專利名稱：一種自旋閥磁阻元件的熱磁處理裝置及方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種自旋閥磁阻元件的熱磁處理裝置及方法。
背景技術(shù)：
自旋閥磁阻元件具有弱磁場(chǎng)測(cè)量磁場(chǎng)較小，靈敏度較高，較高的頻率響應(yīng)特性，且尺寸小，質(zhì)量輕，在軍事、工業(yè)、民用等領(lǐng)域有廣泛的應(yīng)用空間。在自旋閥磁阻元件的制備過(guò)程中，通過(guò)在晶元上進(jìn)行磁控濺射制備屏蔽材料層，所述屏蔽材料層為軟磁材料，厚度為十幾個(gè)納米。由于在磁控濺射過(guò)程中，產(chǎn)生的屏蔽材料層具有厚度不均勻、微凸、微凹等各種缺陷，以及多層膜間存在的電磁應(yīng)力作用，產(chǎn)生了較大的磁滯區(qū)域。尤其在低頻磁場(chǎng)下時(shí)，輸出電壓零位隨機(jī)漂移和微分磁導(dǎo)率的離散性較大，限制了該元件的應(yīng)用范圍。因此需要通過(guò)對(duì)自旋閥磁阻元件的熱磁處理，使磁滯區(qū)域減小，微分磁導(dǎo)率的離散性減小，從而減小該元件的電壓零位隨機(jī)漂移的區(qū)域，改善其響應(yīng)磁場(chǎng)輸出的性能，解決自旋閥磁阻元件的電壓零位輸出穩(wěn)定性問(wèn)題，提高其靈敏度。國(guó)外有通過(guò)超導(dǎo)設(shè)備產(chǎn)生大于8T的強(qiáng)磁場(chǎng)，對(duì)自旋閥磁阻元件進(jìn)行處理，但該設(shè)備國(guó)內(nèi)無(wú)法生產(chǎn)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種自旋閥磁阻元件的熱磁處理裝置及方法，通過(guò)對(duì)自旋閥磁阻元件的熱磁處理，減小其電壓零位隨機(jī)漂移的區(qū)域，減小微分磁導(dǎo)率的離散性，提高其靈敏度。為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明的技術(shù)方案如下。一種自旋閥磁阻元件的熱磁處理裝置，所述裝置包括導(dǎo)片器、加熱器、“D”形軟磁體、環(huán)形磁場(chǎng)線圈和收集器；所述導(dǎo)片器為管狀結(jié)構(gòu)，在導(dǎo)片器中部沿軸向開(kāi)有供自旋閥磁阻元件通過(guò)的導(dǎo)片槽，導(dǎo)片槽兩端分別為入口端和出口端；在導(dǎo)片槽入口端設(shè)有可將自旋閥磁阻元件推入導(dǎo)片槽內(nèi)的推桿機(jī)構(gòu)；在推桿機(jī)構(gòu)前方，導(dǎo)片槽斜上方位置設(shè)有預(yù)熱區(qū)進(jìn)氣口 ；在導(dǎo)片槽出口端的垂直方向上設(shè)有兩個(gè)降溫進(jìn)氣口，所述預(yù)熱區(qū)進(jìn)氣口和降溫進(jìn)氣口均與導(dǎo)片槽相通；導(dǎo)片槽出口端接收集器；導(dǎo)片槽采用導(dǎo)熱、絕緣、耐磨的材料制造。所述加熱器包覆在導(dǎo)片器外部；加熱器設(shè)有三個(gè)加熱區(qū)域，從自旋閥磁阻元件入口端到出口端依次是預(yù)加熱區(qū)、高溫加熱區(qū)和高溫穩(wěn)定區(qū)；優(yōu)選預(yù)加熱區(qū)和高溫加熱區(qū)的加熱通過(guò)加熱絲實(shí)現(xiàn)；高溫穩(wěn)定區(qū)的加熱通過(guò)在導(dǎo)片器的兩邊各設(shè)置一個(gè)片式加熱器實(shí)現(xiàn)，以減小磁氣隙的溫度波動(dòng)；在加熱器外部包覆有保溫層；所述“D”形軟磁體的直邊中部開(kāi)有供自旋閥磁阻元件通過(guò)的水平間隙；優(yōu)選“D”形軟磁體直邊的截面直徑為50mm ;所述“D”形軟磁體由高磁飽和材料棒制造，為處理磁阻元件提供強(qiáng)磁場(chǎng)工作源；所述環(huán)形磁場(chǎng)線圈包覆在“D”形軟磁體框架的外圓周表面，為絕緣導(dǎo)線繞制的厚壁線圈環(huán)；優(yōu)選所述絕緣導(dǎo)線為漆包線；
