專利名稱：電磁屏蔽面板及其制備方法和顯示器的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及電磁屏蔽技術領域，特別是涉及一種電磁屏蔽面板及其制備方法和一種含有該電磁屏蔽面板的顯示器。
背景技術：
傳統(tǒng)的電磁屏蔽面板包括玻璃基底及鍍于玻璃基底表面上的一層ITO膜，這種電磁屏蔽面板具有一定的電磁屏蔽效果，但其透光效果較差，滿足不了一些應用要求。例如，將傳統(tǒng)的電磁屏蔽面板應用于液晶顯示屏時，其透光效果和視覺效果皆較差；又例如，將傳統(tǒng)的電磁屏蔽面板應用于飛機內(nèi)部時，既要求電磁屏蔽面板具有較好的電磁屏蔽效果，同時還需要電磁屏蔽面板具有較高的透射率，只有這樣才使飛行員很好地看到外面的場景，才能滿足正常的飛行的需要。而且傳統(tǒng)的電磁屏蔽面板中的ITO膜層裸露在外，長時間使用后，容易出現(xiàn)ITO膜層吸水或由于使用不當導致部分ITO膜層刮落，從而導致電磁屏蔽效果下降，進而縮短其使用壽命。

發(fā)明內(nèi)容
基于此，有必要提供一種透射率高且使用壽命較長的電磁屏蔽面板及其制備方法?！N電磁屏蔽面板，包括玻璃基底、設于所述玻璃基底一側表面的ITO層、設于所述ITO層上的第一 SiO2層、設于所述玻璃基底另一側表面的Nb2O5層及設于所述Nb2O5層上的第二 SiO2層。在其中一個實施例中，所述ITO層的厚度為8(Tl00nm ;所述第一 SiO2層的厚度為85 95nm ;所述第二 SiO2層的厚度為117 122nm ;所述Nb2O5層的厚度為13 16nm。上述電磁屏蔽面板通過在玻璃基底的一側表面上鍍制ITO層、ITO層上鍍制SiO2層，由于ITO具有電阻率低，透明性好且折射率較高(一般為2. O左右)等優(yōu)點，而且SiO2的折射率較低(一般為I. 5左右)，利用光的衍射原理及光的波動性特性，ITO層與SiO2層構成兩層減反射膜系，在保證電磁屏蔽效果的同時提高了其透射率。為了進一步增進玻璃基底-ITO層-SiO2層的電磁屏蔽效果和提高其透射率，在玻璃基底的另一側表面上鍍制Nb2O5層、在Nb2O5層上鍍制SiO2層，Nb2O5具有折射率較高(一般為2. 3左右)等優(yōu)點，同樣利用光的衍射原理及光的波動性特性，Nb2O5層與SiO2層構成兩層減反射膜系，從而形成一種雙面高透防電磁屏蔽的電磁屏蔽面板。因此，上述電磁屏蔽面板具有優(yōu)良的電磁屏蔽效果和高透射率，同時，ITO層外的SiO2層對ITO層能夠起到很好的保護作用，從而上述電磁屏蔽面板具有相對較長的使用壽命。通過測試傳統(tǒng)的方阻為15 20歐姆的電磁屏蔽面板和上述方阻為15 20歐姆的電磁屏蔽面板的透射率，透射率分別81%和95%，因此上述設計的電磁屏蔽面板的透射率得到了較大的提高。一種電磁屏蔽面板的制備方法，包括如下步驟使用ITO靶材進行磁控濺射鍍膜，在玻璃基底一側表面上鍍制ITO層；
使用Si靶進行磁控濺射鍍膜，在所述ITO層上鍍制第一 SiO2層；使用Nb靶進行磁控濺射鍍膜，在所述玻璃基底另一側表面上鍍制Nb2O5層；使用Si靶進行磁控濺射鍍膜，在所述Nb2O5層上鍍制第二 SiO2層。在其中一個實施例中，所述使用ITO靶材進行磁控濺射鍍膜，在玻璃基底一側表面上鍍制ITO層的過程是在直流或中頻電源下進行磁控濺射鍍膜，其中氣體氛圍為流量10(T200sccm的氬氣氛圍。在其中一個實施例中，所述使用Si靶進行磁控濺射鍍膜，在所述ITO層上鍍制第 一SiO2層的過程中，磁控濺射頻率為40KHZ，氣體氛圍是Ar與O2的混合氣體氛圍，其中Ar的流量為100 200sccm, O2的流量為80 120sccm。在其中一個實施例中，所述使用Nb靶進行磁控濺射鍍膜，在所述玻璃基底另一側表面上鍍制Nb2O5層的過程中，磁控濺射頻率為40KHZ，氣體氛圍是Ar與O2的混合氣體氛圍，其中Ar的流量為10(T200sccm，O2的流量為8(Tl00sccm。在其中一個實施例中，所述使用Si靶進行磁控濺射鍍膜，在所述Nb2O5層上鍍制第
