏料存在著生產(chǎn)成本高、產(chǎn)出少的缺陷;而且,目前,制備該類產(chǎn)品的生產(chǎn)方法和設(shè)備還不能達(dá)到完全連續(xù)生產(chǎn)。

      發(fā)明內(nèi)容
      有鑒于此,有必要針對(duì)背景技術(shù)中提到的問題,提供一種可成本低、產(chǎn)出高、可持續(xù)不斷生產(chǎn)光干涉顏料的方法和制造設(shè)備。本發(fā)明的目的是通過以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的
      一種光學(xué)干涉薄片制備設(shè)備,其特征在于包括
      一光學(xué)鍍膜機(jī),其內(nèi)腔抽真空,其二相對(duì)的側(cè)面分別設(shè)有一真空封輥,所述真空內(nèi)腔內(nèi)設(shè)有用于噴射鍍膜所需粒子的粒子蒸發(fā)源;
      第一卷繞機(jī)構(gòu)及第二卷繞機(jī)構(gòu),其分別設(shè)置于與所述二真空封輥相鄰的位置,使得安裝于第一或第二卷繞機(jī)構(gòu)上的柔性基底材料可順序通過一真空封輥、真空內(nèi)腔及另一真空封輥,從而卷繞于第二或第一所述卷繞機(jī)構(gòu)上;
      第一卷繞電機(jī)及第二卷繞電機(jī),其分別與所述第一、第二卷繞機(jī)構(gòu)連接,正向和/或反向驅(qū)動(dòng)其所對(duì)應(yīng)的卷繞機(jī)構(gòu)轉(zhuǎn)動(dòng)。所述制備設(shè)備還包括一用于控制所述二卷繞電機(jī)的控制單元,其與所述而卷繞電機(jī)信號(hào)連接。所述二卷繞電機(jī)內(nèi)設(shè)減速器,卷繞電機(jī)的卷繞速度為1CM/S 100M/S范圍內(nèi)可調(diào),優(yōu)選
      所述真空內(nèi)腔內(nèi)設(shè)有用于增加制成的光學(xué)干涉薄片的致密度的離子輔助設(shè)備。所述真空內(nèi)腔內(nèi)設(shè)有低溫捕集器。一種采用上述任一制備設(shè)備的光學(xué)干涉薄片的制備方法,其特征在于,包括以下步驟
      Si、在第一卷繞機(jī)構(gòu)上安裝柔性基底材料載體,所述柔性基底材料表面預(yù)先涂印有一層可溶性材料;
      S2、開啟所述第一卷繞機(jī)構(gòu)連接的第一卷繞電機(jī),控制所述第一卷繞機(jī)構(gòu)正向轉(zhuǎn)動(dòng),使所述柔性基底材料由該第一卷繞機(jī)構(gòu)通過與其相鄰的真空封輥、真空腔、另一真空封輥向第二卷繞機(jī)構(gòu)傳送卷繞,柔性基底材料通過所述真空內(nèi)腔時(shí),在其表面鍍制第一層薄膜;
      53、開啟與第二卷繞機(jī)構(gòu)連接的第二卷繞電機(jī),控制所述第二卷繞機(jī)構(gòu)反向轉(zhuǎn)動(dòng),使已鍍制第一層薄膜的柔性基底材料順序通過真空封輥、真空腔、真空封輥向所述第一卷繞機(jī)構(gòu)傳送卷繞,柔性基底材料通過所述真空內(nèi)腔時(shí),在其表面鍍制第二層薄膜;
      54、重復(fù)S2及S3,直至在所述柔性基底材料上根據(jù)預(yù)先的設(shè)計(jì)依次鍍制完成多層薄
      膜;
      55、退膜處理,得到相應(yīng)的光學(xué)干涉薄片;
      56、碎片處理。 另一種采用上述任一制備設(shè)備的光學(xué)干涉薄片的制備方法,其特征在于,包括以下步驟
      S10、在第一卷繞機(jī)構(gòu)上安裝柔性基底材料載體;
      S20、開啟所述第一卷繞機(jī)構(gòu)連接的第一卷繞電機(jī),控制所述第一卷繞機(jī)構(gòu)正向轉(zhuǎn)動(dòng),使所述柔性基底材料順序通過與所述第一卷繞機(jī)構(gòu)相鄰的真空封輥、真空腔、另一真空封輥,當(dāng)所述柔性基底材料通過所述真空腔時(shí),關(guān)閉所述第一卷繞電機(jī),在真空腔內(nèi)的柔性基底材料表面依次鍍制多層薄膜;
      S30、開啟所述第一卷繞電機(jī),控制所述第一卷繞機(jī)構(gòu)繼續(xù)轉(zhuǎn)動(dòng)將鍍制好多層薄膜的柔性基底材料繞出真空腔,卷繞于第二卷繞機(jī)構(gòu)上;