所述“D”形軟磁體的直邊與導(dǎo)片器垂直，導(dǎo)片器末端穿過(guò)“D”形軟磁體直邊中部的水平間隙；高溫穩(wěn)定區(qū)和兩個(gè)降溫進(jìn)氣口的末端均位于“D”形軟磁體的水平間隙內(nèi)，兩個(gè)降溫進(jìn)氣口的末端位于高溫穩(wěn)定區(qū)和導(dǎo)片器出口端之間；自旋閥磁阻元件經(jīng)導(dǎo)片槽通過(guò)“D”形軟磁體的水平間隙，由導(dǎo)片槽出口端通過(guò)收集器收集。一種 自旋閥磁阻元件的熱磁處理方法，所述方法步驟如下步驟一、將自旋閥磁阻元件放入導(dǎo)片槽入口端，通過(guò)推桿機(jī)構(gòu)將元件推入預(yù)加熱區(qū)，并通過(guò)預(yù)加熱區(qū)進(jìn)氣口向?qū)蹆?nèi)輸入壓力為P1的壓縮空氣，使元件均勻加熱；步驟二、元件從預(yù)加熱區(qū)依次經(jīng)過(guò)高溫加熱區(qū)、高溫穩(wěn)定區(qū)進(jìn)行加熱，然后進(jìn)入“D”形軟磁體直邊中部的水平間隙進(jìn)行低頻強(qiáng)磁處理；在元件進(jìn)入高溫穩(wěn)定區(qū)后的推進(jìn)過(guò)程中，通過(guò)降溫進(jìn)氣口向?qū)蹆?nèi)輸入壓力為P2的壓縮空氣，對(duì)元件進(jìn)行降溫冷卻，同時(shí)通過(guò)“D”形軟磁體產(chǎn)生的磁場(chǎng)對(duì)元件進(jìn)行低頻強(qiáng)磁處理；為了保證從降溫進(jìn)氣口通入的冷空氣不能進(jìn)入加熱區(qū)，P1大于P2;步驟三、逐個(gè)推進(jìn)元件，隨著元件繼續(xù)被推進(jìn)，處理后的元件不斷滑入元件收集器中。優(yōu)選步驟一中，將元件推入導(dǎo)片槽的速度為20片/ min ;優(yōu)選在步驟二中，低頻強(qiáng)磁處理區(qū)域位于“D”形軟磁體直邊中部的水平間隙處，包括高溫穩(wěn)定區(qū)和降溫冷卻區(qū)；對(duì)環(huán)形磁場(chǎng)線圈通入交變電流，為“D”形軟磁體提供低頻飽和磁場(chǎng)，所述磁場(chǎng)強(qiáng)度大于I. 8T，變化頻率為(Γ25Ηζ ；所述預(yù)加熱區(qū)的溫度為100 105°C，優(yōu)選為100°C;所述高溫加熱區(qū)、高溫穩(wěn)定區(qū)的溫度為178 182°C，優(yōu)選為180°C ；優(yōu)選P1 為 O. 4 O. 5Pa, P2 為 O. 2 O. 3Pa ；優(yōu)選預(yù)加熱區(qū)長(zhǎng)度為12(Tl25mm，高溫加熱區(qū)長(zhǎng)度為8(Tl00mm、高溫穩(wěn)定區(qū)長(zhǎng)度為40 50_ ；對(duì)自旋閥磁阻元件進(jìn)行加熱的目的如下在180°C下，自旋閥磁阻元件的屏蔽納米層的原子磁矩處于高溫?zé)徇\(yùn)動(dòng)下，在宏觀上已沒(méi)有磁性。此時(shí)，如果在屏蔽納米層的短軸上施加低頻強(qiáng)磁場(chǎng)，可改善屏蔽納米層的微觀結(jié)構(gòu)。有益效果I.本發(fā)明提供了一種自旋閥磁阻元件的熱磁處理裝置及方法，所述方法對(duì)自旋閥磁阻元件采用先加熱再晶化的方式，具體為在預(yù)加熱區(qū)進(jìn)行加熱，使分子產(chǎn)生熱運(yùn)動(dòng)；在高溫加熱區(qū)使分子晶化，消除晶格缺陷；在高溫穩(wěn)定區(qū)使分子重新排列，得到需要的形狀；然后從降溫進(jìn)氣口通入壓縮空氣，對(duì)元件進(jìn)行降溫冷卻，使分子在高溫下的排列方式固定，因此可以消除屏蔽材料層的晶格缺陷，減小磁阻元件的磁滯區(qū)的幾何中心對(duì)應(yīng)于磁場(chǎng)輸出的坐標(biāo)系的原點(diǎn)的離散區(qū)域和微分磁導(dǎo)率的離散性，從而提高元件的穩(wěn)定性和靈敏度。2.