二SiO2層的過程中，磁控濺射頻率為40KHZ，氣體氛圍是Ar與O2的混合氣體氛圍，其中Ar的流量為100 200sccm, O2的流量為80 120sccm。上述電磁屏蔽面板的制備方法的制備工藝相對簡單，制備得到的電磁屏蔽面板具有優(yōu)良的電磁屏蔽效果和高透射率。此外，還有必要提供一種使用上述電磁屏蔽面板的顯示器。—種顯不器,包括電磁屏蔽面板，所述電磁屏蔽面板包括玻璃基底、設于所述玻璃基底一側表面上的ITO層、設于所述ITO層上的第一 SiO2層、設于所述玻璃基底另一側表面上的Nb2O5層及設于所述Nb2O5層上的第二 SiO2層。在其中一個實施例中，所述ITO層的厚度為8(Tl00nm ;所述第一 SiO2層的厚度為85 95nm ;所述第二 SiO2層的厚度為117 122nm ;所述Nb2O5層的厚度為13 16nm。上述顯示器由于使用了上述雙面高透的電磁屏蔽膜，其透光效果和視覺效果均得到提聞。


圖I為一實施方式的電磁屏蔽面板的結構示意圖。
具體實施例方式下面主要結合附圖及具體實施方式
對電磁屏蔽面板及其制備方法和應用作進一步詳細的說明。如圖I所示，一實施方式的電磁屏蔽面板100，包括玻璃基底110、ITO層120、第一SiO2 層 130、Nb2O5 層 140 及第二 SiO2 層 150。其中，ITO層120位于玻璃基底110—側表面上；第一 SiO2層130位于ITO層120上；Nb205層140位于玻璃基底110另一側表面上；第二 SiO2層150位于Nb2O5層140上。在本實施方式中，ITO層120的厚度可以為8(Tl00nm ;第一 SiO2層130的厚度可以為85 95nm ;Nb205層140的厚度可以為13 16nm ;第二 SiO2層150的厚度可以為117 122nm。其中，ITO層120與第一 SiO2層130構成兩層減反射膜系，ITO和SiO2均為透光性良好的材料，而且ITO具有導電性，從而使得ITO層120與第一 SiO2層130構成兩層減反射膜系具有電磁屏蔽的效果；而且ITO層120和第一 SiO2層130的厚度是根據(jù)光的衍射原理及光的波動性特性設計的，以使ITO層120與第一 SiO2層130構成兩層減反射膜系具有高的透射率。Nb2O5層140與第二 SiO2層150也構成兩層減反射膜系，Nb2O5和SiO2均為透光性良好的材料，從而使得Nb2O5層140與第二 SiO2層150構成兩層減反射膜系；而且Nb2O5層140和第二 SiO2層150的厚度是根據(jù)光的衍射原理及光的波動性特性設計的，以使Nb2O5層140與第二 SiO2層150構成兩層減反射膜系具有高的透射率。在本實施方式中，電磁屏蔽面板100由ITO層120與第一 SiO2層130構成的兩層減反射膜系、玻璃基底110及Nb2O5層140第二 SiO2層150構成的兩層減反射膜系構成，形成一種雙面高透率防電磁屏蔽的電磁屏蔽面板100 ;ΙΤ0層120與第一 SiO2層130構成的 兩層減反射膜系與Nb2O5層140第二 SiO2層150構成的兩層減反射膜系協(xié)同作用，從而使得電磁屏蔽面板100具有高電磁屏蔽的效果和高透射率等優(yōu)點。此外，利用高透過率反射膜的膜系原理，上述設計的電磁屏蔽膜具有紫紅色的顏色，可以應用在一些對顏色有特別要求的領域。