磁隧道結(jié)結(jié)構(gòu)、隧道磁阻元件的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種磁隧道結(jié)結(jié)構(gòu)，屬于磁電子學(xué)技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明磁隧道結(jié)結(jié)構(gòu)包括以下幾方面改進(jìn)：導(dǎo)入超薄金屬M(fèi)g層從而構(gòu)成Mg/MgO/Mg三明治超晶格結(jié)構(gòu)的絕緣勢(shì)壘層；利用兩種具有相反磁致伸縮特性的鐵磁材料層所構(gòu)成的超晶格結(jié)構(gòu)作為釘扎型TMR結(jié)構(gòu)的自由層；在自由層側(cè)壁引入可對(duì)自由層中邊緣微小磁疇實(shí)現(xiàn)釘扎作用的附加釘扎層。本發(fā)明還公開了一種隧道磁阻元件以及應(yīng)用該隧道磁阻元件的隧道磁阻磁頭、隧道磁阻傳感器、磁存儲(chǔ)單元。相比現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明可有效降MTJ元件中的電磁噪聲，大幅提高TMR傳感器的靈敏度。
【專利說明】
磁隧道結(jié)結(jié)構(gòu)、隧道磁阻元件
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及一種磁隧道結(jié)結(jié)構(gòu)，屬于磁電子學(xué)技術(shù)領(lǐng)域。
【背景技術(shù)】
[0002]生物分子識(shí)別在RNA鏈識(shí)別，基因檢測(cè)，細(xì)菌診斷，新的藥物發(fā)現(xiàn)，DNA缺陷及生物戰(zhàn)中致命毒劑，食品安全和以惡性腫瘤為代表的重大疾病的早期診斷檢測(cè)等方面有著廣泛的應(yīng)用。磁生物分子識(shí)別、檢測(cè)和監(jiān)測(cè)是近年來發(fā)展起來的一種新型生物分子測(cè)量技術(shù)。磁性納米粒子分子識(shí)別的基本原理，是利用高性能的磁場(chǎng)傳感器來測(cè)量標(biāo)記生物分子的磁性納米粒子在磁化下的邊緣場(chǎng)。發(fā)自單個(gè)磁性納米粒子的邊緣場(chǎng)大約20e，數(shù)量級(jí)上類似于
0.50e的地磁場(chǎng)?？紤]到測(cè)量中磁粒子與磁敏感層的距離，對(duì)單磁粒子的檢測(cè)，傳感器必須具有測(cè)量低于0.050e磁場(chǎng)強(qiáng)度的能力，這就需要超高敏感的傳感系統(tǒng)。雖然大磁矩的磁性納米粒子能幫助獲得大磁邊緣場(chǎng)，但是解決磁分子識(shí)別技術(shù)瓶頸的關(guān)鍵仍取決于傳感器技術(shù)的突破。目前用于小磁場(chǎng)測(cè)量的傳感系統(tǒng)有磁各相異性(AMR)、Hall效應(yīng)、基于超導(dǎo)量子干涉器件(SQUID)和自旋電子共振(SER)等技術(shù)。AMR和Hall效應(yīng)低的敏感度限制他們?cè)谏锓肿訖z測(cè)中的應(yīng)用。SQUID和SER具有高的敏感特性，然而SQUID和SER龐大的體積使他們無法用于便攜式經(jīng)濟(jì)型疾病的生物分子檢測(cè)和疾病的早期診斷技術(shù)。