所述裝置采用“D”形軟磁體在屏蔽材料層的短軸上施加低頻強(qiáng)磁場(chǎng)，改善其微觀結(jié)構(gòu)，由于“D”形軟磁體的內(nèi)外徑磁路的長(zhǎng)度不同，在磁體的內(nèi)部的磁感應(yīng)強(qiáng)度存在梯度。將磁工作氣隙設(shè)置“D”形軟磁體直棒的中部，利用直棒的長(zhǎng)度來(lái)提高氣隙磁場(chǎng)均勻度。在“D”形軟磁體上繞有環(huán)形磁場(chǎng)線圈，在線圈中通入低頻工作電流，可在“D”形軟磁體的氣隙處產(chǎn)生大于I. 8T磁感強(qiáng)度，作為磁處理自旋閥磁阻元件的強(qiáng)磁工作源。


圖I是本發(fā)明所述的自旋閥磁阻元件的熱磁處理裝置的正視圖。圖2是本發(fā)明所述的自旋閥磁阻元件的熱磁處理裝置的俯視圖。圖3是本發(fā)明所述的“D”形軟磁體及環(huán)形磁場(chǎng)線圈結(jié)構(gòu)示意圖。圖4是本發(fā)明所述的導(dǎo)片器的正視圖。圖5是本發(fā)明所述的導(dǎo)片器的俯視圖。圖6是本發(fā)明所述的加熱器的正視圖。圖7是本發(fā)明所述的加熱器的俯視圖。其中，I —預(yù)加熱區(qū)進(jìn)氣口、2 —導(dǎo)片器、3 —加熱器、4 —“D”形軟磁體、5 —環(huán)形磁場(chǎng)線圈、6 —收集器、7 —推桿機(jī)構(gòu)、8 —預(yù)加熱區(qū)、9 一高溫加熱區(qū)、10 —高溫穩(wěn)定區(qū)、11 -降溫進(jìn)氣口、12 —自旋閥磁阻元件、13 —導(dǎo)片槽、14 一加熱絲、15 —保溫層、16 —片式加熱器。
具體實(shí)施方式
下面通過(guò)實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明進(jìn)一步說(shuō)明。實(shí)施例如圖I所示的一種自旋閥磁阻元件的熱磁處理裝置，所述裝置包括導(dǎo)片器2、加熱器3、“D”形軟磁體4、環(huán)形磁場(chǎng)線圈5和收集器6 ;所述導(dǎo)片器2為管狀結(jié)構(gòu)，在導(dǎo)片器2中部沿軸向開(kāi)有供自旋閥磁阻元件12通過(guò)的導(dǎo)片槽13，導(dǎo)片槽13兩端分別為入口端和出口端，導(dǎo)片槽13可選擇不同的橫截面尺寸，以分別適應(yīng)于S0P8、ST0-23、T0-94封裝的元件12通過(guò)；在導(dǎo)片槽13入口端設(shè)有可將自旋閥磁阻元件12推入導(dǎo)片槽13內(nèi)的推桿機(jī)構(gòu)7 ;在推桿機(jī)構(gòu)7前方，導(dǎo)片槽13斜上方位置設(shè)有預(yù)熱區(qū)進(jìn)氣口 I ;在導(dǎo)片槽13出口端的垂直方向上設(shè)有兩個(gè)降溫進(jìn)氣口 11，所述預(yù)熱區(qū)進(jìn)氣口 I和降溫進(jìn)氣口 11均與導(dǎo)片槽13相通；導(dǎo)片槽13出口端接收集器6 ;導(dǎo)片槽13采用導(dǎo)熱、絕緣、耐磨的材料制造。所述加熱器3包覆在導(dǎo)片器2外部；加熱器3的加熱源采用12V直流電源，設(shè)有三個(gè)加熱區(qū)域，分別是預(yù)加熱區(qū)8、高溫加熱區(qū)9和高溫穩(wěn)定區(qū)10，每個(gè)加熱區(qū)分別布置一個(gè)小型溫度傳感器；其中預(yù)加熱區(qū)8位于自旋閥磁阻元件12入口端，可將自旋閥磁阻元件12加熱到100°C左右；高溫加熱區(qū)9位于預(yù)加熱區(qū)8和高溫穩(wěn)定區(qū)10之間，可在較短的時(shí)間內(nèi)將自旋閥磁阻元件12加熱到180°C左右；高溫穩(wěn)定區(qū)10與自旋閥磁阻元件12出口端連接，溫度穩(wěn)定在180°C左右；預(yù)加熱區(qū)8和高溫加熱區(qū)9的加熱通過(guò)加熱絲14實(shí)現(xiàn)，加熱絲14為Cr20Ni80材料制作；高溫穩(wěn)定區(qū)10的加熱通過(guò)在導(dǎo)片器2的兩邊各設(shè)置一個(gè)片式加熱器16實(shí)現(xiàn)，以減小“D”形軟磁體4水平間隙的的溫度波動(dòng)；在加熱絲14和片式加熱器16外部均包覆有保溫層15，保溫層15采用保溫性能好的SiO2材料的纖維棉、纖維布、纖維繩制作；所述“D”形軟磁體4的直邊中部開(kāi)有供自旋閥磁阻元件12通過(guò)的水平間隙，所述水平間隙的寬度為幾個(gè)毫米；“D”形軟磁體4直邊的截面直徑為50mm ;所述“D”形軟磁體4采用精密合金1J22材料棒經(jīng)鍛造、機(jī)械加工、熱處理等工藝過(guò)程制造，為處理磁阻元件12提供強(qiáng)磁場(chǎng)工作源；
所述環(huán)形磁場(chǎng)線圈5包覆在“D”形軟磁體4框架的外圓周表面，為漆包線繞制的
厚壁線圈環(huán)；所述“D”形軟磁體4的直邊與導(dǎo)片器2垂直，導(dǎo)片器2末端穿過(guò)“D”形軟磁體4直邊中部的水平間隙；高溫穩(wěn)定區(qū)10和兩個(gè)降溫進(jìn)氣口 11的末端均位于“D”形軟磁體4的水平間隙內(nèi)，兩個(gè)降溫進(jìn)氣口 11的末端位于高溫穩(wěn)定區(qū)10和導(dǎo)片器2出口端之間；自旋閥磁阻元件12經(jīng)導(dǎo)片槽13通過(guò)“D”形軟磁體4的水平間隙，由導(dǎo)片槽13出口端通過(guò)收集器6收集。一種自旋閥磁阻元件的熱磁處理方法，所述方法步驟如下
步驟一、將自旋閥磁阻元件12放入導(dǎo)片槽13入口端，通過(guò)推桿機(jī)構(gòu)7將元件12以20片/ min的速度推入預(yù)加熱區(qū)8，并通過(guò)預(yù)加熱區(qū)進(jìn)氣口 I向?qū)?3內(nèi)輸入壓力為P1的壓縮空氣，使元件12均勻加熱；步驟二、元件12從預(yù)加熱區(qū)8依次經(jīng)過(guò)高溫加熱區(qū)9、高溫穩(wěn)定區(qū)10進(jìn)行加熱，然后進(jìn)入“D”形軟磁體4直邊中部的水平間隙進(jìn)行低頻強(qiáng)磁處理；所述預(yù)加熱區(qū)8的溫度為100°C ;所述高溫加熱區(qū)9、高溫穩(wěn)定區(qū)10的溫度為1800C ;預(yù)加熱區(qū)8長(zhǎng)度為12(Tl25mm，高溫加熱區(qū)9長(zhǎng)度為8(Tl00mm、高溫穩(wěn)定區(qū)10長(zhǎng)度為 40 50mm ；所述低頻強(qiáng)磁處理區(qū)域位于“D”形軟磁體4直邊中部的水平間隙處，包括高溫穩(wěn)定區(qū)10和降溫冷卻區(qū)，對(duì)環(huán)形磁場(chǎng)線圈5通入36V低頻工作電流，為“D”形軟磁體4提供低頻飽和磁場(chǎng)，所述磁場(chǎng)強(qiáng)度大于I. 8T，變化頻率為(Γ25Ηζ ;在元件12進(jìn)入高溫穩(wěn)定區(qū)10后的推進(jìn)過(guò)程中，通過(guò)降溫進(jìn)氣口 11向?qū)?3內(nèi)輸入壓力為P2的壓縮空氣，對(duì)元件12進(jìn)行降溫冷卻，同時(shí)通過(guò)“D”形軟磁體4產(chǎn)生的磁場(chǎng)對(duì)元件12進(jìn)行低頻強(qiáng)磁處理；為了保證從降溫進(jìn)氣口 11通入的冷空氣不能進(jìn)入加熱區(qū)SaIP1為O. 4 O. 5Pa，P2 為 O. 2 O. 3Pa ；步驟三、逐個(gè)推進(jìn)元件12，隨著元件12繼續(xù)被推進(jìn)，處理后的元件12不斷滑入收集器6中。經(jīng)過(guò)上述處理，可將自旋閥磁阻元件12的電壓零位隨機(jī)漂移和微分磁導(dǎo)率的離散性現(xiàn)象降低1(Γ15%，提高了元件12的靈敏度和可靠性。綜上所述，以上僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并非用于限定本發(fā)明的保護(hù)范圍。凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種自旋閥磁阻元件的熱磁處理裝置，其特征在于所述裝置包括導(dǎo)片器(2)、加熱器(3)、“D”形軟磁體(4)、環(huán)形磁場(chǎng)線圈(5)和收集器(6)； 所述導(dǎo)片器(2)為管狀結(jié)構(gòu)，在導(dǎo)片器(2)中部沿軸向開(kāi)有供自旋閥磁阻元件(12)通過(guò)的導(dǎo)片槽(13)，導(dǎo)片槽(13)兩端分別為入口端和出口端；在導(dǎo)片槽(13)入口端設(shè)有可將自旋閥磁阻元件(12)推入導(dǎo)片槽(13)內(nèi)的推桿機(jī)構(gòu)(7);在推桿機(jī)構(gòu)(7)前方，導(dǎo)片槽(13)斜上方位置設(shè)有預(yù)熱區(qū)進(jìn)氣口( I);在導(dǎo)片槽(13)出口端的垂直方向上設(shè)有兩個(gè)降溫進(jìn)氣口(11)，所述預(yù)熱區(qū)進(jìn)氣口(I)和降溫進(jìn)氣口(11)均與導(dǎo)片槽(13)相通；導(dǎo)片槽(13)出口端接收集器(6)； 所述加熱器(3)包覆在導(dǎo)片器(2)外部；加熱器(3)設(shè)有三個(gè)加熱區(qū)域，從自旋閥磁阻元件(12)入口端到出口端依次是預(yù)加熱區(qū)(8)、高溫加熱區(qū)(9)和高溫穩(wěn)定區(qū)(10);在加熱器(3)外部包覆有保溫層(15); 所述“D”形軟磁體(4)的直邊中部開(kāi)有供自旋閥磁阻元件(12)通過(guò)的水平間隙； 所述環(huán)形磁場(chǎng)線圈(5)包覆在“D”形軟磁體(4)框架的外圓周表面，為絕緣導(dǎo)線繞制的厚壁線圈環(huán)； 所述“D”形軟磁體(4)的直邊與導(dǎo)片器(2)垂直，導(dǎo)片器(2)末端穿過(guò)“D”形軟磁體(4)直邊中部的水平間隙；高溫穩(wěn)定區(qū)(10)和兩個(gè)降溫進(jìn)氣口(11)的末端均位于“D”形軟磁體(4)的水平間隙內(nèi)，兩個(gè)降溫進(jìn)氣口(11)的末端位于高溫穩(wěn)定區(qū)(10)和導(dǎo)片器(2)出口端之間；自旋閥磁阻元件(12)經(jīng)導(dǎo)片槽(13)通過(guò)“D”形軟磁體(4)的水平間隙，由導(dǎo)片槽(13)出口端通過(guò)收集器(6)收集。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的一種自旋閥磁阻元件的熱磁處理裝置，其特征在于其中預(yù)加熱區(qū)(8)和高溫加熱區(qū)(9)的加熱通過(guò)加熱絲(14)實(shí)現(xiàn)；高溫穩(wěn)定區(qū)(10)的加熱通過(guò)在導(dǎo)片器(2)的兩邊各設(shè)置一個(gè)片式加熱器(16)實(shí)現(xiàn)。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的一種自旋閥磁阻元件的熱磁處理裝置，其特征在于所述“D”形軟磁體(4)直邊的截面直徑為50mm。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的一種自旋閥磁阻元件的熱磁處理裝置，其特征在于所述預(yù)加熱區(qū)(8)長(zhǎng)度為12(Tl25mm，高溫加熱區(qū)(9)長(zhǎng)度為8(Tl00mm、高溫穩(wěn)定區(qū)(10)長(zhǎng)度為40 50mm。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的一種自旋閥磁阻元件的熱磁處理裝置，其特征在于所述繞制環(huán)形磁場(chǎng)線圈(5)的絕緣導(dǎo)線為漆包線。