      S40、重復(fù)S20及S30,直至整卷柔性基底材料鍍膜完畢;
      S50、退膜處理,得到相應(yīng)的光學(xué)干涉薄片;
      S60、碎片處理。所述多層薄膜是三層干涉結(jié)構(gòu)吸收層、介質(zhì)層、吸收層。所述多層薄膜是五層干涉結(jié)構(gòu)吸收層、介質(zhì)層、反射層、介質(zhì)層、吸收層。所述柔性材料基底是柔性塑料薄膜或金屬帶狀材料。與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明具備如下優(yōu)點(diǎn)本發(fā)明可連續(xù)生產(chǎn)光學(xué)干涉薄片,降低生產(chǎn)成本,提高生產(chǎn)效率。


      圖I是本發(fā)明實(shí)施例一的設(shè)備結(jié)構(gòu)剖視圖。
      具體實(shí)施例方式實(shí)施例一
      本實(shí)施例提供一種光學(xué)干涉薄片制備設(shè)備,如圖I所示,包括
      一光學(xué)鍍膜機(jī),其內(nèi)腔10抽真空,其二相對(duì)的側(cè)面分別設(shè)有一真空封輥20,所述真空內(nèi)腔10內(nèi)設(shè)有用于噴射鍍膜所需粒子的粒子蒸發(fā)源11 ;
      第一卷繞機(jī)構(gòu)30及第二卷繞機(jī)構(gòu)30,其分別設(shè)置于與所述二真空封輥20相鄰的位置,使得安裝于第一或第二卷繞機(jī)構(gòu)30上的柔性基底材料可順序通過一真空封輥20、真空內(nèi)腔10及另一真空封輥20,從而卷繞于第二或第一所述卷繞機(jī)構(gòu)30上;
      第一卷繞電機(jī)40及第二卷繞電機(jī)40,其分別與所述第一、第二卷繞機(jī)構(gòu)30連接,正向和/或反向驅(qū)動(dòng)其所對(duì)應(yīng)的卷繞機(jī)構(gòu)轉(zhuǎn)動(dòng)。所述制備設(shè)備還包括一控制單元(圖中未示出),其與所述二卷繞電機(jī)40信號(hào)連接,用于分別通過控制該二卷繞電機(jī)40來控制所述二卷繞機(jī)構(gòu)30的開啟、關(guān)閉、轉(zhuǎn)動(dòng)速度、轉(zhuǎn)動(dòng)方向等。所述二卷繞電機(jī)內(nèi)設(shè)有減速器,卷繞電機(jī)的卷繞速度為1CM/S 100M/S,優(yōu)選ICM/S 100M/S。所述真空內(nèi)腔內(nèi)還設(shè)有用于增加制成的光學(xué)干涉薄片的致密度的離子輔助設(shè)備12。所述真空內(nèi)腔內(nèi)還可設(shè)置低溫捕集器(圖中未示出)。所述控制單元還可以與所述真空內(nèi)腔10內(nèi)的粒子蒸發(fā)源11、離子輔助設(shè)備12、低溫捕集器等信號(hào)連接,控制其工作。本實(shí)施例還提供一種采用上述設(shè)備制備光學(xué)干涉薄片制備方法,其包括以下步驟
      Si、在第一卷繞機(jī)構(gòu)上安裝柔性基底材料載體,所述柔性基底材料表面預(yù)先涂印有一層可溶性材料在第一卷繞機(jī)構(gòu)上安裝成卷的柔性基底材料載體,所述可溶性材料的作用是有效分隔所述基底材料和之后將要鍍制的薄膜;
      S2、開啟所述第一卷繞機(jī)構(gòu)連接的第一卷繞電機(jī),控制所述第一卷繞機(jī)構(gòu)正向轉(zhuǎn)動(dòng),使所述柔性基底材料由該第一卷繞機(jī)構(gòu)通過與其相鄰的真空封輥、真空腔、另一真空封輥向第二卷繞機(jī)構(gòu)傳送卷繞,柔性基底材料通過所述真空內(nèi)腔時(shí),在其表面鍍制第一層薄膜;
      53、開啟與第二卷繞機(jī)構(gòu)連接的第二卷繞電機(jī),控制所述第二卷繞機(jī)構(gòu)反向轉(zhuǎn)動(dòng),使已鍍制第一層薄膜的柔性基底材料順序通過真空封輥、真空腔、真空封輥向所述第一卷繞機(jī)構(gòu)傳送卷繞,柔性基底材料通過所述真空內(nèi)腔時(shí),在其表面鍍制第二層薄膜;
      54、重復(fù)S2及S3,直至在所述柔性基底材料上根據(jù)預(yù)先的設(shè)計(jì)依次鍍制完成多層薄
      膜;