[0003]基于自旋電子隧穿傳輸效應(yīng)發(fā)展起來的TMR(Tunneling Magneto Resistance，隧道磁阻)元件，也被稱為MT JXMagneticTunnel Junct1ns，磁隧道結(jié))元件，其電阻值在室溫下的變化率值高達(dá)180%(RA?1.00)，幾乎比傳統(tǒng)磁傳感器高3個(gè)量級(jí)。與GMR的原理有所不同，磁性隧道結(jié)(TMR)由磁性金屬/非磁絕緣體/磁性金屬(FM/I/FM)組成，在這種結(jié)構(gòu)中如果兩鐵磁層的磁化方向平行，一個(gè)鐵磁層中多數(shù)自旋子帶的電子將進(jìn)入另一個(gè)電極中的多數(shù)自旋電子帶的空態(tài)，同時(shí)少數(shù)自旋子帶的電子也從一電極進(jìn)入另一電極的少數(shù)自旋子帶的空態(tài)，磁場(chǎng)克服的鐵磁層的矯頑力就可使它們的磁化方向轉(zhuǎn)至磁場(chǎng)方向而趨于一致，這時(shí)TMR為極小值;如果兩電極的磁化方向反平行，則一個(gè)電極中的多數(shù)子帶的自旋與另一個(gè)電極的少數(shù)自旋子帶電子的自旋平行，這樣隧道電導(dǎo)過程中一個(gè)電極中多數(shù)自旋子帶的電子必須在另一個(gè)電極中尋找少數(shù)自旋子帶的空態(tài)，TMR為極大值。由于只需反轉(zhuǎn)一個(gè)單純的鐵磁層，因而只需一個(gè)非常小的外場(chǎng)便可實(shí)現(xiàn)TMR極大值，所以其磁場(chǎng)靈敏度極高，同時(shí)TMR高的結(jié)電阻易于獲得較大的電信號(hào)輸出，使基于TMR的傳感器成為極少數(shù)具有超高靈敏度的磁場(chǎng)傳感器。同時(shí)，TMR傳感器電信號(hào)輸出的特點(diǎn)容易與現(xiàn)代半導(dǎo)體電路集成，達(dá)到微型化、數(shù)字化、網(wǎng)絡(luò)化、便攜式和經(jīng)濟(jì)化的目的。
[0004]現(xiàn)有TMR結(jié)構(gòu)又可分為兩類:具有釘扎層的釘扎型TMR結(jié)構(gòu)以及不帶釘扎層的TMR結(jié)構(gòu)。圖1顯示了不帶釘扎層的TMR結(jié)構(gòu)，在襯底和保護(hù)層之間為傳統(tǒng)的磁性金屬/非磁絕緣體/磁性金屬三明治結(jié)構(gòu)，其中的非磁絕緣體又稱為絕緣勢(shì)皇層。釘扎型TMR在傳統(tǒng)的磁性金屬/非磁絕緣體/磁性金屬三明治結(jié)構(gòu)中加入了反鐵磁(AF)釘扎層，如圖2所示，靠近釘扎層的鐵磁層被稱之為被釘扎層，另外一層鐵磁層則稱為自由層。
[0005]在現(xiàn)有TMR傳感器結(jié)構(gòu)中，通常選擇MgO作為絕緣勢(shì)皇層，因?yàn)樗c鐵磁層中的磁性金屬合金有極小的晶體位錯(cuò)，從而減少了自旋依賴的電子在絕緣層和磁性層界面電子散射，提高了信號(hào)輸出。然而，單MgO層具有高的絕緣性能從而導(dǎo)致高的結(jié)電阻、功耗和電噪聲，對(duì)TMR傳感器的靈敏度提高產(chǎn)生了不利影響。
[0006]此外，由于CoFe材料具有高的自旋極化率，因此現(xiàn)有TMR傳感器經(jīng)常選用單CoFe磁性層作為自由層，從而能增強(qiáng)傳感器的dR/R指標(biāo)。但是CoFe磁性層具有正的磁致伸縮，會(huì)帶來磁噪聲，這也不利于TMR傳感器的靈敏度進(jìn)一步提高。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題在于克服現(xiàn)有技術(shù)不足，提供一種磁隧道結(jié)結(jié)構(gòu)，可有效降MTJ元件中的電磁噪聲，大幅提高TMR傳感器的靈敏度。
[0008]本發(fā)明具體采用以下技術(shù)方案解決上述技術(shù)問題:
一種磁隧道結(jié)結(jié)構(gòu)，包括第一鐵磁層、第二鐵磁層以及夾在第一鐵磁層與第二鐵磁層之間的絕緣勢(shì)皇層;所述絕緣勢(shì)皇層包括MgO層，在所述MgO層與第一鐵磁層之間以及MgO層與第二鐵磁層之間分別設(shè)置有一層厚度小于MgO層厚度的金屬M(fèi)g薄膜。
[0009]優(yōu)選地，所述磁隧道結(jié)結(jié)構(gòu)還包括設(shè)置于第二鐵磁層外側(cè)的釘扎層，用于對(duì)第二鐵磁層進(jìn)行磁釘扎。
