專利名稱：一種pecvd設備專用c/c載板掛鉤的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及一種太陽能電池片的生產(chǎn)設備，具體涉及一種板式PECVD所使用的C/C載板的掛鉤設計。
背景技術(shù)：
板式PECVD (等離子體增強化學氣相沉積法)工藝運行時，硅片通過載板上的掛鉤定位后傳送進入PECVD設備腔體完成鍍膜工藝。現(xiàn)有的掛鉤結(jié)構(gòu)如圖2、圖3所示，在以“下成膜”方式的PECVD設備中，掛鉤與載板的安裝方式見圖I。由于沉相氣體是由下向上運動，在硅片下表面沉膜，因此在這個方向上掛鉤會遮擋掉一部氣體，因而在硅片表面相應部位造成沉膜不均，形成一個鍍膜斑點(見圖8b)，而且該鍍膜斑點的面積大，從而影響電池片的外觀質(zhì)量。并且鍍膜斑點在電池片的有效區(qū)域內(nèi)(鍍膜斑點位于電池片的柵線內(nèi))，因此影響了電池片的質(zhì)量和絕緣性能。同時由于掛鉤與硅片的接觸部分非常尖銳，且在沉膜的過程中一直與硅片牢牢接觸，因而會造成在這個接觸點上完全沒有沉膜，從而造成電池片絕緣性能降低。

實用新型內(nèi)容本實用新型針對上述問題的不足，提出一種鍍膜斑點偏離電池片的有效區(qū)域，而且斑點面積小、絕緣性能高的PECVD設備專用C/C載板掛鉤。本實用新型為解決上述技術(shù)問題提出的技術(shù)方案是一種PECVD設備專用C/C載板掛鉤，用于硅片的定位，包括兩側(cè)都分別相對設置有掛鉤固定桿的第一、第二掛鉤支架，且所述第一、第二掛鉤支架均通過掛鉤固定桿安裝在載板上；所述第一掛鉤支架的底側(cè)的兩端分別設置有第一掛鉤、第二掛鉤，所述第二掛鉤支架的底側(cè)的一端設置有第三掛鉤，且第一掛鉤、第二掛鉤、第三掛鉤與硅片接觸的一面為斜坡面，同時所述斜坡面的傾斜方向與掛鉤支架的頂端相背離。優(yōu)選的所述斜坡面的表面呈階梯狀。優(yōu)選的所述斜坡面與載板之間的傾斜角度為33° -35°。優(yōu)選的所述固定桿均為上細下寬。優(yōu)選的所述掛鉤支架的底面為曲面。優(yōu)選的所述掛鉤支架的下部所有交接面均為圓弧過渡。優(yōu)選的所述第一掛鉤、第二掛鉤均為S316不銹鋼制作的掛鉤。本實用新型的PECVD設備專用C/C載板掛鉤，相比現(xiàn)有技術(shù)，具有以下有益效果I.由于所述第一掛鉤支架的底側(cè)的兩端分別設置有第一掛鉤、第二掛鉤，所述第二掛鉤支架的底側(cè)的一端設置有第三掛鉤，且第一掛鉤、第二掛鉤、第三掛鉤與硅片接觸的一面為斜坡面，同時所述斜坡面的傾斜方向與掛鉤支架的頂端相背離，因此使用時硅片只有其下邊沿與掛鉤接觸，從而使得鍍膜斑點偏離電池片的有效區(qū)域，且斑點面積也大為縮小，有利于提高電池片的質(zhì)量，同時也大大改善了電池片絕緣性能。[0014]2.由于所述斜坡面的表面呈階梯狀，因此硅片在掛鉤上不會滑動，大大方便了生產(chǎn)人員上下片的操作，同時減少了硅片在載板上脫鉤的概率。3.由于所述固定桿均為上細下寬，上部的截面尺寸較小，因而較容易變形，方便了掛鉤的安裝固定。4.由于所述掛鉤支架的底面為曲面，因此確保掛鉤結(jié)構(gòu)強度的前提下，能夠減小掛鉤的截面積，因而提高腔內(nèi)流的流動性，從而能夠減小掛鉤對工藝氣流的影響。5.由于所述掛鉤支架的下部所有交接面均為圓弧過渡，因此能夠避免掛鉤因結(jié)構(gòu)上有尖銳部分而產(chǎn)生高壓放電。