而且電磁屏蔽面板100中的第一 SiO2層130能夠?qū)TO層120起到很好的保護作用；從而能夠確保電磁屏蔽面板100具有相對較長的使用壽命。此外，本實施方式還提供一種電磁屏蔽面板的制備方法，包括如下步驟 使用ITO靶材進行磁控濺射鍍膜，在玻璃基底一側表面上鍍制ITO層；使用Si靶進行磁控濺射鍍膜，在ITO層上鍍制第一 SiO2層；使用Nb靶進行磁控濺射鍍膜，在玻璃基底另一側表面上鍍制Nb2O5層；使用Si靶進行磁控濺射鍍膜，在Nb2O5層上鍍制第二 SiO2層。其中，使用ITO靶材進行磁控濺射鍍膜，在玻璃基底一側表面上鍍制ITO層的過程是在直流或中頻電源下進行磁控濺射鍍膜，其中氣體氛圍為流量10(T200SCCm的氬氣氛圍。使用Si靶進行磁控濺射鍍膜，在ITO層上鍍制第一 SiO2層的過程中，磁控濺射頻率為40KHZ，氣體氛圍是Ar與O2的混合氣體氛圍，Ar的流量為10(T200SCCm，O2的流量為8(Tl20sCCm。使用Nb靶進行磁控濺射鍍膜，在玻璃基底另一側表面上鍍制Nb2O5層的過程中，磁控濺射頻率為40KHZ，氣體氛圍是Ar與O2的混合氣體氛圍，Ar的流量為10(T200SCCm，O2的流量為8(Tl00sCCm。Si靶進行磁控濺射鍍膜，在Nb2O5層上鍍制第二 SiO2層的過程中，磁控濺射頻率為40KHZ，氣體氛圍是Ar與O2的混合氣體氛圍，Ar的流量為10(T200SCCm，O2的流量為80 120sccm。上述電磁屏蔽面板通過在玻璃基底的一側表面上鍍制ITO層、ITO層上鍍制SiO2層，由于ITO具有電阻率低，透明性好且折射率較高(一般為2. O左右)等優(yōu)點，而且SiO2的折射率較低(一般為I. 5左右)，利用光的衍射原理及光的波動性特性，ITO層與SiO2層構成兩層減反射膜系，在保證電磁屏蔽效果的同時提高了其透射率。為了進一步增進玻璃基底-ITO層-SiO2層的電磁屏蔽效果和提高其透射率，在玻璃基底的另一側表面上鍍制Nb2O5層、在Nb2O5層上鍍制SiO2層，同樣利用光的衍射原理及光的波動性特性，Nb2O5層與SiO2層構成兩層減反射膜系，從而形成一種雙面高透防電磁屏蔽的電磁屏蔽面板。因此，上述電磁屏蔽面板具有優(yōu)良的電磁屏蔽效果和高透射率，同時，ITO層外的SiO2層對ITO層能夠起到很好的保護作用，從而上述電磁屏蔽面板具有相對較長的使用壽命。且上述電磁屏蔽面板的制備方法的制備工藝相對簡單，制備得到的電磁屏蔽面板具有優(yōu)良的電磁屏蔽效果和高透射率；同時測試了傳統(tǒng)的方阻為17歐姆的電磁屏蔽面板和按上述方法制備得到的方阻為17歐姆的電磁屏蔽面板的透射率，透射率分別81%和95%，該方法制備得到的電磁屏蔽面板的透射率得到了較大的提高。此外，本實施方式還提供一種顯示器，包括電磁屏蔽面板，所述電磁屏蔽面板包括玻璃基底、設于所述玻璃基底一側表面上的ITO層、設于所述ITO層上的第一 SiO2層、設于所述玻璃基底另一側表面上的Nb2O5層及設于所述Nb2O5層上的第二 SiO2層。本實施方式中，ITO層的厚度為8(Tl00nm;第一 SiO2層的厚度為85 95nm;第二SiO2層的厚度為117 122nm ；Nb2O5層的厚度為13 16nm。
上述顯示器的透光效果和視覺效果皆好。以上所述實施例僅表達了本發(fā)明的幾種實施方式，其描述較為具體和詳細，但并不能因此而理解為對本發(fā)明專利范圍的限制。應當指出的是，對于本領域的普通技術人員來說，在不脫離本發(fā)明構思的前提下，還可以做出若干變形和改進，這些都屬于本發(fā)明的保護范圍。因此，本發(fā)明專利的保護范圍應以所附權利要求為準。
權利要求