[0010]進(jìn)一步地，所述第一鐵磁層為包括第一磁性層與第二磁性層的復(fù)合層，第一磁性層與第二磁性層的磁致伸縮特性相反。
[0011]更進(jìn)一步地，在第一磁性層與第二磁性層之間設(shè)置有非連續(xù)的Ta金屬層。
[0012]為了抑制釘扎型TMR結(jié)構(gòu)的自由層的邊緣微小磁疇旋轉(zhuǎn)所產(chǎn)生的磁噪聲，本發(fā)明進(jìn)一步地在第一鐵磁層的側(cè)壁周圍設(shè)置有附加釘扎層，所述附加釘扎層可產(chǎn)生對(duì)所述第一鐵磁層中邊緣微小磁疇實(shí)現(xiàn)釘扎作用的磁偶極場(chǎng)。
[00?3]優(yōu)選地，所述第二鐵磁層為CoFe/Ru/CoFe結(jié)構(gòu)的超晶格反鐵磁層。
[0014]根據(jù)相同的發(fā)明思路可以得到以下技術(shù)方案:
一種隧道磁阻元件，包括襯底以及設(shè)置于所述襯底之上的如上任一技術(shù)方案所述磁隧道結(jié)結(jié)構(gòu)。
[0015]進(jìn)一步地，所述隧道磁阻元件還包括設(shè)置于襯底與磁隧道結(jié)結(jié)構(gòu)之間的緩沖層，以及設(shè)置于磁隧道結(jié)結(jié)構(gòu)之上的保護(hù)層。
[0016]本發(fā)明隧道磁阻元件可廣泛應(yīng)用于磁存儲(chǔ)、磁阻傳感器、讀出磁頭，磁生物分子檢測(cè)等方面，以下為幾種具體應(yīng)用:
一種隧道磁阻磁頭，包括如上任一技術(shù)方案所述隧道磁阻元件。
[0017]—種隧道磁阻傳感器，包括如上任一技術(shù)方案所述隧道磁阻元件。
[0018]—種磁存儲(chǔ)單元，包括如上任一技術(shù)方案所述隧道磁阻元件。
[0019]—種磁生物分子檢測(cè)單元，包括如上任一技術(shù)方案所述隧道磁阻元件。
[0020]相比現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明技術(shù)方案具有以下有益效果:
本發(fā)明對(duì)現(xiàn)有以單MgO層作為絕緣勢(shì)皇層的TMR結(jié)構(gòu)進(jìn)行改進(jìn)，在MgO層兩側(cè)導(dǎo)入超薄金屬M(fèi)g層，從而構(gòu)成Mg/MgO/Mg三明治超晶格結(jié)構(gòu)的絕緣勢(shì)皇層，可有效地降低TMR結(jié)構(gòu)的結(jié)電阻(RA值)，形成突變的界面MgO，同時(shí)阻止MgO在沉積和退火時(shí)在鐵磁層的擴(kuò)散，從而有效地抑制磁噪聲，提高TMR元件的信噪比和靈敏度。
[0021]本發(fā)明進(jìn)一步利用兩種具有相反磁致伸縮特性的鐵磁材料層所構(gòu)成的復(fù)合層作為釘扎型TMR結(jié)構(gòu)的自由層，從而綜合調(diào)整TMR結(jié)構(gòu)的磁致伸縮和dR/R，并進(jìn)一步通過在兩種鐵磁材料層界面層插入非連續(xù)Ta金屬層維持兩個(gè)鐵磁材料層的磁耦合，能獲得軟性的磁致伸縮以及大的dR/R。
[0022]本發(fā)明更進(jìn)一步在自由層側(cè)壁周圍設(shè)置附加釘扎層，附加釘扎層可產(chǎn)生對(duì)自由層中邊緣微小磁疇實(shí)現(xiàn)釘扎作用的磁偶極場(chǎng)，可抑制釘扎型TMR結(jié)構(gòu)自由層的邊緣微小磁疇旋轉(zhuǎn)所產(chǎn)生的磁噪聲，從而進(jìn)一步提高TMR元件的信噪比和靈敏度。本發(fā)明TMR傳感器在室溫下可獲得dR/R?80%，RA?0.45和代表信噪比的Q因子?80，從而使得測(cè)量單生物分子成為可能。