      55、退膜處理,得到相應(yīng)的光學(xué)干涉薄片即通過溶解所述可溶性材料,將鍍制好的多層薄膜與柔性基底材料剝離開來,得到光學(xué)干涉薄片;
      56、碎片處理及分級(jí)處理,制成光學(xué)干涉顏料將所述光學(xué)干涉薄片進(jìn)行碎片處理,然后再進(jìn)行分級(jí)處理,制成符合要求的光學(xué)干涉顏料。所述多層薄膜可以是三層干涉結(jié)構(gòu)吸收層、介質(zhì)層、吸收層,所述多層薄膜也可以是五層干涉結(jié)構(gòu)吸收層、介質(zhì)層、反射層、介質(zhì)層、吸收層。所述柔性材料基底可選擇柔性塑料薄膜或延展性好的金屬帶狀材料。實(shí)施例二
      本實(shí)施例提供另一種制備光學(xué)干涉薄片的方法,其所采用的設(shè)備與實(shí)施例一相同,其包括以下步驟
      S10、在第一卷繞機(jī)構(gòu)上安裝柔性基底材料載體;
      S20、開啟所述第一卷繞機(jī)構(gòu)連接的第一卷繞電機(jī),控制所述第一卷繞機(jī)構(gòu)正向轉(zhuǎn)動(dòng),使所述柔性基底材料順序通過與所述第一卷繞機(jī)構(gòu)相鄰的真空封輥、真空腔、另一真空封輥,當(dāng)所述柔性基底材料通過所述真空內(nèi)腔時(shí),關(guān)閉所述第一卷繞電機(jī),在真空腔內(nèi)的柔性基底材料表面依次鍍制多層薄膜;
      S30、開啟所述第一卷繞電機(jī),控制所述第一卷繞機(jī)構(gòu)繼續(xù)轉(zhuǎn)動(dòng)將鍍制好多層薄膜的柔性基底材料繞出真空腔,卷繞于第二卷繞機(jī)構(gòu)上;
      S40、重復(fù)S20及S30,直至整卷柔性基底材料鍍膜完畢;
      S50、退膜處理,得到相應(yīng)的光學(xué)干涉薄片;
      S60、碎片處理。本實(shí)施例之方法所支撐的光學(xué)干涉薄片的結(jié)構(gòu)與實(shí)施例一相同。
      權(quán)利要求
      1.一種光學(xué)干涉薄片制備設(shè)備,其特征在于包括 一光學(xué)鍍膜機(jī),其內(nèi)腔抽真空,其二相對(duì)的側(cè)面分別設(shè)有一真空封輥,所述真空內(nèi)腔內(nèi)設(shè)有用于噴射鍍膜所需粒子的粒子蒸發(fā)源; 第一卷繞機(jī)構(gòu)及第二卷繞機(jī)構(gòu),其分別設(shè)置于與所述二真空封輥相鄰的位置,使得安裝于第一或第二卷繞機(jī)構(gòu)上的柔性基底材料可順序通過一真空封輥、真空內(nèi)腔及另一真空封輥,從而卷繞于第二或第一所述卷繞機(jī)構(gòu)上; 第一卷繞電機(jī)及第二卷繞電機(jī),其分別與所述第一、第二卷繞機(jī)構(gòu)連接,正向和/或反向驅(qū)動(dòng)其所對(duì)應(yīng)的卷繞機(jī)構(gòu)轉(zhuǎn)動(dòng)。
      2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的制備設(shè)備,其特征在于,還包括一用于控制所述二卷繞電機(jī)的控制單元,其與所述而卷繞電機(jī)信號(hào)連接。
      3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制備設(shè)備,其特征在于,所述二卷繞電機(jī)內(nèi)設(shè)減速器,卷繞電機(jī)的卷繞速度為1CM/S 100M/S可調(diào)。
      4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的制備設(shè)備,其特征在于,所述二卷繞電機(jī)的卷繞速度為IOCM/S 10M/S可調(diào)。
      5.根據(jù)權(quán)利要求2至4任一所述的制備設(shè)備,其特征在于,所述真空內(nèi)腔內(nèi)設(shè)有用于增加制成的光學(xué)干涉薄片的致密度的離子輔助設(shè)備。