圖I是現(xiàn)有的掛鉤與載板的安裝結(jié)構(gòu)示意圖；圖2是圖I中3'的結(jié)構(gòu)示意圖，其中圖2a是圖I中3 '的放大示意圖，圖2b是圖2a的左視圖；圖3是圖I中4'的結(jié)構(gòu)示意圖，其中圖3a是圖I中4 '的放大示意圖，圖3b是圖3a的左視圖；圖4是本發(fā)明實施例的結(jié)構(gòu)示意圖；圖5是圖4中3的結(jié)構(gòu)示意圖，其中圖5a是圖4中3的放大示意圖，圖5b是圖5a的左視圖；圖6是圖4中4的結(jié)構(gòu)示意圖，其中圖6a是圖4中4的放大示意圖，圖6b是圖6a的左視圖；圖7是圖4中A部分的放大示意圖；圖8是掛鉤沉膜效果圖，其中圖8a是本發(fā)明掛鉤沉膜效果圖，圖Sb現(xiàn)有掛鉤沉膜效果圖；其中1為載板,2為娃片,3 '為現(xiàn)有第一掛鉤,4 '為現(xiàn)有第二掛鉤,3為第一掛鉤支架，4為第二掛鉤支架，5為掛鉤固定桿，31為第一掛鉤，32為第二掛鉤，41為第三掛鉤，6為電池有效區(qū)域，7為電池無效區(qū)域，8為本發(fā)明掛鉤沉膜效果，9為現(xiàn)有掛鉤沉膜效果。
具體實施方式
附圖非限制性地公開了本發(fā)明一個優(yōu)選實施例的結(jié)構(gòu)示意圖，以下將結(jié)合附圖詳細地說明本發(fā)明的技術(shù)方案。
實施例本實施例的一種PECVD設備專用C/C載板掛鉤如圖4所示，用于硅片的定位，包括兩側(cè)都分別相對設置有掛鉤固定桿的第一、第二掛鉤支架，且所述第一、第二掛鉤支架均通過掛鉤固定桿安裝在載板上；如圖5所示，所述第一掛鉤支架的底側(cè)的兩端分別設置有第一掛鉤、第二掛鉤，且第一掛鉤、第二掛鉤與硅片接觸的一面為斜坡面，同時所述斜坡面的傾斜方向與掛鉤支架的頂端相背離。如圖6所示，所述第二掛鉤支架的底側(cè)的一端設置有第三掛鉤，且第三掛鉤與硅片接觸的一面為斜坡面，同時所述斜坡面的傾斜方向與掛鉤支架的頂端相背離。為了硅片在掛鉤上不會滑動，大大方便生產(chǎn)人員上下片的操作，同時減少硅片在載板上脫鉤的概率，如圖7所示，所述斜坡面的表面呈階梯狀，所述斜坡面與載板之間的傾斜角度為33° -35°，當載板與水平線平行時，所述斜坡面與水平線之間的傾斜角度為33° -35°，優(yōu)選所述斜坡面與水平線之間的傾斜角度為 34。。為了方便掛鉤的安裝固定，所述固定桿均為上細下寬。為了確保掛鉤結(jié)構(gòu)強度的前提下，能夠減小掛鉤的面積，從而能夠減小掛鉤對工藝氣流的影響，所述掛鉤支架的底面為曲面。 為了能夠避免掛鉤因結(jié)構(gòu)上有尖銳部分而產(chǎn)生高壓放電，所述掛鉤支架的下部所有交接面均為圓弧過渡。所述第一掛鉤、第二掛鉤均為S316不銹鋼制作的掛鉤。本實施例由于所述第一掛鉤支架的底側(cè)的兩端分別設置有第一掛鉤、第二掛鉤，所述第二掛鉤支架的底側(cè)的一端設置有第三掛鉤，且第一掛鉤、第二掛鉤、第三掛鉤與硅片接觸的一面為斜坡面，同時所述斜坡面的傾斜方向與掛鉤支架的頂端相背離，因此使用時硅片只有其下邊沿與掛鉤接觸，從而使得鍍膜斑點偏離電池片的有效區(qū)域，即鍍膜斑點位于電池片最邊沿的柵線外邊，如圖8b所示，現(xiàn)有掛鉤沉膜效果圖，鍍膜斑點位于電池片的有效區(qū)域內(nèi)(鍍膜斑點位于電池片的柵線內(nèi))，且斑點面積大。