[0023]本發(fā)明在大幅提高TMR元件的信噪比和靈敏度的同時(shí)，并不需要引入昂貴復(fù)雜的制備工藝，利用現(xiàn)有TMR元件的制備工藝技術(shù)即可實(shí)現(xiàn)，有利于規(guī)?；a(chǎn)。
【附圖說明】
[0024]圖1為一種現(xiàn)有不帶釘扎層的TMR結(jié)構(gòu)示意圖；
圖2為一種現(xiàn)有釘扎型TMR結(jié)構(gòu)不意圖；
圖3為本發(fā)明TMR元件的第一個(gè)實(shí)施例；
圖4為本發(fā)明TMR元件的第二個(gè)實(shí)施例；
圖5為本發(fā)明TMR元件的第三個(gè)實(shí)施例。
【具體實(shí)施方式】
[0025]下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的技術(shù)方案進(jìn)行詳細(xì)說明:
為了提高現(xiàn)有TMR器件的靈敏度，本發(fā)明的思路是通過有效抑制TMR結(jié)構(gòu)中所存在的磁噪聲來實(shí)現(xiàn)。本發(fā)明具體通過以下幾方面進(jìn)行改進(jìn):
一、導(dǎo)入超薄金屬M(fèi)g層從而構(gòu)成Mg/MgO/Mg三明治超晶格結(jié)構(gòu)的絕緣勢(shì)皇層:
現(xiàn)有TMR結(jié)構(gòu)選擇MgO作為絕緣勢(shì)皇層，是因?yàn)樗c磁性過渡金屬合金(例如FeCo)有極小的晶體位錯(cuò)，從而減少了自旋依賴的電子在絕緣層和磁性層界面電子散射和延長(zhǎng)自旋依賴電子的平均自由層。另一個(gè)原因是因?yàn)镸gO的特殊的電子能帶結(jié)構(gòu)，電子只能從自旋向上的能帶Δ I上隧道通過。這樣MgO像是一個(gè)自旋過濾層，可提高電子的自旋極化率和dR/R。在MTJ傳感器電噪聲，特別是在高頻下，主要起源于傳感器中的絕緣勢(shì)皇層。降低MTJ的RA值可以有效地降低電噪聲，本發(fā)明在兩個(gè)鐵磁層與MgO層之間分別插入一層超薄的Mg層(厚度小于MgO層厚度)。這種方法能有效地降低TMR結(jié)構(gòu)的結(jié)電阻(RA值)，同時(shí)形成突變的界面MgO，阻止MgO在沉積和退火時(shí)在鐵磁層的擴(kuò)散。
[0026]圖3顯示了本發(fā)明TMR元件的第一個(gè)實(shí)施例，如圖所示，在襯底之上依次形成有:緩沖層、釘扎層、被釘扎層、絕緣勢(shì)皇層、自由層、保護(hù)層，其中絕緣勢(shì)皇層包括MgO層，在MgO層與自由層層之間以及MgO層與被釘扎層之間分別設(shè)置有一層厚度小于MgO層厚度的金屬M(fèi)g薄膜。圖3采用了釘扎型TMR結(jié)構(gòu)為例，實(shí)際上，對(duì)于非釘扎型TMR結(jié)構(gòu)，同樣可以采用這種Mg/MgO/Mg三明治超晶格結(jié)構(gòu)的絕緣勢(shì)皇層。除了上述絕緣勢(shì)皇層以外，TMR元件的其它部分可采用現(xiàn)有或?qū)⒂械母鞣N材料、結(jié)構(gòu)，例如，自由層可使用CoFe或者NiFe，被釘扎層可使用CoFe，反鐵磁釘扎層可使用IrMn或Pt/Mn。這種新的TMR結(jié)構(gòu)可以可有效地抑制噪聲，提高信噪比和靈敏度。
[0027]二、利用兩種具有相反磁致伸縮特性的鐵磁材料層所構(gòu)成的超晶格結(jié)構(gòu)作為釘扎型TMR結(jié)構(gòu)的自由層:
由于CoFe材料具有高的自旋極化率，因此現(xiàn)有TMR傳感器經(jīng)常選用單CoFe磁性層作為自由層，從而能增強(qiáng)傳感器的dR/R指標(biāo)，但是CoFe磁性層具有正的磁致伸縮，會(huì)帶來磁噪聲。為此可以引入具有相反磁致伸縮特性的鐵磁材料層與CoFe構(gòu)成超晶格結(jié)構(gòu)替代現(xiàn)有單CoFe自由層。例如，NiFe磁性層具有良好的磁致伸縮，但具有低的自旋極化率和dR/R；因此結(jié)合CoFe和NiFe的自由層可以綜合調(diào)節(jié)磁致伸縮和dR/R。特別是可通過進(jìn)一步在CoFe/NiFe界面層插入非連續(xù)Ta金屬層，可維持CoFe/NiFe磁親合，能獲得軟性的磁致伸縮和大的dR/R ο