      6.一種米用權(quán)利要求I至5任一制備設(shè)備的光學(xué)干涉薄片的制備方法,其特征在于,包括以下步驟 SI、在第一卷繞機(jī)構(gòu)上安裝柔性基底材料載體,所述柔性基底材料表面預(yù)先涂印有一層可溶性材料; S2、開啟所述第一卷繞機(jī)構(gòu)連接的第一卷繞電機(jī),控制所述第一卷繞機(jī)構(gòu)正向轉(zhuǎn)動(dòng),使所述柔性基底材料由該第一卷繞機(jī)構(gòu)通過與其相鄰的真空封輥、真空腔、另一真空封輥向第二卷繞機(jī)構(gòu)傳送卷繞,柔性基底材料通過所述真空內(nèi)腔時(shí),在其表面鍍制第一層薄膜; 53、開啟與第二卷繞機(jī)構(gòu)連接的第二卷繞電機(jī),控制所述第二卷繞機(jī)構(gòu)反向轉(zhuǎn)動(dòng),使已鍍制第一層薄膜的柔性基底材料順序通過真空封輥、真空腔、真空封輥向所述第一卷繞機(jī)構(gòu)傳送卷繞,柔性基底材料通過所述真空內(nèi)腔時(shí),在其表面鍍制第二層薄膜; 54、重復(fù)S2及S3,直至在所述柔性基底材料上根據(jù)預(yù)先的設(shè)計(jì)依次鍍制完成多層薄膜; 55、退膜處理,得到相應(yīng)的光學(xué)干涉薄片; 56、碎片處理。
      7.一種采用權(quán)利要求I至5任一制備設(shè)備的光學(xué)干涉薄片的制備方法,其特征在于,包括以下步驟 S10、在第一卷繞機(jī)構(gòu)上安裝柔性基底材料載體; S20、開啟所述第一卷繞機(jī)構(gòu)連接的第一卷繞電機(jī),控制所述第一卷繞機(jī)構(gòu)正向轉(zhuǎn)動(dòng),使所述柔性基底材料順序通過與所述第一卷繞機(jī)構(gòu)相鄰的真空封輥、真空腔、另一真空封輥,當(dāng)所述柔性基底材料通過所述真空腔時(shí),關(guān)閉所述第一卷繞電機(jī),在真空腔內(nèi)的柔性基底材料表面依次鍍制多層薄膜; S30、開啟所述第一卷繞電機(jī),控制所述第一卷繞機(jī)構(gòu)繼續(xù)轉(zhuǎn)動(dòng)將鍍制好多層薄膜的柔性基底材料繞出真空腔,卷繞于第二卷繞機(jī)構(gòu)上; S40、重復(fù)S20及S30,直至整卷柔性基底材料鍍膜完畢; S50、退膜處理,得到相應(yīng)的光學(xué)干涉薄片; S60、碎片處理。
      8.根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的制備方法,其特征在于所述多層薄膜是三層干涉結(jié)構(gòu)吸收層、介質(zhì)層、吸收層。
      9.根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的制備方法,其特征在于所述多層薄膜是五層干涉結(jié)構(gòu)吸收層、介質(zhì)層、反射層、介質(zhì)層、吸收層。
      10.根據(jù)權(quán)利要求6或I所述的制備方法,其特征在于所述柔性材料基底是柔性塑料薄膜或金屬帶狀材料。
      全文摘要
      本發(fā)明提供一種光學(xué)干涉薄片制備方法及其設(shè)備,所述制備方法包括在第一卷繞機(jī)構(gòu)上安裝柔性基底材料載體,所述柔性基底材料表面預(yù)先涂印有一層可溶性材料;控制所述第一卷繞機(jī)構(gòu)正向轉(zhuǎn)動(dòng),使所述柔性基底材料由該第一卷繞機(jī)構(gòu)通過與其相鄰的真空封輥、真空腔、另一真空封輥向第二卷繞機(jī)構(gòu)傳送卷繞,柔性基底材料通過所述真空內(nèi)腔時(shí),在其表面鍍制第一層薄膜;控制所述第二卷繞機(jī)構(gòu)反向轉(zhuǎn)動(dòng),使已鍍制第一層薄膜的柔性基底材料順序通過真空封輥、真空腔、真空封輥向所述第一卷繞機(jī)構(gòu)傳送卷繞,柔性基底材料通過所述真空內(nèi)腔時(shí),在其表面鍍制第二層薄膜;依次鍍制多層薄膜。本發(fā)明可連續(xù)生產(chǎn)光學(xué)干涉薄片,降低生產(chǎn)成本,提高生產(chǎn)效率。
      文檔編號(hào)C23C14/22GK102809773SQ20121028361
      公開日2012年12月5日 申請(qǐng)日期2012年8月10日 優(yōu)先權(quán)日2012年8月10日
      發(fā)明者張彬賢 申請(qǐng)人:珠海樂通新材料科技有限公司
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