圖8a是本發(fā)明掛鉤沉膜效果圖，本發(fā)明的鍍膜斑點偏離電池片的有效區(qū)域(鍍膜斑點位于電池片最邊沿的柵線外)，且斑點面積小于圖8b中現(xiàn)有掛鉤沉膜的鍍膜斑點且斑點面積也大為縮小，有利于提高電池片的質(zhì)量，同時也大大改善了電池片絕緣性能。上面結(jié)合附圖所描述的本發(fā)明優(yōu)選具體實施例僅用于說明本發(fā)明的實施方式，而不是作為對前述發(fā)明目的和所附權(quán)利要求內(nèi)容和范圍的限制，凡是依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實質(zhì)對以上實施例所做的任何簡單修改、等同變化與修飾，均仍屬本發(fā)明技術(shù)和權(quán)利保護范疇。
權(quán)利要求1.一種PECVD設備專用C/C載板掛鉤，用于硅片的定位，其特征在于包括兩側(cè)都分別相對設置有掛鉤固定桿的第一、第二掛鉤支架，且所述第一、第二掛鉤支架均通過掛鉤固定桿安裝在載板上；所述第一掛鉤支架的底側(cè)的兩端分別設置有第一掛鉤、第二掛鉤，所述第二掛鉤支架的底側(cè)的一端設置有第三掛鉤，且第一掛鉤、第二掛鉤、第三掛鉤與硅片接觸的一面為斜坡面，同時所述斜坡面的傾斜方向與掛鉤支架的頂端相背離。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述PECVD設備專用C/C載板掛鉤，其特征在于所述斜坡面的表面呈階梯狀。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述PECVD設備專用C/C載板掛鉤，其特征在于所述斜坡面與載板之間的傾斜角度為33° -35°。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述PECVD設備專用C/C載板掛鉤，其特征在于所述固定桿均為上細下寬。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述PECVD設備專用C/C載板掛鉤，其特征在于所述掛鉤支架的底面為曲面。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述PECVD設備專用C/C載板掛鉤，其特征在于所述掛鉤支架的下部所有交接面均為圓弧過渡。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述PECVD設備專用C/C載板掛鉤，其特征在于所述第一掛鉤、第二掛鉤均為S316不銹鋼制作的掛鉤。
專利摘要本實用新型涉及一種PECVD設備專用C/C載板掛鉤，用于硅片的定位，包括兩側(cè)都分別相對設置有掛鉤固定桿的第一、第二掛鉤支架，且所述第一、第二掛鉤支架均通過掛鉤固定桿安裝在載板上；所述第一掛鉤支架的底側(cè)的兩端分別設置有第一掛鉤、第二掛鉤，所述第二掛鉤支架的底側(cè)的一端設置有第三掛鉤，且第一掛鉤、第二掛鉤、第三掛鉤與硅片接觸的一面為斜坡面，同時所述斜坡面的傾斜方向與掛鉤支架的頂端相背離。本實用新型不僅鍍膜斑點能夠偏離電池片的有效區(qū)域，而且斑點面積小、絕緣性能高。
文檔編號C23C16/458GK202786422SQ201220412249
公開日2013年3月13日 申請日期2012年8月20日 優(yōu)先權(quán)日2012年8月20日
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