6.一種自旋閥磁阻元件的熱磁處理方法，所述方法使用如權(quán)利要求f 5任一項(xiàng)所述的自旋閥磁阻元件的熱磁處理裝置，其特征在于所述方法步驟如下 步驟一、將自旋閥磁阻元件(12)放入導(dǎo)片槽(13)入口端，通過(guò)推桿機(jī)構(gòu)(7)將元件(12)推入預(yù)加熱區(qū)(8)，并通過(guò)預(yù)加熱區(qū)進(jìn)氣口( I)向?qū)?13)內(nèi)輸入壓力為P1的壓縮空氣，使元件(12)均勻加熱； 步驟二、元件(12)從預(yù)加熱區(qū)(8)依次經(jīng)過(guò)高溫加熱區(qū)(9)、高溫穩(wěn)定區(qū)(10)進(jìn)行加熱，然后進(jìn)入“D”形軟磁體(4)直邊中部的水平間隙；在元件(12)進(jìn)入高溫穩(wěn)定區(qū)(10)后的推進(jìn)過(guò)程中，通過(guò)降溫進(jìn)氣口(11)向?qū)?13)內(nèi)輸入壓力為P2的壓縮空氣，對(duì)元件(12)進(jìn)行降溫冷卻，同時(shí)通過(guò)“D”形軟磁體(4)產(chǎn)生的磁場(chǎng)對(duì)元件(12)進(jìn)行低頻強(qiáng)磁處理；為了保證從降溫進(jìn)氣口(11)通入的冷空氣不能進(jìn)入加熱區(qū)(8、9)，P1大于P2 ；步驟三、逐個(gè)推進(jìn)元件(12)，隨著元件(12)繼續(xù)被推進(jìn)，處理后的元件(12)不斷滑入收集器(6)中。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種自旋閥磁阻元件的熱磁處理方法，其特征在于在步驟二中，低頻強(qiáng)磁處理區(qū)域位于“D”形軟磁體(4)直邊中部的水平間隙處；對(duì)環(huán)形磁場(chǎng)線圈(5)通入交變電流，為“D”形軟磁體(4)提供低頻飽和磁場(chǎng)，所述磁場(chǎng)強(qiáng)度大于I. 8T，變化頻率為0 25Hz。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種自旋閥磁阻元件的熱磁處理方法，其特征在于在步驟二中，所述預(yù)加熱區(qū)(8)的溫度為100 105°C，所述高溫加熱區(qū)(9、高溫穩(wěn)定區(qū)(10)的溫度為178 182°C。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種自旋閥磁阻元件的熱磁處理方法，其特征在于在步驟二中，P1 為 O. 4 O. 5Pa, P2 為 O. 2 O. 3Pa。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種自旋閥磁阻元件的熱磁處理方法，其特征在于在步驟一中，將元件(12)推入導(dǎo)片槽(13)的速度為20片/ min。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種自旋閥磁阻元件的熱磁處理裝置及方法。所述裝置包括導(dǎo)片器、加熱器、“D”形軟磁體、環(huán)形磁場(chǎng)線圈和收集器；所述方法包括將自旋閥磁阻元件推入，元件從預(yù)加熱區(qū)依次經(jīng)過(guò)高溫加熱區(qū)、高溫穩(wěn)定區(qū)進(jìn)行加熱，然后進(jìn)入“D”形軟磁體直邊中部的水平間隙進(jìn)行低頻強(qiáng)磁處理；隨著元件繼續(xù)被推進(jìn)，處理后的元件不斷滑入元件收集器中。所述方法可以消除磁阻元件屏蔽材料層的晶格缺陷，減小磁滯區(qū)幾何中心對(duì)應(yīng)于磁場(chǎng)輸出的坐標(biāo)系的原點(diǎn)的離散區(qū)域和微分磁導(dǎo)率的離散性，從而提高元件的穩(wěn)定性和靈敏度。
文檔編號(hào)C21D1/00GK102943153SQ20121050756
公開(kāi)日2013年2月27日 申請(qǐng)日期2012年11月30日 優(yōu)先權(quán)日2012年11月30日
發(fā)明者佘以軍, 黃春奎 申請(qǐng)人:中國(guó)船舶重工集團(tuán)公司第七一○研究所