[0028]圖4顯示了本發(fā)明TMR元件的第二個(gè)實(shí)施例，如圖所示，在襯底之上依次形成有:緩沖層、釘扎層、被釘扎層、絕緣勢(shì)皇層、自由層、保護(hù)層;其中絕緣勢(shì)皇層包括MgO層，在MgO層與自由層層之間以及MgO層與被釘扎層之間分別設(shè)置有一層厚度小于MgO層厚度的金屬M(fèi)g薄膜；自由層為包括CoFe磁性層和NiFe磁性層的復(fù)合層，在CoFe磁性層和NiFe磁性層之間插入有非連續(xù)的Ta金屬層，使得CoFe磁性層與NiFe磁性層之間部分接觸，而另一部分被Ta金屬層隔開。
[0029]三、在自由層側(cè)壁引入可對(duì)自由層中邊緣微小磁疇實(shí)現(xiàn)釘扎作用的附加釘扎層: 磁噪聲主要起源于TMR結(jié)構(gòu)中的磁性層在外場(chǎng)下的開關(guān)動(dòng)作。因此抑制磁性層的磁疇在外場(chǎng)下的旋轉(zhuǎn)和跳躍成為抑制噪聲的關(guān)鍵。TMR傳感器有兩個(gè)主要的磁性層:一是磁性自由層，另一個(gè)是被釘扎層。對(duì)磁性自由層，由于器件的尺寸的縮小，磁矯頑力變大，在磁性自由層的邊緣存在多個(gè)微小的磁疇。這些微小的磁疇在外場(chǎng)下的旋轉(zhuǎn)是磁性自由層磁噪聲的主要起源，因此可在自由層的邊緣引入硬磁材料構(gòu)成的附加釘扎層。在磁場(chǎng)退火處理后，硬磁材料的磁偶極沿磁場(chǎng)方向排列，形成一個(gè)大的靜態(tài)磁偶極場(chǎng)，這個(gè)磁偶極場(chǎng)可以有效地釘扎微小的磁疇使之成為磁死層，不再隨著外加磁場(chǎng)而跳躍，從而抑制磁噪聲。
[0030]圖5顯示了本發(fā)明TMR元件的第三個(gè)實(shí)施例，如圖所示，在襯底之上依次形成有:緩沖層、釘扎層、被釘扎層、絕緣勢(shì)皇層、自由層、保護(hù)層;其中絕緣勢(shì)皇層包括MgO層，在MgO層與自由層層之間以及MgO層與被釘扎層之間分別設(shè)置有一層厚度小于MgO層厚度的金屬M(fèi)g薄膜；自由層為包括CoFe磁性層和NiFe磁性層的復(fù)合層，在CoFe磁性層和NiFe磁性層之間插入有非連續(xù)的Ta金屬層，使得CoFe磁性層與NiFe磁性層之間部分接觸，而另一部分被Ta金屬層隔開;在自由層與絕緣勢(shì)皇層的兩側(cè)設(shè)置有附加釘扎層，該附加釘扎層可產(chǎn)生對(duì)自由層中邊緣微小磁疇實(shí)現(xiàn)釘扎作用的磁偶極場(chǎng)。附加釘扎層的材料可采用釘扎層所使用的材料，例如IrMn或Pt/Mn。
[0031]此外，為抑制被釘扎層的磁疇在外場(chǎng)下的旋轉(zhuǎn)，可考慮使用人工合成的超晶格被釘扎層。這種超晶格被釘扎層是由CoFe/Ru/CoFe構(gòu)成。CoFe上下層通過Ru層建立極強(qiáng)鐵磁耦合，這樣被釘扎層的磁疇在外場(chǎng)下很難旋轉(zhuǎn)從而抑制了磁噪聲。
[0032]本發(fā)明的TMR結(jié)構(gòu)可采用現(xiàn)有工藝技術(shù)進(jìn)行制備，并不會(huì)增加生產(chǎn)難度便于規(guī)?；慨a(chǎn)。以圖5所示的TMR元件為例，可采用以下的工藝進(jìn)行制備:
第I步、利用薄膜真空沉積方法在襯底上依次沉積釘扎層、CoFe/Ru/CoF被釘扎層；
第2步、利用薄膜真空沉積方法沉積Mg/MgO/Mg絕緣勢(shì)皇層薄膜結(jié)構(gòu)； 第3步、利用薄膜真空沉積方法制作CoFe/NiFe自由層薄膜；
