專利名稱：板式pecvd加熱載板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種硅片載板，特別涉及一種硅片在鍍膜過(guò)程中的加熱載板。
背景技術(shù)：
板式PECVD采用上鍍膜方式，硅片在鍍膜過(guò)程中需要載板，目前所采用的載板為實(shí)心體，如圖I和圖2所示，實(shí)心體的載板限制了底部加熱管的熱量向硅片的傳遞，導(dǎo)致硅片表面溫度過(guò)低，進(jìn)而影響電池的轉(zhuǎn)換效率。

實(shí)用新型內(nèi)容實(shí)用新型目的針對(duì)上述現(xiàn)有技術(shù)存在的問(wèn)題和不足，本實(shí)用新型的目的是提供 一種板式PECVD加熱載板，解決了熱量不易傳至硅片的問(wèn)題。技術(shù)方案為實(shí)現(xiàn)上述實(shí)用新型目的，本實(shí)用新型采用的技術(shù)方案為一種板式PECVD加熱載板，包括本體，在所述本體上設(shè)有第一凹槽，在所述第一凹槽中設(shè)有孔。為了可以一板多用，在所述第一凹槽中還設(shè)有一個(gè)以上的凹槽，在距離所述本體上表面最遠(yuǎn)的凹槽中設(shè)有孔。優(yōu)選有兩個(gè)凹槽的載板，在所述第一凹槽中還設(shè)有第二凹槽，其中第二凹槽距離本體上表面的距離大于第一凹槽，在所述第二凹槽中設(shè)有孔。為了適合多種規(guī)格的硅片，所述凹槽優(yōu)選方形，孔優(yōu)選圓形。為了達(dá)到更優(yōu)的導(dǎo)熱效果，所述孔優(yōu)選通孔。優(yōu)選地，所述凹槽和孔設(shè)置于所述本體的中心位置。有益效果本實(shí)用新型與現(xiàn)有技術(shù)相比，不僅改善了加熱后導(dǎo)熱性不足的問(wèn)題，同時(shí)有效地提高了電池轉(zhuǎn)換效率，還能適合多種規(guī)格的硅片，做到一板多用。

圖I為現(xiàn)有技術(shù)板式PECVD加熱載板的俯視圖；圖2為圖I的主視圖；圖3為本實(shí)用新型板式PECVD加熱載板的俯視圖；圖4為圖3的主視圖；圖5為現(xiàn)有技術(shù)板式PECVD加熱載板與本實(shí)用新型板式PECVD加熱載板加熱時(shí)硅片上的溫度比較圖。圖中，I、本體，2、凹槽，3、圓形通孔。
具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施例，進(jìn)一步闡明本實(shí)用新型，應(yīng)理解這些實(shí)施例僅用于說(shuō)明本實(shí)用新型而不用于限制本實(shí)用新型的范圍，在閱讀了本實(shí)用新型之后，本領(lǐng)域技術(shù)人員對(duì)本實(shí)用新型的各種等價(jià)形式的修改均落于本申請(qǐng)所附權(quán)利要求所限定的范圍。如圖3和圖4所示，本實(shí)用新型板式PECVD加熱載板與現(xiàn)有技術(shù)的區(qū)別在于在本體I的中心設(shè)有凹槽2，同時(shí)在凹槽2的中心還設(shè)有圓形通孔3，可同時(shí)作為6寸和5寸的硅片載板以及實(shí)驗(yàn)用5寸的晶圓載板，本實(shí)用新型為一體式結(jié)構(gòu)，無(wú)單獨(dú)零部件，材質(zhì)為石墨材質(zhì)。本實(shí)用新型使電池轉(zhuǎn)換效率提高了 O. 15% (絕對(duì)值、多晶)。本實(shí)用新型中凹槽的深度為8mnT12mm,可以有效的改善鍍膜過(guò)程中的邊沿色差。如圖5所示，本實(shí)用新型的圓形通孔結(jié)構(gòu)使得硅片表面的峰值溫度由420°C上升到550°C，當(dāng)然，通孔的形狀不限于圓形，還可以是方形或其它形狀，但優(yōu)選圓形，可作為實(shí) 驗(yàn)用5寸的晶圓載板。
權(quán)利要求1.一種板式PECVD加熱載板，包括本體，在所述本體上設(shè)有第一凹槽，在所述第一凹槽中設(shè)有孔。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述板式PECVD加熱載板，其特征在于在所述第一凹槽中還設(shè)有一個(gè)以上的凹槽，在距離所述本體上表面最遠(yuǎn)的凹槽中設(shè)有孔。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述板式PECVD加熱載板，其特征在于在所述第一凹槽中還設(shè)有第二凹槽，其中第二凹槽距離本體上表面的距離大于第一凹槽，在所述第二凹槽中設(shè)有孔。
4.根據(jù)權(quán)利要求I至3任意一項(xiàng)所述板式PECVD加熱載板，其特征在于所述凹槽的形狀為方形。
5.根據(jù)權(quán)利要求I至3任意一項(xiàng)所述板式PECVD加熱載板，其特征在于所述孔為通孔。
6.根據(jù)權(quán)利要求I至3任意一項(xiàng)所述板式PECVD加熱載板，其特征在于所述孔的形狀為圓形。
7.根據(jù)權(quán)利要求I至3任意一項(xiàng)所述板式PECVD加熱載板，其特征在于所述凹槽和孔設(shè)置于所述本體的中心位置。
專利摘要本實(shí)用新型公開(kāi)了一種板式PECVD加熱載板，包括本體，在所述本體上設(shè)有第一凹槽，在所述第一凹槽中設(shè)有孔。本實(shí)用新型與現(xiàn)有技術(shù)相比，不僅改善了加熱后導(dǎo)熱性不足的問(wèn)題，同時(shí)有效地提高了電池轉(zhuǎn)換效率，還能適合多種規(guī)格的硅片。
文檔編號(hào)C23C16/46GK202688446SQ201220210918
公開(kāi)日2013年1月23日 申請(qǐng)日期2012年5月11日 優(yōu)先權(quán)日2012年5月11日
發(fā)明者姚騫, 林大成, 王虎, 胡嫚 申請(qǐng)人:奧特斯維能源(太倉(cāng))有限公司