1.一種電磁屏蔽面板,其特征在于,包括玻璃基底、設于所述玻璃基底一側表面的ITO層、設于所述ITO層上的第一 SiO2層、設于所述玻璃基底另一側表面的Nb2O5層及設于所述Nb2O5層上的第二 SiO2層。
2.如權利要求I所述的電磁屏蔽面板，其特征在于，所述ITO層的厚度為8(Tl00nm;所述第一 SiO2層的厚度為85 95nm ;所述第二 SiO2層的厚度為117 122nm ;所述Nb2O5層的厚度為13 16nm。
3.—種電磁屏蔽面板的制備方法，其特征在于，包括如下步驟 使用ITO靶材進行磁控濺射鍍膜，在玻璃基底一側表面上鍍制ITO層； 使用Si靶進行磁控濺射鍍膜，在所述ITO層上鍍制第一 SiO2層； 使用Nb靶進行磁控濺射鍍膜，在所述玻璃基底另一側表面上鍍制Nb2O5層； 使用Si靶進行磁控濺射鍍膜，在所述Nb2O5層上鍍制第二 SiO2層。
4.如權利要求3所述的電磁屏蔽面板的制備方法，其特征在于，所述使用ITO靶材進行磁控濺射鍍膜，在玻璃基底一側表面上鍍制ITO層的過程是在直流或中頻電源下進行磁控濺射鍍膜，其中氣體氛圍為流量10(T200SCCm的氬氣氛圍。
5.如權利要求3所述的電磁屏蔽面板的制備方法，其特征在于，所述使用Si靶進行磁控濺射鍍膜，在所述ITO層上鍍制第一 SiO2層的過程中，磁控濺射頻率為40KHZ，氣體氛圍是Ar與O2的混合氣體氛圍，其中Ar的流量為10(T200SCCm，O2的流量為80 120sCCm。
6.如權利要求3所述的電磁屏蔽面板的制備方法，其特征在于，所述使用Nb靶進行磁控濺射鍍膜，在所述玻璃基底另一側表面上鍍制Nb2O5層的過程中，磁控濺射頻率為40KHZ，氣體氛圍是Ar與O2的混合氣體氛圍，其中Ar的流量為10(T200SCCm，O2的流量為80 IOOsccm0
7.如權利要求3所述的電磁屏蔽面板的制備方法，其特征在于，所述使用Si靶進行磁控濺射鍍膜，在所述Nb2O5層上鍍制第二 SiO2層的過程中，磁控濺射頻率為40KHZ，氣體氛圍是Ar與O2的混合氣體氛圍，其中Ar的流量為10(T200SCCm，O2的流量為8(Tl20sCCm。
8.—種顯示器，包括電磁屏蔽面板，其特征在于，所述電磁屏蔽面板包括玻璃基底、設于所述玻璃基底一側表面的ITO層、設于所述ITO層上的第一 SiO2層、設于所述玻璃基底另一側表面的Nb2O5層及設于所述Nb2O5層上的第二 SiO2層。
9.如權利要求8所述的顯示器，其特征在于，所述ITO層的厚度為8(Tl00nm;所述第一 SiO2層的厚度為85 95nm ;所述第二 SiO2層的厚度為117 122nm ;所述Nb2O5層的厚度為13 16nm。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種電磁屏蔽面板，包括玻璃基底、設于玻璃基底一側表面上的ITO層、設于ITO層上的第一SiO2層、設于玻璃基底另一側表面上的Nb2O5層及設于Nb2O5層上的第二SiO2層。該電磁屏蔽面板由ITO層與第一SiO2層構成的兩層減反射膜系、玻璃基底及Nb2O5層第二SiO2層構成的兩層減反射膜系構成，形成一種雙面高透防電磁屏蔽的電磁屏蔽面板；ITO層與第一SiO2層構成的兩層減反射膜系與Nb2O5層第二SiO2層構成的兩層減反射膜系協(xié)同作用，從而使得電磁屏蔽面板具有高電磁屏蔽的效果和高透射率等優(yōu)點。此外，本發(fā)明還提供一種電磁屏蔽面板的制備方法。
文檔編號C23C14/35GK102963076SQ201210486998
公開日2013年3月13日 申請日期2012年11月26日 優(yōu)先權日2012年11月26日
發(fā)明者鄭芳平, 張迅, 易偉華 申請人:江西沃格光電科技有限公司