第4步、利用薄膜真空沉積方法沉積保護(hù)層；
第5步、光刻保護(hù)層薄膜；
第6步、離子束刻蝕制造附加釘扎層結(jié)構(gòu)；
第7步、利用薄膜真空沉積方法沉積附加釘扎層材料；
第8步、在210°C和370°C溫度下退火。
[0033]利用上述方法制得的TMR傳感器在室溫下可獲得高達(dá)120%的dR/R的靈敏度，使測(cè)量單生物分子成為可能。本發(fā)明TMR元件可廣泛應(yīng)用于磁存儲(chǔ)、磁阻傳感器、讀出磁頭等方面，具有良好的應(yīng)用前景。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種磁隧道結(jié)結(jié)構(gòu)，包括第一鐵磁層、第二鐵磁層以及夾在第一鐵磁層與第二鐵磁層之間的絕緣勢(shì)皇層;其特征在于，所述絕緣勢(shì)皇層包括MgO層，在所述MgO層與第一鐵磁層之間以及MgO層與第二鐵磁層之間分別設(shè)置有一層厚度小于MgO層厚度的金屬M(fèi)g薄膜。2.如權(quán)利要求1所述磁隧道結(jié)結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括設(shè)置于第二鐵磁層外側(cè)的釘扎層，用于對(duì)第二鐵磁層進(jìn)行磁釘扎。3.如權(quán)利要求2所述磁隧道結(jié)結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一鐵磁層為包括第一磁性層與第二磁性層的復(fù)合層，第一磁性層與第二磁性層的磁致伸縮特性相反。4.如權(quán)利要求3所述磁隧道結(jié)結(jié)構(gòu)，其特征在于，在第一磁性層與第二磁性層之間設(shè)置有非連續(xù)的Ta金屬層。5.如權(quán)利要求3所述磁隧道結(jié)結(jié)構(gòu)，其特征在于，第一磁性層為CoFe磁性層，第二磁性層為NiFe磁性層。6.如權(quán)利要求1?5任一項(xiàng)所述磁隧道結(jié)結(jié)構(gòu)，其特征在于，在第一鐵磁層的側(cè)壁周圍設(shè)置有附加釘扎層，所述附加釘扎層可產(chǎn)生對(duì)所述第一鐵磁層中邊緣微小磁疇實(shí)現(xiàn)釘扎作用的磁偶極場(chǎng)。7.如權(quán)利要求6所述磁隧道結(jié)結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第二鐵磁層為CoFe/Ru/CoFe結(jié)構(gòu)的超晶格鐵磁層。8.—種隧道磁阻元件，其特征在于，包括襯底以及設(shè)置于所述襯底之上的如權(quán)利要求1?7任一項(xiàng)所述磁隧道結(jié)結(jié)構(gòu)。9.如權(quán)利要求8所述隧道磁阻元件，其特征在于，還包括設(shè)置于襯底與磁隧道結(jié)結(jié)構(gòu)之間的緩沖層，以及設(shè)置于磁隧道結(jié)結(jié)構(gòu)之上的保護(hù)層。10.一種隧道磁阻磁頭，其特征在于，包括如權(quán)利要求8或9所述隧道磁阻元件。11.一種隧道磁阻傳感器，其特征在于，包括如權(quán)利要求8或9所述隧道磁阻元件。12.一種磁存儲(chǔ)單元，其特征在于，包括如權(quán)利要求8或9所述隧道磁阻元件。13.一種磁生物分子檢測(cè)單元，其特征在于，包括如權(quán)利要求8或9所述隧道磁阻元件。
【文檔編號(hào)】H01L43/12GK105938872SQ201610383994
【公開日】2016年9月14日
【申請(qǐng)日】2016年6月2日
【發(fā)明人】章偉, 楊楠, 胡雪峰
【申請(qǐng)人】南京工業(yè)大學(xué), 南京益得冠電子科技有限公司